ENERGOAVANGARD, LLC
COMPLEX EQUIPMENT ENGINEERING OF INDUSTRIAL ENTERPRISES

Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 554
    [~ID] => 554
    [TIMESTAMP_X] => 10/27/2016 11:45:17 am
    [~TIMESTAMP_X] => 10/27/2016 11:45:17 am
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1477557917
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1477557917
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 10/24/2016 06:35:40 pm
    [~DATE_CREATE] => 10/24/2016 06:35:40 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1477323340
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1477323340
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 2
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 2
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Общая информация о копрах 
    [~NAME] => Общая информация о копрах 
    [PREVIEW_PICTURE] => 
    [~PREVIEW_PICTURE] => 
    [PREVIEW_TEXT] => 
    [~PREVIEW_TEXT] => 
    [PREVIEW_TEXT_TYPE] => text
    [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => text
    [DETAIL_PICTURE] => 1949
    [~DETAIL_PICTURE] => 1949
    [DETAIL_TEXT] => Копер маятниковый предназначен для измерения энергии при ударном разрушении образца и применяется в лабораторной практике исследования механических свойств металлов. 

Копер является стационарной установкой, на основании которой размещены две вертикальные стойки. В верхней части стоек в шарикоподшипниках закреплена ось, на которой подвешен маятник с молотом, в котором находится нож, ударяющий по образцу для определении ударной вязкости материала. Между вертикальными стойками на основании находятся опоры для размещения испытуемого образца. Подъем маятника осуществляется с помощью электропривода. Для удержания маятника в исходном положении имеется двухзахватное предохранительное устройство. На маятник могут устанавливаться съемные молоты, что обеспечивает получение номинальной энергии 15, 25, 50, 150 и 300 Дж, а с помощью дополнительной навески 450 Дж.

На вертикальной стойке копра размещен пульт управления, позволяющий задавать параметры испытаний: запас потенциальной энергии и угол подъема маятника. На дисплее отображаются как заданные параметры испытаний, так и измеренные значения параметров во время испытаний. К копру может быть подключен компьютер через интерфейс Ethernet для вывода информации на экран, а так же проведена распечатка информации с помощью принтера.
Маятниковые копры WPM отличаются высокой надежностью и вибрационной устойчивостью конструкции, что гарантирует высочайшую точность измерений.
[~DETAIL_TEXT] => Копер маятниковый предназначен для измерения энергии при ударном разрушении образца и применяется в лабораторной практике исследования механических свойств металлов. Копер является стационарной установкой, на основании которой размещены две вертикальные стойки. В верхней части стоек в шарикоподшипниках закреплена ось, на которой подвешен маятник с молотом, в котором находится нож, ударяющий по образцу для определении ударной вязкости материала. Между вертикальными стойками на основании находятся опоры для размещения испытуемого образца. Подъем маятника осуществляется с помощью электропривода. Для удержания маятника в исходном положении имеется двухзахватное предохранительное устройство. На маятник могут устанавливаться съемные молоты, что обеспечивает получение номинальной энергии 15, 25, 50, 150 и 300 Дж, а с помощью дополнительной навески 450 Дж. На вертикальной стойке копра размещен пульт управления, позволяющий задавать параметры испытаний: запас потенциальной энергии и угол подъема маятника. На дисплее отображаются как заданные параметры испытаний, так и измеренные значения параметров во время испытаний. К копру может быть подключен компьютер через интерфейс Ethernet для вывода информации на экран, а так же проведена распечатка информации с помощью принтера. Маятниковые копры WPM отличаются высокой надежностью и вибрационной устойчивостью конструкции, что гарантирует высочайшую точность измерений. [DETAIL_TEXT_TYPE] => text [~DETAIL_TEXT_TYPE] => text [SEARCHABLE_CONTENT] => ОБЩАЯ ИНФОРМАЦИЯ О КОПРАХ КОПЕР МАЯТНИКОВЫЙ ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭНЕРГИИ ПРИ УДАРНОМ РАЗРУШЕНИИ ОБРАЗЦА И ПРИМЕНЯЕТСЯ В ЛАБОРАТОРНОЙ ПРАКТИКЕ ИССЛЕДОВАНИЯ МЕХАНИЧЕСКИХ СВОЙСТВ МЕТАЛЛОВ. КОПЕР ЯВЛЯЕТСЯ СТАЦИОНАРНОЙ УСТАНОВКОЙ, НА ОСНОВАНИИ КОТОРОЙ РАЗМЕЩЕНЫ ДВЕ ВЕРТИКАЛЬНЫЕ СТОЙКИ. В ВЕРХНЕЙ ЧАСТИ СТОЕК В ШАРИКОПОДШИПНИКАХ ЗАКРЕПЛЕНА ОСЬ, НА КОТОРОЙ ПОДВЕШЕН МАЯТНИК С МОЛОТОМ, В КОТОРОМ НАХОДИТСЯ НОЖ, УДАРЯЮЩИЙ ПО ОБРАЗЦУ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИИ УДАРНОЙ ВЯЗКОСТИ МАТЕРИАЛА. МЕЖДУ ВЕРТИКАЛЬНЫМИ СТОЙКАМИ НА ОСНОВАНИИ НАХОДЯТСЯ ОПОРЫ ДЛЯ РАЗМЕЩЕНИЯ ИСПЫТУЕМОГО ОБРАЗЦА. ПОДЪЕМ МАЯТНИКА ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОПРИВОДА. ДЛЯ УДЕРЖАНИЯ МАЯТНИКА В ИСХОДНОМ ПОЛОЖЕНИИ ИМЕЕТСЯ ДВУХЗАХВАТНОЕ ПРЕДОХРАНИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО. НА МАЯТНИК МОГУТ УСТАНАВЛИВАТЬСЯ СЪЕМНЫЕ МОЛОТЫ, ЧТО ОБЕСПЕЧИВАЕТ ПОЛУЧЕНИЕ НОМИНАЛЬНОЙ ЭНЕРГИИ 15, 25, 50, 150 И 300 ДЖ, А С ПОМОЩЬЮ ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ НАВЕСКИ 450 ДЖ. НА ВЕРТИКАЛЬНОЙ СТОЙКЕ КОПРА РАЗМЕЩЕН ПУЛЬТ УПРАВЛЕНИЯ, ПОЗВОЛЯЮЩИЙ ЗАДАВАТЬ ПАРАМЕТРЫ ИСПЫТАНИЙ: ЗАПАС ПОТЕНЦИАЛЬНОЙ ЭНЕРГИИ И УГОЛ ПОДЪЕМА МАЯТНИКА. НА ДИСПЛЕЕ ОТОБРАЖАЮТСЯ КАК ЗАДАННЫЕ ПАРАМЕТРЫ ИСПЫТАНИЙ, ТАК И ИЗМЕРЕННЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ВО ВРЕМЯ ИСПЫТАНИЙ. К КОПРУ МОЖЕТ БЫТЬ ПОДКЛЮЧЕН КОМПЬЮТЕР ЧЕРЕЗ ИНТЕРФЕЙС ETHERNET ДЛЯ ВЫВОДА ИНФОРМАЦИИ НА ЭКРАН, А ТАК ЖЕ ПРОВЕДЕНА РАСПЕЧАТКА ИНФОРМАЦИИ С ПОМОЩЬЮ ПРИНТЕРА. МАЯТНИКОВЫЕ КОПРЫ WPM ОТЛИЧАЮТСЯ ВЫСОКОЙ НАДЕЖНОСТЬЮ И ВИБРАЦИОННОЙ УСТОЙЧИВОСТЬЮ КОНСТРУКЦИИ, ЧТО ГАРАНТИРУЕТ ВЫСОЧАЙШУЮ ТОЧНОСТЬ ИЗМЕРЕНИЙ. [~SEARCHABLE_CONTENT] => ОБЩАЯ ИНФОРМАЦИЯ О КОПРАХ КОПЕР МАЯТНИКОВЫЙ ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭНЕРГИИ ПРИ УДАРНОМ РАЗРУШЕНИИ ОБРАЗЦА И ПРИМЕНЯЕТСЯ В ЛАБОРАТОРНОЙ ПРАКТИКЕ ИССЛЕДОВАНИЯ МЕХАНИЧЕСКИХ СВОЙСТВ МЕТАЛЛОВ. КОПЕР ЯВЛЯЕТСЯ СТАЦИОНАРНОЙ УСТАНОВКОЙ, НА ОСНОВАНИИ КОТОРОЙ РАЗМЕЩЕНЫ ДВЕ ВЕРТИКАЛЬНЫЕ СТОЙКИ. В ВЕРХНЕЙ ЧАСТИ СТОЕК В ШАРИКОПОДШИПНИКАХ ЗАКРЕПЛЕНА ОСЬ, НА КОТОРОЙ ПОДВЕШЕН МАЯТНИК С МОЛОТОМ, В КОТОРОМ НАХОДИТСЯ НОЖ, УДАРЯЮЩИЙ ПО ОБРАЗЦУ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИИ УДАРНОЙ ВЯЗКОСТИ МАТЕРИАЛА. МЕЖДУ ВЕРТИКАЛЬНЫМИ СТОЙКАМИ НА ОСНОВАНИИ НАХОДЯТСЯ ОПОРЫ ДЛЯ РАЗМЕЩЕНИЯ ИСПЫТУЕМОГО ОБРАЗЦА. ПОДЪЕМ МАЯТНИКА ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОПРИВОДА. ДЛЯ УДЕРЖАНИЯ МАЯТНИКА В ИСХОДНОМ ПОЛОЖЕНИИ ИМЕЕТСЯ ДВУХЗАХВАТНОЕ ПРЕДОХРАНИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО. НА МАЯТНИК МОГУТ УСТАНАВЛИВАТЬСЯ СЪЕМНЫЕ МОЛОТЫ, ЧТО ОБЕСПЕЧИВАЕТ ПОЛУЧЕНИЕ НОМИНАЛЬНОЙ ЭНЕРГИИ 15, 25, 50, 150 И 300 ДЖ, А С ПОМОЩЬЮ ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ НАВЕСКИ 450 ДЖ. НА ВЕРТИКАЛЬНОЙ СТОЙКЕ КОПРА РАЗМЕЩЕН ПУЛЬТ УПРАВЛЕНИЯ, ПОЗВОЛЯЮЩИЙ ЗАДАВАТЬ ПАРАМЕТРЫ ИСПЫТАНИЙ: ЗАПАС ПОТЕНЦИАЛЬНОЙ ЭНЕРГИИ И УГОЛ ПОДЪЕМА МАЯТНИКА. НА ДИСПЛЕЕ ОТОБРАЖАЮТСЯ КАК ЗАДАННЫЕ ПАРАМЕТРЫ ИСПЫТАНИЙ, ТАК И ИЗМЕРЕННЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ВО ВРЕМЯ ИСПЫТАНИЙ. К КОПРУ МОЖЕТ БЫТЬ ПОДКЛЮЧЕН КОМПЬЮТЕР ЧЕРЕЗ ИНТЕРФЕЙС ETHERNET ДЛЯ ВЫВОДА ИНФОРМАЦИИ НА ЭКРАН, А ТАК ЖЕ ПРОВЕДЕНА РАСПЕЧАТКА ИНФОРМАЦИИ С ПОМОЩЬЮ ПРИНТЕРА. МАЯТНИКОВЫЕ КОПРЫ WPM ОТЛИЧАЮТСЯ ВЫСОКОЙ НАДЕЖНОСТЬЮ И ВИБРАЦИОННОЙ УСТОЙЧИВОСТЬЮ КОНСТРУКЦИИ, ЧТО ГАРАНТИРУЕТ ВЫСОЧАЙШУЮ ТОЧНОСТЬ ИЗМЕРЕНИЙ. [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 414 [~SHOW_COUNTER] => 414 [SHOW_COUNTER_START] => 10/24/2016 06:41:02 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 10/24/2016 06:41:02 pm [CODE] => obshchaya-informaciya-o-koprah [~CODE] => obshchaya-informaciya-o-koprah [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 554 [~XML_ID] => 554 [EXTERNAL_ID] => 554 [~EXTERNAL_ID] => 554 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ispytatelnoe-oborudovanie/obshchaya-informaciya-o-koprah/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ispytatelnoe-oborudovanie/obshchaya-informaciya-o-koprah/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2016.10.24 [~CREATED_DATE] => 2016.10.24 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 750
    [~ID] => 750
    [TIMESTAMP_X] => 03/07/2017 02:48:38 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 03/07/2017 02:48:38 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1488887318
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1488887318
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 03/07/2017 02:48:38 pm
    [~DATE_CREATE] => 03/07/2017 02:48:38 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1488887318
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1488887318
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 2
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 2
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Длительная прочность / Ползучесть / Релаксация
    [~NAME] => Длительная прочность / Ползучесть / Релаксация
    [PREVIEW_PICTURE] => 
    [~PREVIEW_PICTURE] => 
    [PREVIEW_TEXT] => 
    [~PREVIEW_TEXT] => 
    [PREVIEW_TEXT_TYPE] => text
    [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => text
    [DETAIL_PICTURE] => 2069
    [~DETAIL_PICTURE] => 2069
    [DETAIL_TEXT] => 
    [~DETAIL_TEXT] => 
    [DETAIL_TEXT_TYPE] => text
    [~DETAIL_TEXT_TYPE] => text
    [SEARCHABLE_CONTENT] => ДЛИТЕЛЬНАЯ ПРОЧНОСТЬ / ПОЛЗУЧЕСТЬ / РЕЛАКСАЦИЯ


    [~SEARCHABLE_CONTENT] => ДЛИТЕЛЬНАЯ ПРОЧНОСТЬ / ПОЛЗУЧЕСТЬ / РЕЛАКСАЦИЯ


    [WF_STATUS_ID] => 1
    [~WF_STATUS_ID] => 1
    [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => 
    [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => 
    [WF_LAST_HISTORY_ID] => 
    [~WF_LAST_HISTORY_ID] => 
    [WF_NEW] => 
    [~WF_NEW] => 
    [LOCK_STATUS] => green
    [~LOCK_STATUS] => green
    [WF_LOCKED_BY] => 
    [~WF_LOCKED_BY] => 
    [WF_DATE_LOCK] => 
    [~WF_DATE_LOCK] => 
    [WF_COMMENTS] => 
    [~WF_COMMENTS] => 
    [IN_SECTIONS] => Y
    [~IN_SECTIONS] => Y
    [SHOW_COUNTER] => 320
    [~SHOW_COUNTER] => 320
    [SHOW_COUNTER_START] => 03/07/2017 02:53:35 pm
    [~SHOW_COUNTER_START] => 03/07/2017 02:53:35 pm
    [CODE] => dlitelnaya-prochnost-polzuchest-relaksaciya
    [~CODE] => dlitelnaya-prochnost-polzuchest-relaksaciya
    [TAGS] => 
    [~TAGS] => 
    [XML_ID] => 750
    [~XML_ID] => 750
    [EXTERNAL_ID] => 750
    [~EXTERNAL_ID] => 750
    [TMP_ID] => 0
    [~TMP_ID] => 0
    [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев
    [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев
    [LOCKED_USER_NAME] => 
    [~LOCKED_USER_NAME] => 
    [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев
    [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев
    [LANG_DIR] => /
    [~LANG_DIR] => /
    [LID] => ru
    [~LID] => ru
    [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog
    [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog
    [IBLOCK_CODE] => catalog
    [~IBLOCK_CODE] => catalog
    [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции
    [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции
    [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => 
    [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => 
    [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ispytatelnoe-oborudovanie/dlitelnaya-prochnost-polzuchest-relaksaciya/
    [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ispytatelnoe-oborudovanie/dlitelnaya-prochnost-polzuchest-relaksaciya/
    [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog
    [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog
    [CANONICAL_PAGE_URL] => 
    [~CANONICAL_PAGE_URL] => 
    [CREATED_DATE] => 2017.03.07
    [~CREATED_DATE] => 2017.03.07
    [BP_PUBLISHED] => Y
    [~BP_PUBLISHED] => Y
)
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 1208
    [~ID] => 1208
    [TIMESTAMP_X] => 11/16/2017 05:27:33 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 11/16/2017 05:27:33 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1510842453
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1510842453
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 11/16/2017 04:16:40 pm
    [~DATE_CREATE] => 11/16/2017 04:16:40 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1510838200
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1510838200
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 2
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 2
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Трение и износ
    [~NAME] => Трение и износ
    [PREVIEW_PICTURE] => 2537
    [~PREVIEW_PICTURE] => 2537
    [PREVIEW_TEXT] => Испытательная установка на трение и износ для металлических Цилиндров и пары Вал – Цилиндр под влиянием климатических условий.
Данный испытательный стенд используется (разработан) для изучения и испытания пары Вал-Цилиндр в диапазоне разряженного износа при учитывании климатических условий. Общий износ ограничен 2,5 мм, из которых 1,5 мм можно отнести к цилиндру.

Подробнее
[~PREVIEW_TEXT] => Испытательная установка на трение и износ для металлических Цилиндров и пары Вал – Цилиндр под влиянием климатических условий.
Данный испытательный стенд используется (разработан) для изучения и испытания пары Вал-Цилиндр в диапазоне разряженного износа при учитывании климатических условий. Общий износ ограничен 2,5 мм, из которых 1,5 мм можно отнести к цилиндру.

Подробнее
[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 2538 [~DETAIL_PICTURE] => 2538 [DETAIL_TEXT] => Испытательная установка на трение и износ для металлических Цилиндров и пары Вал – Цилиндр под влиянием климатических условий.
Данный испытательный стенд используется (разработан) для изучения и испытания пары Вал-Цилиндр в диапазоне разряженного износа при учитывании климатических условий. Общий износ ограничен 2,5 мм, из которых 1,5 мм можно отнести к цилиндру.

Подробнее [~DETAIL_TEXT] => Испытательная установка на трение и износ для металлических Цилиндров и пары Вал – Цилиндр под влиянием климатических условий.
Данный испытательный стенд используется (разработан) для изучения и испытания пары Вал-Цилиндр в диапазоне разряженного износа при учитывании климатических условий. Общий износ ограничен 2,5 мм, из которых 1,5 мм можно отнести к цилиндру.

Подробнее [DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => Трение и износ Испытательная установка на трение и износ для металлических Цилиндров и пары Вал – Цилиндр под влиянием климатических условий. Данный испытательный стенд используется (разработан) для изучения и испытания пары Вал-Цилиндр в диапазоне разряженного износа при учитывании климатических условий. Общий износ ограничен 2,5 мм, из которых 1,5 мм можно отнести к цилиндру. Подробнее [ HTTP://EAV.SU/CATALOG/SPECIALNYE-MASHNY/ISPYTATELNAYA-USTANOVKA-NA-TRENIE-I-IZNOS/?LANG=RU ] Испытательная установка на трение и износ для металлических Цилиндров и пары Вал – Цилиндр под влиянием климатических условий. Данный испытательный стенд используется (разработан) для изучения и испытания пары Вал-Цилиндр в диапазоне разряженного износа при учитывании климатических условий. Общий износ ограничен 2,5 мм, из которых 1,5 мм можно отнести к цилиндру. Подробнее [ HTTP://EAV.SU/CATALOG/SPECIALNYE-MASHNY/ISPYTATELNAYA-USTANOVKA-NA-TRENIE-I-IZNOS/?LANG=RU ] [~SEARCHABLE_CONTENT] => Трение и износ Испытательная установка на трение и износ для металлических Цилиндров и пары Вал – Цилиндр под влиянием климатических условий. Данный испытательный стенд используется (разработан) для изучения и испытания пары Вал-Цилиндр в диапазоне разряженного износа при учитывании климатических условий. Общий износ ограничен 2,5 мм, из которых 1,5 мм можно отнести к цилиндру. Подробнее [ HTTP://EAV.SU/CATALOG/SPECIALNYE-MASHNY/ISPYTATELNAYA-USTANOVKA-NA-TRENIE-I-IZNOS/?LANG=RU ] Испытательная установка на трение и износ для металлических Цилиндров и пары Вал – Цилиндр под влиянием климатических условий. Данный испытательный стенд используется (разработан) для изучения и испытания пары Вал-Цилиндр в диапазоне разряженного износа при учитывании климатических условий. Общий износ ограничен 2,5 мм, из которых 1,5 мм можно отнести к цилиндру. Подробнее [ HTTP://EAV.SU/CATALOG/SPECIALNYE-MASHNY/ISPYTATELNAYA-USTANOVKA-NA-TRENIE-I-IZNOS/?LANG=RU ] [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 62 [~SHOW_COUNTER] => 62 [SHOW_COUNTER_START] => 11/16/2017 04:58:24 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 11/16/2017 04:58:24 pm [CODE] => trenie-i-iznos [~CODE] => trenie-i-iznos [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 1208 [~XML_ID] => 1208 [EXTERNAL_ID] => 1208 [~EXTERNAL_ID] => 1208 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ispytatelnoe-oborudovanie/trenie-i-iznos/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ispytatelnoe-oborudovanie/trenie-i-iznos/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2017.11.16 [~CREATED_DATE] => 2017.11.16 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 1210
    [~ID] => 1210
    [TIMESTAMP_X] => 11/16/2017 05:33:29 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 11/16/2017 05:33:29 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1510842809
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1510842809
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 11/16/2017 05:33:02 pm
    [~DATE_CREATE] => 11/16/2017 05:33:02 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1510842782
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1510842782
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 2
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 2
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Испытания автомобильных сидений
    [~NAME] => Испытания автомобильных сидений
    [PREVIEW_PICTURE] => 
    [~PREVIEW_PICTURE] => 
    [PREVIEW_TEXT] => 

Испытательная машина для вертикальных и горизонтальных испытаний автомобильных сидений с электромеханическим приводом, c датчиком силы. Испытание проводится с применением специализированного программного обеспечения для испытания и анализа полученных результатов. Управление главной осью осуществляется специализированным контроллером, с высокой точностью контроля усилия испытания , позиционирования и скорости перемещения траверсы.

 

Подробнее

[~PREVIEW_TEXT] =>

Испытательная машина для вертикальных и горизонтальных испытаний автомобильных сидений с электромеханическим приводом, c датчиком силы. Испытание проводится с применением специализированного программного обеспечения для испытания и анализа полученных результатов. Управление главной осью осуществляется специализированным контроллером, с высокой точностью контроля усилия испытания , позиционирования и скорости перемещения траверсы.

 

Подробнее

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => [~DETAIL_PICTURE] => [DETAIL_TEXT] =>

Испытательная машина для вертикальных и горизонтальных испытаний автомобильных сидений с электромеханическим приводом, c датчиком силы. Испытание проводится с применением специализированного программного обеспечения для испытания и анализа полученных результатов. Управление главной осью осуществляется специализированным контроллером, с высокой точностью контроля усилия испытания , позиционирования и скорости перемещения траверсы.

Подробнее

[~DETAIL_TEXT] =>

Испытательная машина для вертикальных и горизонтальных испытаний автомобильных сидений с электромеханическим приводом, c датчиком силы. Испытание проводится с применением специализированного программного обеспечения для испытания и анализа полученных результатов. Управление главной осью осуществляется специализированным контроллером, с высокой точностью контроля усилия испытания , позиционирования и скорости перемещения траверсы.

Подробнее

[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => Испытания автомобильных сидений Испытательная машина для вертикальных и горизонтальных испытаний автомобильных сидений с электромеханическим приводом, C датчиком силы. Испытание проводится с применением специализированного программного обеспечения для испытания и анализа полученных результатов. Управление главной осью осуществляется специализированным контроллером, с высокой точностью контроля усилия испытания , позиционирования и скорости перемещения траверсы.   Подробнее [ HTTP://EAV.SU/CATALOG/SPECIALNYE-MASHNY/ISPYTANIYA-AVTOMOBILNYKH-SIDENIY/?LANG=RU&CLEAR_CACHE=Y ] Испытательная машина для вертикальных и горизонтальных испытаний автомобильных сидений с электромеханическим приводом, C датчиком силы. Испытание проводится с применением специализированного программного обеспечения для испытания и анализа полученных результатов. Управление главной осью осуществляется специализированным контроллером, с высокой точностью контроля усилия испытания , позиционирования и скорости перемещения траверсы. Подробнее [ HTTP://EAV.SU/CATALOG/SPECIALNYE-MASHNY/ISPYTANIYA-AVTOMOBILNYKH-SIDENIY/?LANG=RU&CLEAR_CACHE=Y ] [~SEARCHABLE_CONTENT] => Испытания автомобильных сидений Испытательная машина для вертикальных и горизонтальных испытаний автомобильных сидений с электромеханическим приводом, C датчиком силы. Испытание проводится с применением специализированного программного обеспечения для испытания и анализа полученных результатов. Управление главной осью осуществляется специализированным контроллером, с высокой точностью контроля усилия испытания , позиционирования и скорости перемещения траверсы.   Подробнее [ HTTP://EAV.SU/CATALOG/SPECIALNYE-MASHNY/ISPYTANIYA-AVTOMOBILNYKH-SIDENIY/?LANG=RU&CLEAR_CACHE=Y ] Испытательная машина для вертикальных и горизонтальных испытаний автомобильных сидений с электромеханическим приводом, C датчиком силы. Испытание проводится с применением специализированного программного обеспечения для испытания и анализа полученных результатов. Управление главной осью осуществляется специализированным контроллером, с высокой точностью контроля усилия испытания , позиционирования и скорости перемещения траверсы. Подробнее [ HTTP://EAV.SU/CATALOG/SPECIALNYE-MASHNY/ISPYTANIYA-AVTOMOBILNYKH-SIDENIY/?LANG=RU&CLEAR_CACHE=Y ] [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 20 [~SHOW_COUNTER] => 20 [SHOW_COUNTER_START] => 11/24/2017 11:18:11 am [~SHOW_COUNTER_START] => 11/24/2017 11:18:11 am [CODE] => ispytaniya-avtomobilnykh-sideniy [~CODE] => ispytaniya-avtomobilnykh-sideniy [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 1210 [~XML_ID] => 1210 [EXTERNAL_ID] => 1210 [~EXTERNAL_ID] => 1210 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ispytatelnoe-oborudovanie/ispytaniya-avtomobilnykh-sideniy/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ispytatelnoe-oborudovanie/ispytaniya-avtomobilnykh-sideniy/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2017.11.16 [~CREATED_DATE] => 2017.11.16 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 1289
    [~ID] => 1289
    [TIMESTAMP_X] => 04/13/2018 04:40:55 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 04/13/2018 04:40:55 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1523626855
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1523626855
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 02/14/2018 11:30:06 am
    [~DATE_CREATE] => 02/14/2018 11:30:06 am
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1518597006
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1518597006
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 2
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 2
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Inspekt table 250kN
    [~NAME] => Inspekt table 250kN
    [PREVIEW_PICTURE] => 2701
    [~PREVIEW_PICTURE] => 2701
    [PREVIEW_TEXT] => Предлагаем к поставке универсальную испытательную машину Inspekt table 250kN  производства компании Hegewald&Peschke MPT GmbH, Германия, 2007 года выпуска, полностью в рабочем состоянии по специальной цене. 
    [~PREVIEW_TEXT] => Предлагаем к поставке универсальную испытательную машину Inspekt table 250kN  производства компании Hegewald&Peschke MPT GmbH, Германия, 2007 года выпуска, полностью в рабочем состоянии по специальной цене. 
    [PREVIEW_TEXT_TYPE] => text
    [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => text
    [DETAIL_PICTURE] => 2702
    [~DETAIL_PICTURE] => 2702
    [DETAIL_TEXT] => hp.png

Универсальная испытательная машина 

inspekt table 250kN


Год выпуска 2007
Производство компании Hegewald&Peschke MPT GmbH, Германия



Предлагаем к поставке универсальную испытательную машину Inspekt table 250kN производства компании Hegewald&Peschke MPT GmbH, Германия, 2007 года выпуска, полностью в рабочем состоянии по специальной цене.

Оборудование из Германии весьма надежно, калибровано, внесено в Госреестр СИ РФ, имеет методику поверки. При поставке будет проведена поверка с выдачей сертификата.

Техническое описание:

Механическая конструкция - Настольная модель
- Две направляющие колонны высокой жесткости
- Две высокоточные шарико-винтовые пары
- Механический привод AC- серводвигателем
- Ограничители хода подвижной траверсы
- Контроллер отдельно стоящий
- Ширина рабочей зоны: 510 мм
- Максимальная высота тестового пространства: 1060 мм
Стандартные функции - Режим управления: автономный или с ПК
- Программируемый контроль выбранного значения Усилие / Перемещение / Удлинение
- Защита от перегрузки
- Автоматическая калибровка силы
- Детектор обрыва образца
- Функция возврата
- Отображение данных в режиме реального времени
- Управление с помощью ПО LabMaster
Номинальная нагрузка (растяжение / сжатие) 250kN
Скорость испытания 0,01 – 175 мм/мин
Скорость возврата до 175 мм/мин
Диапазон измерения силы В диапазоне от 0,4-100% от мощности силоизмерителя 1-ого класса (или 0,5 по выбору) в соответствии с DIN EN ISO 7500-1
Разрешение хода траверсы < 1µм
Интервал обработки данных 50 Гц стандарт
Дополнительные каналы Возможно установить 2 дополнительных канала:
(1 аналоговых входных / выходных или 2 цифровых для внешних приборов)
Параметры питания 115/230 В переменного тока 1,5 кВт, 50/60 Гц
Оснащение - Панель управления с индикацией (нагрузка/перемещение - дисплей) для ручного позиционирование в автономном режиме без ПК,
- Опорная рама с дополнительной полкой для инструмента
- Механические клиновые захваты
- ПК
- Программное обеспечение LabMaster на базе ОС Windows
Дополнительное оснащение Возможно дооснащение любыми необходимыми приспособлениями и устройствами, например экстензометр, или плиты для испытания на сжатие
Запуск Машина поставляется с проведением монтажа, ПНР и поверкой.
[~DETAIL_TEXT] => hp.png

Универсальная испытательная машина 

inspekt table 250kN


Год выпуска 2007
Производство компании Hegewald&Peschke MPT GmbH, Германия



Предлагаем к поставке универсальную испытательную машину Inspekt table 250kN производства компании Hegewald&Peschke MPT GmbH, Германия, 2007 года выпуска, полностью в рабочем состоянии по специальной цене.

Оборудование из Германии весьма надежно, калибровано, внесено в Госреестр СИ РФ, имеет методику поверки. При поставке будет проведена поверка с выдачей сертификата.

Техническое описание:

Механическая конструкция - Настольная модель
- Две направляющие колонны высокой жесткости
- Две высокоточные шарико-винтовые пары
- Механический привод AC- серводвигателем
- Ограничители хода подвижной траверсы
- Контроллер отдельно стоящий
- Ширина рабочей зоны: 510 мм
- Максимальная высота тестового пространства: 1060 мм
Стандартные функции - Режим управления: автономный или с ПК
- Программируемый контроль выбранного значения Усилие / Перемещение / Удлинение
- Защита от перегрузки
- Автоматическая калибровка силы
- Детектор обрыва образца
- Функция возврата
- Отображение данных в режиме реального времени
- Управление с помощью ПО LabMaster
Номинальная нагрузка (растяжение / сжатие) 250kN
Скорость испытания 0,01 – 175 мм/мин
Скорость возврата до 175 мм/мин
Диапазон измерения силы В диапазоне от 0,4-100% от мощности силоизмерителя 1-ого класса (или 0,5 по выбору) в соответствии с DIN EN ISO 7500-1
Разрешение хода траверсы < 1µм
Интервал обработки данных 50 Гц стандарт
Дополнительные каналы Возможно установить 2 дополнительных канала:
(1 аналоговых входных / выходных или 2 цифровых для внешних приборов)
Параметры питания 115/230 В переменного тока 1,5 кВт, 50/60 Гц
Оснащение - Панель управления с индикацией (нагрузка/перемещение - дисплей) для ручного позиционирование в автономном режиме без ПК,
- Опорная рама с дополнительной полкой для инструмента
- Механические клиновые захваты
- ПК
- Программное обеспечение LabMaster на базе ОС Windows
Дополнительное оснащение Возможно дооснащение любыми необходимыми приспособлениями и устройствами, например экстензометр, или плиты для испытания на сжатие
Запуск Машина поставляется с проведением монтажа, ПНР и поверкой.
[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => INSPEKT TABLE 250KN Предлагаем к поставке универсальную испытательную машину INSPEKT TABLE 250KN производства компании HEGEWALD&PESCHKE MPT GMBH, Германия, 2007 года выпуска, полностью в рабочем состоянии по специальной цене. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/75E/75E192EF7E29AD43CE6CF3DA74B1843A.PNG ] Универсальная испытательная машина&NBSP; INSPEKT TABLE 250KN Год выпуска 2007 Производство компании HEGEWALD&PESCHKE MPT GMBH, Германия Предлагаем к поставке универсальную испытательную машину INSPEKT TABLE 250KN производства компании HEGEWALD&PESCHKE MPT GMBH, Германия, 2007 года выпуска, полностью в рабочем состоянии по специальной цене. Оборудование из Германии весьма надежно, калибровано, внесено в Госреестр СИ РФ, имеет методику поверки. При поставке будет проведена поверка с выдачей сертификата. Техническое описание: ---------------------- Механическая конструкция - Настольная модель - Две направляющие колонны высокой жесткости - Две высокоточные шарико-винтовые пары - Механический привод AC- серводвигателем - Ограничители хода подвижной траверсы - Контроллер отдельно стоящий - Ширина рабочей зоны: 510 мм - Максимальная высота тестового пространства: 1060 мм Стандартные функции - Режим управления: автономный или с ПК - Программируемый контроль выбранного значения Усилие / Перемещение / Удлинение - Защита от перегрузки - Автоматическая калибровка силы - Детектор обрыва образца - Функция возврата - Отображение данных в режиме реального времени - Управление с помощью ПО LABMASTER Номинальная нагрузка (растяжение / сжатие) 250KN Скорость испытания 0,01 – 175 мм/мин Скорость возврата до 175 мм/мин Диапазон измерения силы В диапазоне от 0,4-100% от мощности силоизмерителя 1-ого класса (или 0,5 по выбору) в соответствии с DIN EN ISO 7500-1 Разрешение хода траверсы < 1µм Интервал обработки данных 50 Гц стандарт Дополнительные каналы Возможно установить 2 дополнительных канала: (1 аналоговых входных / выходных или 2 цифровых для внешних приборов) Параметры питания 115/230 В переменного тока 1,5 кВт, 50/60 Гц Оснащение - Панель управления с индикацией (нагрузка/перемещение - дисплей) для ручного позиционирование в автономном режиме без ПК, - Опорная рама с дополнительной полкой для инструмента - Механические клиновые захваты - ПК - Программное обеспечение LABMASTER на базе ОС WINDOWS Дополнительное оснащение Возможно дооснащение любыми необходимыми приспособлениями и устройствами, например экстензометр, или плиты для испытания на сжатие Запуск Машина поставляется с проведением монтажа, ПНР и поверкой. [~SEARCHABLE_CONTENT] => INSPEKT TABLE 250KN Предлагаем к поставке универсальную испытательную машину INSPEKT TABLE 250KN производства компании HEGEWALD&PESCHKE MPT GMBH, Германия, 2007 года выпуска, полностью в рабочем состоянии по специальной цене. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/75E/75E192EF7E29AD43CE6CF3DA74B1843A.PNG ] Универсальная испытательная машина&NBSP; INSPEKT TABLE 250KN Год выпуска 2007 Производство компании HEGEWALD&PESCHKE MPT GMBH, Германия Предлагаем к поставке универсальную испытательную машину INSPEKT TABLE 250KN производства компании HEGEWALD&PESCHKE MPT GMBH, Германия, 2007 года выпуска, полностью в рабочем состоянии по специальной цене. Оборудование из Германии весьма надежно, калибровано, внесено в Госреестр СИ РФ, имеет методику поверки. При поставке будет проведена поверка с выдачей сертификата. Техническое описание: ---------------------- Механическая конструкция - Настольная модель - Две направляющие колонны высокой жесткости - Две высокоточные шарико-винтовые пары - Механический привод AC- серводвигателем - Ограничители хода подвижной траверсы - Контроллер отдельно стоящий - Ширина рабочей зоны: 510 мм - Максимальная высота тестового пространства: 1060 мм Стандартные функции - Режим управления: автономный или с ПК - Программируемый контроль выбранного значения Усилие / Перемещение / Удлинение - Защита от перегрузки - Автоматическая калибровка силы - Детектор обрыва образца - Функция возврата - Отображение данных в режиме реального времени - Управление с помощью ПО LABMASTER Номинальная нагрузка (растяжение / сжатие) 250KN Скорость испытания 0,01 – 175 мм/мин Скорость возврата до 175 мм/мин Диапазон измерения силы В диапазоне от 0,4-100% от мощности силоизмерителя 1-ого класса (или 0,5 по выбору) в соответствии с DIN EN ISO 7500-1 Разрешение хода траверсы < 1µм Интервал обработки данных 50 Гц стандарт Дополнительные каналы Возможно установить 2 дополнительных канала: (1 аналоговых входных / выходных или 2 цифровых для внешних приборов) Параметры питания 115/230 В переменного тока 1,5 кВт, 50/60 Гц Оснащение - Панель управления с индикацией (нагрузка/перемещение - дисплей) для ручного позиционирование в автономном режиме без ПК, - Опорная рама с дополнительной полкой для инструмента - Механические клиновые захваты - ПК - Программное обеспечение LABMASTER на базе ОС WINDOWS Дополнительное оснащение Возможно дооснащение любыми необходимыми приспособлениями и устройствами, например экстензометр, или плиты для испытания на сжатие Запуск Машина поставляется с проведением монтажа, ПНР и поверкой. [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 488 [~SHOW_COUNTER] => 488 [SHOW_COUNTER_START] => 02/14/2018 11:30:34 am [~SHOW_COUNTER_START] => 02/14/2018 11:30:34 am [CODE] => inspekt-table-250kn [~CODE] => inspekt-table-250kn [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 1289 [~XML_ID] => 1289 [EXTERNAL_ID] => 1289 [~EXTERNAL_ID] => 1289 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ispytatelnoe-oborudovanie/inspekt-table-250kn/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ispytatelnoe-oborudovanie/inspekt-table-250kn/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2018.02.14 [~CREATED_DATE] => 2018.02.14 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 1
    [~SORT] => 1
    [ID] => 559
    [~ID] => 559
    [TIMESTAMP_X] => 02/08/2018 07:04:22 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 02/08/2018 07:04:22 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1518105862
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1518105862
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 10/26/2016 11:30:23 am
    [~DATE_CREATE] => 10/26/2016 11:30:23 am
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1477470623
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1477470623
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 7
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 7
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Порошковый 3D принтер
    [~NAME] => Порошковый 3D принтер
    [PREVIEW_PICTURE] => 1856
    [~PREVIEW_PICTURE] => 1856
    [PREVIEW_TEXT] => 

Используется технология электронно-лучевой плавки (EBW). В основе технологии лежит плавка металлического порошка в камере с образованием последовательных слоев, повторяющих контуры цифровой модели.

[~PREVIEW_TEXT] =>

Используется технология электронно-лучевой плавки (EBW). В основе технологии лежит плавка металлического порошка в камере с образованием последовательных слоев, повторяющих контуры цифровой модели.

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 1855 [~DETAIL_PICTURE] => 1855 [DETAIL_TEXT] => Используется технология электронно-лучевой плавки (EBW). В основе технологии лежит плавка металлического порошка в камере с образованием последовательных слоев, повторяющих контуры цифровой модели.
Адаптивные материалы: нержавеющая сталь, титан и т.п.
Плотность изделия: ≥95%
Прочность изделия: не уступает аналогичным изделиям, полученным методом литья.
Размер: 200 *200 *200 мм (Д*Ш*В)
Точность: ±0.2 мм [~DETAIL_TEXT] => Используется технология электронно-лучевой плавки (EBW). В основе технологии лежит плавка металлического порошка в камере с образованием последовательных слоев, повторяющих контуры цифровой модели.
Адаптивные материалы: нержавеющая сталь, титан и т.п.
Плотность изделия: ≥95%
Прочность изделия: не уступает аналогичным изделиям, полученным методом литья.
Размер: 200 *200 *200 мм (Д*Ш*В)
Точность: ±0.2 мм [DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => Порошковый 3D принтер Используется технология электронно-лучевой плавки (EBW). В основе технологии лежит плавка металлического порошка в камере с образованием последовательных слоев, повторяющих контуры цифровой модели. Используется технология электронно-лучевой плавки (EBW). В основе технологии лежит плавка металлического порошка в камере с образованием последовательных слоев, повторяющих контуры цифровой модели. Адаптивные материалы: нержавеющая сталь, титан и т.п. Плотность изделия: ≥95% Прочность изделия: не уступает аналогичным изделиям, полученным методом литья. Размер: 200 *200 *200 мм (Д*Ш*В) Точность: ±0.2 мм [~SEARCHABLE_CONTENT] => Порошковый 3D принтер Используется технология электронно-лучевой плавки (EBW). В основе технологии лежит плавка металлического порошка в камере с образованием последовательных слоев, повторяющих контуры цифровой модели. Используется технология электронно-лучевой плавки (EBW). В основе технологии лежит плавка металлического порошка в камере с образованием последовательных слоев, повторяющих контуры цифровой модели. Адаптивные материалы: нержавеющая сталь, титан и т.п. Плотность изделия: ≥95% Прочность изделия: не уступает аналогичным изделиям, полученным методом литья. Размер: 200 *200 *200 мм (Д*Ш*В) Точность: ±0.2 мм [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 656 [~SHOW_COUNTER] => 656 [SHOW_COUNTER_START] => 10/26/2016 11:31:34 am [~SHOW_COUNTER_START] => 10/26/2016 11:31:34 am [CODE] => poroshkovyj-3d-printer [~CODE] => poroshkovyj-3d-printer [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 559 [~XML_ID] => 559 [EXTERNAL_ID] => 559 [~EXTERNAL_ID] => 559 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ehlektronno-luchevaya-svarka/poroshkovyj-3d-printer/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ehlektronno-luchevaya-svarka/poroshkovyj-3d-printer/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2016.10.26 [~CREATED_DATE] => 2016.10.26 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 2
    [~SORT] => 2
    [ID] => 560
    [~ID] => 560
    [TIMESTAMP_X] => 11/09/2016 10:12:47 am
    [~TIMESTAMP_X] => 11/09/2016 10:12:47 am
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1478675567
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1478675567
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 10/26/2016 11:32:52 am
    [~DATE_CREATE] => 10/26/2016 11:32:52 am
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1477470772
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1477470772
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 7
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 7
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Проволочный 3D принтер
    [~NAME] => Проволочный 3D принтер
    [PREVIEW_PICTURE] => 1857
    [~PREVIEW_PICTURE] => 1857
    [PREVIEW_TEXT] => Используется технология
производства произвольных форм электронно-лучевой плавкой (EBF3). В основе технологии лежит плавка прутка
в камере с образованием
последовательных слоев, повторяющих контуры 3D модели. [~PREVIEW_TEXT] => Используется технология
производства произвольных форм электронно-лучевой плавкой (EBF3). В основе технологии лежит плавка прутка
в камере с образованием
последовательных слоев, повторяющих контуры 3D модели. [PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 1858 [~DETAIL_PICTURE] => 1858 [DETAIL_TEXT] => Используется технология производства произвольных форм электронно-лучевой плавкой (EBF3). В основе технологии лежит плавка прутка в камере с образованием последовательных слоев, повторяющих контуры 3D модели.
Адаптивные материалы: нержавеющая сталь, титан и т.п.
Плотность изделия: ≥95%
Прочность изделия: не уступает аналогичным изделиям, полученным методом литья.
Скорость печати: 1 кг/час
Диаметр проволоки: Ø 0,5 -2 мм [~DETAIL_TEXT] => Используется технология производства произвольных форм электронно-лучевой плавкой (EBF3). В основе технологии лежит плавка прутка в камере с образованием последовательных слоев, повторяющих контуры 3D модели.
Адаптивные материалы: нержавеющая сталь, титан и т.п.
Плотность изделия: ≥95%
Прочность изделия: не уступает аналогичным изделиям, полученным методом литья.
Скорость печати: 1 кг/час
Диаметр проволоки: Ø 0,5 -2 мм [DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => ПРОВОЛОЧНЫЙ 3D ПРИНТЕР ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА ПРОИЗВОЛЬНЫХ ФОРМ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПЛАВКОЙ (EBF3). В ОСНОВЕ ТЕХНОЛОГИИ ЛЕЖИТ ПЛАВКА ПРУТКА В КАМЕРЕ С ОБРАЗОВАНИЕМ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫХ СЛОЕВ, ПОВТОРЯЮЩИХ КОНТУРЫ 3D МОДЕЛИ. ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА ПРОИЗВОЛЬНЫХ ФОРМ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПЛАВКОЙ (EBF3). В ОСНОВЕ ТЕХНОЛОГИИ ЛЕЖИТ ПЛАВКА ПРУТКА В КАМЕРЕ С ОБРАЗОВАНИЕМ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫХ СЛОЕВ, ПОВТОРЯЮЩИХ КОНТУРЫ 3D МОДЕЛИ. АДАПТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ: НЕРЖАВЕЮЩАЯ СТАЛЬ, ТИТАН И Т.П. ПЛОТНОСТЬ ИЗДЕЛИЯ: ≥95% ПРОЧНОСТЬ ИЗДЕЛИЯ: НЕ УСТУПАЕТ АНАЛОГИЧНЫМ ИЗДЕЛИЯМ, ПОЛУЧЕННЫМ МЕТОДОМ ЛИТЬЯ. СКОРОСТЬ ПЕЧАТИ: 1 КГ/ЧАС ДИАМЕТР ПРОВОЛОКИ: Ø 0,5 -2 ММ [~SEARCHABLE_CONTENT] => ПРОВОЛОЧНЫЙ 3D ПРИНТЕР ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА ПРОИЗВОЛЬНЫХ ФОРМ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПЛАВКОЙ (EBF3). В ОСНОВЕ ТЕХНОЛОГИИ ЛЕЖИТ ПЛАВКА ПРУТКА В КАМЕРЕ С ОБРАЗОВАНИЕМ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫХ СЛОЕВ, ПОВТОРЯЮЩИХ КОНТУРЫ 3D МОДЕЛИ. ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА ПРОИЗВОЛЬНЫХ ФОРМ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПЛАВКОЙ (EBF3). В ОСНОВЕ ТЕХНОЛОГИИ ЛЕЖИТ ПЛАВКА ПРУТКА В КАМЕРЕ С ОБРАЗОВАНИЕМ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫХ СЛОЕВ, ПОВТОРЯЮЩИХ КОНТУРЫ 3D МОДЕЛИ. АДАПТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ: НЕРЖАВЕЮЩАЯ СТАЛЬ, ТИТАН И Т.П. ПЛОТНОСТЬ ИЗДЕЛИЯ: ≥95% ПРОЧНОСТЬ ИЗДЕЛИЯ: НЕ УСТУПАЕТ АНАЛОГИЧНЫМ ИЗДЕЛИЯМ, ПОЛУЧЕННЫМ МЕТОДОМ ЛИТЬЯ. СКОРОСТЬ ПЕЧАТИ: 1 КГ/ЧАС ДИАМЕТР ПРОВОЛОКИ: Ø 0,5 -2 ММ [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 723 [~SHOW_COUNTER] => 723 [SHOW_COUNTER_START] => 10/27/2016 02:40:24 am [~SHOW_COUNTER_START] => 10/27/2016 02:40:24 am [CODE] => provolochnyj-3d-printer [~CODE] => provolochnyj-3d-printer [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 560 [~XML_ID] => 560 [EXTERNAL_ID] => 560 [~EXTERNAL_ID] => 560 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ehlektronno-luchevaya-svarka/provolochnyj-3d-printer/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ehlektronno-luchevaya-svarka/provolochnyj-3d-printer/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2016.10.26 [~CREATED_DATE] => 2016.10.26 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 510
    [~ID] => 510
    [TIMESTAMP_X] => 11/23/2016 11:45:32 am
    [~TIMESTAMP_X] => 11/23/2016 11:45:32 am
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1479890732
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1479890732
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 07/14/2016 12:15:09 pm
    [~DATE_CREATE] => 07/14/2016 12:15:09 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1468487709
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1468487709
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 7
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 7
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Специализированная электронно-лучевая установка для микросварки
    [~NAME] => Специализированная электронно-лучевая установка для микросварки
    [PREVIEW_PICTURE] => 1785
    [~PREVIEW_PICTURE] => 1785
    [PREVIEW_TEXT] => 
    [~PREVIEW_TEXT] => 
    [PREVIEW_TEXT_TYPE] => html
    [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html
    [DETAIL_PICTURE] => 1786
    [~DETAIL_PICTURE] => 1786
    [DETAIL_TEXT] => 

ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ УСТАНОВКА

EA Micro EBW относится к оборудованию высокоточной сварки электронным лучом в вакууме. Особенностью установки является то, что она объединяет в себе два прецизионных электронно-оптических устройства, а именно: РЭМ (растровый электронный микроскоп) и ЭЛС (электронно-лучевая сварка).

Вид 1 1.jpgВид 311.jpg

Такое сочетание позволяет производить сварку с высокой точностью позиционирования и обработки электронным лучом за счет использования в конструкции установки точной фокусировки и прецизионного сканирования луча, коаксиальной системы видеонаблюдения, режима РЭМ и наноманипулятора.

Установка компонуется как настольный вариант в единой консоли – столе, в которой располагаются системы и блоки установки, и которая является рабочим местом оператора.

image014.jpg рабочий стол 1.jpg

1. Источник электронов (ЭЛП-электронно-лучевая пушка)

В разработке ЭЛП сложены в одно целое две технологии: получение высококачественного растрового изображения во вторичных и отражённых электронах (РЭМ) и сбалансированная трёх электродная схема электронно-лучевой сварки, которая является общей для обоих устройств и состоящая из катодно-анодного блока и управляющего электрода. Расчет кроссовера проведен и оптимизирован с учетом особенностей формирования луча для обеих оптикоэлектронных систем.


image024.jpgimage019.jpgimage020.jpg

За счет правильно сбалансированной конфигурации этих элементов и фокусирующей системы удаётся достигнуть диаметра луча в точке сварки 15 мкм.


image027.jpg

Для стабильной работы пушки в ней применена дифференциальная сухая откачка отдельным турбомолекулярным насосом и датчиком контроля вакуума в катодно-анодном блоке. ЭЛП оснащена электромагнитными растровыми центрирующими, стигмирующим и фокусирующими системами, детектором отражённых электронов с коаксиальным размещением.

image031.jpg image032.jpg

В камере устанавливается детектор вторичных электронов с углом наклона 45 градусов, а также коаксиальной системой видеонаблюдения обрабатываемой детали в одном направлении с электронным лучом, что при малых токах сварки обеспечивает наблюдение процесса сварки.

В ЭЛП предусмотрена работа с двумя типами катодов: V-образный (вольфрамовый) или LaB6 (гексаборид лантана). Конструкция пушки позволяет быстро менять катодные узлы в течении 2-3 минут за счет предварительной центровки катода в блоке с помощью специальных технологических приспособлений.

Основные характеристики ЭЛП:

Оптическая система источника
трех электродная
Тип катода
прямонакальный, вольфрам или LaB6
Ускоряющее напряжение
60 кв
Мощность
2 квт
Растровая система
электромагнитная
Угол отклонения
+/- 15 градусов
Фокусирующая система
электромагнитная
Минимальный размер пучка
15 мкм
Минимальный ток сварки
0,02 мА
Диапазон частоты сканирования
луча по координатам X-Y
1-7 кГц
Габаритные размеры
540 мм х 150 мм
Вес
70 кг

2. Высоковольтный блок питания 60 кВ /2 кВт

Высоковольтный блок питания построен на базе высокочастотных преобразователей с применением современных мощных полупроводниковых элементов IGBT технологии. Конструкция и схемотехническое решение, заложенные в источнике высокого напряжения, позволяют осуществлять быстрый выход на рабочий режим высокого напряжения при его включении и подавления электрических разрядов в электронно-лучевой пушке в случае их возникновения. Блок питания обеспечивает генерацию и изменение высокого напряжения до 60 кВ, напряжения смещения и генерацию тока накала катода.

Вид 311.jpg image037.jpg

Основные параметры высоковольтного блока питания:

Диапазон изменения высокого напряжения
5-60 кВ (для технологических целей возможно до 70 кВ)
Шаг изменения высокого напряжения
0,01 кВ
Диапазон изменения тока нагрузки
0...40 мА
Номинальная непрерывная мощность
2 кВт
Частота преобразователя
62 кГц
Нестабильность выходного напряжения при изменении напряжения сети +/- 10 градусов
менее 0,1%
Статическая нестабильность (при изменении нагрузки 0-100%)
менее 0,1%
Длительность переходного процесса
менее 1 мсек
Пульсации и шумы выходного напряжения
менее 0,1% RMS
Напряжение смещения на цилиндре Венельта
0,8 кВ
Ток накала катода
1....7А, 10 В
Длительность импульса в импульсном режиме работы
10 мс
Максимальная частота импульсов
100 Гц
Интерфейс RS 485
по протоколу MODBUS
Питание
3 х 380 В, 50 Гц

Для быстрой импульсной модуляции предусмотрен внешний импульсный режим, в котором управляющий электрод переводится под управление внешнего генератора импульсов, что позволяет получить импульсы длительностью 10 мкс с частотой до 5 кГц. Но в данном случае ток луча не может регулироваться.

       Режим растрового электронного микроскопа (РЭМ)

image040.jpg

Установка укомплектована системами позволяющими работать в режиме растрового электронного микроскопа (РЭМ) для получения в режиме реального времени поверхности свариваемых изделий с высоким разрешением до 15 мкм. Это позволяет производить позиционирование и сварку с очень высокой точностью.

Для получения изображения РЭМ установка укомплектована двумя детекторами вторичных и отражённых электронов. Один детектор (отражённых электронов) установлен на торце пушки, второй – на стенке вакуумной камеры (см.рис.11) Такая компоновка позволяет оптимизировать контраст изображения детали. Высокое качество изображения (рис.12,13,14,15) обеспечивается двухлинзовой фокусирующей системой и усилительным трактом с низким уровнем шума, используемые в РЭМ.

Режим РЭМ имеет режим быстрой развёртки 250 х 250 точек для работы в реальном времени и режим высокого разрешения до 2000 х 2000 точек. Оператор использует эти режимы по ситуации. Быстрый - для предварительного позиционирования изделия и высокого разрешения – для детального просмотра поверхности изделий с высоким разрешением. Режим высокого разрешения может использоваться для контроля качества сварки и определения дефектов.

image047.jpg image051.jpg

image043.jpg image045.jpg

Основные параметры РЭМ:

Разрешение
до 15 мкм (в зависимости от настройки системы)
Размер изображения при быстрой развертке
256 х 256 точек
Размер изображения при медленной развертке (программно)
до 2000 х 2000 точек
Диапазон электронно - оптического увеличения
до 1000 крат
Регулировка яркости и контраста
 
Количество и тип детекторов
Детектор отраженных электронов - 1 шт.
Детектор вторичных электронов - 1 шт.
Вывод изображения на монитор
С возможностью документирования

       Вакуумная камера

камера1 1.jpg

Камера изготавливается из нержавеющей стали и имеет прямоугольную форму с фронтальной дверью.

Конструкция камеры имеет требуемую механическую прочность – деформация камеры при получении вакуума отсутствует.

На задней стенке камеры установлены фланцы для подсоединения вакуумной системы и осуществления ввода необходимых коммуникаций вовнутрь камеры. На боковых стенках устанавливаются дополнительное оборудование, например детектор вторичных электронов, манипулятор и др.

Доступ в рабочий объём камеры осуществляется через дверь. Дверь открывается и закрывается вручную. Требуемые для этого усилия минимальны. На двери установлены смотровые окна. Внутри смотровые окна защищены от возможного напыления съёмным, легко заменяемым защитным стеклом. Стёкла изготовлены из материала, обеспечивающего рентгеновскую защиту.

image055.jpg image058.jpg

Конструкция камеры позволяет устанавливать ЭЛП в различных положениях (сбоку, сверху).

image061.jpg image063.jpg

Внутри камеры установлен осветитель для удобства обзора через смотровые окна при настройке системы.

Камера обеспечивает установку в ней различных типов манипуляторов:

• XYZ ЧПУ манипулятор для линейных траекторий.
• Вращатель, который может устанавливаться в горизонтальном и вертикальном положении и имеет многопозиционную карусель для кольцевых швов.
• XYZ наноманипулятор с вращателем для работы с высокоточными перемещениями до 50 нм.

Для дополнительного обзора внутрикамерного пространства (при работе детектора вторичных электронов) на камере предусмотрен порт для ИК CCD камеры при закрытых смотровых окнах.

image067.jpg image071.jpg

image075.jpg image073.jpg

Основные характеристики камеры:

Рабочий объем камеры
не более 0,2 кубических метров
Габаритные размеры
не более 650 х 650 х 650 мм
Материал, из которого изготавливается камера
нержавеющая сталь 08Х18Н10 (AISI 304)
Радиационная безопасность
не более 1 мкЗв/ч на расстоянии 100 мм от внешних поверхностей камеры
Внутрикамерная оснастка
вся из антимагнитных нержавеющих сталей

image079.jpg

3. Вакуумная система

image082.jpg

Вакуумная система состоит из двух независимых систем, управляемых одной системой контроля работы исполнительных устройств. Одна система обеспечивает получение вакуума и его контроль в вакуумной камере, вторая-в катодно-анодном блоке пушки.
Откачные системы состоят из сухого форвакуумного насоса и турбомолекулярного насоса соответствующей производительности.
Вакуумная арматура (шибера, клапана, привода) построены на пневмоприводах. В систему входит компрессор сжатого воздуха, обеспечивающий автоконтроль за давлением в пневмосистеме. Между камерой и пушкой есть вакуумная заслонка , позволяющая производить независимый напуск воздуха в пушку или камеру. Для контроля уровня разряжения в контрольных точках установлены вакуумные датчики.





Основные характеристики вакуумной системы:

Турбомолекулярный насос (ТМН) откачки камеры
2000 л/сек.
Турбомолекулярный насос (ТМН) откачки пушки
80 л/сек.
Форвакуумный насос откачки ТМН камеры и камеры на форвакуум
не менее 100 куб.м/ч.
Форвакуумный насос откачки ТМН ЭЛП и катодно-анодной части ЭЛП на форвакуум
5 куб. м/ч
Тип приводов клапанов и шиберов
пневматический
Рабочее давление в пневмосистеме
 6 бар
Рабочее давление в камере
1,3 х 10 в минус пятой степени мбар
Рабочее давление в катодно-анодной части ЭЛП
1,3 х 10 в минус пятой степени мбар
Время достижения рабочего вакуума
не более 5 мин.
Уровень шума насосов
не выше 75 дБ
Охлаждение ТМН
стационарная система охлаждения

       Манипуляторы

Для выполнения различных работ с перемещением и ориентацией обрабатываемых изделий установок может комплектоваться различными манипуляторами:
• ЧПУ манипулятор с X-Y-Z перемещением
• Наноманипулятор с X-Y-Z перемещением и вращателем
• Вращатель со сменной планшайбой с возможностью одновременной установки до 6 деталей 

манипулятор 1.jpg 2.jpg 3.jpg

Для работы с крупногабаритными деталями весом до 5 кг используется ЧПУ X-Y-Z манипулятор на синхронных сервоприводах с ЧПУ управлением для программирования траекторий шва. Система программирования перемещения изделия обеспечивает преобразование координат траектории с заранее выбранным базированием его на столе манипулятора в управляющие сигналы на сервопривода системы позиционирования изделия и управление технологическими параметрами процесса сварки. Также система позволяет воспроизводить траектории, которые сняты с изображений РЭМ высокого разрешения.

Для работы с малыми изделиями весом до 200 г и необходимостью позиционирования с точностью до 50 нм используется наноманипулятор на пьезоприводах. Наноманипулятор может устанавливаться на X-Y-Z манипулятор или отдельно в рабочем объёме камеры.

Как опция индивидуального использования является манипулятор вращения с многопозиционной планшайбой. Вращатель устанавливается вертикально или горизонтально на X-Y-Z манипулятор и включается в единую систему ЧПУ управления . Для привода вращателя используется аналогичный сервопривод.
Для более точного позиционирования одного вращающего изделия манипулятор имеет возможность оснащения центрирующей оправкой.

Основные параметры систем позиционирования

Диапазон перемещения
X-Y-Z
ЧПУ манипулятора
X - Y +/- 100
Z +/- 50
Точность позиционирования
+/- 15 мкм
Точность воспроизведения
+/- 10 мкм
Максимальная скорость перемещения
до 100 мм/с
Тип привода
сервопривод на синхронном двигателе
Нагрузочная способность
до 10 кг
Наноманипулятор:
- диапазон перемещения по X-Y-Z координатам
- минимальный шаг перемещения
- дрейф
- диапазон скоростей шаговый/непрерывный
- нагрузочная способность
- тип привода

 +/- 6 мм
20 нм
2 и менее нм/ч при 20 градусах Цельсия
25 нм/сек \ 500 мкм/сек
до 0,5 кг
пъезодвигатель
Вращатель:
- количество одновременно устанавливаемых деталей вращения
- максимальные габариты при установке одной детали
- максимальная скорость вращения детали
- вращение 
- ориентация вращателя

6
длина 100 мм, диаметр 250 мм
 до 150 об/мин 
бесконечное
на 360 градусов горизонтальная/вертикальная

4.jpg 5.jpg

       Комплекс наблюдения и обзора обрабатываемых изделий

Для решения задач наблюдения, контроля и наведения используется ряд возможностей: • Коаксиальная с электронным лучом видеосистема на базе CCD цветной камеры • ИК видеосистема для обзора внутрикамерного пространства с zoom системой • Боковая РЭМ система на базе детектора вторичных электронов • Коаксиальная РЭМ система на базе детектора отражённых электронов Коаксиальная видеосистема устанавливается на корпусе пушки и через отражатель, установленный в лучепроводе, получает изображение по направлению луча. Система позволяет наблюдать за процессом сварки, а также использоваться для предварительного наведения на свариваемые изделия. ИК видеосистема устанавливается в верхней части камеры под углом к оси луча. При работе детектора вторичных электронов в камере не должно быть засветок (выключено освещение и закрыты смотровые окна), в этом случае для наблюдения внутри камеры используется ИК видеосистема. Система оснащена ИК осветителем и zoom системой для выбора захватываемого поля обзора. Обе системы имеют ETHERNET интерфейс. РЭМ системы используются как для обзора, так и для высокоточного позиционирования изделия относительного луча и наведения на стык.

image085.jpg image087.jpg image091.jpg

Использование РЭМ режимов позволяет наблюдать свариваемую деталь в реальном времени с разрешением до 15 мкм и в режиме медленной развёртки (2000 х 2000 точек) до 0,5 мкм (диафрагмированный)

РЭМ система оснащена двумя детекторами: коаксиальный детектор отражённых электронов, установленный на торце пушки, и боковой детектор вторичных электронов, установленный под углом 45 к лучу на боковой стенке камеры. Детектора имеют малошумящие системы усиления сигнала, установленные возле детекторов. Компонуя работу РЭМ–систем можно добиться необходимого контраста и информативности изображения.

4. Система управления

Для управления установкой используется компьютерная система управления, построенная на базе центрального промышленного процессора и периферийных контрольных устройств: контроллера вакуумной системы, контроллера системы позиционирования, контроллера высоковольтного источника питания, связанных по интерфейсу RS 485. Управляющий процессор формирует сигналы управления и синхронизирует работу всех устройств, объединяя в единую систему ЧПУ управления. Система управления обеспечивает управление как от ручного пульта управления, так и от компьютера.

image094.jpg image097.jpg

image101.jpg image099.jpg

Система управления позволяет:


 - в реальном времени наблюдать и управлять параметрами всех рабочих систем установки;
 - в реальном времени управлять манипуляторами;
 - в реальном времени управлять технологическими параметрами сварки;
 - задавать параметры технологического процесса, в т.ч. законы изменения технологических параметров;
 - запускать и останавливать технологический процесс сварки;
 - управлять рабочими характеристиками ЭЛП:

Ускоряющее напряжение, кВ
5...60
Шаг изменения ускоряющего напряжения, кВ
0,01
Стабильность ускоряющего напряжения
отклонения не более +/- 0,5%
Ток луча, мА
0...40
Шаг изменения тока луча, мА
0,1
Стабильность тока фокусировки линзы и стигматора
отклонения не более +/- 0,05%
Стабильность тока отклоняющей линзы
тклонения не более +/- 0,05%
Электроннолучевой генератор
обеспечивает возможность отклонения луча на +/- 15%
Частота осцилляции луча, Гц
1.....100000

- статическое (постоянное), динамическое и комбинированное отклонение луча при сварке изделий со сложной геометрией;
- управление величиной тока сварки (тока луча) во всём диапазоне с шагом менее 0,1 мА;
- частота развёртки луча в пределах 1-100000 Гц с шагом 1 Гц;
- амплитуда развёртки луча в пределах 0 - ±5 с точностью ±1%
- регулировка силы тока накала катода в пределах 0-7А
- включение и выключение ускоряющего напряжения;
- управление параметрами импульсной модуляции тока луча с частотой в диапазоне 1-1000 Гц с шагом 1 Гц
- автоматизированный и ручной контроль величины тока луча, тока фокусировки и ускоряющего напряжения;
- задание графиков нарастания и спада тока луча с привязкой к линейным и круговым координатам;
- включение и выключение развертки луча и ее формы (круговая, линейная, кольцевая, заданная пользователем) при непрерывном и импульсном токе луча;
- управление величиной и скоростью перемещения сварочной оснастки сборки по координатам X,Y,Z и вращения по координатам X,Y
- отображение на экране дисплея (тип дисплея ТРТ с диагональю не менее 19 дюймов) текущего такта и режима работы (автомат, ручной); -основных параметров процесса сварки (ускоряющее напряжение, ток фокусировки, ток сварки, давление в рабочей камере, скорость перемещения свариваемой детали, амплитуда синусоидальной, косинусоидальной и пилообразной разверток и их частота);
- параметры модуляции тока сварки (длительности импульса и паузы);
- возможность генерации сварочной программы на основе чертежа свариваемого изделия, выполненного в одной из систем автоматизированного проектирования (САПР).
- текстовые сообщения на экране дисплея о выявленных аварийных ситуациях, как-то: срабатывание координатных ограничительных переключателей, нарушение вакуума, повреждение источников питания, перегрузка привода, блокировка аварийных режимов и др.;
- возможность обмена данными с персональным компьютером (управляющие программы и данные контроля процесса сварки);
- сопровождение некоторых аварийных сообщений звуковым сигналом тревоги;
- откачка рабочей камеры и катодной полости электронно-лучевой пушки до заданного вакуума в автоматическом и наладочном режимах;
- в автоматическом режиме соблюдается последовательность срабатывания клапанов и насосов, исключающая возникновение аварийных режимов работы электронной пушки и вакуумных насосов; - для исключения возможности несанкционированного использования установки предусмотрена защита ключом, имеющимся только у оператора;
- переключатель режимов с положениями "АВТОМАТ", "РУЧНОЙ";
- кнопка аварийного останова. Режим «Автомат» предназначен для автоматического управления по заданной программе и для отработки технологических параметров;
- режим «Ручной» предназначен для настройки и проверки работоспособности исполнительных элементов установки.

Система управления должна обеспечивать управление:

- вакуумной системой; - механической системой;
- электронно-лучевым генератором;
- другим электрооборудованием с целью обеспечения технологического процесса сварки и контроля.

Управление вакуумной системой обеспечивает:

- управление исполнительными элементами вакуумной системы и контроль их состояния;
- измерение величины вакуума в основных элементах вакуумной системы;
- контроль температуры нагрева насосов;
- управление исполнительными элементами системы охлаждения;
- контроль величины расхода и температуры воды во внутренних контурах охлаждения;
- управление исполнительными элементами вакуумной системы в соответствии с заданным режимом работы: подготовка вакуумной системы; создание рабочего вакуума в камере и пушке; напуск воздуха и разгерметизация камеры; завершение работы.

Управление системой механических перемещений обеспечивает:

- управление величиной и скоростью перемещения и вращения манипулятора; Управление энергоблоком обеспечивает: - включение и выключение ускоряющего напряжения;
- задание величины тока нагрева катодов; - задание величины импульсов и пауз; - задание величины тока фокусировки; - задание отклонения луча по осям X, У;
- включение и выключение развертки электронного луча с заданными для системы РЭМ параметрами
- аварийное отключение источника ускоряющего напряжения при недопустимых режимах эксплуатации.

Установка оснащена системой самотестирования с выводом на монитор сообщений об отказах и нестабильностях в работе установки и отдельных ее элементах.


[~DETAIL_TEXT] =>

ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ УСТАНОВКА

EA Micro EBW относится к оборудованию высокоточной сварки электронным лучом в вакууме. Особенностью установки является то, что она объединяет в себе два прецизионных электронно-оптических устройства, а именно: РЭМ (растровый электронный микроскоп) и ЭЛС (электронно-лучевая сварка).

Вид 1 1.jpgВид 311.jpg

Такое сочетание позволяет производить сварку с высокой точностью позиционирования и обработки электронным лучом за счет использования в конструкции установки точной фокусировки и прецизионного сканирования луча, коаксиальной системы видеонаблюдения, режима РЭМ и наноманипулятора.

Установка компонуется как настольный вариант в единой консоли – столе, в которой располагаются системы и блоки установки, и которая является рабочим местом оператора.

image014.jpg рабочий стол 1.jpg

1. Источник электронов (ЭЛП-электронно-лучевая пушка)

В разработке ЭЛП сложены в одно целое две технологии: получение высококачественного растрового изображения во вторичных и отражённых электронах (РЭМ) и сбалансированная трёх электродная схема электронно-лучевой сварки, которая является общей для обоих устройств и состоящая из катодно-анодного блока и управляющего электрода. Расчет кроссовера проведен и оптимизирован с учетом особенностей формирования луча для обеих оптикоэлектронных систем.


image024.jpgimage019.jpgimage020.jpg

За счет правильно сбалансированной конфигурации этих элементов и фокусирующей системы удаётся достигнуть диаметра луча в точке сварки 15 мкм.


image027.jpg

Для стабильной работы пушки в ней применена дифференциальная сухая откачка отдельным турбомолекулярным насосом и датчиком контроля вакуума в катодно-анодном блоке. ЭЛП оснащена электромагнитными растровыми центрирующими, стигмирующим и фокусирующими системами, детектором отражённых электронов с коаксиальным размещением.

image031.jpg image032.jpg

В камере устанавливается детектор вторичных электронов с углом наклона 45 градусов, а также коаксиальной системой видеонаблюдения обрабатываемой детали в одном направлении с электронным лучом, что при малых токах сварки обеспечивает наблюдение процесса сварки.

В ЭЛП предусмотрена работа с двумя типами катодов: V-образный (вольфрамовый) или LaB6 (гексаборид лантана). Конструкция пушки позволяет быстро менять катодные узлы в течении 2-3 минут за счет предварительной центровки катода в блоке с помощью специальных технологических приспособлений.

Основные характеристики ЭЛП:

Оптическая система источника
трех электродная
Тип катода
прямонакальный, вольфрам или LaB6
Ускоряющее напряжение
60 кв
Мощность
2 квт
Растровая система
электромагнитная
Угол отклонения
+/- 15 градусов
Фокусирующая система
электромагнитная
Минимальный размер пучка
15 мкм
Минимальный ток сварки
0,02 мА
Диапазон частоты сканирования
луча по координатам X-Y
1-7 кГц
Габаритные размеры
540 мм х 150 мм
Вес
70 кг

2. Высоковольтный блок питания 60 кВ /2 кВт

Высоковольтный блок питания построен на базе высокочастотных преобразователей с применением современных мощных полупроводниковых элементов IGBT технологии. Конструкция и схемотехническое решение, заложенные в источнике высокого напряжения, позволяют осуществлять быстрый выход на рабочий режим высокого напряжения при его включении и подавления электрических разрядов в электронно-лучевой пушке в случае их возникновения. Блок питания обеспечивает генерацию и изменение высокого напряжения до 60 кВ, напряжения смещения и генерацию тока накала катода.

Вид 311.jpg image037.jpg

Основные параметры высоковольтного блока питания:

Диапазон изменения высокого напряжения
5-60 кВ (для технологических целей возможно до 70 кВ)
Шаг изменения высокого напряжения
0,01 кВ
Диапазон изменения тока нагрузки
0...40 мА
Номинальная непрерывная мощность
2 кВт
Частота преобразователя
62 кГц
Нестабильность выходного напряжения при изменении напряжения сети +/- 10 градусов
менее 0,1%
Статическая нестабильность (при изменении нагрузки 0-100%)
менее 0,1%
Длительность переходного процесса
менее 1 мсек
Пульсации и шумы выходного напряжения
менее 0,1% RMS
Напряжение смещения на цилиндре Венельта
0,8 кВ
Ток накала катода
1....7А, 10 В
Длительность импульса в импульсном режиме работы
10 мс
Максимальная частота импульсов
100 Гц
Интерфейс RS 485
по протоколу MODBUS
Питание
3 х 380 В, 50 Гц

Для быстрой импульсной модуляции предусмотрен внешний импульсный режим, в котором управляющий электрод переводится под управление внешнего генератора импульсов, что позволяет получить импульсы длительностью 10 мкс с частотой до 5 кГц. Но в данном случае ток луча не может регулироваться.

       Режим растрового электронного микроскопа (РЭМ)

image040.jpg

Установка укомплектована системами позволяющими работать в режиме растрового электронного микроскопа (РЭМ) для получения в режиме реального времени поверхности свариваемых изделий с высоким разрешением до 15 мкм. Это позволяет производить позиционирование и сварку с очень высокой точностью.

Для получения изображения РЭМ установка укомплектована двумя детекторами вторичных и отражённых электронов. Один детектор (отражённых электронов) установлен на торце пушки, второй – на стенке вакуумной камеры (см.рис.11) Такая компоновка позволяет оптимизировать контраст изображения детали. Высокое качество изображения (рис.12,13,14,15) обеспечивается двухлинзовой фокусирующей системой и усилительным трактом с низким уровнем шума, используемые в РЭМ.

Режим РЭМ имеет режим быстрой развёртки 250 х 250 точек для работы в реальном времени и режим высокого разрешения до 2000 х 2000 точек. Оператор использует эти режимы по ситуации. Быстрый - для предварительного позиционирования изделия и высокого разрешения – для детального просмотра поверхности изделий с высоким разрешением. Режим высокого разрешения может использоваться для контроля качества сварки и определения дефектов.

image047.jpg image051.jpg

image043.jpg image045.jpg

Основные параметры РЭМ:

Разрешение
до 15 мкм (в зависимости от настройки системы)
Размер изображения при быстрой развертке
256 х 256 точек
Размер изображения при медленной развертке (программно)
до 2000 х 2000 точек
Диапазон электронно - оптического увеличения
до 1000 крат
Регулировка яркости и контраста
 
Количество и тип детекторов
Детектор отраженных электронов - 1 шт.
Детектор вторичных электронов - 1 шт.
Вывод изображения на монитор
С возможностью документирования

       Вакуумная камера

камера1 1.jpg

Камера изготавливается из нержавеющей стали и имеет прямоугольную форму с фронтальной дверью.

Конструкция камеры имеет требуемую механическую прочность – деформация камеры при получении вакуума отсутствует.

На задней стенке камеры установлены фланцы для подсоединения вакуумной системы и осуществления ввода необходимых коммуникаций вовнутрь камеры. На боковых стенках устанавливаются дополнительное оборудование, например детектор вторичных электронов, манипулятор и др.

Доступ в рабочий объём камеры осуществляется через дверь. Дверь открывается и закрывается вручную. Требуемые для этого усилия минимальны. На двери установлены смотровые окна. Внутри смотровые окна защищены от возможного напыления съёмным, легко заменяемым защитным стеклом. Стёкла изготовлены из материала, обеспечивающего рентгеновскую защиту.

image055.jpg image058.jpg

Конструкция камеры позволяет устанавливать ЭЛП в различных положениях (сбоку, сверху).

image061.jpg image063.jpg

Внутри камеры установлен осветитель для удобства обзора через смотровые окна при настройке системы.

Камера обеспечивает установку в ней различных типов манипуляторов:

• XYZ ЧПУ манипулятор для линейных траекторий.
• Вращатель, который может устанавливаться в горизонтальном и вертикальном положении и имеет многопозиционную карусель для кольцевых швов.
• XYZ наноманипулятор с вращателем для работы с высокоточными перемещениями до 50 нм.

Для дополнительного обзора внутрикамерного пространства (при работе детектора вторичных электронов) на камере предусмотрен порт для ИК CCD камеры при закрытых смотровых окнах.

image067.jpg image071.jpg

image075.jpg image073.jpg

Основные характеристики камеры:

Рабочий объем камеры
не более 0,2 кубических метров
Габаритные размеры
не более 650 х 650 х 650 мм
Материал, из которого изготавливается камера
нержавеющая сталь 08Х18Н10 (AISI 304)
Радиационная безопасность
не более 1 мкЗв/ч на расстоянии 100 мм от внешних поверхностей камеры
Внутрикамерная оснастка
вся из антимагнитных нержавеющих сталей

image079.jpg

3. Вакуумная система

image082.jpg

Вакуумная система состоит из двух независимых систем, управляемых одной системой контроля работы исполнительных устройств. Одна система обеспечивает получение вакуума и его контроль в вакуумной камере, вторая-в катодно-анодном блоке пушки.
Откачные системы состоят из сухого форвакуумного насоса и турбомолекулярного насоса соответствующей производительности.
Вакуумная арматура (шибера, клапана, привода) построены на пневмоприводах. В систему входит компрессор сжатого воздуха, обеспечивающий автоконтроль за давлением в пневмосистеме. Между камерой и пушкой есть вакуумная заслонка , позволяющая производить независимый напуск воздуха в пушку или камеру. Для контроля уровня разряжения в контрольных точках установлены вакуумные датчики.





Основные характеристики вакуумной системы:

Турбомолекулярный насос (ТМН) откачки камеры
2000 л/сек.
Турбомолекулярный насос (ТМН) откачки пушки
80 л/сек.
Форвакуумный насос откачки ТМН камеры и камеры на форвакуум
не менее 100 куб.м/ч.
Форвакуумный насос откачки ТМН ЭЛП и катодно-анодной части ЭЛП на форвакуум
5 куб. м/ч
Тип приводов клапанов и шиберов
пневматический
Рабочее давление в пневмосистеме
 6 бар
Рабочее давление в камере
1,3 х 10 в минус пятой степени мбар
Рабочее давление в катодно-анодной части ЭЛП
1,3 х 10 в минус пятой степени мбар
Время достижения рабочего вакуума
не более 5 мин.
Уровень шума насосов
не выше 75 дБ
Охлаждение ТМН
стационарная система охлаждения

       Манипуляторы

Для выполнения различных работ с перемещением и ориентацией обрабатываемых изделий установок может комплектоваться различными манипуляторами:
• ЧПУ манипулятор с X-Y-Z перемещением
• Наноманипулятор с X-Y-Z перемещением и вращателем
• Вращатель со сменной планшайбой с возможностью одновременной установки до 6 деталей 

манипулятор 1.jpg 2.jpg 3.jpg

Для работы с крупногабаритными деталями весом до 5 кг используется ЧПУ X-Y-Z манипулятор на синхронных сервоприводах с ЧПУ управлением для программирования траекторий шва. Система программирования перемещения изделия обеспечивает преобразование координат траектории с заранее выбранным базированием его на столе манипулятора в управляющие сигналы на сервопривода системы позиционирования изделия и управление технологическими параметрами процесса сварки. Также система позволяет воспроизводить траектории, которые сняты с изображений РЭМ высокого разрешения.

Для работы с малыми изделиями весом до 200 г и необходимостью позиционирования с точностью до 50 нм используется наноманипулятор на пьезоприводах. Наноманипулятор может устанавливаться на X-Y-Z манипулятор или отдельно в рабочем объёме камеры.

Как опция индивидуального использования является манипулятор вращения с многопозиционной планшайбой. Вращатель устанавливается вертикально или горизонтально на X-Y-Z манипулятор и включается в единую систему ЧПУ управления . Для привода вращателя используется аналогичный сервопривод.
Для более точного позиционирования одного вращающего изделия манипулятор имеет возможность оснащения центрирующей оправкой.

Основные параметры систем позиционирования

Диапазон перемещения
X-Y-Z
ЧПУ манипулятора
X - Y +/- 100
Z +/- 50
Точность позиционирования
+/- 15 мкм
Точность воспроизведения
+/- 10 мкм
Максимальная скорость перемещения
до 100 мм/с
Тип привода
сервопривод на синхронном двигателе
Нагрузочная способность
до 10 кг
Наноманипулятор:
- диапазон перемещения по X-Y-Z координатам
- минимальный шаг перемещения
- дрейф
- диапазон скоростей шаговый/непрерывный
- нагрузочная способность
- тип привода

 +/- 6 мм
20 нм
2 и менее нм/ч при 20 градусах Цельсия
25 нм/сек \ 500 мкм/сек
до 0,5 кг
пъезодвигатель
Вращатель:
- количество одновременно устанавливаемых деталей вращения
- максимальные габариты при установке одной детали
- максимальная скорость вращения детали
- вращение 
- ориентация вращателя

6
длина 100 мм, диаметр 250 мм
 до 150 об/мин 
бесконечное
на 360 градусов горизонтальная/вертикальная

4.jpg 5.jpg

       Комплекс наблюдения и обзора обрабатываемых изделий

Для решения задач наблюдения, контроля и наведения используется ряд возможностей: • Коаксиальная с электронным лучом видеосистема на базе CCD цветной камеры • ИК видеосистема для обзора внутрикамерного пространства с zoom системой • Боковая РЭМ система на базе детектора вторичных электронов • Коаксиальная РЭМ система на базе детектора отражённых электронов Коаксиальная видеосистема устанавливается на корпусе пушки и через отражатель, установленный в лучепроводе, получает изображение по направлению луча. Система позволяет наблюдать за процессом сварки, а также использоваться для предварительного наведения на свариваемые изделия. ИК видеосистема устанавливается в верхней части камеры под углом к оси луча. При работе детектора вторичных электронов в камере не должно быть засветок (выключено освещение и закрыты смотровые окна), в этом случае для наблюдения внутри камеры используется ИК видеосистема. Система оснащена ИК осветителем и zoom системой для выбора захватываемого поля обзора. Обе системы имеют ETHERNET интерфейс. РЭМ системы используются как для обзора, так и для высокоточного позиционирования изделия относительного луча и наведения на стык.

image085.jpg image087.jpg image091.jpg

Использование РЭМ режимов позволяет наблюдать свариваемую деталь в реальном времени с разрешением до 15 мкм и в режиме медленной развёртки (2000 х 2000 точек) до 0,5 мкм (диафрагмированный)

РЭМ система оснащена двумя детекторами: коаксиальный детектор отражённых электронов, установленный на торце пушки, и боковой детектор вторичных электронов, установленный под углом 45 к лучу на боковой стенке камеры. Детектора имеют малошумящие системы усиления сигнала, установленные возле детекторов. Компонуя работу РЭМ–систем можно добиться необходимого контраста и информативности изображения.

4. Система управления

Для управления установкой используется компьютерная система управления, построенная на базе центрального промышленного процессора и периферийных контрольных устройств: контроллера вакуумной системы, контроллера системы позиционирования, контроллера высоковольтного источника питания, связанных по интерфейсу RS 485. Управляющий процессор формирует сигналы управления и синхронизирует работу всех устройств, объединяя в единую систему ЧПУ управления. Система управления обеспечивает управление как от ручного пульта управления, так и от компьютера.

image094.jpg image097.jpg

image101.jpg image099.jpg

Система управления позволяет:


 - в реальном времени наблюдать и управлять параметрами всех рабочих систем установки;
 - в реальном времени управлять манипуляторами;
 - в реальном времени управлять технологическими параметрами сварки;
 - задавать параметры технологического процесса, в т.ч. законы изменения технологических параметров;
 - запускать и останавливать технологический процесс сварки;
 - управлять рабочими характеристиками ЭЛП:

Ускоряющее напряжение, кВ
5...60
Шаг изменения ускоряющего напряжения, кВ
0,01
Стабильность ускоряющего напряжения
отклонения не более +/- 0,5%
Ток луча, мА
0...40
Шаг изменения тока луча, мА
0,1
Стабильность тока фокусировки линзы и стигматора
отклонения не более +/- 0,05%
Стабильность тока отклоняющей линзы
тклонения не более +/- 0,05%
Электроннолучевой генератор
обеспечивает возможность отклонения луча на +/- 15%
Частота осцилляции луча, Гц
1.....100000

- статическое (постоянное), динамическое и комбинированное отклонение луча при сварке изделий со сложной геометрией;
- управление величиной тока сварки (тока луча) во всём диапазоне с шагом менее 0,1 мА;
- частота развёртки луча в пределах 1-100000 Гц с шагом 1 Гц;
- амплитуда развёртки луча в пределах 0 - ±5 с точностью ±1%
- регулировка силы тока накала катода в пределах 0-7А
- включение и выключение ускоряющего напряжения;
- управление параметрами импульсной модуляции тока луча с частотой в диапазоне 1-1000 Гц с шагом 1 Гц
- автоматизированный и ручной контроль величины тока луча, тока фокусировки и ускоряющего напряжения;
- задание графиков нарастания и спада тока луча с привязкой к линейным и круговым координатам;
- включение и выключение развертки луча и ее формы (круговая, линейная, кольцевая, заданная пользователем) при непрерывном и импульсном токе луча;
- управление величиной и скоростью перемещения сварочной оснастки сборки по координатам X,Y,Z и вращения по координатам X,Y
- отображение на экране дисплея (тип дисплея ТРТ с диагональю не менее 19 дюймов) текущего такта и режима работы (автомат, ручной); -основных параметров процесса сварки (ускоряющее напряжение, ток фокусировки, ток сварки, давление в рабочей камере, скорость перемещения свариваемой детали, амплитуда синусоидальной, косинусоидальной и пилообразной разверток и их частота);
- параметры модуляции тока сварки (длительности импульса и паузы);
- возможность генерации сварочной программы на основе чертежа свариваемого изделия, выполненного в одной из систем автоматизированного проектирования (САПР).
- текстовые сообщения на экране дисплея о выявленных аварийных ситуациях, как-то: срабатывание координатных ограничительных переключателей, нарушение вакуума, повреждение источников питания, перегрузка привода, блокировка аварийных режимов и др.;
- возможность обмена данными с персональным компьютером (управляющие программы и данные контроля процесса сварки);
- сопровождение некоторых аварийных сообщений звуковым сигналом тревоги;
- откачка рабочей камеры и катодной полости электронно-лучевой пушки до заданного вакуума в автоматическом и наладочном режимах;
- в автоматическом режиме соблюдается последовательность срабатывания клапанов и насосов, исключающая возникновение аварийных режимов работы электронной пушки и вакуумных насосов; - для исключения возможности несанкционированного использования установки предусмотрена защита ключом, имеющимся только у оператора;
- переключатель режимов с положениями "АВТОМАТ", "РУЧНОЙ";
- кнопка аварийного останова. Режим «Автомат» предназначен для автоматического управления по заданной программе и для отработки технологических параметров;
- режим «Ручной» предназначен для настройки и проверки работоспособности исполнительных элементов установки.

Система управления должна обеспечивать управление:

- вакуумной системой; - механической системой;
- электронно-лучевым генератором;
- другим электрооборудованием с целью обеспечения технологического процесса сварки и контроля.

Управление вакуумной системой обеспечивает:

- управление исполнительными элементами вакуумной системы и контроль их состояния;
- измерение величины вакуума в основных элементах вакуумной системы;
- контроль температуры нагрева насосов;
- управление исполнительными элементами системы охлаждения;
- контроль величины расхода и температуры воды во внутренних контурах охлаждения;
- управление исполнительными элементами вакуумной системы в соответствии с заданным режимом работы: подготовка вакуумной системы; создание рабочего вакуума в камере и пушке; напуск воздуха и разгерметизация камеры; завершение работы.

Управление системой механических перемещений обеспечивает:

- управление величиной и скоростью перемещения и вращения манипулятора; Управление энергоблоком обеспечивает: - включение и выключение ускоряющего напряжения;
- задание величины тока нагрева катодов; - задание величины импульсов и пауз; - задание величины тока фокусировки; - задание отклонения луча по осям X, У;
- включение и выключение развертки электронного луча с заданными для системы РЭМ параметрами
- аварийное отключение источника ускоряющего напряжения при недопустимых режимах эксплуатации.

Установка оснащена системой самотестирования с выводом на монитор сообщений об отказах и нестабильностях в работе установки и отдельных ее элементах.


[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => СПЕЦИАЛИЗИРОВАННАЯ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ МИКРОСВАРКИ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ УСТАНОВКА EA MICRO EBW ОТНОСИТСЯ К ОБОРУДОВАНИЮ ВЫСОКОТОЧНОЙ СВАРКИ ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ В ВАКУУМЕ. ОСОБЕННОСТЬЮ УСТАНОВКИ ЯВЛЯЕТСЯ ТО, ЧТО ОНА ОБЪЕДИНЯЕТ В СЕБЕ ДВА ПРЕЦИЗИОННЫХ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВА, А ИМЕННО: РЭМ (РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП) И ЭЛС (ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ СВАРКА). [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/75A/75A6582D49C7472EB34E26E62892B720.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/EB5/EB52E0918BBFD63152CF33E4E48F2346.JPG ] ТАКОЕ СОЧЕТАНИЕ ПОЗВОЛЯЕТ ПРОИЗВОДИТЬ СВАРКУ С ВЫСОКОЙ ТОЧНОСТЬЮ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ И ОБРАБОТКИ ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ ЗА СЧЕТ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В КОНСТРУКЦИИ УСТАНОВКИ ТОЧНОЙ ФОКУСИРОВКИ И ПРЕЦИЗИОННОГО СКАНИРОВАНИЯ ЛУЧА, КОАКСИАЛЬНОЙ СИСТЕМЫ ВИДЕОНАБЛЮДЕНИЯ, РЕЖИМА РЭМ И НАНОМАНИПУЛЯТОРА. УСТАНОВКА КОМПОНУЕТСЯ КАК НАСТОЛЬНЫЙ ВАРИАНТ В ЕДИНОЙ КОНСОЛИ – СТОЛЕ, В КОТОРОЙ РАСПОЛАГАЮТСЯ СИСТЕМЫ И БЛОКИ УСТАНОВКИ, И КОТОРАЯ ЯВЛЯЕТСЯ РАБОЧИМ МЕСТОМ ОПЕРАТОРА. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/33F/33F4B7DFD124BA407EB6DE040828F97D.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/20E/20EE1760001508B8F21BA6752332C6CE.JPG ] 1. ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОНОВ (ЭЛП-ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ПУШКА) В РАЗРАБОТКЕ ЭЛП СЛОЖЕНЫ В ОДНО ЦЕЛОЕ ДВЕ ТЕХНОЛОГИИ: ПОЛУЧЕНИЕ ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННОГО РАСТРОВОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ ВО ВТОРИЧНЫХ И ОТРАЖЁННЫХ ЭЛЕКТРОНАХ (РЭМ) И СБАЛАНСИРОВАННАЯ ТРЁХ ЭЛЕКТРОДНАЯ СХЕМА ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ СВАРКИ, КОТОРАЯ ЯВЛЯЕТСЯ ОБЩЕЙ ДЛЯ ОБОИХ УСТРОЙСТВ И СОСТОЯЩАЯ ИЗ КАТОДНО-АНОДНОГО БЛОКА И УПРАВЛЯЮЩЕГО ЭЛЕКТРОДА. РАСЧЕТ КРОССОВЕРА&NBSP;ПРОВЕДЕН И ОПТИМИЗИРОВАН С УЧЕТОМ ОСОБЕННОСТЕЙ ФОРМИРОВАНИЯ ЛУЧА ДЛЯ ОБЕИХ ОПТИКОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/ED6/ED61AB84CCF6C11BE25BA3CA290D0BBA.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/532/532FD485592B8EFD0DF664BD501B98DA.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/4A2/4A22A53E6DACE472A3797FA580268B45.JPG ] ЗА СЧЕТ ПРАВИЛЬНО СБАЛАНСИРОВАННОЙ КОНФИГУРАЦИИ ЭТИХ ЭЛЕМЕНТОВ И ФОКУСИРУЮЩЕЙ СИСТЕМЫ УДАЁТСЯ ДОСТИГНУТЬ ДИАМЕТРА ЛУЧА В ТОЧКЕ СВАРКИ 15 МКМ. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/98F/98FA7F198537647A61E06D481C261423.JPG ] ДЛЯ СТАБИЛЬНОЙ РАБОТЫ ПУШКИ В НЕЙ ПРИМЕНЕНА ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНАЯ СУХАЯ ОТКАЧКА ОТДЕЛЬНЫМ ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫМ НАСОСОМ И ДАТЧИКОМ КОНТРОЛЯ ВАКУУМА В КАТОДНО-АНОДНОМ БЛОКЕ. ЭЛП ОСНАЩЕНА ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫМИ РАСТРОВЫМИ ЦЕНТРИРУЮЩИМИ, СТИГМИРУЮЩИМ И ФОКУСИРУЮЩИМИ СИСТЕМАМИ, ДЕТЕКТОРОМ ОТРАЖЁННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ С КОАКСИАЛЬНЫМ РАЗМЕЩЕНИЕМ. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/8D1/8D19DF1DB020CF3C857D80E5A1F7DC29.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/F57/F57BA6BED59325349D4567C47408D836.JPG ] В КАМЕРЕ УСТАНАВЛИВАЕТСЯ ДЕТЕКТОР ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ С УГЛОМ НАКЛОНА 45 ГРАДУСОВ, А ТАКЖЕ КОАКСИАЛЬНОЙ СИСТЕМОЙ ВИДЕОНАБЛЮДЕНИЯ ОБРАБАТЫВАЕМОЙ ДЕТАЛИ В ОДНОМ НАПРАВЛЕНИИ С ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ, ЧТО ПРИ МАЛЫХ ТОКАХ СВАРКИ ОБЕСПЕЧИВАЕТ НАБЛЮДЕНИЕ ПРОЦЕССА СВАРКИ. В ЭЛП ПРЕДУСМОТРЕНА РАБОТА С ДВУМЯ ТИПАМИ КАТОДОВ: V-ОБРАЗНЫЙ (ВОЛЬФРАМОВЫЙ)&NBSP;ИЛИ LAB6 (ГЕКСАБОРИД ЛАНТАНА). КОНСТРУКЦИЯ ПУШКИ ПОЗВОЛЯЕТ БЫСТРО МЕНЯТЬ КАТОДНЫЕ УЗЛЫ В ТЕЧЕНИИ 2-3 МИНУТ ЗА СЧЕТ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ЦЕНТРОВКИ КАТОДА В БЛОКЕ С ПОМОЩЬЮ СПЕЦИАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИСПОСОБЛЕНИЙ. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭЛП: ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ИСТОЧНИКА ТРЕХ ЭЛЕКТРОДНАЯ ТИП КАТОДА ПРЯМОНАКАЛЬНЫЙ, ВОЛЬФРАМ ИЛИ LAB6 УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ 60 КВ МОЩНОСТЬ 2 КВТ РАСТРОВАЯ СИСТЕМА ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ УГОЛ ОТКЛОНЕНИЯ +/- 15 ГРАДУСОВ ФОКУСИРУЮЩАЯ СИСТЕМА ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ПУЧКА 15 МКМ МИНИМАЛЬНЫЙ ТОК СВАРКИ 0,02 МА ДИАПАЗОН ЧАСТОТЫ СКАНИРОВАНИЯ ЛУЧА ПО КООРДИНАТАМ X-Y 1-7 КГЦ ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ 540 ММ Х 150 ММ ВЕС 70 КГ 2. ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ БЛОК ПИТАНИЯ 60 КВ /2 КВТ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ БЛОК ПИТАНИЯ ПОСТРОЕН НА БАЗЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ С ПРИМЕНЕНИЕМ СОВРЕМЕННЫХ МОЩНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ IGBT ТЕХНОЛОГИИ. КОНСТРУКЦИЯ И СХЕМОТЕХНИЧЕСКОЕ РЕШЕНИЕ, ЗАЛОЖЕННЫЕ В ИСТОЧНИКЕ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ, ПОЗВОЛЯЮТ ОСУЩЕСТВЛЯТЬ БЫСТРЫЙ ВЫХОД НА РАБОЧИЙ РЕЖИМ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ПРИ ЕГО ВКЛЮЧЕНИИ И ПОДАВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ РАЗРЯДОВ В ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПУШКЕ В СЛУЧАЕ ИХ ВОЗНИКНОВЕНИЯ. БЛОК ПИТАНИЯ ОБЕСПЕЧИВАЕТ ГЕНЕРАЦИЮ И ИЗМЕНЕНИЕ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ДО 60 КВ, НАПРЯЖЕНИЯ СМЕЩЕНИЯ И ГЕНЕРАЦИЮ ТОКА НАКАЛА КАТОДА. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/EB5/EB52E0918BBFD63152CF33E4E48F2346.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/1FD/1FD5E365720AA732D6D32FE1947F3843.JPG ] ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО БЛОКА ПИТАНИЯ: ДИАПАЗОН ИЗМЕНЕНИЯ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ 5-60 КВ (ДЛЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ЦЕЛЕЙ ВОЗМОЖНО ДО 70 КВ) ШАГ ИЗМЕНЕНИЯ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ 0,01 КВ ДИАПАЗОН ИЗМЕНЕНИЯ ТОКА НАГРУЗКИ 0...40 МА НОМИНАЛЬНАЯ НЕПРЕРЫВНАЯ МОЩНОСТЬ 2 КВТ ЧАСТОТА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ 62 КГЦ НЕСТАБИЛЬНОСТЬ ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ ПРИ ИЗМЕНЕНИИ НАПРЯЖЕНИЯ СЕТИ +/- 10 ГРАДУСОВ МЕНЕЕ 0,1% СТАТИЧЕСКАЯ НЕСТАБИЛЬНОСТЬ (ПРИ ИЗМЕНЕНИИ НАГРУЗКИ 0-100%) МЕНЕЕ 0,1% ДЛИТЕЛЬНОСТЬ ПЕРЕХОДНОГО ПРОЦЕССА МЕНЕЕ 1 МСЕК ПУЛЬСАЦИИ И ШУМЫ ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ МЕНЕЕ 0,1% RMS НАПРЯЖЕНИЕ СМЕЩЕНИЯ НА ЦИЛИНДРЕ ВЕНЕЛЬТА 0,8 КВ ТОК НАКАЛА КАТОДА 1....7А, 10 В ДЛИТЕЛЬНОСТЬ ИМПУЛЬСА В ИМПУЛЬСНОМ РЕЖИМЕ РАБОТЫ 10 МС МАКСИМАЛЬНАЯ ЧАСТОТА ИМПУЛЬСОВ 100 ГЦ ИНТЕРФЕЙС RS 485 ПО ПРОТОКОЛУ MODBUS ПИТАНИЕ 3 Х 380 В, 50 ГЦ ДЛЯ БЫСТРОЙ ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИИ ПРЕДУСМОТРЕН ВНЕШНИЙ ИМПУЛЬСНЫЙ РЕЖИМ, В КОТОРОМ УПРАВЛЯЮЩИЙ ЭЛЕКТРОД ПЕРЕВОДИТСЯ ПОД УПРАВЛЕНИЕ ВНЕШНЕГО ГЕНЕРАТОРА ИМПУЛЬСОВ, ЧТО ПОЗВОЛЯЕТ ПОЛУЧИТЬ ИМПУЛЬСЫ ДЛИТЕЛЬНОСТЬЮ 10 МКС С ЧАСТОТОЙ ДО 5 КГЦ. НО В ДАННОМ СЛУЧАЕ ТОК ЛУЧА НЕ МОЖЕТ РЕГУЛИРОВАТЬСЯ. &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP;РЕЖИМ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА (РЭМ) [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/129/12915F4716F40D907AFC86F482041A29.JPG ] УСТАНОВКА УКОМПЛЕКТОВАНА СИСТЕМАМИ ПОЗВОЛЯЮЩИМИ РАБОТАТЬ В РЕЖИМЕ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА (РЭМ) ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ В РЕЖИМЕ РЕАЛЬНОГО ВРЕМЕНИ ПОВЕРХНОСТИ СВАРИВАЕМЫХ ИЗДЕЛИЙ С ВЫСОКИМ РАЗРЕШЕНИЕМ ДО 15 МКМ. ЭТО ПОЗВОЛЯЕТ ПРОИЗВОДИТЬ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЕ И СВАРКУ С ОЧЕНЬ ВЫСОКОЙ ТОЧНОСТЬЮ. ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ РЭМ УСТАНОВКА УКОМПЛЕКТОВАНА ДВУМЯ ДЕТЕКТОРАМИ ВТОРИЧНЫХ И ОТРАЖЁННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ. ОДИН ДЕТЕКТОР (ОТРАЖЁННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ) УСТАНОВЛЕН НА ТОРЦЕ ПУШКИ, ВТОРОЙ – НА СТЕНКЕ ВАКУУМНОЙ КАМЕРЫ (СМ.РИС.11) ТАКАЯ КОМПОНОВКА ПОЗВОЛЯЕТ ОПТИМИЗИРОВАТЬ КОНТРАСТ ИЗОБРАЖЕНИЯ ДЕТАЛИ. ВЫСОКОЕ КАЧЕСТВО ИЗОБРАЖЕНИЯ (РИС.12,13,14,15) ОБЕСПЕЧИВАЕТСЯ ДВУХЛИНЗОВОЙ ФОКУСИРУЮЩЕЙ СИСТЕМОЙ И УСИЛИТЕЛЬНЫМ ТРАКТОМ С НИЗКИМ УРОВНЕМ ШУМА, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В РЭМ. РЕЖИМ РЭМ ИМЕЕТ РЕЖИМ БЫСТРОЙ РАЗВЁРТКИ 250 Х 250 ТОЧЕК ДЛЯ РАБОТЫ В РЕАЛЬНОМ ВРЕМЕНИ И РЕЖИМ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ ДО 2000 Х 2000 ТОЧЕК. ОПЕРАТОР ИСПОЛЬЗУЕТ ЭТИ РЕЖИМЫ ПО СИТУАЦИИ. БЫСТРЫЙ - ДЛЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ИЗДЕЛИЯ И ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ – ДЛЯ ДЕТАЛЬНОГО ПРОСМОТРА ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЙ С ВЫСОКИМ РАЗРЕШЕНИЕМ. РЕЖИМ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ МОЖЕТ ИСПОЛЬЗОВАТЬСЯ ДЛЯ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА СВАРКИ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/845/845F0A9547071E5BB9A5C75A3FA27F6E.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/4D5/4D5D2B92B723A9169F5FE43E999A6C27.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/97B/97B1E4A923AF06395915E2C1E107FC35.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/F9E/F9E7D6C9707AB0D0E7A4AA8BE3616B98.JPG ] ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ РЭМ: РАЗРЕШЕНИЕ ДО 15 МКМ (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ НАСТРОЙКИ СИСТЕМЫ) РАЗМЕР ИЗОБРАЖЕНИЯ ПРИ БЫСТРОЙ РАЗВЕРТКЕ 256 Х 256 ТОЧЕК РАЗМЕР ИЗОБРАЖЕНИЯ ПРИ МЕДЛЕННОЙ РАЗВЕРТКЕ (ПРОГРАММНО) ДО 2000 Х 2000 ТОЧЕК ДИАПАЗОН ЭЛЕКТРОННО - ОПТИЧЕСКОГО УВЕЛИЧЕНИЯ ДО 1000 КРАТ РЕГУЛИРОВКА ЯРКОСТИ И КОНТРАСТА &NBSP; КОЛИЧЕСТВО И ТИП ДЕТЕКТОРОВ ДЕТЕКТОР ОТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ - 1 ШТ. ДЕТЕКТОР ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ - 1 ШТ. ВЫВОД ИЗОБРАЖЕНИЯ НА МОНИТОР С ВОЗМОЖНОСТЬЮ ДОКУМЕНТИРОВАНИЯ &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP;ВАКУУМНАЯ КАМЕРА [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/71E/71EBA2F805A924549D37FA1770CBC6FD.JPG ] КАМЕРА ИЗГОТАВЛИВАЕТСЯ ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ И ИМЕЕТ ПРЯМОУГОЛЬНУЮ ФОРМУ С ФРОНТАЛЬНОЙ ДВЕРЬЮ. КОНСТРУКЦИЯ КАМЕРЫ ИМЕЕТ ТРЕБУЕМУЮ МЕХАНИЧЕСКУЮ ПРОЧНОСТЬ – ДЕФОРМАЦИЯ КАМЕРЫ ПРИ ПОЛУЧЕНИИ ВАКУУМА ОТСУТСТВУЕТ. НА ЗАДНЕЙ СТЕНКЕ КАМЕРЫ УСТАНОВЛЕНЫ ФЛАНЦЫ ДЛЯ ПОДСОЕДИНЕНИЯ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ И ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ВВОДА НЕОБХОДИМЫХ КОММУНИКАЦИЙ ВОВНУТРЬ КАМЕРЫ. НА БОКОВЫХ СТЕНКАХ УСТАНАВЛИВАЮТСЯ ДОПОЛНИТЕЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ, НАПРИМЕР ДЕТЕКТОР ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ, МАНИПУЛЯТОР И ДР. ДОСТУП В РАБОЧИЙ ОБЪЁМ КАМЕРЫ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЧЕРЕЗ ДВЕРЬ. ДВЕРЬ ОТКРЫВАЕТСЯ И ЗАКРЫВАЕТСЯ ВРУЧНУЮ. ТРЕБУЕМЫЕ ДЛЯ ЭТОГО УСИЛИЯ МИНИМАЛЬНЫ. НА ДВЕРИ УСТАНОВЛЕНЫ СМОТРОВЫЕ ОКНА. ВНУТРИ СМОТРОВЫЕ ОКНА ЗАЩИЩЕНЫ ОТ ВОЗМОЖНОГО НАПЫЛЕНИЯ СЪЁМНЫМ, ЛЕГКО ЗАМЕНЯЕМЫМ ЗАЩИТНЫМ СТЕКЛОМ. СТЁКЛА ИЗГОТОВЛЕНЫ ИЗ МАТЕРИАЛА, ОБЕСПЕЧИВАЮЩЕГО РЕНТГЕНОВСКУЮ ЗАЩИТУ. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/713/713A16216377ABD2496DF81298306E3B.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/93D/93D4EE8982E4CB33D2A417402DA146D2.JPG ] КОНСТРУКЦИЯ КАМЕРЫ ПОЗВОЛЯЕТ УСТАНАВЛИВАТЬ ЭЛП В РАЗЛИЧНЫХ ПОЛОЖЕНИЯХ (СБОКУ, СВЕРХУ). [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/0DD/0DD632CC8A536257B9F202D8850C5512.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/A63/A63E71C1B887239AD503E7396B0BE34F.JPG ] ВНУТРИ КАМЕРЫ УСТАНОВЛЕН ОСВЕТИТЕЛЬ ДЛЯ УДОБСТВА ОБЗОРА ЧЕРЕЗ СМОТРОВЫЕ ОКНА ПРИ НАСТРОЙКЕ СИСТЕМЫ. КАМЕРА ОБЕСПЕЧИВАЕТ УСТАНОВКУ В НЕЙ РАЗЛИЧНЫХ ТИПОВ МАНИПУЛЯТОРОВ: • XYZ ЧПУ МАНИПУЛЯТОР ДЛЯ ЛИНЕЙНЫХ ТРАЕКТОРИЙ. •&NBSP;ВРАЩАТЕЛЬ, КОТОРЫЙ МОЖЕТ УСТАНАВЛИВАТЬСЯ В ГОРИЗОНТАЛЬНОМ И ВЕРТИКАЛЬНОМ ПОЛОЖЕНИИ И ИМЕЕТ МНОГОПОЗИЦИОННУЮ КАРУСЕЛЬ ДЛЯ КОЛЬЦЕВЫХ ШВОВ. • XYZ НАНОМАНИПУЛЯТОР С ВРАЩАТЕЛЕМ ДЛЯ РАБОТЫ С ВЫСОКОТОЧНЫМИ ПЕРЕМЕЩЕНИЯМИ ДО 50 НМ. ДЛЯ ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО ОБЗОРА ВНУТРИКАМЕРНОГО ПРОСТРАНСТВА (ПРИ РАБОТЕ ДЕТЕКТОРА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ) НА КАМЕРЕ ПРЕДУСМОТРЕН ПОРТ ДЛЯ ИК CCD КАМЕРЫ ПРИ ЗАКРЫТЫХ СМОТРОВЫХ ОКНАХ. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/2D0/2D023F852A5EDF12E386E601541B3411.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/DC4/DC4802E387E042E49F7B4FDC1C885F9D.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/7F1/7F1E975153F4934F5991F9F9B94BEF20.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/009/00906BD70082CCD397DE54C36CB138D5.JPG ] ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КАМЕРЫ: РАБОЧИЙ ОБЪЕМ КАМЕРЫ НЕ БОЛЕЕ 0,2 КУБИЧЕСКИХ МЕТРОВ ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ НЕ БОЛЕЕ 650 Х 650 Х 650 ММ МАТЕРИАЛ, ИЗ КОТОРОГО ИЗГОТАВЛИВАЕТСЯ КАМЕРА НЕРЖАВЕЮЩАЯ СТАЛЬ 08Х18Н10 (AISI 304) РАДИАЦИОННАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ НЕ БОЛЕЕ 1 МКЗВ/Ч НА РАССТОЯНИИ 100 ММ&NBSP;ОТ ВНЕШНИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ КАМЕРЫ ВНУТРИКАМЕРНАЯ ОСНАСТКА ВСЯ ИЗ АНТИМАГНИТНЫХ НЕРЖАВЕЮЩИХ СТАЛЕЙ [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/821/82110BD8130D79A399984CFA3D686300.JPG ] 3. ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/278/278081FE02A163688D587D1185FF84F8.JPG ] ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА СОСТОИТ ИЗ ДВУХ НЕЗАВИСИМЫХ СИСТЕМ, УПРАВЛЯЕМЫХ ОДНОЙ СИСТЕМОЙ КОНТРОЛЯ РАБОТЫ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ. ОДНА СИСТЕМА ОБЕСПЕЧИВАЕТ ПОЛУЧЕНИЕ ВАКУУМА И ЕГО КОНТРОЛЬ В ВАКУУМНОЙ КАМЕРЕ, ВТОРАЯ-В КАТОДНО-АНОДНОМ БЛОКЕ ПУШКИ. ОТКАЧНЫЕ СИСТЕМЫ СОСТОЯТ ИЗ СУХОГО ФОРВАКУУМНОГО НАСОСА И ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНОГО НАСОСА СООТВЕТСТВУЮЩЕЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ. ВАКУУМНАЯ АРМАТУРА (ШИБЕРА, КЛАПАНА, ПРИВОДА) ПОСТРОЕНЫ НА ПНЕВМОПРИВОДАХ. В СИСТЕМУ ВХОДИТ КОМПРЕССОР СЖАТОГО ВОЗДУХА, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИЙ АВТОКОНТРОЛЬ ЗА ДАВЛЕНИЕМ В ПНЕВМОСИСТЕМЕ. МЕЖДУ КАМЕРОЙ И ПУШКОЙ ЕСТЬ ВАКУУМНАЯ ЗАСЛОНКА , ПОЗВОЛЯЮЩАЯ ПРОИЗВОДИТЬ НЕЗАВИСИМЫЙ НАПУСК ВОЗДУХА В ПУШКУ ИЛИ КАМЕРУ. ДЛЯ КОНТРОЛЯ УРОВНЯ РАЗРЯЖЕНИЯ В КОНТРОЛЬНЫХ ТОЧКАХ УСТАНОВЛЕНЫ ВАКУУМНЫЕ ДАТЧИКИ. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ: ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫЙ НАСОС (ТМН) ОТКАЧКИ КАМЕРЫ 2000 Л/СЕК. ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫЙ НАСОС (ТМН) ОТКАЧКИ ПУШКИ 80 Л/СЕК. ФОРВАКУУМНЫЙ НАСОС ОТКАЧКИ ТМН КАМЕРЫ И КАМЕРЫ НА ФОРВАКУУМ НЕ МЕНЕЕ 100 КУБ.М/Ч. ФОРВАКУУМНЫЙ НАСОС ОТКАЧКИ ТМН ЭЛП И КАТОДНО-АНОДНОЙ ЧАСТИ ЭЛП НА ФОРВАКУУМ 5 КУБ. М/Ч ТИП ПРИВОДОВ КЛАПАНОВ И ШИБЕРОВ ПНЕВМАТИЧЕСКИЙ РАБОЧЕЕ ДАВЛЕНИЕ В ПНЕВМОСИСТЕМЕ &NBSP;6 БАР РАБОЧЕЕ ДАВЛЕНИЕ В КАМЕРЕ 1,3 Х 10 В МИНУС ПЯТОЙ СТЕПЕНИ МБАР РАБОЧЕЕ ДАВЛЕНИЕ В КАТОДНО-АНОДНОЙ ЧАСТИ ЭЛП 1,3 Х 10 В МИНУС ПЯТОЙ СТЕПЕНИ МБАР ВРЕМЯ ДОСТИЖЕНИЯ РАБОЧЕГО ВАКУУМА НЕ БОЛЕЕ 5 МИН. УРОВЕНЬ ШУМА НАСОСОВ НЕ ВЫШЕ 75 ДБ ОХЛАЖДЕНИЕ ТМН СТАЦИОНАРНАЯ СИСТЕМА ОХЛАЖДЕНИЯ &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP;МАНИПУЛЯТОРЫ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ РАЗЛИЧНЫХ РАБОТ С ПЕРЕМЕЩЕНИЕМ И ОРИЕНТАЦИЕЙ ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ИЗДЕЛИЙ УСТАНОВОК МОЖЕТ КОМПЛЕКТОВАТЬСЯ РАЗЛИЧНЫМИ МАНИПУЛЯТОРАМИ: • ЧПУ МАНИПУЛЯТОР С X-Y-Z ПЕРЕМЕЩЕНИЕМ • НАНОМАНИПУЛЯТОР С X-Y-Z ПЕРЕМЕЩЕНИЕМ И ВРАЩАТЕЛЕМ • ВРАЩАТЕЛЬ СО СМЕННОЙ ПЛАНШАЙБОЙ С ВОЗМОЖНОСТЬЮ ОДНОВРЕМЕННОЙ УСТАНОВКИ ДО 6 ДЕТАЛЕЙ&NBSP; [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/EB1/EB13CDC7CA69DF524A0E72BC0ADDC011.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/561/5610EC52655772F6E926214CABD3ADDE.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/930/93031EE8AF99BCAABD12898C7912157A.JPG ] ДЛЯ РАБОТЫ С КРУПНОГАБАРИТНЫМИ ДЕТАЛЯМИ ВЕСОМ ДО 5 КГ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ЧПУ X-Y-Z МАНИПУЛЯТОР НА СИНХРОННЫХ СЕРВОПРИВОДАХ С ЧПУ УПРАВЛЕНИЕМ ДЛЯ ПРОГРАММИРОВАНИЯ ТРАЕКТОРИЙ ШВА. СИСТЕМА ПРОГРАММИРОВАНИЯ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ИЗДЕЛИЯ ОБЕСПЕЧИВАЕТ ПРЕОБРАЗОВАНИЕ КООРДИНАТ ТРАЕКТОРИИ С ЗАРАНЕЕ ВЫБРАННЫМ БАЗИРОВАНИЕМ ЕГО НА СТОЛЕ МАНИПУЛЯТОРА В УПРАВЛЯЮЩИЕ СИГНАЛЫ НА СЕРВОПРИВОДА СИСТЕМЫ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ИЗДЕЛИЯ И УПРАВЛЕНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМИ ПАРАМЕТРАМИ ПРОЦЕССА СВАРКИ. ТАКЖЕ СИСТЕМА ПОЗВОЛЯЕТ ВОСПРОИЗВОДИТЬ ТРАЕКТОРИИ, КОТОРЫЕ СНЯТЫ С ИЗОБРАЖЕНИЙ РЭМ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ. ДЛЯ РАБОТЫ С МАЛЫМИ ИЗДЕЛИЯМИ ВЕСОМ ДО 200 Г И НЕОБХОДИМОСТЬЮ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ С ТОЧНОСТЬЮ ДО 50 НМ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ НАНОМАНИПУЛЯТОР НА ПЬЕЗОПРИВОДАХ. НАНОМАНИПУЛЯТОР МОЖЕТ УСТАНАВЛИВАТЬСЯ НА X-Y-Z МАНИПУЛЯТОР ИЛИ ОТДЕЛЬНО В РАБОЧЕМ ОБЪЁМЕ КАМЕРЫ. КАК ОПЦИЯ ИНДИВИДУАЛЬНОГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЯВЛЯЕТСЯ МАНИПУЛЯТОР ВРАЩЕНИЯ С МНОГОПОЗИЦИОННОЙ ПЛАНШАЙБОЙ. ВРАЩАТЕЛЬ УСТАНАВЛИВАЕТСЯ ВЕРТИКАЛЬНО ИЛИ ГОРИЗОНТАЛЬНО НА X-Y-Z МАНИПУЛЯТОР И ВКЛЮЧАЕТСЯ В ЕДИНУЮ СИСТЕМУ ЧПУ УПРАВЛЕНИЯ . ДЛЯ ПРИВОДА ВРАЩАТЕЛЯ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ АНАЛОГИЧНЫЙ СЕРВОПРИВОД. ДЛЯ БОЛЕЕ ТОЧНОГО ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ОДНОГО ВРАЩАЮЩЕГО ИЗДЕЛИЯ МАНИПУЛЯТОР ИМЕЕТ ВОЗМОЖНОСТЬ ОСНАЩЕНИЯ ЦЕНТРИРУЮЩЕЙ ОПРАВКОЙ. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ СИСТЕМ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ДИАПАЗОН ПЕРЕМЕЩЕНИЯ X-Y-Z ЧПУ МАНИПУЛЯТОРА X - Y +/- 100 Z +/- 50 ТОЧНОСТЬ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ +/- 15 МКМ ТОЧНОСТЬ ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ +/- 10 МКМ МАКСИМАЛЬНАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ДО 100 ММ/С ТИП ПРИВОДА СЕРВОПРИВОД НА СИНХРОННОМ ДВИГАТЕЛЕ НАГРУЗОЧНАЯ СПОСОБНОСТЬ ДО 10 КГ НАНОМАНИПУЛЯТОР: - ДИАПАЗОН ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ПО X-Y-Z КООРДИНАТАМ - МИНИМАЛЬНЫЙ ШАГ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ - ДРЕЙФ - ДИАПАЗОН СКОРОСТЕЙ ШАГОВЫЙ/НЕПРЕРЫВНЫЙ - НАГРУЗОЧНАЯ СПОСОБНОСТЬ - ТИП ПРИВОДА &NBSP;+/- 6 ММ 20 НМ 2 И МЕНЕЕ НМ/Ч ПРИ 20 ГРАДУСАХ ЦЕЛЬСИЯ 25 НМ/СЕК \ 500 МКМ/СЕК ДО 0,5 КГ ПЪЕЗОДВИГАТЕЛЬ ВРАЩАТЕЛЬ: - КОЛИЧЕСТВО ОДНОВРЕМЕННО УСТАНАВЛИВАЕМЫХ&NBSP;ДЕТАЛЕЙ ВРАЩЕНИЯ - МАКСИМАЛЬНЫЕ ГАБАРИТЫ ПРИ УСТАНОВКЕ ОДНОЙ ДЕТАЛИ - МАКСИМАЛЬНАЯ СКОРОСТЬ ВРАЩЕНИЯ ДЕТАЛИ - ВРАЩЕНИЕ&NBSP; - ОРИЕНТАЦИЯ ВРАЩАТЕЛЯ 6 ДЛИНА 100 ММ, ДИАМЕТР 250 ММ &NBSP;ДО 150 ОБ/МИН&NBSP; БЕСКОНЕЧНОЕ НА 360 ГРАДУСОВ ГОРИЗОНТАЛЬНАЯ/ВЕРТИКАЛЬНАЯ [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/C1B/C1B11513585B58C49C9C49C086A7FF1D.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/955/955D05112E8C9E75C550E2E3A9BC94A1.JPG ] &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP;КОМПЛЕКС НАБЛЮДЕНИЯ И ОБЗОРА ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ИЗДЕЛИЙ ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ НАБЛЮДЕНИЯ, КОНТРОЛЯ И НАВЕДЕНИЯ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ РЯД ВОЗМОЖНОСТЕЙ: • КОАКСИАЛЬНАЯ С ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ ВИДЕОСИСТЕМА НА БАЗЕ CCD ЦВЕТНОЙ КАМЕРЫ • ИК ВИДЕОСИСТЕМА ДЛЯ ОБЗОРА ВНУТРИКАМЕРНОГО ПРОСТРАНСТВА С ZOOM СИСТЕМОЙ • БОКОВАЯ РЭМ СИСТЕМА НА БАЗЕ ДЕТЕКТОРА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ • КОАКСИАЛЬНАЯ РЭМ СИСТЕМА НА БАЗЕ ДЕТЕКТОРА ОТРАЖЁННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ КОАКСИАЛЬНАЯ ВИДЕОСИСТЕМА УСТАНАВЛИВАЕТСЯ НА КОРПУСЕ ПУШКИ И ЧЕРЕЗ ОТРАЖАТЕЛЬ, УСТАНОВЛЕННЫЙ В ЛУЧЕПРОВОДЕ, ПОЛУЧАЕТ ИЗОБРАЖЕНИЕ ПО НАПРАВЛЕНИЮ ЛУЧА. СИСТЕМА ПОЗВОЛЯЕТ НАБЛЮДАТЬ ЗА ПРОЦЕССОМ СВАРКИ, А ТАКЖЕ ИСПОЛЬЗОВАТЬСЯ ДЛЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО НАВЕДЕНИЯ НА СВАРИВАЕМЫЕ ИЗДЕЛИЯ. ИК ВИДЕОСИСТЕМА УСТАНАВЛИВАЕТСЯ В ВЕРХНЕЙ ЧАСТИ КАМЕРЫ ПОД УГЛОМ К ОСИ ЛУЧА. ПРИ РАБОТЕ ДЕТЕКТОРА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В КАМЕРЕ НЕ ДОЛЖНО БЫТЬ ЗАСВЕТОК (ВЫКЛЮЧЕНО ОСВЕЩЕНИЕ И ЗАКРЫТЫ СМОТРОВЫЕ ОКНА), В ЭТОМ СЛУЧАЕ ДЛЯ НАБЛЮДЕНИЯ ВНУТРИ КАМЕРЫ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ИК ВИДЕОСИСТЕМА. СИСТЕМА ОСНАЩЕНА ИК ОСВЕТИТЕЛЕМ И ZOOM СИСТЕМОЙ ДЛЯ ВЫБОРА ЗАХВАТЫВАЕМОГО ПОЛЯ ОБЗОРА. ОБЕ СИСТЕМЫ ИМЕЮТ ETHERNET ИНТЕРФЕЙС. РЭМ СИСТЕМЫ ИСПОЛЬЗУЮТСЯ КАК ДЛЯ ОБЗОРА,&NBSP;ТАК И ДЛЯ ВЫСОКОТОЧНОГО ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ИЗДЕЛИЯ ОТНОСИТЕЛЬНОГО ЛУЧА И НАВЕДЕНИЯ НА СТЫК. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/8EB/8EBEDB572C9CF9C94E379F3AF1C55BFC.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/FBA/FBACBF7D5E9660B114A0D881FE12B8F2.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/8AC/8AC8B21EA4B217BCEAEB76CEE22203BD.JPG ] ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РЭМ РЕЖИМОВ ПОЗВОЛЯЕТ НАБЛЮДАТЬ СВАРИВАЕМУЮ ДЕТАЛЬ В РЕАЛЬНОМ ВРЕМЕНИ С РАЗРЕШЕНИЕМ ДО 15 МКМ И В РЕЖИМЕ МЕДЛЕННОЙ РАЗВЁРТКИ (2000 Х 2000 ТОЧЕК) ДО 0,5 МКМ (ДИАФРАГМИРОВАННЫЙ) РЭМ СИСТЕМА ОСНАЩЕНА ДВУМЯ ДЕТЕКТОРАМИ: КОАКСИАЛЬНЫЙ ДЕТЕКТОР ОТРАЖЁННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ, УСТАНОВЛЕННЫЙ НА ТОРЦЕ ПУШКИ, И БОКОВОЙ ДЕТЕКТОР ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ, УСТАНОВЛЕННЫЙ ПОД УГЛОМ 45 К ЛУЧУ НА БОКОВОЙ СТЕНКЕ КАМЕРЫ. ДЕТЕКТОРА ИМЕЮТ МАЛОШУМЯЩИЕ СИСТЕМЫ УСИЛЕНИЯ СИГНАЛА, УСТАНОВЛЕННЫЕ ВОЗЛЕ ДЕТЕКТОРОВ. КОМПОНУЯ РАБОТУ РЭМ–СИСТЕМ МОЖНО ДОБИТЬСЯ НЕОБХОДИМОГО КОНТРАСТА И ИНФОРМАТИВНОСТИ ИЗОБРАЖЕНИЯ. 4. СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ УСТАНОВКОЙ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ КОМПЬЮТЕРНАЯ СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ, ПОСТРОЕННАЯ НА БАЗЕ ЦЕНТРАЛЬНОГО ПРОМЫШЛЕННОГО ПРОЦЕССОРА И ПЕРИФЕРИЙНЫХ КОНТРОЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ: КОНТРОЛЛЕРА ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ, КОНТРОЛЛЕРА СИСТЕМЫ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ, КОНТРОЛЛЕРА ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ, СВЯЗАННЫХ ПО ИНТЕРФЕЙСУ RS 485. УПРАВЛЯЮЩИЙ ПРОЦЕССОР ФОРМИРУЕТ СИГНАЛЫ УПРАВЛЕНИЯ И СИНХРОНИЗИРУЕТ РАБОТУ ВСЕХ УСТРОЙСТВ, ОБЪЕДИНЯЯ В ЕДИНУЮ СИСТЕМУ ЧПУ УПРАВЛЕНИЯ. СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ОБЕСПЕЧИВАЕТ УПРАВЛЕНИЕ КАК ОТ РУЧНОГО ПУЛЬТА УПРАВЛЕНИЯ, ТАК И ОТ КОМПЬЮТЕРА. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/350/35024B4A126A677B2274DEAF15C40D8F.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/1C7/1C7F0D3F0C263A2CAAF99AF50E210C8C.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/89E/89EEE2B30B04F1276F0EA0FD3046B139.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/245/2455838A7B2E767EA41016C623AF5DF4.JPG ] СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ПОЗВОЛЯЕТ: &NBSP;- В РЕАЛЬНОМ ВРЕМЕНИ НАБЛЮДАТЬ И УПРАВЛЯТЬ ПАРАМЕТРАМИ ВСЕХ РАБОЧИХ СИСТЕМ УСТАНОВКИ; &NBSP;- В РЕАЛЬНОМ ВРЕМЕНИ УПРАВЛЯТЬ МАНИПУЛЯТОРАМИ; &NBSP;- В РЕАЛЬНОМ ВРЕМЕНИ УПРАВЛЯТЬ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМИ ПАРАМЕТРАМИ СВАРКИ; &NBSP;- ЗАДАВАТЬ ПАРАМЕТРЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА, В Т.Ч. ЗАКОНЫ ИЗМЕНЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ; &NBSP;- ЗАПУСКАТЬ И ОСТАНАВЛИВАТЬ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС СВАРКИ; &NBSP;- УПРАВЛЯТЬ РАБОЧИМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ ЭЛП: УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ, КВ 5...60 ШАГ ИЗМЕНЕНИЯ УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ, КВ 0,01 СТАБИЛЬНОСТЬ УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ ОТКЛОНЕНИЯ НЕ БОЛЕЕ +/- 0,5% ТОК ЛУЧА, МА 0...40 ШАГ ИЗМЕНЕНИЯ ТОКА ЛУЧА, МА 0,1 СТАБИЛЬНОСТЬ ТОКА ФОКУСИРОВКИ ЛИНЗЫ И СТИГМАТОРА ОТКЛОНЕНИЯ НЕ БОЛЕЕ +/- 0,05% СТАБИЛЬНОСТЬ ТОКА ОТКЛОНЯЮЩЕЙ ЛИНЗЫ ТКЛОНЕНИЯ НЕ БОЛЕЕ +/- 0,05% ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ ГЕНЕРАТОР ОБЕСПЕЧИВАЕТ ВОЗМОЖНОСТЬ ОТКЛОНЕНИЯ ЛУЧА НА +/- 15% ЧАСТОТА ОСЦИЛЛЯЦИИ ЛУЧА, ГЦ 1.....100000 - СТАТИЧЕСКОЕ (ПОСТОЯННОЕ), ДИНАМИЧЕСКОЕ И КОМБИНИРОВАННОЕ ОТКЛОНЕНИЕ ЛУЧА ПРИ СВАРКЕ ИЗДЕЛИЙ СО СЛОЖНОЙ ГЕОМЕТРИЕЙ; - УПРАВЛЕНИЕ ВЕЛИЧИНОЙ ТОКА СВАРКИ (ТОКА ЛУЧА) ВО ВСЁМ ДИАПАЗОНЕ С ШАГОМ МЕНЕЕ 0,1 МА; - ЧАСТОТА РАЗВЁРТКИ ЛУЧА В ПРЕДЕЛАХ 1-100000 ГЦ С ШАГОМ 1 ГЦ; - АМПЛИТУДА РАЗВЁРТКИ ЛУЧА В ПРЕДЕЛАХ 0 - ±5 С ТОЧНОСТЬЮ ±1% - РЕГУЛИРОВКА СИЛЫ ТОКА НАКАЛА КАТОДА В ПРЕДЕЛАХ 0-7А - ВКЛЮЧЕНИЕ И ВЫКЛЮЧЕНИЕ УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ; - УПРАВЛЕНИЕ ПАРАМЕТРАМИ ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИИ ТОКА ЛУЧА С ЧАСТОТОЙ В ДИАПАЗОНЕ 1-1000 ГЦ С ШАГОМ 1 ГЦ - АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ И РУЧНОЙ КОНТРОЛЬ ВЕЛИЧИНЫ ТОКА ЛУЧА, ТОКА ФОКУСИРОВКИ И УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ; - ЗАДАНИЕ ГРАФИКОВ НАРАСТАНИЯ И СПАДА ТОКА ЛУЧА С ПРИВЯЗКОЙ К ЛИНЕЙНЫМ И КРУГОВЫМ КООРДИНАТАМ; - ВКЛЮЧЕНИЕ И ВЫКЛЮЧЕНИЕ РАЗВЕРТКИ ЛУЧА И ЕЕ ФОРМЫ (КРУГОВАЯ, ЛИНЕЙНАЯ, КОЛЬЦЕВАЯ, ЗАДАННАЯ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕМ) ПРИ НЕПРЕРЫВНОМ И ИМПУЛЬСНОМ ТОКЕ ЛУЧА; - УПРАВЛЕНИЕ ВЕЛИЧИНОЙ И СКОРОСТЬЮ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ СВАРОЧНОЙ ОСНАСТКИ СБОРКИ ПО КООРДИНАТАМ X,Y,Z И ВРАЩЕНИЯ ПО КООРДИНАТАМ X,Y - ОТОБРАЖЕНИЕ НА ЭКРАНЕ ДИСПЛЕЯ (ТИП ДИСПЛЕЯ ТРТ С ДИАГОНАЛЬЮ НЕ МЕНЕЕ 19 ДЮЙМОВ) ТЕКУЩЕГО ТАКТА И РЕЖИМА РАБОТЫ (АВТОМАТ, РУЧНОЙ); -ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССА СВАРКИ (УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ, ТОК ФОКУСИРОВКИ, ТОК СВАРКИ, ДАВЛЕНИЕ В РАБОЧЕЙ КАМЕРЕ, СКОРОСТЬ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ СВАРИВАЕМОЙ ДЕТАЛИ, АМПЛИТУДА СИНУСОИДАЛЬНОЙ, КОСИНУСОИДАЛЬНОЙ И ПИЛООБРАЗНОЙ РАЗВЕРТОК И ИХ ЧАСТОТА); - ПАРАМЕТРЫ МОДУЛЯЦИИ ТОКА СВАРКИ (ДЛИТЕЛЬНОСТИ ИМПУЛЬСА И ПАУЗЫ); - ВОЗМОЖНОСТЬ ГЕНЕРАЦИИ СВАРОЧНОЙ ПРОГРАММЫ НА ОСНОВЕ ЧЕРТЕЖА СВАРИВАЕМОГО ИЗДЕЛИЯ, ВЫПОЛНЕННОГО В ОДНОЙ ИЗ СИСТЕМ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ (САПР). -&NBSP;ТЕКСТОВЫЕ СООБЩЕНИЯ НА ЭКРАНЕ ДИСПЛЕЯ О ВЫЯВЛЕННЫХ АВАРИЙНЫХ СИТУАЦИЯХ, КАК-ТО: СРАБАТЫВАНИЕ КООРДИНАТНЫХ ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕЙ, НАРУШЕНИЕ ВАКУУМА, ПОВРЕЖДЕНИЕ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ, ПЕРЕГРУЗКА ПРИВОДА, БЛОКИРОВКА АВАРИЙНЫХ РЕЖИМОВ И ДР.; -&NBSP;ВОЗМОЖНОСТЬ ОБМЕНА ДАННЫМИ С ПЕРСОНАЛЬНЫМ КОМПЬЮТЕРОМ (УПРАВЛЯЮЩИЕ ПРОГРАММЫ И ДАННЫЕ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА СВАРКИ); - СОПРОВОЖДЕНИЕ НЕКОТОРЫХ АВАРИЙНЫХ СООБЩЕНИЙ ЗВУКОВЫМ СИГНАЛОМ ТРЕВОГИ; - ОТКАЧКА РАБОЧЕЙ КАМЕРЫ И КАТОДНОЙ ПОЛОСТИ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПУШКИ ДО ЗАДАННОГО ВАКУУМА В АВТОМАТИЧЕСКОМ И НАЛАДОЧНОМ РЕЖИМАХ; - В АВТОМАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ СОБЛЮДАЕТСЯ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ СРАБАТЫВАНИЯ КЛАПАНОВ И НАСОСОВ, ИСКЛЮЧАЮЩАЯ ВОЗНИКНОВЕНИЕ АВАРИЙНЫХ РЕЖИМОВ РАБОТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ПУШКИ И ВАКУУМНЫХ НАСОСОВ; - ДЛЯ ИСКЛЮЧЕНИЯ ВОЗМОЖНОСТИ НЕСАНКЦИОНИРОВАННОГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ УСТАНОВКИ ПРЕДУСМОТРЕНА ЗАЩИТА КЛЮЧОМ, ИМЕЮЩИМСЯ ТОЛЬКО У ОПЕРАТОРА; -&NBSP;ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ РЕЖИМОВ С ПОЛОЖЕНИЯМИ "АВТОМАТ", "РУЧНОЙ"; - КНОПКА АВАРИЙНОГО ОСТАНОВА. РЕЖИМ «АВТОМАТ» ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ ПО ЗАДАННОЙ ПРОГРАММЕ И ДЛЯ ОТРАБОТКИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ; - РЕЖИМ «РУЧНОЙ» ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ НАСТРОЙКИ И ПРОВЕРКИ РАБОТОСПОСОБНОСТИ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ УСТАНОВКИ. СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ДОЛЖНА ОБЕСПЕЧИВАТЬ УПРАВЛЕНИЕ: -&NBSP;ВАКУУМНОЙ СИСТЕМОЙ; - МЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ; - ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫМ ГЕНЕРАТОРОМ; - ДРУГИМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЕМ С ЦЕЛЬЮ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА СВАРКИ И КОНТРОЛЯ. УПРАВЛЕНИЕ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМОЙ ОБЕСПЕЧИВАЕТ: -&NBSP;УПРАВЛЕНИЕ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ И КОНТРОЛЬ ИХ СОСТОЯНИЯ; - ИЗМЕРЕНИЕ ВЕЛИЧИНЫ ВАКУУМА В ОСНОВНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ; - КОНТРОЛЬ ТЕМПЕРАТУРЫ НАГРЕВА НАСОСОВ; - УПРАВЛЕНИЕ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ СИСТЕМЫ ОХЛАЖДЕНИЯ; -&NBSP;КОНТРОЛЬ ВЕЛИЧИНЫ РАСХОДА И ТЕМПЕРАТУРЫ ВОДЫ ВО ВНУТРЕННИХ КОНТУРАХ ОХЛАЖДЕНИЯ; -&NBSP;УПРАВЛЕНИЕ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ В СООТВЕТСТВИИ С ЗАДАННЫМ РЕЖИМОМ РАБОТЫ: ПОДГОТОВКА ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ;&NBSP;СОЗДАНИЕ РАБОЧЕГО ВАКУУМА В КАМЕРЕ И ПУШКЕ;&NBSP;НАПУСК ВОЗДУХА И РАЗГЕРМЕТИЗАЦИЯ КАМЕРЫ;&NBSP;ЗАВЕРШЕНИЕ РАБОТЫ. УПРАВЛЕНИЕ СИСТЕМОЙ МЕХАНИЧЕСКИХ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ ОБЕСПЕЧИВАЕТ: - УПРАВЛЕНИЕ ВЕЛИЧИНОЙ И СКОРОСТЬЮ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ И ВРАЩЕНИЯ МАНИПУЛЯТОРА; УПРАВЛЕНИЕ ЭНЕРГОБЛОКОМ ОБЕСПЕЧИВАЕТ: -&NBSP;ВКЛЮЧЕНИЕ И ВЫКЛЮЧЕНИЕ УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ; -&NBSP;ЗАДАНИЕ ВЕЛИЧИНЫ ТОКА НАГРЕВА КАТОДОВ; - ЗАДАНИЕ ВЕЛИЧИНЫ ИМПУЛЬСОВ И ПАУЗ; - ЗАДАНИЕ ВЕЛИЧИНЫ ТОКА ФОКУСИРОВКИ; - ЗАДАНИЕ ОТКЛОНЕНИЯ ЛУЧА ПО ОСЯМ X, У; - ВКЛЮЧЕНИЕ И ВЫКЛЮЧЕНИЕ РАЗВЕРТКИ ЭЛЕКТРОННОГО ЛУЧА С ЗАДАННЫМИ ДЛЯ СИСТЕМЫ РЭМ ПАРАМЕТРАМИ - АВАРИЙНОЕ ОТКЛЮЧЕНИЕ ИСТОЧНИКА УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ ПРИ НЕДОПУСТИМЫХ РЕЖИМАХ ЭКСПЛУАТАЦИИ. УСТАНОВКА ОСНАЩЕНА СИСТЕМОЙ САМОТЕСТИРОВАНИЯ С ВЫВОДОМ НА МОНИТОР СООБЩЕНИЙ ОБ ОТКАЗАХ И НЕСТАБИЛЬНОСТЯХ В РАБОТЕ УСТАНОВКИ И ОТДЕЛЬНЫХ ЕЕ ЭЛЕМЕНТАХ. [~SEARCHABLE_CONTENT] => СПЕЦИАЛИЗИРОВАННАЯ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ МИКРОСВАРКИ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ УСТАНОВКА EA MICRO EBW ОТНОСИТСЯ К ОБОРУДОВАНИЮ ВЫСОКОТОЧНОЙ СВАРКИ ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ В ВАКУУМЕ. ОСОБЕННОСТЬЮ УСТАНОВКИ ЯВЛЯЕТСЯ ТО, ЧТО ОНА ОБЪЕДИНЯЕТ В СЕБЕ ДВА ПРЕЦИЗИОННЫХ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВА, А ИМЕННО: РЭМ (РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП) И ЭЛС (ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ СВАРКА). [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/75A/75A6582D49C7472EB34E26E62892B720.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/EB5/EB52E0918BBFD63152CF33E4E48F2346.JPG ] ТАКОЕ СОЧЕТАНИЕ ПОЗВОЛЯЕТ ПРОИЗВОДИТЬ СВАРКУ С ВЫСОКОЙ ТОЧНОСТЬЮ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ И ОБРАБОТКИ ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ ЗА СЧЕТ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В КОНСТРУКЦИИ УСТАНОВКИ ТОЧНОЙ ФОКУСИРОВКИ И ПРЕЦИЗИОННОГО СКАНИРОВАНИЯ ЛУЧА, КОАКСИАЛЬНОЙ СИСТЕМЫ ВИДЕОНАБЛЮДЕНИЯ, РЕЖИМА РЭМ И НАНОМАНИПУЛЯТОРА. УСТАНОВКА КОМПОНУЕТСЯ КАК НАСТОЛЬНЫЙ ВАРИАНТ В ЕДИНОЙ КОНСОЛИ – СТОЛЕ, В КОТОРОЙ РАСПОЛАГАЮТСЯ СИСТЕМЫ И БЛОКИ УСТАНОВКИ, И КОТОРАЯ ЯВЛЯЕТСЯ РАБОЧИМ МЕСТОМ ОПЕРАТОРА. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/33F/33F4B7DFD124BA407EB6DE040828F97D.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/20E/20EE1760001508B8F21BA6752332C6CE.JPG ] 1. ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОНОВ (ЭЛП-ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ПУШКА) В РАЗРАБОТКЕ ЭЛП СЛОЖЕНЫ В ОДНО ЦЕЛОЕ ДВЕ ТЕХНОЛОГИИ: ПОЛУЧЕНИЕ ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННОГО РАСТРОВОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ ВО ВТОРИЧНЫХ И ОТРАЖЁННЫХ ЭЛЕКТРОНАХ (РЭМ) И СБАЛАНСИРОВАННАЯ ТРЁХ ЭЛЕКТРОДНАЯ СХЕМА ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ СВАРКИ, КОТОРАЯ ЯВЛЯЕТСЯ ОБЩЕЙ ДЛЯ ОБОИХ УСТРОЙСТВ И СОСТОЯЩАЯ ИЗ КАТОДНО-АНОДНОГО БЛОКА И УПРАВЛЯЮЩЕГО ЭЛЕКТРОДА. РАСЧЕТ КРОССОВЕРА&NBSP;ПРОВЕДЕН И ОПТИМИЗИРОВАН С УЧЕТОМ ОСОБЕННОСТЕЙ ФОРМИРОВАНИЯ ЛУЧА ДЛЯ ОБЕИХ ОПТИКОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/ED6/ED61AB84CCF6C11BE25BA3CA290D0BBA.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/532/532FD485592B8EFD0DF664BD501B98DA.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/4A2/4A22A53E6DACE472A3797FA580268B45.JPG ] ЗА СЧЕТ ПРАВИЛЬНО СБАЛАНСИРОВАННОЙ КОНФИГУРАЦИИ ЭТИХ ЭЛЕМЕНТОВ И ФОКУСИРУЮЩЕЙ СИСТЕМЫ УДАЁТСЯ ДОСТИГНУТЬ ДИАМЕТРА ЛУЧА В ТОЧКЕ СВАРКИ 15 МКМ. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/98F/98FA7F198537647A61E06D481C261423.JPG ] ДЛЯ СТАБИЛЬНОЙ РАБОТЫ ПУШКИ В НЕЙ ПРИМЕНЕНА ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНАЯ СУХАЯ ОТКАЧКА ОТДЕЛЬНЫМ ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫМ НАСОСОМ И ДАТЧИКОМ КОНТРОЛЯ ВАКУУМА В КАТОДНО-АНОДНОМ БЛОКЕ. ЭЛП ОСНАЩЕНА ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫМИ РАСТРОВЫМИ ЦЕНТРИРУЮЩИМИ, СТИГМИРУЮЩИМ И ФОКУСИРУЮЩИМИ СИСТЕМАМИ, ДЕТЕКТОРОМ ОТРАЖЁННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ С КОАКСИАЛЬНЫМ РАЗМЕЩЕНИЕМ. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/8D1/8D19DF1DB020CF3C857D80E5A1F7DC29.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/F57/F57BA6BED59325349D4567C47408D836.JPG ] В КАМЕРЕ УСТАНАВЛИВАЕТСЯ ДЕТЕКТОР ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ С УГЛОМ НАКЛОНА 45 ГРАДУСОВ, А ТАКЖЕ КОАКСИАЛЬНОЙ СИСТЕМОЙ ВИДЕОНАБЛЮДЕНИЯ ОБРАБАТЫВАЕМОЙ ДЕТАЛИ В ОДНОМ НАПРАВЛЕНИИ С ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ, ЧТО ПРИ МАЛЫХ ТОКАХ СВАРКИ ОБЕСПЕЧИВАЕТ НАБЛЮДЕНИЕ ПРОЦЕССА СВАРКИ. В ЭЛП ПРЕДУСМОТРЕНА РАБОТА С ДВУМЯ ТИПАМИ КАТОДОВ: V-ОБРАЗНЫЙ (ВОЛЬФРАМОВЫЙ)&NBSP;ИЛИ LAB6 (ГЕКСАБОРИД ЛАНТАНА). КОНСТРУКЦИЯ ПУШКИ ПОЗВОЛЯЕТ БЫСТРО МЕНЯТЬ КАТОДНЫЕ УЗЛЫ В ТЕЧЕНИИ 2-3 МИНУТ ЗА СЧЕТ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ЦЕНТРОВКИ КАТОДА В БЛОКЕ С ПОМОЩЬЮ СПЕЦИАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИСПОСОБЛЕНИЙ. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭЛП: ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ИСТОЧНИКА ТРЕХ ЭЛЕКТРОДНАЯ ТИП КАТОДА ПРЯМОНАКАЛЬНЫЙ, ВОЛЬФРАМ ИЛИ LAB6 УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ 60 КВ МОЩНОСТЬ 2 КВТ РАСТРОВАЯ СИСТЕМА ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ УГОЛ ОТКЛОНЕНИЯ +/- 15 ГРАДУСОВ ФОКУСИРУЮЩАЯ СИСТЕМА ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ПУЧКА 15 МКМ МИНИМАЛЬНЫЙ ТОК СВАРКИ 0,02 МА ДИАПАЗОН ЧАСТОТЫ СКАНИРОВАНИЯ ЛУЧА ПО КООРДИНАТАМ X-Y 1-7 КГЦ ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ 540 ММ Х 150 ММ ВЕС 70 КГ 2. ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ БЛОК ПИТАНИЯ 60 КВ /2 КВТ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ БЛОК ПИТАНИЯ ПОСТРОЕН НА БАЗЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ С ПРИМЕНЕНИЕМ СОВРЕМЕННЫХ МОЩНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ IGBT ТЕХНОЛОГИИ. КОНСТРУКЦИЯ И СХЕМОТЕХНИЧЕСКОЕ РЕШЕНИЕ, ЗАЛОЖЕННЫЕ В ИСТОЧНИКЕ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ, ПОЗВОЛЯЮТ ОСУЩЕСТВЛЯТЬ БЫСТРЫЙ ВЫХОД НА РАБОЧИЙ РЕЖИМ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ПРИ ЕГО ВКЛЮЧЕНИИ И ПОДАВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ РАЗРЯДОВ В ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПУШКЕ В СЛУЧАЕ ИХ ВОЗНИКНОВЕНИЯ. БЛОК ПИТАНИЯ ОБЕСПЕЧИВАЕТ ГЕНЕРАЦИЮ И ИЗМЕНЕНИЕ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ДО 60 КВ, НАПРЯЖЕНИЯ СМЕЩЕНИЯ И ГЕНЕРАЦИЮ ТОКА НАКАЛА КАТОДА. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/EB5/EB52E0918BBFD63152CF33E4E48F2346.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/1FD/1FD5E365720AA732D6D32FE1947F3843.JPG ] ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО БЛОКА ПИТАНИЯ: ДИАПАЗОН ИЗМЕНЕНИЯ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ 5-60 КВ (ДЛЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ЦЕЛЕЙ ВОЗМОЖНО ДО 70 КВ) ШАГ ИЗМЕНЕНИЯ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ 0,01 КВ ДИАПАЗОН ИЗМЕНЕНИЯ ТОКА НАГРУЗКИ 0...40 МА НОМИНАЛЬНАЯ НЕПРЕРЫВНАЯ МОЩНОСТЬ 2 КВТ ЧАСТОТА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ 62 КГЦ НЕСТАБИЛЬНОСТЬ ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ ПРИ ИЗМЕНЕНИИ НАПРЯЖЕНИЯ СЕТИ +/- 10 ГРАДУСОВ МЕНЕЕ 0,1% СТАТИЧЕСКАЯ НЕСТАБИЛЬНОСТЬ (ПРИ ИЗМЕНЕНИИ НАГРУЗКИ 0-100%) МЕНЕЕ 0,1% ДЛИТЕЛЬНОСТЬ ПЕРЕХОДНОГО ПРОЦЕССА МЕНЕЕ 1 МСЕК ПУЛЬСАЦИИ И ШУМЫ ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ МЕНЕЕ 0,1% RMS НАПРЯЖЕНИЕ СМЕЩЕНИЯ НА ЦИЛИНДРЕ ВЕНЕЛЬТА 0,8 КВ ТОК НАКАЛА КАТОДА 1....7А, 10 В ДЛИТЕЛЬНОСТЬ ИМПУЛЬСА В ИМПУЛЬСНОМ РЕЖИМЕ РАБОТЫ 10 МС МАКСИМАЛЬНАЯ ЧАСТОТА ИМПУЛЬСОВ 100 ГЦ ИНТЕРФЕЙС RS 485 ПО ПРОТОКОЛУ MODBUS ПИТАНИЕ 3 Х 380 В, 50 ГЦ ДЛЯ БЫСТРОЙ ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИИ ПРЕДУСМОТРЕН ВНЕШНИЙ ИМПУЛЬСНЫЙ РЕЖИМ, В КОТОРОМ УПРАВЛЯЮЩИЙ ЭЛЕКТРОД ПЕРЕВОДИТСЯ ПОД УПРАВЛЕНИЕ ВНЕШНЕГО ГЕНЕРАТОРА ИМПУЛЬСОВ, ЧТО ПОЗВОЛЯЕТ ПОЛУЧИТЬ ИМПУЛЬСЫ ДЛИТЕЛЬНОСТЬЮ 10 МКС С ЧАСТОТОЙ ДО 5 КГЦ. НО В ДАННОМ СЛУЧАЕ ТОК ЛУЧА НЕ МОЖЕТ РЕГУЛИРОВАТЬСЯ. &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP;РЕЖИМ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА (РЭМ) [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/129/12915F4716F40D907AFC86F482041A29.JPG ] УСТАНОВКА УКОМПЛЕКТОВАНА СИСТЕМАМИ ПОЗВОЛЯЮЩИМИ РАБОТАТЬ В РЕЖИМЕ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА (РЭМ) ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ В РЕЖИМЕ РЕАЛЬНОГО ВРЕМЕНИ ПОВЕРХНОСТИ СВАРИВАЕМЫХ ИЗДЕЛИЙ С ВЫСОКИМ РАЗРЕШЕНИЕМ ДО 15 МКМ. ЭТО ПОЗВОЛЯЕТ ПРОИЗВОДИТЬ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЕ И СВАРКУ С ОЧЕНЬ ВЫСОКОЙ ТОЧНОСТЬЮ. ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ РЭМ УСТАНОВКА УКОМПЛЕКТОВАНА ДВУМЯ ДЕТЕКТОРАМИ ВТОРИЧНЫХ И ОТРАЖЁННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ. ОДИН ДЕТЕКТОР (ОТРАЖЁННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ) УСТАНОВЛЕН НА ТОРЦЕ ПУШКИ, ВТОРОЙ – НА СТЕНКЕ ВАКУУМНОЙ КАМЕРЫ (СМ.РИС.11) ТАКАЯ КОМПОНОВКА ПОЗВОЛЯЕТ ОПТИМИЗИРОВАТЬ КОНТРАСТ ИЗОБРАЖЕНИЯ ДЕТАЛИ. ВЫСОКОЕ КАЧЕСТВО ИЗОБРАЖЕНИЯ (РИС.12,13,14,15) ОБЕСПЕЧИВАЕТСЯ ДВУХЛИНЗОВОЙ ФОКУСИРУЮЩЕЙ СИСТЕМОЙ И УСИЛИТЕЛЬНЫМ ТРАКТОМ С НИЗКИМ УРОВНЕМ ШУМА, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В РЭМ. РЕЖИМ РЭМ ИМЕЕТ РЕЖИМ БЫСТРОЙ РАЗВЁРТКИ 250 Х 250 ТОЧЕК ДЛЯ РАБОТЫ В РЕАЛЬНОМ ВРЕМЕНИ И РЕЖИМ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ ДО 2000 Х 2000 ТОЧЕК. ОПЕРАТОР ИСПОЛЬЗУЕТ ЭТИ РЕЖИМЫ ПО СИТУАЦИИ. БЫСТРЫЙ - ДЛЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ИЗДЕЛИЯ И ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ – ДЛЯ ДЕТАЛЬНОГО ПРОСМОТРА ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЙ С ВЫСОКИМ РАЗРЕШЕНИЕМ. РЕЖИМ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ МОЖЕТ ИСПОЛЬЗОВАТЬСЯ ДЛЯ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА СВАРКИ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/845/845F0A9547071E5BB9A5C75A3FA27F6E.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/4D5/4D5D2B92B723A9169F5FE43E999A6C27.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/97B/97B1E4A923AF06395915E2C1E107FC35.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/F9E/F9E7D6C9707AB0D0E7A4AA8BE3616B98.JPG ] ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ РЭМ: РАЗРЕШЕНИЕ ДО 15 МКМ (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ НАСТРОЙКИ СИСТЕМЫ) РАЗМЕР ИЗОБРАЖЕНИЯ ПРИ БЫСТРОЙ РАЗВЕРТКЕ 256 Х 256 ТОЧЕК РАЗМЕР ИЗОБРАЖЕНИЯ ПРИ МЕДЛЕННОЙ РАЗВЕРТКЕ (ПРОГРАММНО) ДО 2000 Х 2000 ТОЧЕК ДИАПАЗОН ЭЛЕКТРОННО - ОПТИЧЕСКОГО УВЕЛИЧЕНИЯ ДО 1000 КРАТ РЕГУЛИРОВКА ЯРКОСТИ И КОНТРАСТА &NBSP; КОЛИЧЕСТВО И ТИП ДЕТЕКТОРОВ ДЕТЕКТОР ОТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ - 1 ШТ. ДЕТЕКТОР ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ - 1 ШТ. ВЫВОД ИЗОБРАЖЕНИЯ НА МОНИТОР С ВОЗМОЖНОСТЬЮ ДОКУМЕНТИРОВАНИЯ &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP;ВАКУУМНАЯ КАМЕРА [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/71E/71EBA2F805A924549D37FA1770CBC6FD.JPG ] КАМЕРА ИЗГОТАВЛИВАЕТСЯ ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ И ИМЕЕТ ПРЯМОУГОЛЬНУЮ ФОРМУ С ФРОНТАЛЬНОЙ ДВЕРЬЮ. КОНСТРУКЦИЯ КАМЕРЫ ИМЕЕТ ТРЕБУЕМУЮ МЕХАНИЧЕСКУЮ ПРОЧНОСТЬ – ДЕФОРМАЦИЯ КАМЕРЫ ПРИ ПОЛУЧЕНИИ ВАКУУМА ОТСУТСТВУЕТ. НА ЗАДНЕЙ СТЕНКЕ КАМЕРЫ УСТАНОВЛЕНЫ ФЛАНЦЫ ДЛЯ ПОДСОЕДИНЕНИЯ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ И ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ВВОДА НЕОБХОДИМЫХ КОММУНИКАЦИЙ ВОВНУТРЬ КАМЕРЫ. НА БОКОВЫХ СТЕНКАХ УСТАНАВЛИВАЮТСЯ ДОПОЛНИТЕЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ, НАПРИМЕР ДЕТЕКТОР ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ, МАНИПУЛЯТОР И ДР. ДОСТУП В РАБОЧИЙ ОБЪЁМ КАМЕРЫ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЧЕРЕЗ ДВЕРЬ. ДВЕРЬ ОТКРЫВАЕТСЯ И ЗАКРЫВАЕТСЯ ВРУЧНУЮ. ТРЕБУЕМЫЕ ДЛЯ ЭТОГО УСИЛИЯ МИНИМАЛЬНЫ. НА ДВЕРИ УСТАНОВЛЕНЫ СМОТРОВЫЕ ОКНА. ВНУТРИ СМОТРОВЫЕ ОКНА ЗАЩИЩЕНЫ ОТ ВОЗМОЖНОГО НАПЫЛЕНИЯ СЪЁМНЫМ, ЛЕГКО ЗАМЕНЯЕМЫМ ЗАЩИТНЫМ СТЕКЛОМ. СТЁКЛА ИЗГОТОВЛЕНЫ ИЗ МАТЕРИАЛА, ОБЕСПЕЧИВАЮЩЕГО РЕНТГЕНОВСКУЮ ЗАЩИТУ. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/713/713A16216377ABD2496DF81298306E3B.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/93D/93D4EE8982E4CB33D2A417402DA146D2.JPG ] КОНСТРУКЦИЯ КАМЕРЫ ПОЗВОЛЯЕТ УСТАНАВЛИВАТЬ ЭЛП В РАЗЛИЧНЫХ ПОЛОЖЕНИЯХ (СБОКУ, СВЕРХУ). [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/0DD/0DD632CC8A536257B9F202D8850C5512.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/A63/A63E71C1B887239AD503E7396B0BE34F.JPG ] ВНУТРИ КАМЕРЫ УСТАНОВЛЕН ОСВЕТИТЕЛЬ ДЛЯ УДОБСТВА ОБЗОРА ЧЕРЕЗ СМОТРОВЫЕ ОКНА ПРИ НАСТРОЙКЕ СИСТЕМЫ. КАМЕРА ОБЕСПЕЧИВАЕТ УСТАНОВКУ В НЕЙ РАЗЛИЧНЫХ ТИПОВ МАНИПУЛЯТОРОВ: • XYZ ЧПУ МАНИПУЛЯТОР ДЛЯ ЛИНЕЙНЫХ ТРАЕКТОРИЙ. •&NBSP;ВРАЩАТЕЛЬ, КОТОРЫЙ МОЖЕТ УСТАНАВЛИВАТЬСЯ В ГОРИЗОНТАЛЬНОМ И ВЕРТИКАЛЬНОМ ПОЛОЖЕНИИ И ИМЕЕТ МНОГОПОЗИЦИОННУЮ КАРУСЕЛЬ ДЛЯ КОЛЬЦЕВЫХ ШВОВ. • XYZ НАНОМАНИПУЛЯТОР С ВРАЩАТЕЛЕМ ДЛЯ РАБОТЫ С ВЫСОКОТОЧНЫМИ ПЕРЕМЕЩЕНИЯМИ ДО 50 НМ. ДЛЯ ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО ОБЗОРА ВНУТРИКАМЕРНОГО ПРОСТРАНСТВА (ПРИ РАБОТЕ ДЕТЕКТОРА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ) НА КАМЕРЕ ПРЕДУСМОТРЕН ПОРТ ДЛЯ ИК CCD КАМЕРЫ ПРИ ЗАКРЫТЫХ СМОТРОВЫХ ОКНАХ. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/2D0/2D023F852A5EDF12E386E601541B3411.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/DC4/DC4802E387E042E49F7B4FDC1C885F9D.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/7F1/7F1E975153F4934F5991F9F9B94BEF20.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/009/00906BD70082CCD397DE54C36CB138D5.JPG ] ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КАМЕРЫ: РАБОЧИЙ ОБЪЕМ КАМЕРЫ НЕ БОЛЕЕ 0,2 КУБИЧЕСКИХ МЕТРОВ ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ НЕ БОЛЕЕ 650 Х 650 Х 650 ММ МАТЕРИАЛ, ИЗ КОТОРОГО ИЗГОТАВЛИВАЕТСЯ КАМЕРА НЕРЖАВЕЮЩАЯ СТАЛЬ 08Х18Н10 (AISI 304) РАДИАЦИОННАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ НЕ БОЛЕЕ 1 МКЗВ/Ч НА РАССТОЯНИИ 100 ММ&NBSP;ОТ ВНЕШНИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ КАМЕРЫ ВНУТРИКАМЕРНАЯ ОСНАСТКА ВСЯ ИЗ АНТИМАГНИТНЫХ НЕРЖАВЕЮЩИХ СТАЛЕЙ [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/821/82110BD8130D79A399984CFA3D686300.JPG ] 3. ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/278/278081FE02A163688D587D1185FF84F8.JPG ] ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА СОСТОИТ ИЗ ДВУХ НЕЗАВИСИМЫХ СИСТЕМ, УПРАВЛЯЕМЫХ ОДНОЙ СИСТЕМОЙ КОНТРОЛЯ РАБОТЫ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ. ОДНА СИСТЕМА ОБЕСПЕЧИВАЕТ ПОЛУЧЕНИЕ ВАКУУМА И ЕГО КОНТРОЛЬ В ВАКУУМНОЙ КАМЕРЕ, ВТОРАЯ-В КАТОДНО-АНОДНОМ БЛОКЕ ПУШКИ. ОТКАЧНЫЕ СИСТЕМЫ СОСТОЯТ ИЗ СУХОГО ФОРВАКУУМНОГО НАСОСА И ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНОГО НАСОСА СООТВЕТСТВУЮЩЕЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ. ВАКУУМНАЯ АРМАТУРА (ШИБЕРА, КЛАПАНА, ПРИВОДА) ПОСТРОЕНЫ НА ПНЕВМОПРИВОДАХ. В СИСТЕМУ ВХОДИТ КОМПРЕССОР СЖАТОГО ВОЗДУХА, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИЙ АВТОКОНТРОЛЬ ЗА ДАВЛЕНИЕМ В ПНЕВМОСИСТЕМЕ. МЕЖДУ КАМЕРОЙ И ПУШКОЙ ЕСТЬ ВАКУУМНАЯ ЗАСЛОНКА , ПОЗВОЛЯЮЩАЯ ПРОИЗВОДИТЬ НЕЗАВИСИМЫЙ НАПУСК ВОЗДУХА В ПУШКУ ИЛИ КАМЕРУ. ДЛЯ КОНТРОЛЯ УРОВНЯ РАЗРЯЖЕНИЯ В КОНТРОЛЬНЫХ ТОЧКАХ УСТАНОВЛЕНЫ ВАКУУМНЫЕ ДАТЧИКИ. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ: ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫЙ НАСОС (ТМН) ОТКАЧКИ КАМЕРЫ 2000 Л/СЕК. ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫЙ НАСОС (ТМН) ОТКАЧКИ ПУШКИ 80 Л/СЕК. ФОРВАКУУМНЫЙ НАСОС ОТКАЧКИ ТМН КАМЕРЫ И КАМЕРЫ НА ФОРВАКУУМ НЕ МЕНЕЕ 100 КУБ.М/Ч. ФОРВАКУУМНЫЙ НАСОС ОТКАЧКИ ТМН ЭЛП И КАТОДНО-АНОДНОЙ ЧАСТИ ЭЛП НА ФОРВАКУУМ 5 КУБ. М/Ч ТИП ПРИВОДОВ КЛАПАНОВ И ШИБЕРОВ ПНЕВМАТИЧЕСКИЙ РАБОЧЕЕ ДАВЛЕНИЕ В ПНЕВМОСИСТЕМЕ &NBSP;6 БАР РАБОЧЕЕ ДАВЛЕНИЕ В КАМЕРЕ 1,3 Х 10 В МИНУС ПЯТОЙ СТЕПЕНИ МБАР РАБОЧЕЕ ДАВЛЕНИЕ В КАТОДНО-АНОДНОЙ ЧАСТИ ЭЛП 1,3 Х 10 В МИНУС ПЯТОЙ СТЕПЕНИ МБАР ВРЕМЯ ДОСТИЖЕНИЯ РАБОЧЕГО ВАКУУМА НЕ БОЛЕЕ 5 МИН. УРОВЕНЬ ШУМА НАСОСОВ НЕ ВЫШЕ 75 ДБ ОХЛАЖДЕНИЕ ТМН СТАЦИОНАРНАЯ СИСТЕМА ОХЛАЖДЕНИЯ &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP;МАНИПУЛЯТОРЫ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ РАЗЛИЧНЫХ РАБОТ С ПЕРЕМЕЩЕНИЕМ И ОРИЕНТАЦИЕЙ ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ИЗДЕЛИЙ УСТАНОВОК МОЖЕТ КОМПЛЕКТОВАТЬСЯ РАЗЛИЧНЫМИ МАНИПУЛЯТОРАМИ: • ЧПУ МАНИПУЛЯТОР С X-Y-Z ПЕРЕМЕЩЕНИЕМ • НАНОМАНИПУЛЯТОР С X-Y-Z ПЕРЕМЕЩЕНИЕМ И ВРАЩАТЕЛЕМ • ВРАЩАТЕЛЬ СО СМЕННОЙ ПЛАНШАЙБОЙ С ВОЗМОЖНОСТЬЮ ОДНОВРЕМЕННОЙ УСТАНОВКИ ДО 6 ДЕТАЛЕЙ&NBSP; [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/EB1/EB13CDC7CA69DF524A0E72BC0ADDC011.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/561/5610EC52655772F6E926214CABD3ADDE.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/930/93031EE8AF99BCAABD12898C7912157A.JPG ] ДЛЯ РАБОТЫ С КРУПНОГАБАРИТНЫМИ ДЕТАЛЯМИ ВЕСОМ ДО 5 КГ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ЧПУ X-Y-Z МАНИПУЛЯТОР НА СИНХРОННЫХ СЕРВОПРИВОДАХ С ЧПУ УПРАВЛЕНИЕМ ДЛЯ ПРОГРАММИРОВАНИЯ ТРАЕКТОРИЙ ШВА. СИСТЕМА ПРОГРАММИРОВАНИЯ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ИЗДЕЛИЯ ОБЕСПЕЧИВАЕТ ПРЕОБРАЗОВАНИЕ КООРДИНАТ ТРАЕКТОРИИ С ЗАРАНЕЕ ВЫБРАННЫМ БАЗИРОВАНИЕМ ЕГО НА СТОЛЕ МАНИПУЛЯТОРА В УПРАВЛЯЮЩИЕ СИГНАЛЫ НА СЕРВОПРИВОДА СИСТЕМЫ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ИЗДЕЛИЯ И УПРАВЛЕНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМИ ПАРАМЕТРАМИ ПРОЦЕССА СВАРКИ. ТАКЖЕ СИСТЕМА ПОЗВОЛЯЕТ ВОСПРОИЗВОДИТЬ ТРАЕКТОРИИ, КОТОРЫЕ СНЯТЫ С ИЗОБРАЖЕНИЙ РЭМ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ. ДЛЯ РАБОТЫ С МАЛЫМИ ИЗДЕЛИЯМИ ВЕСОМ ДО 200 Г И НЕОБХОДИМОСТЬЮ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ С ТОЧНОСТЬЮ ДО 50 НМ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ НАНОМАНИПУЛЯТОР НА ПЬЕЗОПРИВОДАХ. НАНОМАНИПУЛЯТОР МОЖЕТ УСТАНАВЛИВАТЬСЯ НА X-Y-Z МАНИПУЛЯТОР ИЛИ ОТДЕЛЬНО В РАБОЧЕМ ОБЪЁМЕ КАМЕРЫ. КАК ОПЦИЯ ИНДИВИДУАЛЬНОГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЯВЛЯЕТСЯ МАНИПУЛЯТОР ВРАЩЕНИЯ С МНОГОПОЗИЦИОННОЙ ПЛАНШАЙБОЙ. ВРАЩАТЕЛЬ УСТАНАВЛИВАЕТСЯ ВЕРТИКАЛЬНО ИЛИ ГОРИЗОНТАЛЬНО НА X-Y-Z МАНИПУЛЯТОР И ВКЛЮЧАЕТСЯ В ЕДИНУЮ СИСТЕМУ ЧПУ УПРАВЛЕНИЯ . ДЛЯ ПРИВОДА ВРАЩАТЕЛЯ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ АНАЛОГИЧНЫЙ СЕРВОПРИВОД. ДЛЯ БОЛЕЕ ТОЧНОГО ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ОДНОГО ВРАЩАЮЩЕГО ИЗДЕЛИЯ МАНИПУЛЯТОР ИМЕЕТ ВОЗМОЖНОСТЬ ОСНАЩЕНИЯ ЦЕНТРИРУЮЩЕЙ ОПРАВКОЙ. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ СИСТЕМ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ДИАПАЗОН ПЕРЕМЕЩЕНИЯ X-Y-Z ЧПУ МАНИПУЛЯТОРА X - Y +/- 100 Z +/- 50 ТОЧНОСТЬ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ +/- 15 МКМ ТОЧНОСТЬ ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ +/- 10 МКМ МАКСИМАЛЬНАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ДО 100 ММ/С ТИП ПРИВОДА СЕРВОПРИВОД НА СИНХРОННОМ ДВИГАТЕЛЕ НАГРУЗОЧНАЯ СПОСОБНОСТЬ ДО 10 КГ НАНОМАНИПУЛЯТОР: - ДИАПАЗОН ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ПО X-Y-Z КООРДИНАТАМ - МИНИМАЛЬНЫЙ ШАГ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ - ДРЕЙФ - ДИАПАЗОН СКОРОСТЕЙ ШАГОВЫЙ/НЕПРЕРЫВНЫЙ - НАГРУЗОЧНАЯ СПОСОБНОСТЬ - ТИП ПРИВОДА &NBSP;+/- 6 ММ 20 НМ 2 И МЕНЕЕ НМ/Ч ПРИ 20 ГРАДУСАХ ЦЕЛЬСИЯ 25 НМ/СЕК \ 500 МКМ/СЕК ДО 0,5 КГ ПЪЕЗОДВИГАТЕЛЬ ВРАЩАТЕЛЬ: - КОЛИЧЕСТВО ОДНОВРЕМЕННО УСТАНАВЛИВАЕМЫХ&NBSP;ДЕТАЛЕЙ ВРАЩЕНИЯ - МАКСИМАЛЬНЫЕ ГАБАРИТЫ ПРИ УСТАНОВКЕ ОДНОЙ ДЕТАЛИ - МАКСИМАЛЬНАЯ СКОРОСТЬ ВРАЩЕНИЯ ДЕТАЛИ - ВРАЩЕНИЕ&NBSP; - ОРИЕНТАЦИЯ ВРАЩАТЕЛЯ 6 ДЛИНА 100 ММ, ДИАМЕТР 250 ММ &NBSP;ДО 150 ОБ/МИН&NBSP; БЕСКОНЕЧНОЕ НА 360 ГРАДУСОВ ГОРИЗОНТАЛЬНАЯ/ВЕРТИКАЛЬНАЯ [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/C1B/C1B11513585B58C49C9C49C086A7FF1D.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/955/955D05112E8C9E75C550E2E3A9BC94A1.JPG ] &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP;КОМПЛЕКС НАБЛЮДЕНИЯ И ОБЗОРА ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ИЗДЕЛИЙ ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ НАБЛЮДЕНИЯ, КОНТРОЛЯ И НАВЕДЕНИЯ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ РЯД ВОЗМОЖНОСТЕЙ: • КОАКСИАЛЬНАЯ С ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ ВИДЕОСИСТЕМА НА БАЗЕ CCD ЦВЕТНОЙ КАМЕРЫ • ИК ВИДЕОСИСТЕМА ДЛЯ ОБЗОРА ВНУТРИКАМЕРНОГО ПРОСТРАНСТВА С ZOOM СИСТЕМОЙ • БОКОВАЯ РЭМ СИСТЕМА НА БАЗЕ ДЕТЕКТОРА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ • КОАКСИАЛЬНАЯ РЭМ СИСТЕМА НА БАЗЕ ДЕТЕКТОРА ОТРАЖЁННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ КОАКСИАЛЬНАЯ ВИДЕОСИСТЕМА УСТАНАВЛИВАЕТСЯ НА КОРПУСЕ ПУШКИ И ЧЕРЕЗ ОТРАЖАТЕЛЬ, УСТАНОВЛЕННЫЙ В ЛУЧЕПРОВОДЕ, ПОЛУЧАЕТ ИЗОБРАЖЕНИЕ ПО НАПРАВЛЕНИЮ ЛУЧА. СИСТЕМА ПОЗВОЛЯЕТ НАБЛЮДАТЬ ЗА ПРОЦЕССОМ СВАРКИ, А ТАКЖЕ ИСПОЛЬЗОВАТЬСЯ ДЛЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО НАВЕДЕНИЯ НА СВАРИВАЕМЫЕ ИЗДЕЛИЯ. ИК ВИДЕОСИСТЕМА УСТАНАВЛИВАЕТСЯ В ВЕРХНЕЙ ЧАСТИ КАМЕРЫ ПОД УГЛОМ К ОСИ ЛУЧА. ПРИ РАБОТЕ ДЕТЕКТОРА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В КАМЕРЕ НЕ ДОЛЖНО БЫТЬ ЗАСВЕТОК (ВЫКЛЮЧЕНО ОСВЕЩЕНИЕ И ЗАКРЫТЫ СМОТРОВЫЕ ОКНА), В ЭТОМ СЛУЧАЕ ДЛЯ НАБЛЮДЕНИЯ ВНУТРИ КАМЕРЫ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ИК ВИДЕОСИСТЕМА. СИСТЕМА ОСНАЩЕНА ИК ОСВЕТИТЕЛЕМ И ZOOM СИСТЕМОЙ ДЛЯ ВЫБОРА ЗАХВАТЫВАЕМОГО ПОЛЯ ОБЗОРА. ОБЕ СИСТЕМЫ ИМЕЮТ ETHERNET ИНТЕРФЕЙС. РЭМ СИСТЕМЫ ИСПОЛЬЗУЮТСЯ КАК ДЛЯ ОБЗОРА,&NBSP;ТАК И ДЛЯ ВЫСОКОТОЧНОГО ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ИЗДЕЛИЯ ОТНОСИТЕЛЬНОГО ЛУЧА И НАВЕДЕНИЯ НА СТЫК. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/8EB/8EBEDB572C9CF9C94E379F3AF1C55BFC.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/FBA/FBACBF7D5E9660B114A0D881FE12B8F2.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/8AC/8AC8B21EA4B217BCEAEB76CEE22203BD.JPG ] ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РЭМ РЕЖИМОВ ПОЗВОЛЯЕТ НАБЛЮДАТЬ СВАРИВАЕМУЮ ДЕТАЛЬ В РЕАЛЬНОМ ВРЕМЕНИ С РАЗРЕШЕНИЕМ ДО 15 МКМ И В РЕЖИМЕ МЕДЛЕННОЙ РАЗВЁРТКИ (2000 Х 2000 ТОЧЕК) ДО 0,5 МКМ (ДИАФРАГМИРОВАННЫЙ) РЭМ СИСТЕМА ОСНАЩЕНА ДВУМЯ ДЕТЕКТОРАМИ: КОАКСИАЛЬНЫЙ ДЕТЕКТОР ОТРАЖЁННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ, УСТАНОВЛЕННЫЙ НА ТОРЦЕ ПУШКИ, И БОКОВОЙ ДЕТЕКТОР ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ, УСТАНОВЛЕННЫЙ ПОД УГЛОМ 45 К ЛУЧУ НА БОКОВОЙ СТЕНКЕ КАМЕРЫ. ДЕТЕКТОРА ИМЕЮТ МАЛОШУМЯЩИЕ СИСТЕМЫ УСИЛЕНИЯ СИГНАЛА, УСТАНОВЛЕННЫЕ ВОЗЛЕ ДЕТЕКТОРОВ. КОМПОНУЯ РАБОТУ РЭМ–СИСТЕМ МОЖНО ДОБИТЬСЯ НЕОБХОДИМОГО КОНТРАСТА И ИНФОРМАТИВНОСТИ ИЗОБРАЖЕНИЯ. 4. СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ УСТАНОВКОЙ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ КОМПЬЮТЕРНАЯ СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ, ПОСТРОЕННАЯ НА БАЗЕ ЦЕНТРАЛЬНОГО ПРОМЫШЛЕННОГО ПРОЦЕССОРА И ПЕРИФЕРИЙНЫХ КОНТРОЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ: КОНТРОЛЛЕРА ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ, КОНТРОЛЛЕРА СИСТЕМЫ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ, КОНТРОЛЛЕРА ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ, СВЯЗАННЫХ ПО ИНТЕРФЕЙСУ RS 485. УПРАВЛЯЮЩИЙ ПРОЦЕССОР ФОРМИРУЕТ СИГНАЛЫ УПРАВЛЕНИЯ И СИНХРОНИЗИРУЕТ РАБОТУ ВСЕХ УСТРОЙСТВ, ОБЪЕДИНЯЯ В ЕДИНУЮ СИСТЕМУ ЧПУ УПРАВЛЕНИЯ. СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ОБЕСПЕЧИВАЕТ УПРАВЛЕНИЕ КАК ОТ РУЧНОГО ПУЛЬТА УПРАВЛЕНИЯ, ТАК И ОТ КОМПЬЮТЕРА. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/350/35024B4A126A677B2274DEAF15C40D8F.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/1C7/1C7F0D3F0C263A2CAAF99AF50E210C8C.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/89E/89EEE2B30B04F1276F0EA0FD3046B139.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/245/2455838A7B2E767EA41016C623AF5DF4.JPG ] СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ПОЗВОЛЯЕТ: &NBSP;- В РЕАЛЬНОМ ВРЕМЕНИ НАБЛЮДАТЬ И УПРАВЛЯТЬ ПАРАМЕТРАМИ ВСЕХ РАБОЧИХ СИСТЕМ УСТАНОВКИ; &NBSP;- В РЕАЛЬНОМ ВРЕМЕНИ УПРАВЛЯТЬ МАНИПУЛЯТОРАМИ; &NBSP;- В РЕАЛЬНОМ ВРЕМЕНИ УПРАВЛЯТЬ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМИ ПАРАМЕТРАМИ СВАРКИ; &NBSP;- ЗАДАВАТЬ ПАРАМЕТРЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА, В Т.Ч. ЗАКОНЫ ИЗМЕНЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ; &NBSP;- ЗАПУСКАТЬ И ОСТАНАВЛИВАТЬ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС СВАРКИ; &NBSP;- УПРАВЛЯТЬ РАБОЧИМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ ЭЛП: УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ, КВ 5...60 ШАГ ИЗМЕНЕНИЯ УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ, КВ 0,01 СТАБИЛЬНОСТЬ УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ ОТКЛОНЕНИЯ НЕ БОЛЕЕ +/- 0,5% ТОК ЛУЧА, МА 0...40 ШАГ ИЗМЕНЕНИЯ ТОКА ЛУЧА, МА 0,1 СТАБИЛЬНОСТЬ ТОКА ФОКУСИРОВКИ ЛИНЗЫ И СТИГМАТОРА ОТКЛОНЕНИЯ НЕ БОЛЕЕ +/- 0,05% СТАБИЛЬНОСТЬ ТОКА ОТКЛОНЯЮЩЕЙ ЛИНЗЫ ТКЛОНЕНИЯ НЕ БОЛЕЕ +/- 0,05% ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ ГЕНЕРАТОР ОБЕСПЕЧИВАЕТ ВОЗМОЖНОСТЬ ОТКЛОНЕНИЯ ЛУЧА НА +/- 15% ЧАСТОТА ОСЦИЛЛЯЦИИ ЛУЧА, ГЦ 1.....100000 - СТАТИЧЕСКОЕ (ПОСТОЯННОЕ), ДИНАМИЧЕСКОЕ И КОМБИНИРОВАННОЕ ОТКЛОНЕНИЕ ЛУЧА ПРИ СВАРКЕ ИЗДЕЛИЙ СО СЛОЖНОЙ ГЕОМЕТРИЕЙ; - УПРАВЛЕНИЕ ВЕЛИЧИНОЙ ТОКА СВАРКИ (ТОКА ЛУЧА) ВО ВСЁМ ДИАПАЗОНЕ С ШАГОМ МЕНЕЕ 0,1 МА; - ЧАСТОТА РАЗВЁРТКИ ЛУЧА В ПРЕДЕЛАХ 1-100000 ГЦ С ШАГОМ 1 ГЦ; - АМПЛИТУДА РАЗВЁРТКИ ЛУЧА В ПРЕДЕЛАХ 0 - ±5 С ТОЧНОСТЬЮ ±1% - РЕГУЛИРОВКА СИЛЫ ТОКА НАКАЛА КАТОДА В ПРЕДЕЛАХ 0-7А - ВКЛЮЧЕНИЕ И ВЫКЛЮЧЕНИЕ УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ; - УПРАВЛЕНИЕ ПАРАМЕТРАМИ ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИИ ТОКА ЛУЧА С ЧАСТОТОЙ В ДИАПАЗОНЕ 1-1000 ГЦ С ШАГОМ 1 ГЦ - АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ И РУЧНОЙ КОНТРОЛЬ ВЕЛИЧИНЫ ТОКА ЛУЧА, ТОКА ФОКУСИРОВКИ И УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ; - ЗАДАНИЕ ГРАФИКОВ НАРАСТАНИЯ И СПАДА ТОКА ЛУЧА С ПРИВЯЗКОЙ К ЛИНЕЙНЫМ И КРУГОВЫМ КООРДИНАТАМ; - ВКЛЮЧЕНИЕ И ВЫКЛЮЧЕНИЕ РАЗВЕРТКИ ЛУЧА И ЕЕ ФОРМЫ (КРУГОВАЯ, ЛИНЕЙНАЯ, КОЛЬЦЕВАЯ, ЗАДАННАЯ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕМ) ПРИ НЕПРЕРЫВНОМ И ИМПУЛЬСНОМ ТОКЕ ЛУЧА; - УПРАВЛЕНИЕ ВЕЛИЧИНОЙ И СКОРОСТЬЮ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ СВАРОЧНОЙ ОСНАСТКИ СБОРКИ ПО КООРДИНАТАМ X,Y,Z И ВРАЩЕНИЯ ПО КООРДИНАТАМ X,Y - ОТОБРАЖЕНИЕ НА ЭКРАНЕ ДИСПЛЕЯ (ТИП ДИСПЛЕЯ ТРТ С ДИАГОНАЛЬЮ НЕ МЕНЕЕ 19 ДЮЙМОВ) ТЕКУЩЕГО ТАКТА И РЕЖИМА РАБОТЫ (АВТОМАТ, РУЧНОЙ); -ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССА СВАРКИ (УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ, ТОК ФОКУСИРОВКИ, ТОК СВАРКИ, ДАВЛЕНИЕ В РАБОЧЕЙ КАМЕРЕ, СКОРОСТЬ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ СВАРИВАЕМОЙ ДЕТАЛИ, АМПЛИТУДА СИНУСОИДАЛЬНОЙ, КОСИНУСОИДАЛЬНОЙ И ПИЛООБРАЗНОЙ РАЗВЕРТОК И ИХ ЧАСТОТА); - ПАРАМЕТРЫ МОДУЛЯЦИИ ТОКА СВАРКИ (ДЛИТЕЛЬНОСТИ ИМПУЛЬСА И ПАУЗЫ); - ВОЗМОЖНОСТЬ ГЕНЕРАЦИИ СВАРОЧНОЙ ПРОГРАММЫ НА ОСНОВЕ ЧЕРТЕЖА СВАРИВАЕМОГО ИЗДЕЛИЯ, ВЫПОЛНЕННОГО В ОДНОЙ ИЗ СИСТЕМ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ (САПР). -&NBSP;ТЕКСТОВЫЕ СООБЩЕНИЯ НА ЭКРАНЕ ДИСПЛЕЯ О ВЫЯВЛЕННЫХ АВАРИЙНЫХ СИТУАЦИЯХ, КАК-ТО: СРАБАТЫВАНИЕ КООРДИНАТНЫХ ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕЙ, НАРУШЕНИЕ ВАКУУМА, ПОВРЕЖДЕНИЕ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ, ПЕРЕГРУЗКА ПРИВОДА, БЛОКИРОВКА АВАРИЙНЫХ РЕЖИМОВ И ДР.; -&NBSP;ВОЗМОЖНОСТЬ ОБМЕНА ДАННЫМИ С ПЕРСОНАЛЬНЫМ КОМПЬЮТЕРОМ (УПРАВЛЯЮЩИЕ ПРОГРАММЫ И ДАННЫЕ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА СВАРКИ); - СОПРОВОЖДЕНИЕ НЕКОТОРЫХ АВАРИЙНЫХ СООБЩЕНИЙ ЗВУКОВЫМ СИГНАЛОМ ТРЕВОГИ; - ОТКАЧКА РАБОЧЕЙ КАМЕРЫ И КАТОДНОЙ ПОЛОСТИ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПУШКИ ДО ЗАДАННОГО ВАКУУМА В АВТОМАТИЧЕСКОМ И НАЛАДОЧНОМ РЕЖИМАХ; - В АВТОМАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ СОБЛЮДАЕТСЯ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ СРАБАТЫВАНИЯ КЛАПАНОВ И НАСОСОВ, ИСКЛЮЧАЮЩАЯ ВОЗНИКНОВЕНИЕ АВАРИЙНЫХ РЕЖИМОВ РАБОТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ПУШКИ И ВАКУУМНЫХ НАСОСОВ; - ДЛЯ ИСКЛЮЧЕНИЯ ВОЗМОЖНОСТИ НЕСАНКЦИОНИРОВАННОГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ УСТАНОВКИ ПРЕДУСМОТРЕНА ЗАЩИТА КЛЮЧОМ, ИМЕЮЩИМСЯ ТОЛЬКО У ОПЕРАТОРА; -&NBSP;ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ РЕЖИМОВ С ПОЛОЖЕНИЯМИ "АВТОМАТ", "РУЧНОЙ"; - КНОПКА АВАРИЙНОГО ОСТАНОВА. РЕЖИМ «АВТОМАТ» ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ ПО ЗАДАННОЙ ПРОГРАММЕ И ДЛЯ ОТРАБОТКИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ; - РЕЖИМ «РУЧНОЙ» ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ НАСТРОЙКИ И ПРОВЕРКИ РАБОТОСПОСОБНОСТИ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ УСТАНОВКИ. СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ДОЛЖНА ОБЕСПЕЧИВАТЬ УПРАВЛЕНИЕ: -&NBSP;ВАКУУМНОЙ СИСТЕМОЙ; - МЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ; - ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫМ ГЕНЕРАТОРОМ; - ДРУГИМ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЕМ С ЦЕЛЬЮ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА СВАРКИ И КОНТРОЛЯ. УПРАВЛЕНИЕ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМОЙ ОБЕСПЕЧИВАЕТ: -&NBSP;УПРАВЛЕНИЕ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ И КОНТРОЛЬ ИХ СОСТОЯНИЯ; - ИЗМЕРЕНИЕ ВЕЛИЧИНЫ ВАКУУМА В ОСНОВНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ; - КОНТРОЛЬ ТЕМПЕРАТУРЫ НАГРЕВА НАСОСОВ; - УПРАВЛЕНИЕ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ СИСТЕМЫ ОХЛАЖДЕНИЯ; -&NBSP;КОНТРОЛЬ ВЕЛИЧИНЫ РАСХОДА И ТЕМПЕРАТУРЫ ВОДЫ ВО ВНУТРЕННИХ КОНТУРАХ ОХЛАЖДЕНИЯ; -&NBSP;УПРАВЛЕНИЕ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ В СООТВЕТСТВИИ С ЗАДАННЫМ РЕЖИМОМ РАБОТЫ: ПОДГОТОВКА ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ;&NBSP;СОЗДАНИЕ РАБОЧЕГО ВАКУУМА В КАМЕРЕ И ПУШКЕ;&NBSP;НАПУСК ВОЗДУХА И РАЗГЕРМЕТИЗАЦИЯ КАМЕРЫ;&NBSP;ЗАВЕРШЕНИЕ РАБОТЫ. УПРАВЛЕНИЕ СИСТЕМОЙ МЕХАНИЧЕСКИХ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ ОБЕСПЕЧИВАЕТ: - УПРАВЛЕНИЕ ВЕЛИЧИНОЙ И СКОРОСТЬЮ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ И ВРАЩЕНИЯ МАНИПУЛЯТОРА; УПРАВЛЕНИЕ ЭНЕРГОБЛОКОМ ОБЕСПЕЧИВАЕТ: -&NBSP;ВКЛЮЧЕНИЕ И ВЫКЛЮЧЕНИЕ УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ; -&NBSP;ЗАДАНИЕ ВЕЛИЧИНЫ ТОКА НАГРЕВА КАТОДОВ; - ЗАДАНИЕ ВЕЛИЧИНЫ ИМПУЛЬСОВ И ПАУЗ; - ЗАДАНИЕ ВЕЛИЧИНЫ ТОКА ФОКУСИРОВКИ; - ЗАДАНИЕ ОТКЛОНЕНИЯ ЛУЧА ПО ОСЯМ X, У; - ВКЛЮЧЕНИЕ И ВЫКЛЮЧЕНИЕ РАЗВЕРТКИ ЭЛЕКТРОННОГО ЛУЧА С ЗАДАННЫМИ ДЛЯ СИСТЕМЫ РЭМ ПАРАМЕТРАМИ - АВАРИЙНОЕ ОТКЛЮЧЕНИЕ ИСТОЧНИКА УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ ПРИ НЕДОПУСТИМЫХ РЕЖИМАХ ЭКСПЛУАТАЦИИ. УСТАНОВКА ОСНАЩЕНА СИСТЕМОЙ САМОТЕСТИРОВАНИЯ С ВЫВОДОМ НА МОНИТОР СООБЩЕНИЙ ОБ ОТКАЗАХ И НЕСТАБИЛЬНОСТЯХ В РАБОТЕ УСТАНОВКИ И ОТДЕЛЬНЫХ ЕЕ ЭЛЕМЕНТАХ. [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 1593 [~SHOW_COUNTER] => 1593 [SHOW_COUNTER_START] => 07/14/2016 12:38:59 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 07/14/2016 12:38:59 pm [CODE] => specializirovannaya-electronno-luchevaya-ustanovka-dlya-mikrisvarki [~CODE] => specializirovannaya-electronno-luchevaya-ustanovka-dlya-mikrisvarki [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 510 [~XML_ID] => 510 [EXTERNAL_ID] => 510 [~EXTERNAL_ID] => 510 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ehlektronno-luchevaya-svarka/specializirovannaya-electronno-luchevaya-ustanovka-dlya-mikrisvarki/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ehlektronno-luchevaya-svarka/specializirovannaya-electronno-luchevaya-ustanovka-dlya-mikrisvarki/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2016.07.14 [~CREATED_DATE] => 2016.07.14 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 511
    [~ID] => 511
    [TIMESTAMP_X] => 11/23/2016 12:03:50 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 11/23/2016 12:03:50 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1479891830
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1479891830
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 07/14/2016 04:27:50 pm
    [~DATE_CREATE] => 07/14/2016 04:27:50 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1468502870
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1468502870
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 7
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 7
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Технические характеристики установки EA 60/2 Micro EBW
    [~NAME] => Технические характеристики установки EA 60/2 Micro EBW
    [PREVIEW_PICTURE] => 1780
    [~PREVIEW_PICTURE] => 1780
    [PREVIEW_TEXT] => 
    [~PREVIEW_TEXT] => 
    [PREVIEW_TEXT_TYPE] => html
    [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html
    [DETAIL_PICTURE] => 1779
    [~DETAIL_PICTURE] => 1779
    [DETAIL_TEXT] => 

1.1. Массо-габаритные показатели


Масса 1050 кг Вид 21.jpg
- длина 2900 мм
- ширина 2220 мм
- высота 2100 мм
Установочный объем, включая зону обслуживания:
- длина 3900 мм
- ширина 2300 мм
- высота 2200 мм

1.2. Вакуумная камера


Приблизительный размер камеры
(ширина Х глубина Х высота)
650х650х650 куб.мм
Диаметр смотрового окна в двери 2 шт. по 70 мм
Камера изготавливается, исходя 
из максимальных размеров деталей
камера1 1.jpg
Дверь камеры расположена с лицевой стороны
и крепится слева
Автоматический пуск откачивающей вакуумной
системы при закрытии дверцы камеры
Два иллюминатора из свинцового стекла
диаметром 70 мм, обеспечивающим полную защиту 
от рентгеновского излучения (на двери камеры)
Сменная защита внутренней стеклянной поверхности
иллюминатора от напыления
Защита внутренней стеклянной поверхности
иллюминатора от накопления электрического заряда

1.3. Электронная пушка


Одна, расположенная вертикально электронная-лучевая
пушка 60 кВ / 2 кВт, имеющая отдельную систему откачки вакуума
и заслонку отсечки от рабочего объема
image012-1.jpg
Триод с прямонакальным вольфрамовым V-образным катодом
(нить) или LaB6 для формирования осесимметричного электронного
пучка с малым кроссовером, обеспечивающий круглую форму
фокального пятна при сварке
защита катода от испарений
Откидываемая головная часть электронной пушки с механическим
блокирующим устройством безопасности
Высокоточное настроечное приспособление для монтажа катода - 1 шт.
Пневматический линейный отсечной вакуумный клапан электронной пушки
Удобная и быстрая процедура смены катода, время замены
катодного узла в сборе
не более 3 минут
Система фокусировки луча - катушки с высокостабильным 
источником тока и стигматором
 
Система отклонения и развертки луча - катушки со стабильным
источником тока
 
Стабилизированный высоковольтный источник питания электронной пушки
с ускоряющим напряжением до 60 кВ и максимальной мощностью 2 кВт
отдельно стоящий
Ускоряющее напряжение 10.....60 кВ, свободно
Максимальный ток луча 40 мА при 60 кВ
Максимальная мощность луча 2 кВт
Рабочий диапазон тока луча
плавная регулировка
от 0 до 40 мА
Высокоскоростная обратная связь для управления током луча  
Максимальная мощность накала катода 40 Вт
Напряжение на цилиндре Венельта до 800 В
Минимальный диаметр луча в точке сварки 30 мкм
(достижимо 15 мкм)
Максимальный угол отклонения луча +/- 15 градусов
Максимальное отклоняющее напряжение +/- 80 В
Максимальный отклоняющий ток +/- 1 А
Форма осцилляции электронного луча треугольник, синус,
круг, эллипс, парабола
Стабильность ускоряющего напряжения электронной пушки
при 60 кВ / 2 кВт
менее 0,1%
Пульсации ускоряющего напряжения электронной пушки менее 0,1%
Размер колонны (диаметр Х высота) 150 х 540 мм
Интерфейс шины даных RS485

1.4. Система контроля луча


Система фокусировки и центровки луча  
Максимальное напряжение на центрирующей катушке 7 В
Максимальный ток на центрирующей катушке +/- 250 мА
Максимальное напряжение на фокусирующей катушке 20 В
Ток на фокусирующей катушке от 0,2 до 1,5 А    
Интерфейс шины данных RS485
Импульсный режим генерации электронного луча  
Минимальная длительность луча 10 мкс
Максимальная частота импульсов 5 кГц
Возможность регулировки тока луча непосредственно в процессе
импульсной сварки
 
Возможность подключения внешнего контроллера импульсного режима  

1.5. Система управления


Электронные блоки системы управления и высоковольтный источник питания смонтированы в две металлические тумбы-стойки 19" под столом оператора

Выносной пульт оператора для управления, программирования, диагностики и настройки оборудования. Пульт оборудован кнопками для переключения режимов функционирования пульта и управления оборудованием, шестью маховиками ручного управления (выбираемые функции: ток луча, центрирование луча по X/Y, фокусировка луча, отклонение по X/Y, увеличение изображения, все механические координаты)

image028-1.jpg


Координаты ЧПУ-управления:
- механического движения по осям X-Y (перемещение пушки),
- механического вращения,
- электронная координата по току луча,
- электронная координата по току фокусировки,
- электронная координата по току накала катода

Управляемый угол наклона луча с пульта оператора и при помощи ЧПУ-управления

Регулировка тока луча на всем диапазоне от 0 до 40 мА с пульта оператора и при помощи ЧПУ-управления

Контроллер для управления и диагностики вакуумной системы

Управление накалом катода с пульта оператора и при помощи ЧПУ-управления

Управление ускоряющим напряжением с возможностью его включения и выключения с пульта оператора

Управление током луча с возможностью его включения и выключения с пульта оператора и при помощи ЧПУ-управления

Управление отклоняющей системой с пульта оператора и при помощи ЧПУ-управления

image035-1.jpg


Управление током фокусировки луча с пульта оператора и при помощи ЧПУ-управления

Автоматизированное управление вакуумной системой для автоматизации процесса откачки в электронно-лучевой пушке и в рабочей камере

Электронные блоки размещены в тумбах-стойках для обеспечения свободного доступа, конструктив соответствует требованиям DIN и VBE к обслуживанию оборудования на промышленных и машиностроительных предприятиях

Отображение параметров сварки, включая электронно-оптические параметры пушки на пульте оператора на мониторе

Отображение ограничения для рабочего пространства в рабочем объеме вакуумной камеры на пульте оператора и на мониторе

Пневмооборудование

Комплекс программных и аппаратных средств для обеспечения безопасной работы оборудования и обеспечения безопасности оператора

image049-1.jpg

1.6. Вакуумная система


Полностью автоматизированная безмаслянная вакуумная система
производства компании Agilent Technogies
камера2 1.jpg
Включает в себя 2 форвакуумных и 2 турбомолекулярных насоса,
шиберную заслонку, клапаны и датчики
Рабочее давление От 10-3 до 1,3х10-5
Автоматическая система очистки  
Время откачки до 1,3х10-5 мбар Не более 5 минут
Автоматическая система быстрой продувки  
Уровень шума менее 78 дБ
Интерфейс шины данных RS485
Турбомолекулярный насос Agilent Technogies:
- скорость откачки
- охлаждение
 
- 2000 л/сек.
- водяное
Турбомолекулярный насос Agilent Technogies:
- скорость откачки
- охлаждение

- 80 л/сек.
- водяное
Форвакуумный безмаслянный насос Agilent Technogies: 100 куб. м/ч
Форвакуумный безмасляный насос Agilent Technogies: 5 куб. м/ч

1.7. Система наблюдения


Установка может работать в режиме РЭМ для настройки луча.
Видеоустройство имеет настройку фокуса, контраста и яркости. 1 детектор вторичных,
установленный под углом 45 градусов на боковой стенке камеры; 1 детектор
отраженных электронов на срезе ЭЛП
image062-1.jpg
Установлена ZOOM ИК для видеонаблюдения внутрикамерного объема
Контроль системы позиционирования и перемещения деталей при сварке
Контроль электронно-лучевой пушки
Задание и контроль параметров электронного луча (ускоряющее напряжение, ток)
ЧПУ-контроль положения электронного луча (угол отклонения, осцилляция)
Управление в режиме растрового электронного микроскопа image062-1.jpg
Документирование результатов контроля процесса сварки
(сохранение в log-файл)
Сохранение изображений, полученных в режиме
растрового электронного микроскопа
Измерение геометрических параметров деталей / сварных швов по изображениям,
полученным в режиме растрового электронного микроскопа
Разметка задания процесса сварки непосредственно на изображении детали,
полученном в режиме растрового электронного микроскопа
Интерфейс шины данных RS485

1.8. ЧПУ


Подключение до 4 синхронных двигателей image062-3.jpg
Подключение до 6 концевых выключателей
Максимальное напряжение двигателя 36 В
Ethernet - интерфейс image068.jpg
Обеспечивается плавное и шаговое управление вращательным устройством
Возможность использовать импульсный режим
Автоматические стандартные программы сварки
(точечная, радиальный шов, осевой шов, контроль наклона)
Графический интерфейс ЧПУ на русском языке, также как основные функции
ЧПУ (кнопки) и вспомогательные системы

1.9. Система позиционирования


Установка поставляется с двумя поворотными устройствами:
однопозиционным ля деталей диаметром от 10 до 250 мм 
и высотой от 20 до 350 мм
6-ти позиционным для деталей диаметром до 100 мм 
и высотой до 250 мм
В комплект поставки входит 6-позиционная центрирующая оправка
для каждой детали для вращения вокруг горизонтальной оси
манипулятор 1.jpg
Вращатели устанавливаются на линейном манипуляторе в вертикальном
или горизонтальном положении и включаются в единую систему управления
Диапазон перемещений вращателей 0 - 360 градусов
в положительном направлении + ..... мм
скорость рабочих перемещений до 150 об/мин.
Тип регулирования скорости цифровое

1.10. Энергоносители


Тип электропитания трехфазное
Номинальное напряжение 400 (+ 5-10%) В
Частота 50 Гц
Подключенная нагрузка 5 кВа
Давление подводимого сжатого воздуха не менее 6 мбар

[~DETAIL_TEXT] =>

1.1. Массо-габаритные показатели


Масса 1050 кг Вид 21.jpg
- длина 2900 мм
- ширина 2220 мм
- высота 2100 мм
Установочный объем, включая зону обслуживания:
- длина 3900 мм
- ширина 2300 мм
- высота 2200 мм

1.2. Вакуумная камера


Приблизительный размер камеры
(ширина Х глубина Х высота)
650х650х650 куб.мм
Диаметр смотрового окна в двери 2 шт. по 70 мм
Камера изготавливается, исходя 
из максимальных размеров деталей
камера1 1.jpg
Дверь камеры расположена с лицевой стороны
и крепится слева
Автоматический пуск откачивающей вакуумной
системы при закрытии дверцы камеры
Два иллюминатора из свинцового стекла
диаметром 70 мм, обеспечивающим полную защиту 
от рентгеновского излучения (на двери камеры)
Сменная защита внутренней стеклянной поверхности
иллюминатора от напыления
Защита внутренней стеклянной поверхности
иллюминатора от накопления электрического заряда

1.3. Электронная пушка


Одна, расположенная вертикально электронная-лучевая
пушка 60 кВ / 2 кВт, имеющая отдельную систему откачки вакуума
и заслонку отсечки от рабочего объема
image012-1.jpg
Триод с прямонакальным вольфрамовым V-образным катодом
(нить) или LaB6 для формирования осесимметричного электронного
пучка с малым кроссовером, обеспечивающий круглую форму
фокального пятна при сварке
защита катода от испарений
Откидываемая головная часть электронной пушки с механическим
блокирующим устройством безопасности
Высокоточное настроечное приспособление для монтажа катода - 1 шт.
Пневматический линейный отсечной вакуумный клапан электронной пушки
Удобная и быстрая процедура смены катода, время замены
катодного узла в сборе
не более 3 минут
Система фокусировки луча - катушки с высокостабильным 
источником тока и стигматором
 
Система отклонения и развертки луча - катушки со стабильным
источником тока
 
Стабилизированный высоковольтный источник питания электронной пушки
с ускоряющим напряжением до 60 кВ и максимальной мощностью 2 кВт
отдельно стоящий
Ускоряющее напряжение 10.....60 кВ, свободно
Максимальный ток луча 40 мА при 60 кВ
Максимальная мощность луча 2 кВт
Рабочий диапазон тока луча
плавная регулировка
от 0 до 40 мА
Высокоскоростная обратная связь для управления током луча  
Максимальная мощность накала катода 40 Вт
Напряжение на цилиндре Венельта до 800 В
Минимальный диаметр луча в точке сварки 30 мкм
(достижимо 15 мкм)
Максимальный угол отклонения луча +/- 15 градусов
Максимальное отклоняющее напряжение +/- 80 В
Максимальный отклоняющий ток +/- 1 А
Форма осцилляции электронного луча треугольник, синус,
круг, эллипс, парабола
Стабильность ускоряющего напряжения электронной пушки
при 60 кВ / 2 кВт
менее 0,1%
Пульсации ускоряющего напряжения электронной пушки менее 0,1%
Размер колонны (диаметр Х высота) 150 х 540 мм
Интерфейс шины даных RS485

1.4. Система контроля луча


Система фокусировки и центровки луча  
Максимальное напряжение на центрирующей катушке 7 В
Максимальный ток на центрирующей катушке +/- 250 мА
Максимальное напряжение на фокусирующей катушке 20 В
Ток на фокусирующей катушке от 0,2 до 1,5 А    
Интерфейс шины данных RS485
Импульсный режим генерации электронного луча  
Минимальная длительность луча 10 мкс
Максимальная частота импульсов 5 кГц
Возможность регулировки тока луча непосредственно в процессе
импульсной сварки
 
Возможность подключения внешнего контроллера импульсного режима  

1.5. Система управления


Электронные блоки системы управления и высоковольтный источник питания смонтированы в две металлические тумбы-стойки 19" под столом оператора

Выносной пульт оператора для управления, программирования, диагностики и настройки оборудования. Пульт оборудован кнопками для переключения режимов функционирования пульта и управления оборудованием, шестью маховиками ручного управления (выбираемые функции: ток луча, центрирование луча по X/Y, фокусировка луча, отклонение по X/Y, увеличение изображения, все механические координаты)

image028-1.jpg


Координаты ЧПУ-управления:
- механического движения по осям X-Y (перемещение пушки),
- механического вращения,
- электронная координата по току луча,
- электронная координата по току фокусировки,
- электронная координата по току накала катода

Управляемый угол наклона луча с пульта оператора и при помощи ЧПУ-управления

Регулировка тока луча на всем диапазоне от 0 до 40 мА с пульта оператора и при помощи ЧПУ-управления

Контроллер для управления и диагностики вакуумной системы

Управление накалом катода с пульта оператора и при помощи ЧПУ-управления

Управление ускоряющим напряжением с возможностью его включения и выключения с пульта оператора

Управление током луча с возможностью его включения и выключения с пульта оператора и при помощи ЧПУ-управления

Управление отклоняющей системой с пульта оператора и при помощи ЧПУ-управления

image035-1.jpg


Управление током фокусировки луча с пульта оператора и при помощи ЧПУ-управления

Автоматизированное управление вакуумной системой для автоматизации процесса откачки в электронно-лучевой пушке и в рабочей камере

Электронные блоки размещены в тумбах-стойках для обеспечения свободного доступа, конструктив соответствует требованиям DIN и VBE к обслуживанию оборудования на промышленных и машиностроительных предприятиях

Отображение параметров сварки, включая электронно-оптические параметры пушки на пульте оператора на мониторе

Отображение ограничения для рабочего пространства в рабочем объеме вакуумной камеры на пульте оператора и на мониторе

Пневмооборудование

Комплекс программных и аппаратных средств для обеспечения безопасной работы оборудования и обеспечения безопасности оператора

image049-1.jpg

1.6. Вакуумная система


Полностью автоматизированная безмаслянная вакуумная система
производства компании Agilent Technogies
камера2 1.jpg
Включает в себя 2 форвакуумных и 2 турбомолекулярных насоса,
шиберную заслонку, клапаны и датчики
Рабочее давление От 10-3 до 1,3х10-5
Автоматическая система очистки  
Время откачки до 1,3х10-5 мбар Не более 5 минут
Автоматическая система быстрой продувки  
Уровень шума менее 78 дБ
Интерфейс шины данных RS485
Турбомолекулярный насос Agilent Technogies:
- скорость откачки
- охлаждение
 
- 2000 л/сек.
- водяное
Турбомолекулярный насос Agilent Technogies:
- скорость откачки
- охлаждение

- 80 л/сек.
- водяное
Форвакуумный безмаслянный насос Agilent Technogies: 100 куб. м/ч
Форвакуумный безмасляный насос Agilent Technogies: 5 куб. м/ч

1.7. Система наблюдения


Установка может работать в режиме РЭМ для настройки луча.
Видеоустройство имеет настройку фокуса, контраста и яркости. 1 детектор вторичных,
установленный под углом 45 градусов на боковой стенке камеры; 1 детектор
отраженных электронов на срезе ЭЛП
image062-1.jpg
Установлена ZOOM ИК для видеонаблюдения внутрикамерного объема
Контроль системы позиционирования и перемещения деталей при сварке
Контроль электронно-лучевой пушки
Задание и контроль параметров электронного луча (ускоряющее напряжение, ток)
ЧПУ-контроль положения электронного луча (угол отклонения, осцилляция)
Управление в режиме растрового электронного микроскопа image062-1.jpg
Документирование результатов контроля процесса сварки
(сохранение в log-файл)
Сохранение изображений, полученных в режиме
растрового электронного микроскопа
Измерение геометрических параметров деталей / сварных швов по изображениям,
полученным в режиме растрового электронного микроскопа
Разметка задания процесса сварки непосредственно на изображении детали,
полученном в режиме растрового электронного микроскопа
Интерфейс шины данных RS485

1.8. ЧПУ


Подключение до 4 синхронных двигателей image062-3.jpg
Подключение до 6 концевых выключателей
Максимальное напряжение двигателя 36 В
Ethernet - интерфейс image068.jpg
Обеспечивается плавное и шаговое управление вращательным устройством
Возможность использовать импульсный режим
Автоматические стандартные программы сварки
(точечная, радиальный шов, осевой шов, контроль наклона)
Графический интерфейс ЧПУ на русском языке, также как основные функции
ЧПУ (кнопки) и вспомогательные системы

1.9. Система позиционирования


Установка поставляется с двумя поворотными устройствами:
однопозиционным ля деталей диаметром от 10 до 250 мм 
и высотой от 20 до 350 мм
6-ти позиционным для деталей диаметром до 100 мм 
и высотой до 250 мм
В комплект поставки входит 6-позиционная центрирующая оправка
для каждой детали для вращения вокруг горизонтальной оси
манипулятор 1.jpg
Вращатели устанавливаются на линейном манипуляторе в вертикальном
или горизонтальном положении и включаются в единую систему управления
Диапазон перемещений вращателей 0 - 360 градусов
в положительном направлении + ..... мм
скорость рабочих перемещений до 150 об/мин.
Тип регулирования скорости цифровое

1.10. Энергоносители


Тип электропитания трехфазное
Номинальное напряжение 400 (+ 5-10%) В
Частота 50 Гц
Подключенная нагрузка 5 кВа
Давление подводимого сжатого воздуха не менее 6 мбар

[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УСТАНОВКИ EA 60/2 MICRO EBW 1.1. МАССО-ГАБАРИТНЫЕ ПОКАЗАТЕЛИ МАССА 1050 КГ [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/862/862799D1883A4075ED159ED5D9C5C422.JPG ] - ДЛИНА 2900 ММ - ШИРИНА 2220 ММ - ВЫСОТА 2100 ММ УСТАНОВОЧНЫЙ ОБЪЕМ, ВКЛЮЧАЯ ЗОНУ ОБСЛУЖИВАНИЯ: - ДЛИНА 3900 ММ - ШИРИНА 2300 ММ - ВЫСОТА 2200 ММ 1.2. ВАКУУМНАЯ КАМЕРА ПРИБЛИЗИТЕЛЬНЫЙ РАЗМЕР КАМЕРЫ (ШИРИНА Х ГЛУБИНА Х ВЫСОТА) 650Х650Х650 КУБ.ММ ДИАМЕТР СМОТРОВОГО ОКНА В ДВЕРИ 2 ШТ. ПО 70 ММ КАМЕРА ИЗГОТАВЛИВАЕТСЯ, ИСХОДЯ&NBSP; ИЗ МАКСИМАЛЬНЫХ РАЗМЕРОВ ДЕТАЛЕЙ [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/71E/71EBA2F805A924549D37FA1770CBC6FD.JPG ] ДВЕРЬ КАМЕРЫ РАСПОЛОЖЕНА С ЛИЦЕВОЙ СТОРОНЫ И КРЕПИТСЯ СЛЕВА АВТОМАТИЧЕСКИЙ ПУСК ОТКАЧИВАЮЩЕЙ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ ПРИ ЗАКРЫТИИ ДВЕРЦЫ КАМЕРЫ ДВА ИЛЛЮМИНАТОРА ИЗ СВИНЦОВОГО СТЕКЛА ДИАМЕТРОМ 70 ММ, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИМ ПОЛНУЮ ЗАЩИТУ&NBSP; ОТ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (НА ДВЕРИ КАМЕРЫ) СМЕННАЯ ЗАЩИТА ВНУТРЕННЕЙ СТЕКЛЯННОЙ ПОВЕРХНОСТИ ИЛЛЮМИНАТОРА ОТ НАПЫЛЕНИЯ ЗАЩИТА ВНУТРЕННЕЙ СТЕКЛЯННОЙ ПОВЕРХНОСТИ ИЛЛЮМИНАТОРА ОТ НАКОПЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЗАРЯДА 1.3. ЭЛЕКТРОННАЯ ПУШКА ОДНА, РАСПОЛОЖЕННАЯ ВЕРТИКАЛЬНО ЭЛЕКТРОННАЯ-ЛУЧЕВАЯ ПУШКА 60 КВ / 2 КВТ, ИМЕЮЩАЯ ОТДЕЛЬНУЮ СИСТЕМУ ОТКАЧКИ ВАКУУМА И ЗАСЛОНКУ ОТСЕЧКИ ОТ РАБОЧЕГО ОБЪЕМА [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/027/027D2E84BAA27A6FF0241E6AD4C5D5E3.JPG ] ТРИОД С ПРЯМОНАКАЛЬНЫМ ВОЛЬФРАМОВЫМ V-ОБРАЗНЫМ КАТОДОМ (НИТЬ) ИЛИ LAB6 ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ОСЕСИММЕТРИЧНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С МАЛЫМ КРОССОВЕРОМ, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИЙ КРУГЛУЮ ФОРМУ ФОКАЛЬНОГО ПЯТНА ПРИ СВАРКЕ ЗАЩИТА КАТОДА ОТ ИСПАРЕНИЙ ОТКИДЫВАЕМАЯ ГОЛОВНАЯ ЧАСТЬ ЭЛЕКТРОННОЙ ПУШКИ С МЕХАНИЧЕСКИМ БЛОКИРУЮЩИМ УСТРОЙСТВОМ БЕЗОПАСНОСТИ ВЫСОКОТОЧНОЕ НАСТРОЕЧНОЕ ПРИСПОСОБЛЕНИЕ ДЛЯ МОНТАЖА КАТОДА - 1 ШТ. ПНЕВМАТИЧЕСКИЙ ЛИНЕЙНЫЙ ОТСЕЧНОЙ ВАКУУМНЫЙ КЛАПАН ЭЛЕКТРОННОЙ ПУШКИ УДОБНАЯ И БЫСТРАЯ ПРОЦЕДУРА СМЕНЫ КАТОДА, ВРЕМЯ ЗАМЕНЫ КАТОДНОГО УЗЛА В СБОРЕ НЕ БОЛЕЕ 3 МИНУТ СИСТЕМА ФОКУСИРОВКИ ЛУЧА - КАТУШКИ С ВЫСОКОСТАБИЛЬНЫМ&NBSP; ИСТОЧНИКОМ ТОКА И СТИГМАТОРОМ &NBSP; СИСТЕМА ОТКЛОНЕНИЯ И РАЗВЕРТКИ ЛУЧА - КАТУШКИ СО СТАБИЛЬНЫМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА &NBSP; СТАБИЛИЗИРОВАННЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПУШКИ С УСКОРЯЮЩИМ НАПРЯЖЕНИЕМ ДО 60 КВ И МАКСИМАЛЬНОЙ МОЩНОСТЬЮ 2 КВТ ОТДЕЛЬНО СТОЯЩИЙ УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ 10.....60 КВ, СВОБОДНО МАКСИМАЛЬНЫЙ ТОК ЛУЧА 40 МА ПРИ 60 КВ МАКСИМАЛЬНАЯ МОЩНОСТЬ ЛУЧА 2 КВТ РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН ТОКА ЛУЧА ПЛАВНАЯ РЕГУЛИРОВКА ОТ 0 ДО 40 МА ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ТОКОМ ЛУЧА &NBSP; МАКСИМАЛЬНАЯ МОЩНОСТЬ НАКАЛА КАТОДА 40 ВТ НАПРЯЖЕНИЕ НА ЦИЛИНДРЕ ВЕНЕЛЬТА ДО 800 В МИНИМАЛЬНЫЙ ДИАМЕТР ЛУЧА В ТОЧКЕ СВАРКИ 30 МКМ (ДОСТИЖИМО 15 МКМ) МАКСИМАЛЬНЫЙ УГОЛ ОТКЛОНЕНИЯ ЛУЧА +/- 15 ГРАДУСОВ МАКСИМАЛЬНОЕ ОТКЛОНЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ +/- 80 В МАКСИМАЛЬНЫЙ ОТКЛОНЯЮЩИЙ ТОК +/- 1 А ФОРМА ОСЦИЛЛЯЦИИ ЭЛЕКТРОННОГО ЛУЧА ТРЕУГОЛЬНИК, СИНУС, КРУГ, ЭЛЛИПС, ПАРАБОЛА СТАБИЛЬНОСТЬ УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПУШКИ ПРИ 60 КВ / 2 КВТ МЕНЕЕ 0,1% ПУЛЬСАЦИИ УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПУШКИ МЕНЕЕ 0,1% РАЗМЕР КОЛОННЫ (ДИАМЕТР Х ВЫСОТА) 150 Х 540 ММ ИНТЕРФЕЙС ШИНЫ ДАНЫХ RS485 1.4. СИСТЕМА КОНТРОЛЯ ЛУЧА СИСТЕМА ФОКУСИРОВКИ И ЦЕНТРОВКИ ЛУЧА &NBSP; МАКСИМАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ НА ЦЕНТРИРУЮЩЕЙ КАТУШКЕ 7 В МАКСИМАЛЬНЫЙ ТОК НА ЦЕНТРИРУЮЩЕЙ КАТУШКЕ +/- 250 МА МАКСИМАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ НА ФОКУСИРУЮЩЕЙ КАТУШКЕ 20 В ТОК НА ФОКУСИРУЮЩЕЙ КАТУШКЕ ОТ 0,2 ДО 1,5 А &NBSP; &NBSP; ИНТЕРФЕЙС ШИНЫ ДАННЫХ RS485 ИМПУЛЬСНЫЙ РЕЖИМ ГЕНЕРАЦИИ ЭЛЕКТРОННОГО ЛУЧА &NBSP; МИНИМАЛЬНАЯ ДЛИТЕЛЬНОСТЬ ЛУЧА 10 МКС МАКСИМАЛЬНАЯ ЧАСТОТА ИМПУЛЬСОВ 5 КГЦ ВОЗМОЖНОСТЬ РЕГУЛИРОВКИ ТОКА ЛУЧА НЕПОСРЕДСТВЕННО В ПРОЦЕССЕ ИМПУЛЬСНОЙ СВАРКИ &NBSP; ВОЗМОЖНОСТЬ ПОДКЛЮЧЕНИЯ ВНЕШНЕГО КОНТРОЛЛЕРА ИМПУЛЬСНОГО РЕЖИМА &NBSP; 1.5. СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫЕ БЛОКИ СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ И ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ СМОНТИРОВАНЫ В ДВЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ТУМБЫ-СТОЙКИ 19" ПОД СТОЛОМ ОПЕРАТОРА ВЫНОСНОЙ ПУЛЬТ ОПЕРАТОРА ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ, ПРОГРАММИРОВАНИЯ, ДИАГНОСТИКИ И НАСТРОЙКИ ОБОРУДОВАНИЯ. ПУЛЬТ ОБОРУДОВАН КНОПКАМИ ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ РЕЖИМОВ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ ПУЛЬТА И УПРАВЛЕНИЯ ОБОРУДОВАНИЕМ, ШЕСТЬЮ МАХОВИКАМИ РУЧНОГО УПРАВЛЕНИЯ (ВЫБИРАЕМЫЕ ФУНКЦИИ: ТОК ЛУЧА, ЦЕНТРИРОВАНИЕ ЛУЧА ПО X/Y, ФОКУСИРОВКА ЛУЧА, ОТКЛОНЕНИЕ ПО X/Y, УВЕЛИЧЕНИЕ ИЗОБРАЖЕНИЯ, ВСЕ МЕХАНИЧЕСКИЕ КООРДИНАТЫ) [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/5CD/5CDB8A938BB6506E550DAA7CE7E52CA9.JPG ] КООРДИНАТЫ ЧПУ-УПРАВЛЕНИЯ: - МЕХАНИЧЕСКОГО ДВИЖЕНИЯ ПО ОСЯМ X-Y (ПЕРЕМЕЩЕНИЕ ПУШКИ), - МЕХАНИЧЕСКОГО ВРАЩЕНИЯ, - ЭЛЕКТРОННАЯ КООРДИНАТА ПО ТОКУ ЛУЧА, - ЭЛЕКТРОННАЯ КООРДИНАТА ПО ТОКУ ФОКУСИРОВКИ, - ЭЛЕКТРОННАЯ КООРДИНАТА ПО ТОКУ НАКАЛА КАТОДА УПРАВЛЯЕМЫЙ УГОЛ НАКЛОНА ЛУЧА С ПУЛЬТА ОПЕРАТОРА И ПРИ ПОМОЩИ ЧПУ-УПРАВЛЕНИЯ РЕГУЛИРОВКА ТОКА ЛУЧА НА ВСЕМ ДИАПАЗОНЕ ОТ 0 ДО 40 МА С ПУЛЬТА ОПЕРАТОРА И ПРИ ПОМОЩИ ЧПУ-УПРАВЛЕНИЯ КОНТРОЛЛЕР ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ И ДИАГНОСТИКИ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЕ НАКАЛОМ КАТОДА С ПУЛЬТА ОПЕРАТОРА И ПРИ ПОМОЩИ ЧПУ-УПРАВЛЕНИЯ УПРАВЛЕНИЕ УСКОРЯЮЩИМ НАПРЯЖЕНИЕМ С ВОЗМОЖНОСТЬЮ ЕГО ВКЛЮЧЕНИЯ И ВЫКЛЮЧЕНИЯ С ПУЛЬТА ОПЕРАТОРА УПРАВЛЕНИЕ ТОКОМ ЛУЧА С ВОЗМОЖНОСТЬЮ ЕГО ВКЛЮЧЕНИЯ И ВЫКЛЮЧЕНИЯ С ПУЛЬТА ОПЕРАТОРА И ПРИ ПОМОЩИ ЧПУ-УПРАВЛЕНИЯ УПРАВЛЕНИЕ ОТКЛОНЯЮЩЕЙ СИСТЕМОЙ С ПУЛЬТА ОПЕРАТОРА И ПРИ ПОМОЩИ ЧПУ-УПРАВЛЕНИЯ [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/4A3/4A373A796C199713D7444455B5691668.JPG ] УПРАВЛЕНИЕ ТОКОМ ФОКУСИРОВКИ ЛУЧА С ПУЛЬТА ОПЕРАТОРА И ПРИ ПОМОЩИ ЧПУ-УПРАВЛЕНИЯ АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ УПРАВЛЕНИЕ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМОЙ ДЛЯ АВТОМАТИЗАЦИИ ПРОЦЕССА ОТКАЧКИ В ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПУШКЕ И В РАБОЧЕЙ КАМЕРЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ БЛОКИ РАЗМЕЩЕНЫ В ТУМБАХ-СТОЙКАХ ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ СВОБОДНОГО ДОСТУПА, КОНСТРУКТИВ СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОВАНИЯМ DIN И VBE К ОБСЛУЖИВАНИЮ ОБОРУДОВАНИЯ НА ПРОМЫШЛЕННЫХ И МАШИНОСТРОИТЕЛЬНЫХ ПРЕДПРИЯТИЯХ ОТОБРАЖЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ СВАРКИ, ВКЛЮЧАЯ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПУШКИ НА ПУЛЬТЕ ОПЕРАТОРА НА МОНИТОРЕ ОТОБРАЖЕНИЕ ОГРАНИЧЕНИЯ ДЛЯ РАБОЧЕГО ПРОСТРАНСТВА В РАБОЧЕМ ОБЪЕМЕ ВАКУУМНОЙ КАМЕРЫ НА ПУЛЬТЕ ОПЕРАТОРА И НА МОНИТОРЕ ПНЕВМООБОРУДОВАНИЕ КОМПЛЕКС ПРОГРАММНЫХ И АППАРАТНЫХ СРЕДСТВ ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ БЕЗОПАСНОЙ РАБОТЫ ОБОРУДОВАНИЯ И ОБЕСПЕЧЕНИЯ БЕЗОПАСНОСТИ ОПЕРАТОРА [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/875/875B511A508B8ED0DAAFDE2358057B3C.JPG ] 1.6. ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА ПОЛНОСТЬЮ АВТОМАТИЗИРОВАННАЯ БЕЗМАСЛЯННАЯ ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА ПРОИЗВОДСТВА КОМПАНИИ AGILENT TECHNOGIES [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/7F9/7F992C901BE5D91A8FF95FE457D2E336.JPG ] ВКЛЮЧАЕТ В СЕБЯ 2 ФОРВАКУУМНЫХ И 2 ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫХ НАСОСА, ШИБЕРНУЮ ЗАСЛОНКУ, КЛАПАНЫ И ДАТЧИКИ РАБОЧЕЕ ДАВЛЕНИЕ ОТ 10-3 ДО 1,3Х10-5 АВТОМАТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ОЧИСТКИ &NBSP; ВРЕМЯ ОТКАЧКИ ДО 1,3Х10-5 МБАР НЕ БОЛЕЕ 5 МИНУТ АВТОМАТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА БЫСТРОЙ ПРОДУВКИ &NBSP; УРОВЕНЬ ШУМА МЕНЕЕ 78 ДБ ИНТЕРФЕЙС ШИНЫ ДАННЫХ RS485 ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫЙ НАСОС AGILENT TECHNOGIES: - СКОРОСТЬ ОТКАЧКИ - ОХЛАЖДЕНИЕ &NBSP; - 2000 Л/СЕК. - ВОДЯНОЕ ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫЙ НАСОС AGILENT TECHNOGIES: - СКОРОСТЬ ОТКАЧКИ - ОХЛАЖДЕНИЕ - 80 Л/СЕК. - ВОДЯНОЕ ФОРВАКУУМНЫЙ БЕЗМАСЛЯННЫЙ НАСОС AGILENT TECHNOGIES: 100 КУБ. М/Ч ФОРВАКУУМНЫЙ БЕЗМАСЛЯНЫЙ НАСОС AGILENT TECHNOGIES: 5 КУБ. М/Ч 1.7. СИСТЕМА НАБЛЮДЕНИЯ УСТАНОВКА МОЖЕТ РАБОТАТЬ В РЕЖИМЕ РЭМ ДЛЯ НАСТРОЙКИ ЛУЧА. ВИДЕОУСТРОЙСТВО ИМЕЕТ НАСТРОЙКУ ФОКУСА, КОНТРАСТА И ЯРКОСТИ. 1 ДЕТЕКТОР ВТОРИЧНЫХ, УСТАНОВЛЕННЫЙ ПОД УГЛОМ 45 ГРАДУСОВ НА БОКОВОЙ СТЕНКЕ КАМЕРЫ; 1 ДЕТЕКТОР ОТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ НА СРЕЗЕ ЭЛП [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/D52/D52042D77D9215450215EDAB029CAA11.JPG ] УСТАНОВЛЕНА ZOOM ИК ДЛЯ ВИДЕОНАБЛЮДЕНИЯ ВНУТРИКАМЕРНОГО ОБЪЕМА КОНТРОЛЬ СИСТЕМЫ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ И ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ ПРИ СВАРКЕ КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПУШКИ ЗАДАНИЕ И КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННОГО ЛУЧА (УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ, ТОК) ЧПУ-КОНТРОЛЬ ПОЛОЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ЛУЧА (УГОЛ ОТКЛОНЕНИЯ, ОСЦИЛЛЯЦИЯ) УПРАВЛЕНИЕ В РЕЖИМЕ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/4B2/4B2CEB7D090B8D9E11F150BA1AB047B9.JPG ] ДОКУМЕНТИРОВАНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА СВАРКИ (СОХРАНЕНИЕ В LOG-ФАЙЛ) СОХРАНЕНИЕ ИЗОБРАЖЕНИЙ, ПОЛУЧЕННЫХ В РЕЖИМЕ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА ИЗМЕРЕНИЕ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ДЕТАЛЕЙ / СВАРНЫХ ШВОВ ПО ИЗОБРАЖЕНИЯМ, ПОЛУЧЕННЫМ В РЕЖИМЕ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА РАЗМЕТКА ЗАДАНИЯ ПРОЦЕССА СВАРКИ НЕПОСРЕДСТВЕННО НА ИЗОБРАЖЕНИИ ДЕТАЛИ, ПОЛУЧЕННОМ В РЕЖИМЕ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА ИНТЕРФЕЙС ШИНЫ ДАННЫХ RS485 1.8. ЧПУ ПОДКЛЮЧЕНИЕ ДО 4 СИНХРОННЫХ ДВИГАТЕЛЕЙ [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/F40/F40EEAFB51EE81F7CBD8E32946DA5A28.JPG ] ПОДКЛЮЧЕНИЕ ДО 6 КОНЦЕВЫХ ВЫКЛЮЧАТЕЛЕЙ МАКСИМАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ДВИГАТЕЛЯ 36 В ETHERNET - ИНТЕРФЕЙС [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/14C/14C59A782A8B6D72F4E1DAF35C7EDF44.JPG ] ОБЕСПЕЧИВАЕТСЯ ПЛАВНОЕ И ШАГОВОЕ УПРАВЛЕНИЕ ВРАЩАТЕЛЬНЫМ УСТРОЙСТВОМ ВОЗМОЖНОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАТЬ ИМПУЛЬСНЫЙ РЕЖИМ АВТОМАТИЧЕСКИЕ СТАНДАРТНЫЕ ПРОГРАММЫ СВАРКИ (ТОЧЕЧНАЯ, РАДИАЛЬНЫЙ ШОВ, ОСЕВОЙ ШОВ, КОНТРОЛЬ НАКЛОНА) ГРАФИЧЕСКИЙ ИНТЕРФЕЙС ЧПУ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ, ТАКЖЕ КАК ОСНОВНЫЕ ФУНКЦИИ ЧПУ (КНОПКИ) И ВСПОМОГАТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ 1.9. СИСТЕМА ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ УСТАНОВКА ПОСТАВЛЯЕТСЯ С ДВУМЯ ПОВОРОТНЫМИ УСТРОЙСТВАМИ: ОДНОПОЗИЦИОННЫМ ЛЯ ДЕТАЛЕЙ ДИАМЕТРОМ ОТ 10 ДО 250 ММ&NBSP; И ВЫСОТОЙ ОТ 20 ДО 350 ММ 6-ТИ ПОЗИЦИОННЫМ ДЛЯ ДЕТАЛЕЙ ДИАМЕТРОМ ДО 100 ММ&NBSP; И ВЫСОТОЙ ДО 250 ММ В КОМПЛЕКТ ПОСТАВКИ ВХОДИТ 6-ПОЗИЦИОННАЯ ЦЕНТРИРУЮЩАЯ ОПРАВКА ДЛЯ КАЖДОЙ ДЕТАЛИ ДЛЯ ВРАЩЕНИЯ ВОКРУГ ГОРИЗОНТАЛЬНОЙ ОСИ [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/EB1/EB13CDC7CA69DF524A0E72BC0ADDC011.JPG ] ВРАЩАТЕЛИ УСТАНАВЛИВАЮТСЯ НА ЛИНЕЙНОМ МАНИПУЛЯТОРЕ В ВЕРТИКАЛЬНОМ ИЛИ ГОРИЗОНТАЛЬНОМ ПОЛОЖЕНИИ И ВКЛЮЧАЮТСЯ В ЕДИНУЮ СИСТЕМУ УПРАВЛЕНИЯ ДИАПАЗОН ПЕРЕМЕЩЕНИЙ ВРАЩАТЕЛЕЙ 0 - 360 ГРАДУСОВ В ПОЛОЖИТЕЛЬНОМ НАПРАВЛЕНИИ + ..... ММ СКОРОСТЬ РАБОЧИХ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ ДО 150 ОБ/МИН. ТИП РЕГУЛИРОВАНИЯ СКОРОСТИ ЦИФРОВОЕ 1.10. ЭНЕРГОНОСИТЕЛИ ТИП ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ТРЕХФАЗНОЕ НОМИНАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ 400 (+ 5-10%) В ЧАСТОТА 50 ГЦ ПОДКЛЮЧЕННАЯ НАГРУЗКА 5 КВА ДАВЛЕНИЕ ПОДВОДИМОГО СЖАТОГО ВОЗДУХА НЕ МЕНЕЕ 6 МБАР [~SEARCHABLE_CONTENT] => ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УСТАНОВКИ EA 60/2 MICRO EBW 1.1. МАССО-ГАБАРИТНЫЕ ПОКАЗАТЕЛИ МАССА 1050 КГ [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/862/862799D1883A4075ED159ED5D9C5C422.JPG ] - ДЛИНА 2900 ММ - ШИРИНА 2220 ММ - ВЫСОТА 2100 ММ УСТАНОВОЧНЫЙ ОБЪЕМ, ВКЛЮЧАЯ ЗОНУ ОБСЛУЖИВАНИЯ: - ДЛИНА 3900 ММ - ШИРИНА 2300 ММ - ВЫСОТА 2200 ММ 1.2. ВАКУУМНАЯ КАМЕРА ПРИБЛИЗИТЕЛЬНЫЙ РАЗМЕР КАМЕРЫ (ШИРИНА Х ГЛУБИНА Х ВЫСОТА) 650Х650Х650 КУБ.ММ ДИАМЕТР СМОТРОВОГО ОКНА В ДВЕРИ 2 ШТ. ПО 70 ММ КАМЕРА ИЗГОТАВЛИВАЕТСЯ, ИСХОДЯ&NBSP; ИЗ МАКСИМАЛЬНЫХ РАЗМЕРОВ ДЕТАЛЕЙ [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/71E/71EBA2F805A924549D37FA1770CBC6FD.JPG ] ДВЕРЬ КАМЕРЫ РАСПОЛОЖЕНА С ЛИЦЕВОЙ СТОРОНЫ И КРЕПИТСЯ СЛЕВА АВТОМАТИЧЕСКИЙ ПУСК ОТКАЧИВАЮЩЕЙ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ ПРИ ЗАКРЫТИИ ДВЕРЦЫ КАМЕРЫ ДВА ИЛЛЮМИНАТОРА ИЗ СВИНЦОВОГО СТЕКЛА ДИАМЕТРОМ 70 ММ, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИМ ПОЛНУЮ ЗАЩИТУ&NBSP; ОТ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (НА ДВЕРИ КАМЕРЫ) СМЕННАЯ ЗАЩИТА ВНУТРЕННЕЙ СТЕКЛЯННОЙ ПОВЕРХНОСТИ ИЛЛЮМИНАТОРА ОТ НАПЫЛЕНИЯ ЗАЩИТА ВНУТРЕННЕЙ СТЕКЛЯННОЙ ПОВЕРХНОСТИ ИЛЛЮМИНАТОРА ОТ НАКОПЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЗАРЯДА 1.3. ЭЛЕКТРОННАЯ ПУШКА ОДНА, РАСПОЛОЖЕННАЯ ВЕРТИКАЛЬНО ЭЛЕКТРОННАЯ-ЛУЧЕВАЯ ПУШКА 60 КВ / 2 КВТ, ИМЕЮЩАЯ ОТДЕЛЬНУЮ СИСТЕМУ ОТКАЧКИ ВАКУУМА И ЗАСЛОНКУ ОТСЕЧКИ ОТ РАБОЧЕГО ОБЪЕМА [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/027/027D2E84BAA27A6FF0241E6AD4C5D5E3.JPG ] ТРИОД С ПРЯМОНАКАЛЬНЫМ ВОЛЬФРАМОВЫМ V-ОБРАЗНЫМ КАТОДОМ (НИТЬ) ИЛИ LAB6 ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ОСЕСИММЕТРИЧНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С МАЛЫМ КРОССОВЕРОМ, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИЙ КРУГЛУЮ ФОРМУ ФОКАЛЬНОГО ПЯТНА ПРИ СВАРКЕ ЗАЩИТА КАТОДА ОТ ИСПАРЕНИЙ ОТКИДЫВАЕМАЯ ГОЛОВНАЯ ЧАСТЬ ЭЛЕКТРОННОЙ ПУШКИ С МЕХАНИЧЕСКИМ БЛОКИРУЮЩИМ УСТРОЙСТВОМ БЕЗОПАСНОСТИ ВЫСОКОТОЧНОЕ НАСТРОЕЧНОЕ ПРИСПОСОБЛЕНИЕ ДЛЯ МОНТАЖА КАТОДА - 1 ШТ. ПНЕВМАТИЧЕСКИЙ ЛИНЕЙНЫЙ ОТСЕЧНОЙ ВАКУУМНЫЙ КЛАПАН ЭЛЕКТРОННОЙ ПУШКИ УДОБНАЯ И БЫСТРАЯ ПРОЦЕДУРА СМЕНЫ КАТОДА, ВРЕМЯ ЗАМЕНЫ КАТОДНОГО УЗЛА В СБОРЕ НЕ БОЛЕЕ 3 МИНУТ СИСТЕМА ФОКУСИРОВКИ ЛУЧА - КАТУШКИ С ВЫСОКОСТАБИЛЬНЫМ&NBSP; ИСТОЧНИКОМ ТОКА И СТИГМАТОРОМ &NBSP; СИСТЕМА ОТКЛОНЕНИЯ И РАЗВЕРТКИ ЛУЧА - КАТУШКИ СО СТАБИЛЬНЫМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА &NBSP; СТАБИЛИЗИРОВАННЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПУШКИ С УСКОРЯЮЩИМ НАПРЯЖЕНИЕМ ДО 60 КВ И МАКСИМАЛЬНОЙ МОЩНОСТЬЮ 2 КВТ ОТДЕЛЬНО СТОЯЩИЙ УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ 10.....60 КВ, СВОБОДНО МАКСИМАЛЬНЫЙ ТОК ЛУЧА 40 МА ПРИ 60 КВ МАКСИМАЛЬНАЯ МОЩНОСТЬ ЛУЧА 2 КВТ РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН ТОКА ЛУЧА ПЛАВНАЯ РЕГУЛИРОВКА ОТ 0 ДО 40 МА ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ТОКОМ ЛУЧА &NBSP; МАКСИМАЛЬНАЯ МОЩНОСТЬ НАКАЛА КАТОДА 40 ВТ НАПРЯЖЕНИЕ НА ЦИЛИНДРЕ ВЕНЕЛЬТА ДО 800 В МИНИМАЛЬНЫЙ ДИАМЕТР ЛУЧА В ТОЧКЕ СВАРКИ 30 МКМ (ДОСТИЖИМО 15 МКМ) МАКСИМАЛЬНЫЙ УГОЛ ОТКЛОНЕНИЯ ЛУЧА +/- 15 ГРАДУСОВ МАКСИМАЛЬНОЕ ОТКЛОНЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ +/- 80 В МАКСИМАЛЬНЫЙ ОТКЛОНЯЮЩИЙ ТОК +/- 1 А ФОРМА ОСЦИЛЛЯЦИИ ЭЛЕКТРОННОГО ЛУЧА ТРЕУГОЛЬНИК, СИНУС, КРУГ, ЭЛЛИПС, ПАРАБОЛА СТАБИЛЬНОСТЬ УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПУШКИ ПРИ 60 КВ / 2 КВТ МЕНЕЕ 0,1% ПУЛЬСАЦИИ УСКОРЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПУШКИ МЕНЕЕ 0,1% РАЗМЕР КОЛОННЫ (ДИАМЕТР Х ВЫСОТА) 150 Х 540 ММ ИНТЕРФЕЙС ШИНЫ ДАНЫХ RS485 1.4. СИСТЕМА КОНТРОЛЯ ЛУЧА СИСТЕМА ФОКУСИРОВКИ И ЦЕНТРОВКИ ЛУЧА &NBSP; МАКСИМАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ НА ЦЕНТРИРУЮЩЕЙ КАТУШКЕ 7 В МАКСИМАЛЬНЫЙ ТОК НА ЦЕНТРИРУЮЩЕЙ КАТУШКЕ +/- 250 МА МАКСИМАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ НА ФОКУСИРУЮЩЕЙ КАТУШКЕ 20 В ТОК НА ФОКУСИРУЮЩЕЙ КАТУШКЕ ОТ 0,2 ДО 1,5 А &NBSP; &NBSP; ИНТЕРФЕЙС ШИНЫ ДАННЫХ RS485 ИМПУЛЬСНЫЙ РЕЖИМ ГЕНЕРАЦИИ ЭЛЕКТРОННОГО ЛУЧА &NBSP; МИНИМАЛЬНАЯ ДЛИТЕЛЬНОСТЬ ЛУЧА 10 МКС МАКСИМАЛЬНАЯ ЧАСТОТА ИМПУЛЬСОВ 5 КГЦ ВОЗМОЖНОСТЬ РЕГУЛИРОВКИ ТОКА ЛУЧА НЕПОСРЕДСТВЕННО В ПРОЦЕССЕ ИМПУЛЬСНОЙ СВАРКИ &NBSP; ВОЗМОЖНОСТЬ ПОДКЛЮЧЕНИЯ ВНЕШНЕГО КОНТРОЛЛЕРА ИМПУЛЬСНОГО РЕЖИМА &NBSP; 1.5. СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫЕ БЛОКИ СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ И ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ СМОНТИРОВАНЫ В ДВЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ТУМБЫ-СТОЙКИ 19" ПОД СТОЛОМ ОПЕРАТОРА ВЫНОСНОЙ ПУЛЬТ ОПЕРАТОРА ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ, ПРОГРАММИРОВАНИЯ, ДИАГНОСТИКИ И НАСТРОЙКИ ОБОРУДОВАНИЯ. ПУЛЬТ ОБОРУДОВАН КНОПКАМИ ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ РЕЖИМОВ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ ПУЛЬТА И УПРАВЛЕНИЯ ОБОРУДОВАНИЕМ, ШЕСТЬЮ МАХОВИКАМИ РУЧНОГО УПРАВЛЕНИЯ (ВЫБИРАЕМЫЕ ФУНКЦИИ: ТОК ЛУЧА, ЦЕНТРИРОВАНИЕ ЛУЧА ПО X/Y, ФОКУСИРОВКА ЛУЧА, ОТКЛОНЕНИЕ ПО X/Y, УВЕЛИЧЕНИЕ ИЗОБРАЖЕНИЯ, ВСЕ МЕХАНИЧЕСКИЕ КООРДИНАТЫ) [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/5CD/5CDB8A938BB6506E550DAA7CE7E52CA9.JPG ] КООРДИНАТЫ ЧПУ-УПРАВЛЕНИЯ: - МЕХАНИЧЕСКОГО ДВИЖЕНИЯ ПО ОСЯМ X-Y (ПЕРЕМЕЩЕНИЕ ПУШКИ), - МЕХАНИЧЕСКОГО ВРАЩЕНИЯ, - ЭЛЕКТРОННАЯ КООРДИНАТА ПО ТОКУ ЛУЧА, - ЭЛЕКТРОННАЯ КООРДИНАТА ПО ТОКУ ФОКУСИРОВКИ, - ЭЛЕКТРОННАЯ КООРДИНАТА ПО ТОКУ НАКАЛА КАТОДА УПРАВЛЯЕМЫЙ УГОЛ НАКЛОНА ЛУЧА С ПУЛЬТА ОПЕРАТОРА И ПРИ ПОМОЩИ ЧПУ-УПРАВЛЕНИЯ РЕГУЛИРОВКА ТОКА ЛУЧА НА ВСЕМ ДИАПАЗОНЕ ОТ 0 ДО 40 МА С ПУЛЬТА ОПЕРАТОРА И ПРИ ПОМОЩИ ЧПУ-УПРАВЛЕНИЯ КОНТРОЛЛЕР ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ И ДИАГНОСТИКИ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЕ НАКАЛОМ КАТОДА С ПУЛЬТА ОПЕРАТОРА И ПРИ ПОМОЩИ ЧПУ-УПРАВЛЕНИЯ УПРАВЛЕНИЕ УСКОРЯЮЩИМ НАПРЯЖЕНИЕМ С ВОЗМОЖНОСТЬЮ ЕГО ВКЛЮЧЕНИЯ И ВЫКЛЮЧЕНИЯ С ПУЛЬТА ОПЕРАТОРА УПРАВЛЕНИЕ ТОКОМ ЛУЧА С ВОЗМОЖНОСТЬЮ ЕГО ВКЛЮЧЕНИЯ И ВЫКЛЮЧЕНИЯ С ПУЛЬТА ОПЕРАТОРА И ПРИ ПОМОЩИ ЧПУ-УПРАВЛЕНИЯ УПРАВЛЕНИЕ ОТКЛОНЯЮЩЕЙ СИСТЕМОЙ С ПУЛЬТА ОПЕРАТОРА И ПРИ ПОМОЩИ ЧПУ-УПРАВЛЕНИЯ [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/4A3/4A373A796C199713D7444455B5691668.JPG ] УПРАВЛЕНИЕ ТОКОМ ФОКУСИРОВКИ ЛУЧА С ПУЛЬТА ОПЕРАТОРА И ПРИ ПОМОЩИ ЧПУ-УПРАВЛЕНИЯ АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ УПРАВЛЕНИЕ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМОЙ ДЛЯ АВТОМАТИЗАЦИИ ПРОЦЕССА ОТКАЧКИ В ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПУШКЕ И В РАБОЧЕЙ КАМЕРЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ БЛОКИ РАЗМЕЩЕНЫ В ТУМБАХ-СТОЙКАХ ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ СВОБОДНОГО ДОСТУПА, КОНСТРУКТИВ СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОВАНИЯМ DIN И VBE К ОБСЛУЖИВАНИЮ ОБОРУДОВАНИЯ НА ПРОМЫШЛЕННЫХ И МАШИНОСТРОИТЕЛЬНЫХ ПРЕДПРИЯТИЯХ ОТОБРАЖЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ СВАРКИ, ВКЛЮЧАЯ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПУШКИ НА ПУЛЬТЕ ОПЕРАТОРА НА МОНИТОРЕ ОТОБРАЖЕНИЕ ОГРАНИЧЕНИЯ ДЛЯ РАБОЧЕГО ПРОСТРАНСТВА В РАБОЧЕМ ОБЪЕМЕ ВАКУУМНОЙ КАМЕРЫ НА ПУЛЬТЕ ОПЕРАТОРА И НА МОНИТОРЕ ПНЕВМООБОРУДОВАНИЕ КОМПЛЕКС ПРОГРАММНЫХ И АППАРАТНЫХ СРЕДСТВ ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ БЕЗОПАСНОЙ РАБОТЫ ОБОРУДОВАНИЯ И ОБЕСПЕЧЕНИЯ БЕЗОПАСНОСТИ ОПЕРАТОРА [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/875/875B511A508B8ED0DAAFDE2358057B3C.JPG ] 1.6. ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА ПОЛНОСТЬЮ АВТОМАТИЗИРОВАННАЯ БЕЗМАСЛЯННАЯ ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА ПРОИЗВОДСТВА КОМПАНИИ AGILENT TECHNOGIES [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/7F9/7F992C901BE5D91A8FF95FE457D2E336.JPG ] ВКЛЮЧАЕТ В СЕБЯ 2 ФОРВАКУУМНЫХ И 2 ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫХ НАСОСА, ШИБЕРНУЮ ЗАСЛОНКУ, КЛАПАНЫ И ДАТЧИКИ РАБОЧЕЕ ДАВЛЕНИЕ ОТ 10-3 ДО 1,3Х10-5 АВТОМАТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ОЧИСТКИ &NBSP; ВРЕМЯ ОТКАЧКИ ДО 1,3Х10-5 МБАР НЕ БОЛЕЕ 5 МИНУТ АВТОМАТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА БЫСТРОЙ ПРОДУВКИ &NBSP; УРОВЕНЬ ШУМА МЕНЕЕ 78 ДБ ИНТЕРФЕЙС ШИНЫ ДАННЫХ RS485 ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫЙ НАСОС AGILENT TECHNOGIES: - СКОРОСТЬ ОТКАЧКИ - ОХЛАЖДЕНИЕ &NBSP; - 2000 Л/СЕК. - ВОДЯНОЕ ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫЙ НАСОС AGILENT TECHNOGIES: - СКОРОСТЬ ОТКАЧКИ - ОХЛАЖДЕНИЕ - 80 Л/СЕК. - ВОДЯНОЕ ФОРВАКУУМНЫЙ БЕЗМАСЛЯННЫЙ НАСОС AGILENT TECHNOGIES: 100 КУБ. М/Ч ФОРВАКУУМНЫЙ БЕЗМАСЛЯНЫЙ НАСОС AGILENT TECHNOGIES: 5 КУБ. М/Ч 1.7. СИСТЕМА НАБЛЮДЕНИЯ УСТАНОВКА МОЖЕТ РАБОТАТЬ В РЕЖИМЕ РЭМ ДЛЯ НАСТРОЙКИ ЛУЧА. ВИДЕОУСТРОЙСТВО ИМЕЕТ НАСТРОЙКУ ФОКУСА, КОНТРАСТА И ЯРКОСТИ. 1 ДЕТЕКТОР ВТОРИЧНЫХ, УСТАНОВЛЕННЫЙ ПОД УГЛОМ 45 ГРАДУСОВ НА БОКОВОЙ СТЕНКЕ КАМЕРЫ; 1 ДЕТЕКТОР ОТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ НА СРЕЗЕ ЭЛП [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/D52/D52042D77D9215450215EDAB029CAA11.JPG ] УСТАНОВЛЕНА ZOOM ИК ДЛЯ ВИДЕОНАБЛЮДЕНИЯ ВНУТРИКАМЕРНОГО ОБЪЕМА КОНТРОЛЬ СИСТЕМЫ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ И ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ ПРИ СВАРКЕ КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПУШКИ ЗАДАНИЕ И КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННОГО ЛУЧА (УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ, ТОК) ЧПУ-КОНТРОЛЬ ПОЛОЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ЛУЧА (УГОЛ ОТКЛОНЕНИЯ, ОСЦИЛЛЯЦИЯ) УПРАВЛЕНИЕ В РЕЖИМЕ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/4B2/4B2CEB7D090B8D9E11F150BA1AB047B9.JPG ] ДОКУМЕНТИРОВАНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА СВАРКИ (СОХРАНЕНИЕ В LOG-ФАЙЛ) СОХРАНЕНИЕ ИЗОБРАЖЕНИЙ, ПОЛУЧЕННЫХ В РЕЖИМЕ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА ИЗМЕРЕНИЕ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ДЕТАЛЕЙ / СВАРНЫХ ШВОВ ПО ИЗОБРАЖЕНИЯМ, ПОЛУЧЕННЫМ В РЕЖИМЕ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА РАЗМЕТКА ЗАДАНИЯ ПРОЦЕССА СВАРКИ НЕПОСРЕДСТВЕННО НА ИЗОБРАЖЕНИИ ДЕТАЛИ, ПОЛУЧЕННОМ В РЕЖИМЕ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА ИНТЕРФЕЙС ШИНЫ ДАННЫХ RS485 1.8. ЧПУ ПОДКЛЮЧЕНИЕ ДО 4 СИНХРОННЫХ ДВИГАТЕЛЕЙ [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/F40/F40EEAFB51EE81F7CBD8E32946DA5A28.JPG ] ПОДКЛЮЧЕНИЕ ДО 6 КОНЦЕВЫХ ВЫКЛЮЧАТЕЛЕЙ МАКСИМАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ДВИГАТЕЛЯ 36 В ETHERNET - ИНТЕРФЕЙС [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/14C/14C59A782A8B6D72F4E1DAF35C7EDF44.JPG ] ОБЕСПЕЧИВАЕТСЯ ПЛАВНОЕ И ШАГОВОЕ УПРАВЛЕНИЕ ВРАЩАТЕЛЬНЫМ УСТРОЙСТВОМ ВОЗМОЖНОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАТЬ ИМПУЛЬСНЫЙ РЕЖИМ АВТОМАТИЧЕСКИЕ СТАНДАРТНЫЕ ПРОГРАММЫ СВАРКИ (ТОЧЕЧНАЯ, РАДИАЛЬНЫЙ ШОВ, ОСЕВОЙ ШОВ, КОНТРОЛЬ НАКЛОНА) ГРАФИЧЕСКИЙ ИНТЕРФЕЙС ЧПУ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ, ТАКЖЕ КАК ОСНОВНЫЕ ФУНКЦИИ ЧПУ (КНОПКИ) И ВСПОМОГАТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ 1.9. СИСТЕМА ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ УСТАНОВКА ПОСТАВЛЯЕТСЯ С ДВУМЯ ПОВОРОТНЫМИ УСТРОЙСТВАМИ: ОДНОПОЗИЦИОННЫМ ЛЯ ДЕТАЛЕЙ ДИАМЕТРОМ ОТ 10 ДО 250 ММ&NBSP; И ВЫСОТОЙ ОТ 20 ДО 350 ММ 6-ТИ ПОЗИЦИОННЫМ ДЛЯ ДЕТАЛЕЙ ДИАМЕТРОМ ДО 100 ММ&NBSP; И ВЫСОТОЙ ДО 250 ММ В КОМПЛЕКТ ПОСТАВКИ ВХОДИТ 6-ПОЗИЦИОННАЯ ЦЕНТРИРУЮЩАЯ ОПРАВКА ДЛЯ КАЖДОЙ ДЕТАЛИ ДЛЯ ВРАЩЕНИЯ ВОКРУГ ГОРИЗОНТАЛЬНОЙ ОСИ [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/EB1/EB13CDC7CA69DF524A0E72BC0ADDC011.JPG ] ВРАЩАТЕЛИ УСТАНАВЛИВАЮТСЯ НА ЛИНЕЙНОМ МАНИПУЛЯТОРЕ В ВЕРТИКАЛЬНОМ ИЛИ ГОРИЗОНТАЛЬНОМ ПОЛОЖЕНИИ И ВКЛЮЧАЮТСЯ В ЕДИНУЮ СИСТЕМУ УПРАВЛЕНИЯ ДИАПАЗОН ПЕРЕМЕЩЕНИЙ ВРАЩАТЕЛЕЙ 0 - 360 ГРАДУСОВ В ПОЛОЖИТЕЛЬНОМ НАПРАВЛЕНИИ + ..... ММ СКОРОСТЬ РАБОЧИХ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ ДО 150 ОБ/МИН. ТИП РЕГУЛИРОВАНИЯ СКОРОСТИ ЦИФРОВОЕ 1.10. ЭНЕРГОНОСИТЕЛИ ТИП ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ТРЕХФАЗНОЕ НОМИНАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ 400 (+ 5-10%) В ЧАСТОТА 50 ГЦ ПОДКЛЮЧЕННАЯ НАГРУЗКА 5 КВА ДАВЛЕНИЕ ПОДВОДИМОГО СЖАТОГО ВОЗДУХА НЕ МЕНЕЕ 6 МБАР [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 744 [~SHOW_COUNTER] => 744 [SHOW_COUNTER_START] => 07/14/2016 04:38:45 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 07/14/2016 04:38:45 pm [CODE] => haracteristiki-ustanovki-ea-60-2-micro-ebw [~CODE] => haracteristiki-ustanovki-ea-60-2-micro-ebw [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 511 [~XML_ID] => 511 [EXTERNAL_ID] => 511 [~EXTERNAL_ID] => 511 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ehlektronno-luchevaya-svarka/haracteristiki-ustanovki-ea-60-2-micro-ebw/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ehlektronno-luchevaya-svarka/haracteristiki-ustanovki-ea-60-2-micro-ebw/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2016.07.14 [~CREATED_DATE] => 2016.07.14 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 519
    [~ID] => 519
    [TIMESTAMP_X] => 09/14/2016 05:08:26 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 09/14/2016 05:08:26 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1473862106
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1473862106
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 09/14/2016 04:58:57 pm
    [~DATE_CREATE] => 09/14/2016 04:58:57 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1473861537
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1473861537
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 7
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 7
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Дополнительные услуги. ЗИП.
    [~NAME] => Дополнительные услуги. ЗИП.
    [PREVIEW_PICTURE] => 1792
    [~PREVIEW_PICTURE] => 1792
    [PREVIEW_TEXT] => 
    [~PREVIEW_TEXT] => 
    [PREVIEW_TEXT_TYPE] => html
    [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html
    [DETAIL_PICTURE] => 1793
    [~DETAIL_PICTURE] => 1793
    [DETAIL_TEXT] => 

Услуги:

  • 1. Постгарантийное сервисное обслуживание;
  • 2. Обеспечение расходными материалами;
  • 3. Модернизация устаревших установок;
  • 4. Монтаж и пуско-наладка оборудования;
  • 5. Ремонт оборудования;
  • 6. Изготовление деталей и узлов по ТЗ заказчика;
  • 7. Изготовлению электронных блоков (высоковольтных блоков) по ТЗ заказчика;
  • 8. Разработка ПО;
  • 9. Разработка технологического процесса;
  • 10. Консультации по технологическим особенностям оборудования ЭЛС. Выезд специалистов;
  • 11. ЗИП

ЗИП:

1)Запчасти к электронно-лучевой пушке:

  • Высоковольтный кабель (15 м) без гермоввода
  • Высоковольтный кабель (15 м) с гермовводомCathodes.jpg
  • Фланцы вакуумной системы
  • Шиберная заслонка анодного блока с блоком управления
  • Изолятор 60 кВ
  • Детектор вторичных электронов
  • Усилитель сигнала вторичных электронов
  • Клапан напуска воздуха
  • Лучепровод
  • Растровая катушка
  • Фокусирующая катушка
  • Анод
  • Веньельт с гайкой
  • Втулка держателя катода (с гайкой)
  • Гайка крепления катода
  • Нагреватель катода
  • Heaters.jpgДержатель катода
  • Фиксатор катода
  • Катод дисковый LaB6∅4,7 мм
  • Катод Т-образный LaB6∅4,7 мм
  • Катод дисковый LaB6∅6,0 мм
  • Крышка с водяным охлаждением катодного блока
  • Фланец установки ТМН
  • Фланец установки вакуумного датчика
  • Спираль нагревателя катода
  • Комплект вакуумных уплотнителей
  • Комплект регулировочных колец под Венельт
  • Комплект регулировочных колец под анод
  • Комплект запчастей для коннектора в/в кабеля с пушкой
  • Комплект запчастей для коннектора в/в кабеля с в/в блоком
2)Запчасти к электронно-лучевой аппаратуре:Transformers.jpg
  • Блок накала и смещения
  • Трансформатор накала
  • Трансформатор бомбардировки
  • Трансформатор тока пучка
  • Трансформатор тока бомбардировки
  • Реле-разрядник
  • Токоограничивающий дроссель
  • Трансформатор световод в сборе (регулировка тока сварки)
  • Пульт ручного управления и индикации параметрами ЭЛА
[~DETAIL_TEXT] =>

Услуги:

  • 1. Постгарантийное сервисное обслуживание;
  • 2. Обеспечение расходными материалами;
  • 3. Модернизация устаревших установок;
  • 4. Монтаж и пуско-наладка оборудования;
  • 5. Ремонт оборудования;
  • 6. Изготовление деталей и узлов по ТЗ заказчика;
  • 7. Изготовлению электронных блоков (высоковольтных блоков) по ТЗ заказчика;
  • 8. Разработка ПО;
  • 9. Разработка технологического процесса;
  • 10. Консультации по технологическим особенностям оборудования ЭЛС. Выезд специалистов;
  • 11. ЗИП

ЗИП:

1)Запчасти к электронно-лучевой пушке:

  • Высоковольтный кабель (15 м) без гермоввода
  • Высоковольтный кабель (15 м) с гермовводомCathodes.jpg
  • Фланцы вакуумной системы
  • Шиберная заслонка анодного блока с блоком управления
  • Изолятор 60 кВ
  • Детектор вторичных электронов
  • Усилитель сигнала вторичных электронов
  • Клапан напуска воздуха
  • Лучепровод
  • Растровая катушка
  • Фокусирующая катушка
  • Анод
  • Веньельт с гайкой
  • Втулка держателя катода (с гайкой)
  • Гайка крепления катода
  • Нагреватель катода
  • Heaters.jpgДержатель катода
  • Фиксатор катода
  • Катод дисковый LaB6∅4,7 мм
  • Катод Т-образный LaB6∅4,7 мм
  • Катод дисковый LaB6∅6,0 мм
  • Крышка с водяным охлаждением катодного блока
  • Фланец установки ТМН
  • Фланец установки вакуумного датчика
  • Спираль нагревателя катода
  • Комплект вакуумных уплотнителей
  • Комплект регулировочных колец под Венельт
  • Комплект регулировочных колец под анод
  • Комплект запчастей для коннектора в/в кабеля с пушкой
  • Комплект запчастей для коннектора в/в кабеля с в/в блоком
2)Запчасти к электронно-лучевой аппаратуре:Transformers.jpg
  • Блок накала и смещения
  • Трансформатор накала
  • Трансформатор бомбардировки
  • Трансформатор тока пучка
  • Трансформатор тока бомбардировки
  • Реле-разрядник
  • Токоограничивающий дроссель
  • Трансформатор световод в сборе (регулировка тока сварки)
  • Пульт ручного управления и индикации параметрами ЭЛА
[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ УСЛУГИ. ЗИП. УСЛУГИ: - 1. ПОСТГАРАНТИЙНОЕ СЕРВИСНОЕ ОБСЛУЖИВАНИЕ; - 2. ОБЕСПЕЧЕНИЕ РАСХОДНЫМИ МАТЕРИАЛАМИ; - 3. МОДЕРНИЗАЦИЯ УСТАРЕВШИХ УСТАНОВОК; - 4. МОНТАЖ И ПУСКО-НАЛАДКА ОБОРУДОВАНИЯ; - 5. РЕМОНТ ОБОРУДОВАНИЯ; - 6. ИЗГОТОВЛЕНИЕ ДЕТАЛЕЙ И УЗЛОВ ПО ТЗ ЗАКАЗЧИКА; - 7. ИЗГОТОВЛЕНИЮ ЭЛЕКТРОННЫХ БЛОКОВ (ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ БЛОКОВ) ПО ТЗ ЗАКАЗЧИКА; - 8. РАЗРАБОТКА ПО; - 9. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА; - 10. КОНСУЛЬТАЦИИ ПО ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ ОСОБЕННОСТЯМ ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛС. ВЫЕЗД СПЕЦИАЛИСТОВ; - 11. ЗИП ЗИП: 1)ЗАПЧАСТИ К ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПУШКЕ: - ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ КАБЕЛЬ (15 М) БЕЗ ГЕРМОВВОДА - ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ КАБЕЛЬ (15 М) С ГЕРМОВВОДОМ[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/7C5/7C58540E79DB28B73DDE17A92B672490.JPG ] - ФЛАНЦЫ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ - ШИБЕРНАЯ ЗАСЛОНКА АНОДНОГО БЛОКА С БЛОКОМ УПРАВЛЕНИЯ - ИЗОЛЯТОР 60 КВ - ДЕТЕКТОР ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ - УСИЛИТЕЛЬ СИГНАЛА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ - КЛАПАН НАПУСКА ВОЗДУХА - ЛУЧЕПРОВОД - РАСТРОВАЯ КАТУШКА - ФОКУСИРУЮЩАЯ КАТУШКА - АНОД - ВЕНЬЕЛЬТ С ГАЙКОЙ - ВТУЛКА ДЕРЖАТЕЛЯ КАТОДА (С ГАЙКОЙ) - ГАЙКА КРЕПЛЕНИЯ КАТОДА - НАГРЕВАТЕЛЬ КАТОДА - [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/941/9417456FA80D3BE5FE1AD3E06A54EB55.JPG ] ДЕРЖАТЕЛЬ КАТОДА - ФИКСАТОР КАТОДА - КАТОД ДИСКОВЫЙ LAB6∅4,7 ММ - КАТОД Т-ОБРАЗНЫЙ LAB6∅4,7 ММ - КАТОД ДИСКОВЫЙ LAB6∅6,0 ММ - КРЫШКА С ВОДЯНЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ КАТОДНОГО БЛОКА - ФЛАНЕЦ УСТАНОВКИ ТМН - ФЛАНЕЦ УСТАНОВКИ ВАКУУМНОГО ДАТЧИКА - СПИРАЛЬ НАГРЕВАТЕЛЯ КАТОДА - КОМПЛЕКТ ВАКУУМНЫХ УПЛОТНИТЕЛЕЙ - КОМПЛЕКТ РЕГУЛИРОВОЧНЫХ КОЛЕЦ ПОД ВЕНЕЛЬТ - КОМПЛЕКТ РЕГУЛИРОВОЧНЫХ КОЛЕЦ ПОД АНОД - КОМПЛЕКТ ЗАПЧАСТЕЙ ДЛЯ КОННЕКТОРА В/В КАБЕЛЯ С ПУШКОЙ - КОМПЛЕКТ ЗАПЧАСТЕЙ ДЛЯ КОННЕКТОРА В/В КАБЕЛЯ С В/В БЛОКОМ 2)ЗАПЧАСТИ К ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ АППАРАТУРЕ:[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/B52/B528F21BD5099AC44B97C85561CE1359.JPG ] - БЛОК НАКАЛА И СМЕЩЕНИЯ - ТРАНСФОРМАТОР НАКАЛА - ТРАНСФОРМАТОР БОМБАРДИРОВКИ - ТРАНСФОРМАТОР ТОКА ПУЧКА - ТРАНСФОРМАТОР ТОКА БОМБАРДИРОВКИ - РЕЛЕ-РАЗРЯДНИК - ТОКООГРАНИЧИВАЮЩИЙ ДРОССЕЛЬ - ТРАНСФОРМАТОР СВЕТОВОД В СБОРЕ (РЕГУЛИРОВКА ТОКА СВАРКИ) - ПУЛЬТ РУЧНОГО УПРАВЛЕНИЯ И ИНДИКАЦИИ ПАРАМЕТРАМИ ЭЛА [~SEARCHABLE_CONTENT] => ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ УСЛУГИ. ЗИП. УСЛУГИ: - 1. ПОСТГАРАНТИЙНОЕ СЕРВИСНОЕ ОБСЛУЖИВАНИЕ; - 2. ОБЕСПЕЧЕНИЕ РАСХОДНЫМИ МАТЕРИАЛАМИ; - 3. МОДЕРНИЗАЦИЯ УСТАРЕВШИХ УСТАНОВОК; - 4. МОНТАЖ И ПУСКО-НАЛАДКА ОБОРУДОВАНИЯ; - 5. РЕМОНТ ОБОРУДОВАНИЯ; - 6. ИЗГОТОВЛЕНИЕ ДЕТАЛЕЙ И УЗЛОВ ПО ТЗ ЗАКАЗЧИКА; - 7. ИЗГОТОВЛЕНИЮ ЭЛЕКТРОННЫХ БЛОКОВ (ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ БЛОКОВ) ПО ТЗ ЗАКАЗЧИКА; - 8. РАЗРАБОТКА ПО; - 9. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА; - 10. КОНСУЛЬТАЦИИ ПО ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ ОСОБЕННОСТЯМ ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛС. ВЫЕЗД СПЕЦИАЛИСТОВ; - 11. ЗИП ЗИП: 1)ЗАПЧАСТИ К ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ПУШКЕ: - ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ КАБЕЛЬ (15 М) БЕЗ ГЕРМОВВОДА - ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ КАБЕЛЬ (15 М) С ГЕРМОВВОДОМ[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/7C5/7C58540E79DB28B73DDE17A92B672490.JPG ] - ФЛАНЦЫ ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ - ШИБЕРНАЯ ЗАСЛОНКА АНОДНОГО БЛОКА С БЛОКОМ УПРАВЛЕНИЯ - ИЗОЛЯТОР 60 КВ - ДЕТЕКТОР ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ - УСИЛИТЕЛЬ СИГНАЛА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ - КЛАПАН НАПУСКА ВОЗДУХА - ЛУЧЕПРОВОД - РАСТРОВАЯ КАТУШКА - ФОКУСИРУЮЩАЯ КАТУШКА - АНОД - ВЕНЬЕЛЬТ С ГАЙКОЙ - ВТУЛКА ДЕРЖАТЕЛЯ КАТОДА (С ГАЙКОЙ) - ГАЙКА КРЕПЛЕНИЯ КАТОДА - НАГРЕВАТЕЛЬ КАТОДА - [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/941/9417456FA80D3BE5FE1AD3E06A54EB55.JPG ] ДЕРЖАТЕЛЬ КАТОДА - ФИКСАТОР КАТОДА - КАТОД ДИСКОВЫЙ LAB6∅4,7 ММ - КАТОД Т-ОБРАЗНЫЙ LAB6∅4,7 ММ - КАТОД ДИСКОВЫЙ LAB6∅6,0 ММ - КРЫШКА С ВОДЯНЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ КАТОДНОГО БЛОКА - ФЛАНЕЦ УСТАНОВКИ ТМН - ФЛАНЕЦ УСТАНОВКИ ВАКУУМНОГО ДАТЧИКА - СПИРАЛЬ НАГРЕВАТЕЛЯ КАТОДА - КОМПЛЕКТ ВАКУУМНЫХ УПЛОТНИТЕЛЕЙ - КОМПЛЕКТ РЕГУЛИРОВОЧНЫХ КОЛЕЦ ПОД ВЕНЕЛЬТ - КОМПЛЕКТ РЕГУЛИРОВОЧНЫХ КОЛЕЦ ПОД АНОД - КОМПЛЕКТ ЗАПЧАСТЕЙ ДЛЯ КОННЕКТОРА В/В КАБЕЛЯ С ПУШКОЙ - КОМПЛЕКТ ЗАПЧАСТЕЙ ДЛЯ КОННЕКТОРА В/В КАБЕЛЯ С В/В БЛОКОМ 2)ЗАПЧАСТИ К ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ АППАРАТУРЕ:[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/B52/B528F21BD5099AC44B97C85561CE1359.JPG ] - БЛОК НАКАЛА И СМЕЩЕНИЯ - ТРАНСФОРМАТОР НАКАЛА - ТРАНСФОРМАТОР БОМБАРДИРОВКИ - ТРАНСФОРМАТОР ТОКА ПУЧКА - ТРАНСФОРМАТОР ТОКА БОМБАРДИРОВКИ - РЕЛЕ-РАЗРЯДНИК - ТОКООГРАНИЧИВАЮЩИЙ ДРОССЕЛЬ - ТРАНСФОРМАТОР СВЕТОВОД В СБОРЕ (РЕГУЛИРОВКА ТОКА СВАРКИ) - ПУЛЬТ РУЧНОГО УПРАВЛЕНИЯ И ИНДИКАЦИИ ПАРАМЕТРАМИ ЭЛА [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 592 [~SHOW_COUNTER] => 592 [SHOW_COUNTER_START] => 09/14/2016 04:59:07 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 09/14/2016 04:59:07 pm [CODE] => dopolnitelnye-uslugi-zip [~CODE] => dopolnitelnye-uslugi-zip [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 519 [~XML_ID] => 519 [EXTERNAL_ID] => 519 [~EXTERNAL_ID] => 519 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ehlektronno-luchevaya-svarka/dopolnitelnye-uslugi-zip/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ehlektronno-luchevaya-svarka/dopolnitelnye-uslugi-zip/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2016.09.14 [~CREATED_DATE] => 2016.09.14 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 14
    [~ID] => 14
    [TIMESTAMP_X] => 12/15/2016 05:09:56 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 12/15/2016 05:09:56 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481810996
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481810996
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/11/2015 07:46:21 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/11/2015 07:46:21 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1449852381
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1449852381
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 11
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 11
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Настольная установка безмасковой лазерной литографии mPG 101
    [~NAME] => Настольная установка безмасковой лазерной литографии mPG 101
    [PREVIEW_PICTURE] => 10
    [~PREVIEW_PICTURE] => 10
    [PREVIEW_TEXT] => 

Настольная модель лазерной безмасковой литографии. Предназначена для решения задач, не требующих высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др.

Минимальный топологический размер 0,9 мкм. Сменные пишущие головки на 0,9 мкм, 2,5 мкм, 5,0 мкм. Размер шаблонов или пластин до 6 х 6 дюймов. Область экспонирования до 125 х 125 мм.

Размер адресной сетки до 40 нм.

Растровое (бинарное) экспонирование, векторное экспонирование (Vector Exposure Mode) и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Basic Gray Scale Exposure Mode).

Скорость письма от 5 до 90 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.

[~PREVIEW_TEXT] =>

Настольная модель лазерной безмасковой литографии. Предназначена для решения задач, не требующих высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др.

Минимальный топологический размер 0,9 мкм. Сменные пишущие головки на 0,9 мкм, 2,5 мкм, 5,0 мкм. Размер шаблонов или пластин до 6 х 6 дюймов. Область экспонирования до 125 х 125 мм.

Размер адресной сетки до 40 нм.

Растровое (бинарное) экспонирование, векторное экспонирование (Vector Exposure Mode) и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Basic Gray Scale Exposure Mode).

Скорость письма от 5 до 90 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 11 [~DETAIL_PICTURE] => 11 [DETAIL_TEXT] => mPG 101 - настольная лабораторная система безмасковой лазерной литография Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия) для производства фотошаблонов и прямого формирования изображения
Лазерный генератор изображения Heidelberg mPG 101 является компактным бюджетным решением для лабораторий и мелкосерийных производств. Несмотря на свою компактность, установка справляется со всеми теми  же задачами,  что выполняют более крупные модели генераторов. Установка может использоваться для производства фотошаблонов, а также для получения топологических структур на прочих пластинах с фоторезистом при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.

  Для обеспечения высокоточного перемещения лазерного луча генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки.

  Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки с подстройкой пьезомодулем и системой модуляции луча с помощью акустооптического модулятора.

  Для перемещения подложки в горизонтальной плоскости есть специальная система позиционирования.

  В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм, 120 мВт. В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена УФ диодным лазерным источником (375 нм, 70 мВт).

  Установку можно оснастить сменными пишущими линзами с минимальным размером элемента 5 микрон, 2,5 микрона и 0,9 микрон. (по выбору). Пишущие головки сменные и могут меняться оператором при смене процесса.


Технические характеристики:

Сменные пишущие линзы (головы) на 0,9 мкм, 2,5 мкм и 5,0 мкм.
Размер обрабатываемых подложек и пластин до 6 х 6 дюймов;
Размер поля экспонирования до 125 х 125 мм;
Толщина подложки до 6 мм;
Погрешность позиционирования подложки: 20 нм;
Точная фокусировка луча до 100 нм;
Габаритные размеры: 610 х 740 х 500 мм, вес 100 кг;
Размеры блока питания: 430 х 380 х 230 мм, вес 10 кг;
Стабильность поддержания температуры ±1° С;
Требуемый уровень влажности: 50% ± 10%;
Энергопотребление: 230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 6 A.
Класс чистоты комнаты: ISO 6 (1000) или лучше.

Режимы формирования рисунка 


Режим работы I II III
Размер адресной сетки, нм 40 100 200
Минимальный размер элемента, мкм 0,9 2,5 5,0
Скорость рисования, мм2/мин. 5,0 35 90
Неровность края (3σ), нм 120 200 400
Равномерность (3σ), нм 200 400 800
Точность совмещения (3σ), нм 200 400 800
Область письма (экспонирования), мм 90 х 90 125 х 125 125 х 125

Источники излучения:

Диодный лазер — 405 нм, 120 мВт, 8000 часов, воздушное охлаждение (для тонких и стандартных резистов);
УФ-диодный лазер (по заказу) — 375 нм, 70 мВт, 7000 часов, воздушное охлаждение (для УФ-резистов).

Базовая комплектация:

Основной блок;
Рама с подавлением внешних вибраций;
Оптическая система;
Калибровочная система автофокусировки;
Система позиционирования подложки;
Электронный блок управления;
Персональный компьютер пользователя;

Комплектация по заказу:

Замена лазерного источника для работы в УФ-диапазоне;
Автоматическая система совмещения
Режим векторного экспонирования;
Базовый режим экспонирования в серой шкале
Антивибрационный стол

Примеры:

mpg 101_application 1.jpg mpg 101_application 2.jpg mpg 101_application 3.jpg


СКАЧАТЬ БРОШЮРУ MLA100 В PDF


Видеопрезентация установки MLA



[~DETAIL_TEXT] => mPG 101 - настольная лабораторная система безмасковой лазерной литография Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия) для производства фотошаблонов и прямого формирования изображения
Лазерный генератор изображения Heidelberg mPG 101 является компактным бюджетным решением для лабораторий и мелкосерийных производств. Несмотря на свою компактность, установка справляется со всеми теми  же задачами,  что выполняют более крупные модели генераторов. Установка может использоваться для производства фотошаблонов, а также для получения топологических структур на прочих пластинах с фоторезистом при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.

  Для обеспечения высокоточного перемещения лазерного луча генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки.

  Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки с подстройкой пьезомодулем и системой модуляции луча с помощью акустооптического модулятора.

  Для перемещения подложки в горизонтальной плоскости есть специальная система позиционирования.

  В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм, 120 мВт. В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена УФ диодным лазерным источником (375 нм, 70 мВт).

  Установку можно оснастить сменными пишущими линзами с минимальным размером элемента 5 микрон, 2,5 микрона и 0,9 микрон. (по выбору). Пишущие головки сменные и могут меняться оператором при смене процесса.


Технические характеристики:

Сменные пишущие линзы (головы) на 0,9 мкм, 2,5 мкм и 5,0 мкм.
Размер обрабатываемых подложек и пластин до 6 х 6 дюймов;
Размер поля экспонирования до 125 х 125 мм;
Толщина подложки до 6 мм;
Погрешность позиционирования подложки: 20 нм;
Точная фокусировка луча до 100 нм;
Габаритные размеры: 610 х 740 х 500 мм, вес 100 кг;
Размеры блока питания: 430 х 380 х 230 мм, вес 10 кг;
Стабильность поддержания температуры ±1° С;
Требуемый уровень влажности: 50% ± 10%;
Энергопотребление: 230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 6 A.
Класс чистоты комнаты: ISO 6 (1000) или лучше.

Режимы формирования рисунка 


Режим работы I II III
Размер адресной сетки, нм 40 100 200
Минимальный размер элемента, мкм 0,9 2,5 5,0
Скорость рисования, мм2/мин. 5,0 35 90
Неровность края (3σ), нм 120 200 400
Равномерность (3σ), нм 200 400 800
Точность совмещения (3σ), нм 200 400 800
Область письма (экспонирования), мм 90 х 90 125 х 125 125 х 125

Источники излучения:

Диодный лазер — 405 нм, 120 мВт, 8000 часов, воздушное охлаждение (для тонких и стандартных резистов);
УФ-диодный лазер (по заказу) — 375 нм, 70 мВт, 7000 часов, воздушное охлаждение (для УФ-резистов).

Базовая комплектация:

Основной блок;
Рама с подавлением внешних вибраций;
Оптическая система;
Калибровочная система автофокусировки;
Система позиционирования подложки;
Электронный блок управления;
Персональный компьютер пользователя;

Комплектация по заказу:

Замена лазерного источника для работы в УФ-диапазоне;
Автоматическая система совмещения
Режим векторного экспонирования;
Базовый режим экспонирования в серой шкале
Антивибрационный стол

Примеры:

mpg 101_application 1.jpg mpg 101_application 2.jpg mpg 101_application 3.jpg


СКАЧАТЬ БРОШЮРУ MLA100 В PDF


Видеопрезентация установки MLA



[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => НАСТОЛЬНАЯ УСТАНОВКА БЕЗМАСКОВОЙ ЛАЗЕРНОЙ ЛИТОГРАФИИ MPG 101НАСТОЛЬНАЯ МОДЕЛЬ ЛАЗЕРНОЙ БЕЗМАСКОВОЙ ЛИТОГРАФИИ. ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ, НЕ ТРЕБУЮЩИХ ВЫСОКОЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ - ЛАБОРАТОРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, НИОКР, ОПЫТНОЕ ПРОИЗВОДСТВО И ДР. МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР 0,9 МКМ. СМЕННЫЕ ПИШУЩИЕ ГОЛОВКИ НА 0,9 МКМ, 2,5 МКМ, 5,0 МКМ. РАЗМЕР ШАБЛОНОВ ИЛИ ПЛАСТИН ДО 6 Х 6 ДЮЙМОВ. ОБЛАСТЬ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДО 125 Х 125 ММ. РАЗМЕР АДРЕСНОЙ СЕТКИ ДО 40 НМ. РАСТРОВОЕ (БИНАРНОЕ) ЭКСПОНИРОВАНИЕ, ВЕКТОРНОЕ ЭКСПОНИРОВАНИЕ (VECTOR EXPOSURE MODE) И 3D ЭКСПОНИРОВАНИЕ ДЛЯ РЕЖИМА ПОЛУТОНОВОЙ ШКАЛЫ ЭКСПОНИРОВАНИЯ (BASIC GRAY SCALE EXPOSURE MODE). СКОРОСТЬ ПИСЬМА ОТ 5 ДО 90 ММ2/МИН В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЫБОРА ПИШУЩЕЙ ЛИНЗЫ.MPG 101 -&NBSP;НАСТОЛЬНАЯ ЛАБОРАТОРНАЯ СИСТЕМА БЕЗМАСКОВОЙ ЛАЗЕРНОЙ ЛИТОГРАФИЯ HEIDELBERG INSTRUMENTS MIKROTECHNIK GMBH&NBSP;(ГЕРМАНИЯ) ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ФОТОШАБЛОНОВ И ПРЯМОГО ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ ЛАЗЕРНЫЙ ГЕНЕРАТОР ИЗОБРАЖЕНИЯ HEIDELBERG&NBSP;MPG 101 ЯВЛЯЕТСЯ КОМПАКТНЫМ БЮДЖЕТНЫМ РЕШЕНИЕМ ДЛЯ ЛАБОРАТОРИЙ И МЕЛКОСЕРИЙНЫХ ПРОИЗВОДСТВ. НЕСМОТРЯ НА СВОЮ КОМПАКТНОСТЬ, УСТАНОВКА СПРАВЛЯЕТСЯ СО ВСЕМИ ТЕМИ&NBSP; ЖЕ ЗАДАЧАМИ,&NBSP; ЧТО ВЫПОЛНЯЮТ БОЛЕЕ КРУПНЫЕ МОДЕЛИ ГЕНЕРАТОРОВ. УСТАНОВКА МОЖЕТ ИСПОЛЬЗОВАТЬСЯ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ФОТОШАБЛОНОВ, А ТАКЖЕ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА ПРОЧИХ ПЛАСТИНАХ С ФОТОРЕЗИСТОМ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, А ТАКЖЕ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР НА ПЛАСТИНЕ, ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МЭМС, БИОМЭМС, ИНТЕГРИРОВАННОЙ ОПТИКИ И ДР.&NBSP; ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ВЫСОКОТОЧНОГО ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЛУЧА ГЕНЕРАТОР ОБОРУДОВАН СПЕЦИАЛЬНОЙ ОПТИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ И СИСТЕМОЙ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ.&NBSP; ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ НАИЛУЧШЕЙ РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ ГЕНЕРАТОР ОБОРУДОВАН СИСТЕМОЙ АВТОФОКУСИРОВКИ С ПОДСТРОЙКОЙ ПЬЕЗОМОДУЛЕМ И СИСТЕМОЙ МОДУЛЯЦИИ ЛУЧА С ПОМОЩЬЮ АКУСТООПТИЧЕСКОГО МОДУЛЯТОРА.&NBSP; ДЛЯ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ПОДЛОЖКИ В ГОРИЗОНТАЛЬНОЙ ПЛОСКОСТИ ЕСТЬ СПЕЦИАЛЬНАЯ СИСТЕМА ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ.&NBSP; В БАЗОВОЙ КОМПЛЕКТАЦИИ СИСТЕМА ОСНАЩЕНА ДИОДНЫМ ЛАЗЕРОМ, РАБОТАЮЩИМ НА ДЛИНЕ ВОЛНЫ 405 НМ, 120 МВТ. В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ТЕХНИЧЕСКИХ ТРЕБОВАНИЙ ЗАКАЗЧИКА УСТАНОВКА МОЖЕТ БЫТЬ ОСНАЩЕНА УФ ДИОДНЫМ ЛАЗЕРНЫМ ИСТОЧНИКОМ (375 НМ, 70 МВТ).&NBSP; УСТАНОВКУ МОЖНО ОСНАСТИТЬ СМЕННЫМИ ПИШУЩИМИ ЛИНЗАМИ С МИНИМАЛЬНЫМ РАЗМЕРОМ ЭЛЕМЕНТА 5 МИКРОН, 2,5 МИКРОНА И 0,9 МИКРОН. (ПО ВЫБОРУ).&NBSP;ПИШУЩИЕ ГОЛОВКИ СМЕННЫЕ&NBSP;И МОГУТ МЕНЯТЬСЯ ОПЕРАТОРОМ ПРИ СМЕНЕ ПРОЦЕССА. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: СМЕННЫЕ ПИШУЩИЕ ЛИНЗЫ (ГОЛОВЫ) НА 0,9 МКМ, 2,5 МКМ И 5,0 МКМ.РАЗМЕР ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ПОДЛОЖЕК И ПЛАСТИН ДО 6 Х 6 ДЮЙМОВ;РАЗМЕР ПОЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДО 125 Х 125 ММ;ТОЛЩИНА ПОДЛОЖКИ ДО 6 ММ;ПОГРЕШНОСТЬ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ: 20 НМ;ТОЧНАЯ ФОКУСИРОВКА ЛУЧА ДО 100 НМ;ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ: 610 Х 740 Х 500 ММ, ВЕС 100 КГ;РАЗМЕРЫ БЛОКА ПИТАНИЯ: 430 Х 380 Х 230 ММ, ВЕС 10 КГ;СТАБИЛЬНОСТЬ ПОДДЕРЖАНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ±1° С;ТРЕБУЕМЫЙ УРОВЕНЬ ВЛАЖНОСТИ: 50% ± 10%;ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ: 230 VAC ± 5 %, 50/60 HZ, 6 A.КЛАСС ЧИСТОТЫ КОМНАТЫ: ISO 6 (1000) ИЛИ ЛУЧШЕ.РЕЖИМЫ ФОРМИРОВАНИЯ РИСУНКА&NBSP; РЕЖИМ РАБОТЫ I II III РАЗМЕР АДРЕСНОЙ СЕТКИ, НМ 40 100 200 МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ЭЛЕМЕНТА, МКМ 0,9 2,5 5,0 СКОРОСТЬ РИСОВАНИЯ, ММ2/МИН. 5,0 35 90 НЕРОВНОСТЬ КРАЯ (3Σ), НМ 120 200 400 РАВНОМЕРНОСТЬ (3Σ), НМ 200 400 800 ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (3Σ), НМ 200 400 800 ОБЛАСТЬ ПИСЬМА (ЭКСПОНИРОВАНИЯ), ММ 90 Х 90 125 Х 125 125 Х 125 ИСТОЧНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ: ДИОДНЫЙ ЛАЗЕР — 405 НМ, 120 МВТ, 8000 ЧАСОВ, ВОЗДУШНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ (ДЛЯ ТОНКИХ И СТАНДАРТНЫХ РЕЗИСТОВ);УФ-ДИОДНЫЙ ЛАЗЕР (ПО ЗАКАЗУ) — 375 НМ, 70 МВТ, 7000 ЧАСОВ, ВОЗДУШНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ (ДЛЯ УФ-РЕЗИСТОВ). БАЗОВАЯ КОМПЛЕКТАЦИЯ: ОСНОВНОЙ БЛОК;РАМА С ПОДАВЛЕНИЕМ ВНЕШНИХ ВИБРАЦИЙ;ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА;КАЛИБРОВОЧНАЯ СИСТЕМА АВТОФОКУСИРОВКИ;СИСТЕМА ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ;ЭЛЕКТРОННЫЙ БЛОК УПРАВЛЕНИЯ;ПЕРСОНАЛЬНЫЙ КОМПЬЮТЕР ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ;КОМПЛЕКТАЦИЯ ПО ЗАКАЗУ: ЗАМЕНА ЛАЗЕРНОГО ИСТОЧНИКА ДЛЯ РАБОТЫ В УФ-ДИАПАЗОНЕ;АВТОМАТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА СОВМЕЩЕНИЯРЕЖИМ ВЕКТОРНОГО ЭКСПОНИРОВАНИЯ;БАЗОВЫЙ РЕЖИМ ЭКСПОНИРОВАНИЯ В СЕРОЙ ШКАЛЕАНТИВИБРАЦИОННЫЙ СТОЛПРИМЕРЫ: [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/A24/A2467CDCA608B2E28810852804A4F1C6.JPG ] &NBSP;[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/538/5381EA1229214618FA399FB53B96655E.JPG ] &NBSP;[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/98D/98DE9B1ACE257AE37234B001C6DD8CDC.JPG ] СКАЧАТЬ БРОШЮРУ MLA100 В PDF [ /PDF/HIMT_FACTSHEET_MLA100.PDF ] ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ УСТАНОВКИ MLA [~SEARCHABLE_CONTENT] => НАСТОЛЬНАЯ УСТАНОВКА БЕЗМАСКОВОЙ ЛАЗЕРНОЙ ЛИТОГРАФИИ MPG 101НАСТОЛЬНАЯ МОДЕЛЬ ЛАЗЕРНОЙ БЕЗМАСКОВОЙ ЛИТОГРАФИИ. ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ, НЕ ТРЕБУЮЩИХ ВЫСОКОЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ - ЛАБОРАТОРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, НИОКР, ОПЫТНОЕ ПРОИЗВОДСТВО И ДР. МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР 0,9 МКМ. СМЕННЫЕ ПИШУЩИЕ ГОЛОВКИ НА 0,9 МКМ, 2,5 МКМ, 5,0 МКМ. РАЗМЕР ШАБЛОНОВ ИЛИ ПЛАСТИН ДО 6 Х 6 ДЮЙМОВ. ОБЛАСТЬ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДО 125 Х 125 ММ. РАЗМЕР АДРЕСНОЙ СЕТКИ ДО 40 НМ. РАСТРОВОЕ (БИНАРНОЕ) ЭКСПОНИРОВАНИЕ, ВЕКТОРНОЕ ЭКСПОНИРОВАНИЕ (VECTOR EXPOSURE MODE) И 3D ЭКСПОНИРОВАНИЕ ДЛЯ РЕЖИМА ПОЛУТОНОВОЙ ШКАЛЫ ЭКСПОНИРОВАНИЯ (BASIC GRAY SCALE EXPOSURE MODE). СКОРОСТЬ ПИСЬМА ОТ 5 ДО 90 ММ2/МИН В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЫБОРА ПИШУЩЕЙ ЛИНЗЫ.MPG 101 -&NBSP;НАСТОЛЬНАЯ ЛАБОРАТОРНАЯ СИСТЕМА БЕЗМАСКОВОЙ ЛАЗЕРНОЙ ЛИТОГРАФИЯ HEIDELBERG INSTRUMENTS MIKROTECHNIK GMBH&NBSP;(ГЕРМАНИЯ) ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ФОТОШАБЛОНОВ И ПРЯМОГО ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ ЛАЗЕРНЫЙ ГЕНЕРАТОР ИЗОБРАЖЕНИЯ HEIDELBERG&NBSP;MPG 101 ЯВЛЯЕТСЯ КОМПАКТНЫМ БЮДЖЕТНЫМ РЕШЕНИЕМ ДЛЯ ЛАБОРАТОРИЙ И МЕЛКОСЕРИЙНЫХ ПРОИЗВОДСТВ. НЕСМОТРЯ НА СВОЮ КОМПАКТНОСТЬ, УСТАНОВКА СПРАВЛЯЕТСЯ СО ВСЕМИ ТЕМИ&NBSP; ЖЕ ЗАДАЧАМИ,&NBSP; ЧТО ВЫПОЛНЯЮТ БОЛЕЕ КРУПНЫЕ МОДЕЛИ ГЕНЕРАТОРОВ. УСТАНОВКА МОЖЕТ ИСПОЛЬЗОВАТЬСЯ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ФОТОШАБЛОНОВ, А ТАКЖЕ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА ПРОЧИХ ПЛАСТИНАХ С ФОТОРЕЗИСТОМ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, А ТАКЖЕ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР НА ПЛАСТИНЕ, ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МЭМС, БИОМЭМС, ИНТЕГРИРОВАННОЙ ОПТИКИ И ДР.&NBSP; ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ВЫСОКОТОЧНОГО ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЛУЧА ГЕНЕРАТОР ОБОРУДОВАН СПЕЦИАЛЬНОЙ ОПТИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ И СИСТЕМОЙ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ.&NBSP; ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ НАИЛУЧШЕЙ РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ ГЕНЕРАТОР ОБОРУДОВАН СИСТЕМОЙ АВТОФОКУСИРОВКИ С ПОДСТРОЙКОЙ ПЬЕЗОМОДУЛЕМ И СИСТЕМОЙ МОДУЛЯЦИИ ЛУЧА С ПОМОЩЬЮ АКУСТООПТИЧЕСКОГО МОДУЛЯТОРА.&NBSP; ДЛЯ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ПОДЛОЖКИ В ГОРИЗОНТАЛЬНОЙ ПЛОСКОСТИ ЕСТЬ СПЕЦИАЛЬНАЯ СИСТЕМА ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ.&NBSP; В БАЗОВОЙ КОМПЛЕКТАЦИИ СИСТЕМА ОСНАЩЕНА ДИОДНЫМ ЛАЗЕРОМ, РАБОТАЮЩИМ НА ДЛИНЕ ВОЛНЫ 405 НМ, 120 МВТ. В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ТЕХНИЧЕСКИХ ТРЕБОВАНИЙ ЗАКАЗЧИКА УСТАНОВКА МОЖЕТ БЫТЬ ОСНАЩЕНА УФ ДИОДНЫМ ЛАЗЕРНЫМ ИСТОЧНИКОМ (375 НМ, 70 МВТ).&NBSP; УСТАНОВКУ МОЖНО ОСНАСТИТЬ СМЕННЫМИ ПИШУЩИМИ ЛИНЗАМИ С МИНИМАЛЬНЫМ РАЗМЕРОМ ЭЛЕМЕНТА 5 МИКРОН, 2,5 МИКРОНА И 0,9 МИКРОН. (ПО ВЫБОРУ).&NBSP;ПИШУЩИЕ ГОЛОВКИ СМЕННЫЕ&NBSP;И МОГУТ МЕНЯТЬСЯ ОПЕРАТОРОМ ПРИ СМЕНЕ ПРОЦЕССА. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: СМЕННЫЕ ПИШУЩИЕ ЛИНЗЫ (ГОЛОВЫ) НА 0,9 МКМ, 2,5 МКМ И 5,0 МКМ.РАЗМЕР ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ПОДЛОЖЕК И ПЛАСТИН ДО 6 Х 6 ДЮЙМОВ;РАЗМЕР ПОЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДО 125 Х 125 ММ;ТОЛЩИНА ПОДЛОЖКИ ДО 6 ММ;ПОГРЕШНОСТЬ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ: 20 НМ;ТОЧНАЯ ФОКУСИРОВКА ЛУЧА ДО 100 НМ;ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ: 610 Х 740 Х 500 ММ, ВЕС 100 КГ;РАЗМЕРЫ БЛОКА ПИТАНИЯ: 430 Х 380 Х 230 ММ, ВЕС 10 КГ;СТАБИЛЬНОСТЬ ПОДДЕРЖАНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ±1° С;ТРЕБУЕМЫЙ УРОВЕНЬ ВЛАЖНОСТИ: 50% ± 10%;ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ: 230 VAC ± 5 %, 50/60 HZ, 6 A.КЛАСС ЧИСТОТЫ КОМНАТЫ: ISO 6 (1000) ИЛИ ЛУЧШЕ.РЕЖИМЫ ФОРМИРОВАНИЯ РИСУНКА&NBSP; РЕЖИМ РАБОТЫ I II III РАЗМЕР АДРЕСНОЙ СЕТКИ, НМ 40 100 200 МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ЭЛЕМЕНТА, МКМ 0,9 2,5 5,0 СКОРОСТЬ РИСОВАНИЯ, ММ2/МИН. 5,0 35 90 НЕРОВНОСТЬ КРАЯ (3Σ), НМ 120 200 400 РАВНОМЕРНОСТЬ (3Σ), НМ 200 400 800 ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (3Σ), НМ 200 400 800 ОБЛАСТЬ ПИСЬМА (ЭКСПОНИРОВАНИЯ), ММ 90 Х 90 125 Х 125 125 Х 125 ИСТОЧНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ: ДИОДНЫЙ ЛАЗЕР — 405 НМ, 120 МВТ, 8000 ЧАСОВ, ВОЗДУШНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ (ДЛЯ ТОНКИХ И СТАНДАРТНЫХ РЕЗИСТОВ);УФ-ДИОДНЫЙ ЛАЗЕР (ПО ЗАКАЗУ) — 375 НМ, 70 МВТ, 7000 ЧАСОВ, ВОЗДУШНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ (ДЛЯ УФ-РЕЗИСТОВ). БАЗОВАЯ КОМПЛЕКТАЦИЯ: ОСНОВНОЙ БЛОК;РАМА С ПОДАВЛЕНИЕМ ВНЕШНИХ ВИБРАЦИЙ;ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА;КАЛИБРОВОЧНАЯ СИСТЕМА АВТОФОКУСИРОВКИ;СИСТЕМА ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ;ЭЛЕКТРОННЫЙ БЛОК УПРАВЛЕНИЯ;ПЕРСОНАЛЬНЫЙ КОМПЬЮТЕР ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ;КОМПЛЕКТАЦИЯ ПО ЗАКАЗУ: ЗАМЕНА ЛАЗЕРНОГО ИСТОЧНИКА ДЛЯ РАБОТЫ В УФ-ДИАПАЗОНЕ;АВТОМАТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА СОВМЕЩЕНИЯРЕЖИМ ВЕКТОРНОГО ЭКСПОНИРОВАНИЯ;БАЗОВЫЙ РЕЖИМ ЭКСПОНИРОВАНИЯ В СЕРОЙ ШКАЛЕАНТИВИБРАЦИОННЫЙ СТОЛПРИМЕРЫ: [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/A24/A2467CDCA608B2E28810852804A4F1C6.JPG ] &NBSP;[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/538/5381EA1229214618FA399FB53B96655E.JPG ] &NBSP;[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/98D/98DE9B1ACE257AE37234B001C6DD8CDC.JPG ] СКАЧАТЬ БРОШЮРУ MLA100 В PDF [ /PDF/HIMT_FACTSHEET_MLA100.PDF ] ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ УСТАНОВКИ MLA [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 813 [~SHOW_COUNTER] => 813 [SHOW_COUNTER_START] => 12/11/2015 07:46:46 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 12/11/2015 07:46:46 pm [CODE] => nastolnaya-ustanovka-bezmakovoj-lazernoj-litografii-mpg-101 [~CODE] => nastolnaya-ustanovka-bezmakovoj-lazernoj-litografii-mpg-101 [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 14 [~XML_ID] => 14 [EXTERNAL_ID] => 14 [~EXTERNAL_ID] => 14 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bezmaskovaya-lazernaya-litografiya/nastolnaya-ustanovka-bezmakovoj-lazernoj-litografii-mpg-101/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bezmaskovaya-lazernaya-litografiya/nastolnaya-ustanovka-bezmakovoj-lazernoj-litografii-mpg-101/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.11 [~CREATED_DATE] => 2015.12.11 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 15
    [~ID] => 15
    [TIMESTAMP_X] => 12/15/2016 05:06:48 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 12/15/2016 05:06:48 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481810808
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481810808
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/12/2015 09:34:44 am
    [~DATE_CREATE] => 12/12/2015 09:34:44 am
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1449902084
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1449902084
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 11
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 11
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Установка безмасковой лазерной литографии DWL 66+
    [~NAME] => Установка безмасковой лазерной литографии DWL 66+
    [PREVIEW_PICTURE] => 17
    [~PREVIEW_PICTURE] => 17
    [PREVIEW_TEXT] => 

Система безмасковой лазерной литографии DWL 66+ предназначена для задач НИОКР, мелкой серии, опытное производство. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.

Минимальный топологический размер 0,6 мкм. Размер шаблонов до 200 х 200 мм, пластин до 200 мм. Размер адресной сетки до 10 нм.

Скорость письма от 6 до 1000 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.

[~PREVIEW_TEXT] =>

Система безмасковой лазерной литографии DWL 66+ предназначена для задач НИОКР, мелкой серии, опытное производство. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.

Минимальный топологический размер 0,6 мкм. Размер шаблонов до 200 х 200 мм, пластин до 200 мм. Размер адресной сетки до 10 нм.

Скорость письма от 6 до 1000 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 18 [~DETAIL_PICTURE] => 18 [DETAIL_TEXT] => НОВАЯ DWL 66+ - cистема безмасковой лазерной литография Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия) для производства фотошаблонов и прямого формирования изображения
Лазерный генератор изображений Heidelberg DWL 66+ предназначен для задач НИОКР, мелкой серии, опытное производство. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.

Для обеспечения высокоточного перемещения лазерного луча генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки. Во время экспонирования положение координатного столика контролируется с помощью интерферометрической системы высокого разрешения.
Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки.

Для перемещения подложки в горизонтальной плоскости применяется специальная система позиционирования.
Камера микроклимата входит в комплект поставки.

В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм с мощностью до 300 мВт. В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена различными лазерными системами: UV диодный лазер (375 нм, 70 мВт) или Твердотельный UV лазер (355 нм, 250 мВт.)

Технические характеристики DWL 66+:
Минимальный топологический размер до 0,6 мкм;
Дискретность адресной сетки до 25,4 нм;
Скорость экспонирования — до 1000 мм2/мин;
Неровность края элементов до 60 нм;
МАксимальный размер подложки: 200 х 200 мм2
Минимальный размер подложки: 10 х 10 мм2
Толщина подложки до 6 мм;
Погрешность позиционирования подложки: 10 нм;
DWL 66FS:
Размеры установки: 1740 х 1220 х 2200 мм, вес: 1000 кг;
Размеры блока управления: 560 х 600 х 1250 мм, вес: 60 кг;
DWL 66+
Размеры установки: 1300 х 1100 х 1950 мм, вес: 1000 кг;
Размеры блока управления: 630 х 760 х 1950 мм, вес: 100 кг;

Энергопотребление: 230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 16 A.
Класс чистоты комнаты: 1000 или лучше.

Состав установки в базовой комплектации:

Камера микроклимата;
Гранитное основание и основной блок;
Антивибрационная система;
Оптическая система;
Измерительная система;
Калибровочная система автофокусировки;
Система позиционирования подложки;
Электронный блок управления;
Персональный компьютер пользователя;

Комплектация по заказу :
Возможность работы с различным разрешением путём простой замены пишущей головки;
Совмещение с обратной стороны с помощью дополнительных камер;
Блок охлаждения для камеры микроклимата, при использовании мощных лазерных источников;
Возможность использования различных лазерных источников для работы на разных длинах волн.
Опция векторного экспонирования
Опция оптической автофокуировки
Опция - продвинутая система экспонирования в серой шкале (grey scale exposure mode) - для создания 3D структур

Лазерные источники:

Диодный лазер — 405 нм, 100 мВт, 200 мВт, 300 мВт, 8000 часов, воздушное охлаждение, для тонких и стандартых резистов;
UV диодный лазер — 375 нм, 70 мВт, 7000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов
Твердотельный UV лазер — 355 нм, 250 мВт, 20000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов

Режимы формирования рисунка DWL 66+
Режим работы I II III IV V VI
Размер адресной сетки, нм 10 20 25 50 100 200
Минимальный размер элемента, мкм 0,6 0,8 1,0 2,0 4,0 7,0
Скорость рисования, мм2/мин. 6,0 25 39 145 500 1000
Неровность края (3σ), нм 50 70 80 110 180 250
Равномерность (3σ), нм 60 80 100 180 250 500
Точность совмещения (3σ), нм 100 120 150 250 400 1000

Примеры:

dwl66+_application 1.jpg dwl66+_application 2.jpeg dwl66+_application 3.jpg


СКАЧАТЬ БРОШЮРУ В PDF



[~DETAIL_TEXT] => НОВАЯ DWL 66+ - cистема безмасковой лазерной литография Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия) для производства фотошаблонов и прямого формирования изображения
Лазерный генератор изображений Heidelberg DWL 66+ предназначен для задач НИОКР, мелкой серии, опытное производство. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.

Для обеспечения высокоточного перемещения лазерного луча генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки. Во время экспонирования положение координатного столика контролируется с помощью интерферометрической системы высокого разрешения.
Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки.

Для перемещения подложки в горизонтальной плоскости применяется специальная система позиционирования.
Камера микроклимата входит в комплект поставки.

В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм с мощностью до 300 мВт. В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена различными лазерными системами: UV диодный лазер (375 нм, 70 мВт) или Твердотельный UV лазер (355 нм, 250 мВт.)

Технические характеристики DWL 66+:
Минимальный топологический размер до 0,6 мкм;
Дискретность адресной сетки до 25,4 нм;
Скорость экспонирования — до 1000 мм2/мин;
Неровность края элементов до 60 нм;
МАксимальный размер подложки: 200 х 200 мм2
Минимальный размер подложки: 10 х 10 мм2
Толщина подложки до 6 мм;
Погрешность позиционирования подложки: 10 нм;
DWL 66FS:
Размеры установки: 1740 х 1220 х 2200 мм, вес: 1000 кг;
Размеры блока управления: 560 х 600 х 1250 мм, вес: 60 кг;
DWL 66+
Размеры установки: 1300 х 1100 х 1950 мм, вес: 1000 кг;
Размеры блока управления: 630 х 760 х 1950 мм, вес: 100 кг;

Энергопотребление: 230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 16 A.
Класс чистоты комнаты: 1000 или лучше.

Состав установки в базовой комплектации:

Камера микроклимата;
Гранитное основание и основной блок;
Антивибрационная система;
Оптическая система;
Измерительная система;
Калибровочная система автофокусировки;
Система позиционирования подложки;
Электронный блок управления;
Персональный компьютер пользователя;

Комплектация по заказу :
Возможность работы с различным разрешением путём простой замены пишущей головки;
Совмещение с обратной стороны с помощью дополнительных камер;
Блок охлаждения для камеры микроклимата, при использовании мощных лазерных источников;
Возможность использования различных лазерных источников для работы на разных длинах волн.
Опция векторного экспонирования
Опция оптической автофокуировки
Опция - продвинутая система экспонирования в серой шкале (grey scale exposure mode) - для создания 3D структур

Лазерные источники:

Диодный лазер — 405 нм, 100 мВт, 200 мВт, 300 мВт, 8000 часов, воздушное охлаждение, для тонких и стандартых резистов;
UV диодный лазер — 375 нм, 70 мВт, 7000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов
Твердотельный UV лазер — 355 нм, 250 мВт, 20000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов

Режимы формирования рисунка DWL 66+
Режим работы I II III IV V VI
Размер адресной сетки, нм 10 20 25 50 100 200
Минимальный размер элемента, мкм 0,6 0,8 1,0 2,0 4,0 7,0
Скорость рисования, мм2/мин. 6,0 25 39 145 500 1000
Неровность края (3σ), нм 50 70 80 110 180 250
Равномерность (3σ), нм 60 80 100 180 250 500
Точность совмещения (3σ), нм 100 120 150 250 400 1000

Примеры:

dwl66+_application 1.jpg dwl66+_application 2.jpeg dwl66+_application 3.jpg


СКАЧАТЬ БРОШЮРУ В PDF



[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА БЕЗМАСКОВОЙ ЛАЗЕРНОЙ ЛИТОГРАФИИ DWL 66+СИСТЕМА БЕЗМАСКОВОЙ ЛАЗЕРНОЙ ЛИТОГРАФИИ DWL 66+ ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ЗАДАЧ НИОКР, МЕЛКОЙ СЕРИИ, ОПЫТНОЕ ПРОИЗВОДСТВО. ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫХ ФОТОШАБЛОНАХ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, А ТАКЖЕ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР НА ПЛАСТИНЕ, ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МЭМС, БИОМЭМС, ИНТЕГРИРОВАННОЙ ОПТИКИ И ДР. МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР 0,6 МКМ. РАЗМЕР ШАБЛОНОВ ДО 200 Х 200 ММ, ПЛАСТИН ДО 200 ММ. РАЗМЕР АДРЕСНОЙ СЕТКИ ДО 10 НМ. СКОРОСТЬ ПИСЬМА ОТ 6 ДО 1000 ММ2/МИН В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЫБОРА ПИШУЩЕЙ ЛИНЗЫ.НОВАЯ DWL 66+ - CИСТЕМА БЕЗМАСКОВОЙ ЛАЗЕРНОЙ ЛИТОГРАФИЯ HEIDELBERG INSTRUMENTS MIKROTECHNIK GMBH (ГЕРМАНИЯ) ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ФОТОШАБЛОНОВ И ПРЯМОГО ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯЛАЗЕРНЫЙ ГЕНЕРАТОР ИЗОБРАЖЕНИЙ HEIDELBERG DWL 66+ ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ ЗАДАЧ НИОКР, МЕЛКОЙ СЕРИИ, ОПЫТНОЕ ПРОИЗВОДСТВО. ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫХ ФОТОШАБЛОНАХ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, А ТАКЖЕ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР НА ПЛАСТИНЕ, ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МЭМС, БИОМЭМС, ИНТЕГРИРОВАННОЙ ОПТИКИ И ДР.ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ВЫСОКОТОЧНОГО ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЛУЧА ГЕНЕРАТОР ОБОРУДОВАН СПЕЦИАЛЬНОЙ ОПТИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ И СИСТЕМОЙ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ. ВО ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ПОЛОЖЕНИЕ КООРДИНАТНОГО СТОЛИКА КОНТРОЛИРУЕТСЯ С ПОМОЩЬЮ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ.ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ НАИЛУЧШЕЙ РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ ГЕНЕРАТОР ОБОРУДОВАН СИСТЕМОЙ АВТОФОКУСИРОВКИ.ДЛЯ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ПОДЛОЖКИ В ГОРИЗОНТАЛЬНОЙ ПЛОСКОСТИ ПРИМЕНЯЕТСЯ СПЕЦИАЛЬНАЯ СИСТЕМА ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ.КАМЕРА МИКРОКЛИМАТА ВХОДИТ В КОМПЛЕКТ ПОСТАВКИ.В БАЗОВОЙ КОМПЛЕКТАЦИИ СИСТЕМА ОСНАЩЕНА ДИОДНЫМ ЛАЗЕРОМ, РАБОТАЮЩИМ НА ДЛИНЕ ВОЛНЫ 405 НМ С МОЩНОСТЬЮ ДО 300 МВТ. В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ТЕХНИЧЕСКИХ ТРЕБОВАНИЙ ЗАКАЗЧИКА УСТАНОВКА МОЖЕТ БЫТЬ ОСНАЩЕНА РАЗЛИЧНЫМИ ЛАЗЕРНЫМИ СИСТЕМАМИ: UV ДИОДНЫЙ ЛАЗЕР (375 НМ, 70 МВТ) ИЛИ ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ UV ЛАЗЕР (355 НМ, 250 МВТ.)ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ DWL 66+:МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР ДО 0,6 МКМ;ДИСКРЕТНОСТЬ АДРЕСНОЙ СЕТКИ ДО 25,4 НМ;СКОРОСТЬ ЭКСПОНИРОВАНИЯ — ДО 1000 ММ2/МИН;НЕРОВНОСТЬ КРАЯ ЭЛЕМЕНТОВ ДО 60 НМ;МАКСИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ПОДЛОЖКИ: 200 Х 200 ММ2МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ПОДЛОЖКИ: 10 Х 10 ММ2ТОЛЩИНА ПОДЛОЖКИ ДО 6 ММ;ПОГРЕШНОСТЬ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ: 10 НМ;DWL 66FS:РАЗМЕРЫ УСТАНОВКИ: 1740 Х 1220 Х 2200 ММ, ВЕС: 1000 КГ;РАЗМЕРЫ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ: 560 Х 600 Х 1250 ММ, ВЕС: 60 КГ;DWL 66+РАЗМЕРЫ УСТАНОВКИ: 1300 Х 1100 Х 1950 ММ, ВЕС: 1000 КГ;РАЗМЕРЫ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ: 630 Х 760 Х 1950 ММ, ВЕС: 100 КГ;ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ: 230 VAC ± 5 %, 50/60 HZ, 16 A.КЛАСС ЧИСТОТЫ КОМНАТЫ: 1000 ИЛИ ЛУЧШЕ.СОСТАВ УСТАНОВКИ В БАЗОВОЙ КОМПЛЕКТАЦИИ:КАМЕРА МИКРОКЛИМАТА;ГРАНИТНОЕ ОСНОВАНИЕ И ОСНОВНОЙ БЛОК;АНТИВИБРАЦИОННАЯ СИСТЕМА;ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА;ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА;КАЛИБРОВОЧНАЯ СИСТЕМА АВТОФОКУСИРОВКИ;СИСТЕМА ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ;ЭЛЕКТРОННЫЙ БЛОК УПРАВЛЕНИЯ;ПЕРСОНАЛЬНЫЙ КОМПЬЮТЕР ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ;КОМПЛЕКТАЦИЯ ПО ЗАКАЗУ :ВОЗМОЖНОСТЬ РАБОТЫ С РАЗЛИЧНЫМ РАЗРЕШЕНИЕМ ПУТЁМ ПРОСТОЙ ЗАМЕНЫ ПИШУЩЕЙ ГОЛОВКИ;СОВМЕЩЕНИЕ С ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ С ПОМОЩЬЮ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ КАМЕР;БЛОК ОХЛАЖДЕНИЯ ДЛЯ КАМЕРЫ МИКРОКЛИМАТА, ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ МОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ИСТОЧНИКОВ;ВОЗМОЖНОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ РАЗЛИЧНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДЛЯ РАБОТЫ НА РАЗНЫХ ДЛИНАХ ВОЛН.ОПЦИЯ ВЕКТОРНОГО ЭКСПОНИРОВАНИЯОПЦИЯ ОПТИЧЕСКОЙ АВТОФОКУИРОВКИОПЦИЯ - ПРОДВИНУТАЯ СИСТЕМА ЭКСПОНИРОВАНИЯ В СЕРОЙ ШКАЛЕ (GREY SCALE EXPOSURE MODE) - ДЛЯ СОЗДАНИЯ 3D СТРУКТУРЛАЗЕРНЫЕ ИСТОЧНИКИ:ДИОДНЫЙ ЛАЗЕР — 405 НМ, 100 МВТ, 200 МВТ, 300 МВТ, 8000 ЧАСОВ, ВОЗДУШНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ, ДЛЯ ТОНКИХ И СТАНДАРТЫХ РЕЗИСТОВ;UV ДИОДНЫЙ ЛАЗЕР — 375 НМ, 70 МВТ, 7000 ЧАСОВ, ВОДЯНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ, ДЛЯ СТАНДАРТНЫХ РЕЗИСТОВ, УФ РЕЗИСТОВТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ UV ЛАЗЕР — 355 НМ, 250 МВТ, 20000 ЧАСОВ, ВОДЯНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ, ДЛЯ СТАНДАРТНЫХ РЕЗИСТОВ, УФ РЕЗИСТОВРЕЖИМЫ ФОРМИРОВАНИЯ РИСУНКА DWL 66+ РЕЖИМ РАБОТЫ I II III IV V VI РАЗМЕР АДРЕСНОЙ СЕТКИ, НМ 10 20 25 50 100 200 МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ЭЛЕМЕНТА, МКМ 0,6 0,8 1,0 2,0 4,0 7,0 СКОРОСТЬ РИСОВАНИЯ, ММ2/МИН. 6,0 25 39 145 500 1000 НЕРОВНОСТЬ КРАЯ (3Σ), НМ 50 70 80 110 180 250 РАВНОМЕРНОСТЬ (3Σ), НМ 60 80 100 180 250 500 ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (3Σ), НМ 100 120 150 250 400 1000 ПРИМЕРЫ: [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/16F/16F4322B987B33A0F77225D98DB5CC36.JPG ] &NBSP;[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/C36/C3668F35846D3354C83625096DD9D7D3.JPEG ] &NBSP;[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/5FB/5FB0E77DEF3C14FF2571684A2A7D1694.JPG ] СКАЧАТЬ БРОШЮРУ В PDF [ /PDF/HIMT_FACTSHEETS_2014_DWL66PLUS.PDF ] [~SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА БЕЗМАСКОВОЙ ЛАЗЕРНОЙ ЛИТОГРАФИИ DWL 66+СИСТЕМА БЕЗМАСКОВОЙ ЛАЗЕРНОЙ ЛИТОГРАФИИ DWL 66+ ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ЗАДАЧ НИОКР, МЕЛКОЙ СЕРИИ, ОПЫТНОЕ ПРОИЗВОДСТВО. ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫХ ФОТОШАБЛОНАХ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, А ТАКЖЕ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР НА ПЛАСТИНЕ, ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МЭМС, БИОМЭМС, ИНТЕГРИРОВАННОЙ ОПТИКИ И ДР. МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР 0,6 МКМ. РАЗМЕР ШАБЛОНОВ ДО 200 Х 200 ММ, ПЛАСТИН ДО 200 ММ. РАЗМЕР АДРЕСНОЙ СЕТКИ ДО 10 НМ. СКОРОСТЬ ПИСЬМА ОТ 6 ДО 1000 ММ2/МИН В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЫБОРА ПИШУЩЕЙ ЛИНЗЫ.НОВАЯ DWL 66+ - CИСТЕМА БЕЗМАСКОВОЙ ЛАЗЕРНОЙ ЛИТОГРАФИЯ HEIDELBERG INSTRUMENTS MIKROTECHNIK GMBH (ГЕРМАНИЯ) ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ФОТОШАБЛОНОВ И ПРЯМОГО ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯЛАЗЕРНЫЙ ГЕНЕРАТОР ИЗОБРАЖЕНИЙ HEIDELBERG DWL 66+ ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ ЗАДАЧ НИОКР, МЕЛКОЙ СЕРИИ, ОПЫТНОЕ ПРОИЗВОДСТВО. ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫХ ФОТОШАБЛОНАХ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, А ТАКЖЕ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР НА ПЛАСТИНЕ, ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МЭМС, БИОМЭМС, ИНТЕГРИРОВАННОЙ ОПТИКИ И ДР.ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ВЫСОКОТОЧНОГО ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЛУЧА ГЕНЕРАТОР ОБОРУДОВАН СПЕЦИАЛЬНОЙ ОПТИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ И СИСТЕМОЙ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ. ВО ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ПОЛОЖЕНИЕ КООРДИНАТНОГО СТОЛИКА КОНТРОЛИРУЕТСЯ С ПОМОЩЬЮ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ.ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ НАИЛУЧШЕЙ РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ ГЕНЕРАТОР ОБОРУДОВАН СИСТЕМОЙ АВТОФОКУСИРОВКИ.ДЛЯ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ПОДЛОЖКИ В ГОРИЗОНТАЛЬНОЙ ПЛОСКОСТИ ПРИМЕНЯЕТСЯ СПЕЦИАЛЬНАЯ СИСТЕМА ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ.КАМЕРА МИКРОКЛИМАТА ВХОДИТ В КОМПЛЕКТ ПОСТАВКИ.В БАЗОВОЙ КОМПЛЕКТАЦИИ СИСТЕМА ОСНАЩЕНА ДИОДНЫМ ЛАЗЕРОМ, РАБОТАЮЩИМ НА ДЛИНЕ ВОЛНЫ 405 НМ С МОЩНОСТЬЮ ДО 300 МВТ. В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ТЕХНИЧЕСКИХ ТРЕБОВАНИЙ ЗАКАЗЧИКА УСТАНОВКА МОЖЕТ БЫТЬ ОСНАЩЕНА РАЗЛИЧНЫМИ ЛАЗЕРНЫМИ СИСТЕМАМИ: UV ДИОДНЫЙ ЛАЗЕР (375 НМ, 70 МВТ) ИЛИ ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ UV ЛАЗЕР (355 НМ, 250 МВТ.)ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ DWL 66+:МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР ДО 0,6 МКМ;ДИСКРЕТНОСТЬ АДРЕСНОЙ СЕТКИ ДО 25,4 НМ;СКОРОСТЬ ЭКСПОНИРОВАНИЯ — ДО 1000 ММ2/МИН;НЕРОВНОСТЬ КРАЯ ЭЛЕМЕНТОВ ДО 60 НМ;МАКСИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ПОДЛОЖКИ: 200 Х 200 ММ2МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ПОДЛОЖКИ: 10 Х 10 ММ2ТОЛЩИНА ПОДЛОЖКИ ДО 6 ММ;ПОГРЕШНОСТЬ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ: 10 НМ;DWL 66FS:РАЗМЕРЫ УСТАНОВКИ: 1740 Х 1220 Х 2200 ММ, ВЕС: 1000 КГ;РАЗМЕРЫ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ: 560 Х 600 Х 1250 ММ, ВЕС: 60 КГ;DWL 66+РАЗМЕРЫ УСТАНОВКИ: 1300 Х 1100 Х 1950 ММ, ВЕС: 1000 КГ;РАЗМЕРЫ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ: 630 Х 760 Х 1950 ММ, ВЕС: 100 КГ;ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ: 230 VAC ± 5 %, 50/60 HZ, 16 A.КЛАСС ЧИСТОТЫ КОМНАТЫ: 1000 ИЛИ ЛУЧШЕ.СОСТАВ УСТАНОВКИ В БАЗОВОЙ КОМПЛЕКТАЦИИ:КАМЕРА МИКРОКЛИМАТА;ГРАНИТНОЕ ОСНОВАНИЕ И ОСНОВНОЙ БЛОК;АНТИВИБРАЦИОННАЯ СИСТЕМА;ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА;ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА;КАЛИБРОВОЧНАЯ СИСТЕМА АВТОФОКУСИРОВКИ;СИСТЕМА ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ;ЭЛЕКТРОННЫЙ БЛОК УПРАВЛЕНИЯ;ПЕРСОНАЛЬНЫЙ КОМПЬЮТЕР ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ;КОМПЛЕКТАЦИЯ ПО ЗАКАЗУ :ВОЗМОЖНОСТЬ РАБОТЫ С РАЗЛИЧНЫМ РАЗРЕШЕНИЕМ ПУТЁМ ПРОСТОЙ ЗАМЕНЫ ПИШУЩЕЙ ГОЛОВКИ;СОВМЕЩЕНИЕ С ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ С ПОМОЩЬЮ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ КАМЕР;БЛОК ОХЛАЖДЕНИЯ ДЛЯ КАМЕРЫ МИКРОКЛИМАТА, ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ МОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ИСТОЧНИКОВ;ВОЗМОЖНОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ РАЗЛИЧНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДЛЯ РАБОТЫ НА РАЗНЫХ ДЛИНАХ ВОЛН.ОПЦИЯ ВЕКТОРНОГО ЭКСПОНИРОВАНИЯОПЦИЯ ОПТИЧЕСКОЙ АВТОФОКУИРОВКИОПЦИЯ - ПРОДВИНУТАЯ СИСТЕМА ЭКСПОНИРОВАНИЯ В СЕРОЙ ШКАЛЕ (GREY SCALE EXPOSURE MODE) - ДЛЯ СОЗДАНИЯ 3D СТРУКТУРЛАЗЕРНЫЕ ИСТОЧНИКИ:ДИОДНЫЙ ЛАЗЕР — 405 НМ, 100 МВТ, 200 МВТ, 300 МВТ, 8000 ЧАСОВ, ВОЗДУШНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ, ДЛЯ ТОНКИХ И СТАНДАРТЫХ РЕЗИСТОВ;UV ДИОДНЫЙ ЛАЗЕР — 375 НМ, 70 МВТ, 7000 ЧАСОВ, ВОДЯНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ, ДЛЯ СТАНДАРТНЫХ РЕЗИСТОВ, УФ РЕЗИСТОВТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ UV ЛАЗЕР — 355 НМ, 250 МВТ, 20000 ЧАСОВ, ВОДЯНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ, ДЛЯ СТАНДАРТНЫХ РЕЗИСТОВ, УФ РЕЗИСТОВРЕЖИМЫ ФОРМИРОВАНИЯ РИСУНКА DWL 66+ РЕЖИМ РАБОТЫ I II III IV V VI РАЗМЕР АДРЕСНОЙ СЕТКИ, НМ 10 20 25 50 100 200 МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ЭЛЕМЕНТА, МКМ 0,6 0,8 1,0 2,0 4,0 7,0 СКОРОСТЬ РИСОВАНИЯ, ММ2/МИН. 6,0 25 39 145 500 1000 НЕРОВНОСТЬ КРАЯ (3Σ), НМ 50 70 80 110 180 250 РАВНОМЕРНОСТЬ (3Σ), НМ 60 80 100 180 250 500 ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (3Σ), НМ 100 120 150 250 400 1000 ПРИМЕРЫ: [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/16F/16F4322B987B33A0F77225D98DB5CC36.JPG ] &NBSP;[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/C36/C3668F35846D3354C83625096DD9D7D3.JPEG ] &NBSP;[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/5FB/5FB0E77DEF3C14FF2571684A2A7D1694.JPG ] СКАЧАТЬ БРОШЮРУ В PDF [ /PDF/HIMT_FACTSHEETS_2014_DWL66PLUS.PDF ] [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 809 [~SHOW_COUNTER] => 809 [SHOW_COUNTER_START] => 12/12/2015 09:35:13 am [~SHOW_COUNTER_START] => 12/12/2015 09:35:13 am [CODE] => ustanovka-bezmakovoj-lazernoj-litografii-dwl-66 [~CODE] => ustanovka-bezmakovoj-lazernoj-litografii-dwl-66 [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 15 [~XML_ID] => 15 [EXTERNAL_ID] => 15 [~EXTERNAL_ID] => 15 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bezmaskovaya-lazernaya-litografiya/ustanovka-bezmakovoj-lazernoj-litografii-dwl-66/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bezmaskovaya-lazernaya-litografiya/ustanovka-bezmakovoj-lazernoj-litografii-dwl-66/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.12 [~CREATED_DATE] => 2015.12.12 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 16
    [~ID] => 16
    [TIMESTAMP_X] => 12/15/2016 05:03:44 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 12/15/2016 05:03:44 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481810624
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481810624
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/12/2015 09:45:18 am
    [~DATE_CREATE] => 12/12/2015 09:45:18 am
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1449902718
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1449902718
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 11
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 11
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Установка безмасковой лазерной литографии DWL 2000/ DWL 4000
    [~NAME] => Установка безмасковой лазерной литографии DWL 2000/ DWL 4000
    [PREVIEW_PICTURE] => 22
    [~PREVIEW_PICTURE] => 22
    [PREVIEW_TEXT] => 

Предназначен для работы с фотошаблонами при больших объемах производства. Увеличена скорость письма по сравнению с DWL 66FS.

Предназначена для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.

Минимальный топологический размер 0,6 мкм. Размер шаблонов до 200 х 200 мм и до 400 х 400 мм соответственно, пластин до 200 мм и до 400 мм сообветственно. Размер адресной сетки до 5 нм. Скорость письма от 29 до 340 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.

[~PREVIEW_TEXT] =>

Предназначен для работы с фотошаблонами при больших объемах производства. Увеличена скорость письма по сравнению с DWL 66FS.

Предназначена для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.

Минимальный топологический размер 0,6 мкм. Размер шаблонов до 200 х 200 мм и до 400 х 400 мм соответственно, пластин до 200 мм и до 400 мм сообветственно. Размер адресной сетки до 5 нм. Скорость письма от 29 до 340 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 23 [~DETAIL_PICTURE] => 23 [DETAIL_TEXT] => DWL 2000 и DWL 4000 - высокопроизводительные cистемы безмасковой лазерной литография Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия) для производства фотошаблонов и прямого формирования изображения
Высокопроизводительный лазерный генератор изображений Heidelberg DWL DWL 2000 и DWL 4000 предназначен для работы с фотошаблонами при больших объемах производства. Увеличена скорость письма по сравнению с DWL 66FS. Предназначена для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.

Для обеспечения высокоточного перемещения лазерного луча генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки. Во время экспонирования положение координатного столика контролируется с помощью интерферометрической системы высокого разрешения.
Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки.

Для перемещения подложки в горизонтальной плоскости применяется специальная система позиционирования.
Камера микроклимата входит в комплект поставки.

В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм, (100 мВт или больше по запросу). В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена различными лазерными системами: Kr-ion (413 нм, 300 мВт) или UV (375 нм, 18 мВт).

Генератор может быть снабжён автоматической системой загрузки пластин (из кассеты в кассету), возможна загрузка пластин диаметром 200 мм или размером 178 х 178 мм.

Технические характеристики:

Минимальный топологический размер до 0,5 мкм;
Размер поля экспонирования до 200 х 200 мм для DWL 2000;
Размер поля экспонирования до 400 х 400 мм для DWL 4000;
Дискретность адресной сетки до 5 нм;
Скорость экспонирования для области 200 х 200 мм — до 340 мм2/мин;
Скорость экспонирования для области 400 х 400 мм — до 340 мм2/мин;
Неровность края элементов до 50 нм;
Толщина подложки до 7 мм или другая по запросу (по ТЗ заказчика)
Погрешность позиционирования подложки: 10 нм;
Размеры установки DWL 2000: 1740 х 1215 х 2200 мм, вес: 1000 кг;
Размеры блока управления: 800 х 650 х 1800 мм, вес: 180 кг;
Энергопотребление: 400 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 32 A.
Класс чистоты комнаты: 1000 или лучше.

Состав установки в базовой комплектации:

Камера микроклимата;
Гранитное основание и основной блок;
Антивибрационная система;
Оптическая система;
Измерительная система;
Калибровочная система автофокусировки;
Система позиционирования подложки;
Электронный блок управления;
Персональный компьютер пользователя;
Система генерации и обработки изображений в реальном времени.
Опция - продвинутая система экспонирования в серой шкале (grey scale exposure mode) - для создания 3D структур. До 4096 градаций (уровней)

Комплектация по заказу :

Возможность работы с различным разрешением путём простой замены пишущей головки;
Блок охлаждения для камеры микроклимата, при использовании мощных лазерных источников;
Возможность использования различных лазерных источников для работы на разных длинах волн.

Лазерные источники:

Диодный лазер — 405 нм, 50 мВт, 7000 часов, воздушное охлаждение, для тонких и стандартых резистов;
Kr-ion лазер — 413 нм, 300 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов;
UV лазер — 375 нм, 18 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов

Режимы формирования рисунка:

Режим работы I II III IV
Размер адресной сетки, нм 5 10 12,5 25
Минимальный размер элемента, мкм 0,5 0,7 0,8 1,3
Скорость письма (mm2/мин) с диодным лазером.  (405 нм) 29 110 - -
Скорость письма (mm2/мин) с Криптон-ионном лазером (413 нм) 29 110 170 340
Неровность края (3σ), нм Edge roughness [3σ, nm] 40 50 60 80
Равномерность линии (3σ), нм CD uniformity [3σ, nm 60 80 90 120
Точность совмещения (3σ), нм Overlay accuracy [3σ, nm] 160 200 225 350
Alignment measurement accuracy [3σ, nm] 60 70 90 140

Примеры:

dwl2000_application 1.jpg dwl2000_application 2.jpg dwl2000_application 3.jpeg


СКАЧАТЬ БРОШЮРУ В PDF




[~DETAIL_TEXT] => DWL 2000 и DWL 4000 - высокопроизводительные cистемы безмасковой лазерной литография Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия) для производства фотошаблонов и прямого формирования изображения
Высокопроизводительный лазерный генератор изображений Heidelberg DWL DWL 2000 и DWL 4000 предназначен для работы с фотошаблонами при больших объемах производства. Увеличена скорость письма по сравнению с DWL 66FS. Предназначена для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.

Для обеспечения высокоточного перемещения лазерного луча генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки. Во время экспонирования положение координатного столика контролируется с помощью интерферометрической системы высокого разрешения.
Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки.

Для перемещения подложки в горизонтальной плоскости применяется специальная система позиционирования.
Камера микроклимата входит в комплект поставки.

В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм, (100 мВт или больше по запросу). В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена различными лазерными системами: Kr-ion (413 нм, 300 мВт) или UV (375 нм, 18 мВт).

Генератор может быть снабжён автоматической системой загрузки пластин (из кассеты в кассету), возможна загрузка пластин диаметром 200 мм или размером 178 х 178 мм.

Технические характеристики:

Минимальный топологический размер до 0,5 мкм;
Размер поля экспонирования до 200 х 200 мм для DWL 2000;
Размер поля экспонирования до 400 х 400 мм для DWL 4000;
Дискретность адресной сетки до 5 нм;
Скорость экспонирования для области 200 х 200 мм — до 340 мм2/мин;
Скорость экспонирования для области 400 х 400 мм — до 340 мм2/мин;
Неровность края элементов до 50 нм;
Толщина подложки до 7 мм или другая по запросу (по ТЗ заказчика)
Погрешность позиционирования подложки: 10 нм;
Размеры установки DWL 2000: 1740 х 1215 х 2200 мм, вес: 1000 кг;
Размеры блока управления: 800 х 650 х 1800 мм, вес: 180 кг;
Энергопотребление: 400 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 32 A.
Класс чистоты комнаты: 1000 или лучше.

Состав установки в базовой комплектации:

Камера микроклимата;
Гранитное основание и основной блок;
Антивибрационная система;
Оптическая система;
Измерительная система;
Калибровочная система автофокусировки;
Система позиционирования подложки;
Электронный блок управления;
Персональный компьютер пользователя;
Система генерации и обработки изображений в реальном времени.
Опция - продвинутая система экспонирования в серой шкале (grey scale exposure mode) - для создания 3D структур. До 4096 градаций (уровней)

Комплектация по заказу :

Возможность работы с различным разрешением путём простой замены пишущей головки;
Блок охлаждения для камеры микроклимата, при использовании мощных лазерных источников;
Возможность использования различных лазерных источников для работы на разных длинах волн.

Лазерные источники:

Диодный лазер — 405 нм, 50 мВт, 7000 часов, воздушное охлаждение, для тонких и стандартых резистов;
Kr-ion лазер — 413 нм, 300 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов;
UV лазер — 375 нм, 18 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов

Режимы формирования рисунка:

Режим работы I II III IV
Размер адресной сетки, нм 5 10 12,5 25
Минимальный размер элемента, мкм 0,5 0,7 0,8 1,3
Скорость письма (mm2/мин) с диодным лазером.  (405 нм) 29 110 - -
Скорость письма (mm2/мин) с Криптон-ионном лазером (413 нм) 29 110 170 340
Неровность края (3σ), нм Edge roughness [3σ, nm] 40 50 60 80
Равномерность линии (3σ), нм CD uniformity [3σ, nm 60 80 90 120
Точность совмещения (3σ), нм Overlay accuracy [3σ, nm] 160 200 225 350
Alignment measurement accuracy [3σ, nm] 60 70 90 140

Примеры:

dwl2000_application 1.jpg dwl2000_application 2.jpg dwl2000_application 3.jpeg


СКАЧАТЬ БРОШЮРУ В PDF




[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА БЕЗМАСКОВОЙ ЛАЗЕРНОЙ ЛИТОГРАФИИ DWL 2000/ DWL 4000ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ РАБОТЫ С ФОТОШАБЛОНАМИ ПРИ БОЛЬШИХ ОБЪЕМАХ ПРОИЗВОДСТВА. УВЕЛИЧЕНА СКОРОСТЬ ПИСЬМА ПО СРАВНЕНИЮ С DWL 66FS. ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ЗАДАЧ ПРОИЗВОДСТВ КРУПНЫХ СЕРИЙ. ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫХ ФОТОШАБЛОНАХ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, А ТАКЖЕ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР НА ПЛАСТИНЕ, ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МЭМС, БИОМЭМС, ИНТЕГРИРОВАННОЙ ОПТИКИ И ДР. МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР 0,6 МКМ. РАЗМЕР ШАБЛОНОВ ДО 200 Х 200 ММ И ДО 400 Х 400 ММ СООТВЕТСТВЕННО, ПЛАСТИН ДО 200 ММ И ДО 400 ММ СООБВЕТСТВЕННО. РАЗМЕР АДРЕСНОЙ СЕТКИ ДО 5 НМ. СКОРОСТЬ ПИСЬМА ОТ 29 ДО 340 ММ2/МИН В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЫБОРА ПИШУЩЕЙ ЛИНЗЫ.DWL 2000 И DWL 4000 - ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНЫЕ CИСТЕМЫ БЕЗМАСКОВОЙ ЛАЗЕРНОЙ ЛИТОГРАФИЯ HEIDELBERG INSTRUMENTS MIKROTECHNIK GMBH (ГЕРМАНИЯ) ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ФОТОШАБЛОНОВ И ПРЯМОГО ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ГЕНЕРАТОР ИЗОБРАЖЕНИЙ HEIDELBERG DWL DWL 2000 И DWL 4000 ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ РАБОТЫ С ФОТОШАБЛОНАМИ ПРИ БОЛЬШИХ ОБЪЕМАХ ПРОИЗВОДСТВА. УВЕЛИЧЕНА СКОРОСТЬ ПИСЬМА ПО СРАВНЕНИЮ С DWL 66FS. ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ЗАДАЧ ПРОИЗВОДСТВ КРУПНЫХ СЕРИЙ. ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫХ ФОТОШАБЛОНАХ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, А ТАКЖЕ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР НА ПЛАСТИНЕ, ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МЭМС, БИОМЭМС, ИНТЕГРИРОВАННОЙ ОПТИКИ И ДР.ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ВЫСОКОТОЧНОГО ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЛУЧА ГЕНЕРАТОР ОБОРУДОВАН СПЕЦИАЛЬНОЙ ОПТИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ И СИСТЕМОЙ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ. ВО ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ПОЛОЖЕНИЕ КООРДИНАТНОГО СТОЛИКА КОНТРОЛИРУЕТСЯ С ПОМОЩЬЮ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ.ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ НАИЛУЧШЕЙ РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ ГЕНЕРАТОР ОБОРУДОВАН СИСТЕМОЙ АВТОФОКУСИРОВКИ.ДЛЯ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ПОДЛОЖКИ В ГОРИЗОНТАЛЬНОЙ ПЛОСКОСТИ ПРИМЕНЯЕТСЯ СПЕЦИАЛЬНАЯ СИСТЕМА ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ.КАМЕРА МИКРОКЛИМАТА ВХОДИТ В КОМПЛЕКТ ПОСТАВКИ.В БАЗОВОЙ КОМПЛЕКТАЦИИ СИСТЕМА ОСНАЩЕНА ДИОДНЫМ ЛАЗЕРОМ, РАБОТАЮЩИМ НА ДЛИНЕ ВОЛНЫ 405 НМ, (100 МВТ ИЛИ БОЛЬШЕ ПО ЗАПРОСУ). В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ТЕХНИЧЕСКИХ ТРЕБОВАНИЙ ЗАКАЗЧИКА УСТАНОВКА МОЖЕТ БЫТЬ ОСНАЩЕНА РАЗЛИЧНЫМИ ЛАЗЕРНЫМИ СИСТЕМАМИ: KR-ION (413 НМ, 300 МВТ) ИЛИ UV (375 НМ, 18 МВТ).ГЕНЕРАТОР МОЖЕТ БЫТЬ СНАБЖЁН АВТОМАТИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ ЗАГРУЗКИ ПЛАСТИН (ИЗ КАССЕТЫ В КАССЕТУ), ВОЗМОЖНА ЗАГРУЗКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ 200 ММ ИЛИ РАЗМЕРОМ 178 Х 178 ММ.ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР ДО 0,5 МКМ;РАЗМЕР ПОЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДО 200 Х 200 ММ ДЛЯ DWL 2000;РАЗМЕР ПОЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДО 400 Х 400 ММ ДЛЯ DWL 4000;ДИСКРЕТНОСТЬ АДРЕСНОЙ СЕТКИ ДО 5 НМ;СКОРОСТЬ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДЛЯ ОБЛАСТИ 200 Х 200 ММ — ДО 340 ММ2/МИН;СКОРОСТЬ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДЛЯ ОБЛАСТИ 400 Х 400 ММ — ДО 340 ММ2/МИН;НЕРОВНОСТЬ КРАЯ ЭЛЕМЕНТОВ ДО 50 НМ;ТОЛЩИНА ПОДЛОЖКИ ДО 7 ММ ИЛИ ДРУГАЯ ПО ЗАПРОСУ (ПО ТЗ ЗАКАЗЧИКА)ПОГРЕШНОСТЬ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ: 10 НМ;РАЗМЕРЫ УСТАНОВКИ DWL 2000: 1740 Х 1215 Х 2200 ММ, ВЕС: 1000 КГ;РАЗМЕРЫ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ: 800 Х 650 Х 1800 ММ, ВЕС: 180 КГ;ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ: 400 VAC ± 5 %, 50/60 HZ, 32 A.КЛАСС ЧИСТОТЫ КОМНАТЫ: 1000 ИЛИ ЛУЧШЕ.СОСТАВ УСТАНОВКИ В БАЗОВОЙ КОМПЛЕКТАЦИИ:КАМЕРА МИКРОКЛИМАТА;ГРАНИТНОЕ ОСНОВАНИЕ И ОСНОВНОЙ БЛОК;АНТИВИБРАЦИОННАЯ СИСТЕМА;ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА;ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА;КАЛИБРОВОЧНАЯ СИСТЕМА АВТОФОКУСИРОВКИ;СИСТЕМА ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ;ЭЛЕКТРОННЫЙ БЛОК УПРАВЛЕНИЯ;ПЕРСОНАЛЬНЫЙ КОМПЬЮТЕР ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ;СИСТЕМА ГЕНЕРАЦИИ И ОБРАБОТКИ ИЗОБРАЖЕНИЙ В РЕАЛЬНОМ ВРЕМЕНИ.ОПЦИЯ - ПРОДВИНУТАЯ СИСТЕМА ЭКСПОНИРОВАНИЯ В СЕРОЙ ШКАЛЕ (GREY SCALE EXPOSURE MODE) - ДЛЯ СОЗДАНИЯ 3D СТРУКТУР. ДО 4096 ГРАДАЦИЙ (УРОВНЕЙ)КОМПЛЕКТАЦИЯ ПО ЗАКАЗУ :ВОЗМОЖНОСТЬ РАБОТЫ С РАЗЛИЧНЫМ РАЗРЕШЕНИЕМ ПУТЁМ ПРОСТОЙ ЗАМЕНЫ ПИШУЩЕЙ ГОЛОВКИ;БЛОК ОХЛАЖДЕНИЯ ДЛЯ КАМЕРЫ МИКРОКЛИМАТА, ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ МОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ИСТОЧНИКОВ;ВОЗМОЖНОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ РАЗЛИЧНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДЛЯ РАБОТЫ НА РАЗНЫХ ДЛИНАХ ВОЛН.ЛАЗЕРНЫЕ ИСТОЧНИКИ:ДИОДНЫЙ ЛАЗЕР — 405 НМ, 50 МВТ, 7000 ЧАСОВ, ВОЗДУШНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ, ДЛЯ ТОНКИХ И СТАНДАРТЫХ РЕЗИСТОВ;KR-ION ЛАЗЕР — 413 НМ, 300 МВТ, 5000 ЧАСОВ, ВОДЯНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ, ДЛЯ СТАНДАРТНЫХ РЕЗИСТОВ, УФ РЕЗИСТОВ;UV ЛАЗЕР — 375 НМ, 18 МВТ, 5000 ЧАСОВ, ВОДЯНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ, ДЛЯ СТАНДАРТНЫХ РЕЗИСТОВ, УФ РЕЗИСТОВРЕЖИМЫ ФОРМИРОВАНИЯ РИСУНКА: РЕЖИМ РАБОТЫ I II III IV РАЗМЕР АДРЕСНОЙ СЕТКИ, НМ 5 10 12,5 25 МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ЭЛЕМЕНТА, МКМ 0,5 0,7 0,8 1,3 СКОРОСТЬ ПИСЬМА (MM2/МИН) С ДИОДНЫМ ЛАЗЕРОМ.&NBSP; (405 НМ) 29 110 - - СКОРОСТЬ ПИСЬМА (MM2/МИН) С КРИПТОН-ИОННОМ ЛАЗЕРОМ (413 НМ) 29 110 170 340 НЕРОВНОСТЬ КРАЯ (3Σ), НМ EDGE ROUGHNESS [3Σ, NM] 40 50 60 80 РАВНОМЕРНОСТЬ ЛИНИИ (3Σ), НМ CD UNIFORMITY [3Σ, NM 60 80 90 120 ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (3Σ), НМ OVERLAY ACCURACY [3Σ, NM] 160 200 225 350 ALIGNMENT MEASUREMENT ACCURACY [3Σ, NM] 60 70 90 140 ПРИМЕРЫ: [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/C9E/C9E0DF8D3AB99B06CC5EC4A006993C57.JPG ] &NBSP;[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/BD7/BD731490481A1A7A908E00CEAB3516ED.JPG ] &NBSP;[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/4B7/4B7108DBEA2AE663B7CA4FCA2DA93AD8.JPEG ] СКАЧАТЬ БРОШЮРУ В PDF [ /PDF/HIMT_FACTSHEETS_2014_DWLSERIES.PDF ] [~SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА БЕЗМАСКОВОЙ ЛАЗЕРНОЙ ЛИТОГРАФИИ DWL 2000/ DWL 4000ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ РАБОТЫ С ФОТОШАБЛОНАМИ ПРИ БОЛЬШИХ ОБЪЕМАХ ПРОИЗВОДСТВА. УВЕЛИЧЕНА СКОРОСТЬ ПИСЬМА ПО СРАВНЕНИЮ С DWL 66FS. ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ЗАДАЧ ПРОИЗВОДСТВ КРУПНЫХ СЕРИЙ. ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫХ ФОТОШАБЛОНАХ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, А ТАКЖЕ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР НА ПЛАСТИНЕ, ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МЭМС, БИОМЭМС, ИНТЕГРИРОВАННОЙ ОПТИКИ И ДР. МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР 0,6 МКМ. РАЗМЕР ШАБЛОНОВ ДО 200 Х 200 ММ И ДО 400 Х 400 ММ СООТВЕТСТВЕННО, ПЛАСТИН ДО 200 ММ И ДО 400 ММ СООБВЕТСТВЕННО. РАЗМЕР АДРЕСНОЙ СЕТКИ ДО 5 НМ. СКОРОСТЬ ПИСЬМА ОТ 29 ДО 340 ММ2/МИН В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЫБОРА ПИШУЩЕЙ ЛИНЗЫ.DWL 2000 И DWL 4000 - ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНЫЕ CИСТЕМЫ БЕЗМАСКОВОЙ ЛАЗЕРНОЙ ЛИТОГРАФИЯ HEIDELBERG INSTRUMENTS MIKROTECHNIK GMBH (ГЕРМАНИЯ) ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ФОТОШАБЛОНОВ И ПРЯМОГО ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ГЕНЕРАТОР ИЗОБРАЖЕНИЙ HEIDELBERG DWL DWL 2000 И DWL 4000 ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ РАБОТЫ С ФОТОШАБЛОНАМИ ПРИ БОЛЬШИХ ОБЪЕМАХ ПРОИЗВОДСТВА. УВЕЛИЧЕНА СКОРОСТЬ ПИСЬМА ПО СРАВНЕНИЮ С DWL 66FS. ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ЗАДАЧ ПРОИЗВОДСТВ КРУПНЫХ СЕРИЙ. ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫХ ФОТОШАБЛОНАХ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, А ТАКЖЕ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР НА ПЛАСТИНЕ, ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МЭМС, БИОМЭМС, ИНТЕГРИРОВАННОЙ ОПТИКИ И ДР.ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ВЫСОКОТОЧНОГО ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЛУЧА ГЕНЕРАТОР ОБОРУДОВАН СПЕЦИАЛЬНОЙ ОПТИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ И СИСТЕМОЙ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ. ВО ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ПОЛОЖЕНИЕ КООРДИНАТНОГО СТОЛИКА КОНТРОЛИРУЕТСЯ С ПОМОЩЬЮ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ.ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ НАИЛУЧШЕЙ РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ ГЕНЕРАТОР ОБОРУДОВАН СИСТЕМОЙ АВТОФОКУСИРОВКИ.ДЛЯ ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ПОДЛОЖКИ В ГОРИЗОНТАЛЬНОЙ ПЛОСКОСТИ ПРИМЕНЯЕТСЯ СПЕЦИАЛЬНАЯ СИСТЕМА ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ.КАМЕРА МИКРОКЛИМАТА ВХОДИТ В КОМПЛЕКТ ПОСТАВКИ.В БАЗОВОЙ КОМПЛЕКТАЦИИ СИСТЕМА ОСНАЩЕНА ДИОДНЫМ ЛАЗЕРОМ, РАБОТАЮЩИМ НА ДЛИНЕ ВОЛНЫ 405 НМ, (100 МВТ ИЛИ БОЛЬШЕ ПО ЗАПРОСУ). В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ТЕХНИЧЕСКИХ ТРЕБОВАНИЙ ЗАКАЗЧИКА УСТАНОВКА МОЖЕТ БЫТЬ ОСНАЩЕНА РАЗЛИЧНЫМИ ЛАЗЕРНЫМИ СИСТЕМАМИ: KR-ION (413 НМ, 300 МВТ) ИЛИ UV (375 НМ, 18 МВТ).ГЕНЕРАТОР МОЖЕТ БЫТЬ СНАБЖЁН АВТОМАТИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ ЗАГРУЗКИ ПЛАСТИН (ИЗ КАССЕТЫ В КАССЕТУ), ВОЗМОЖНА ЗАГРУЗКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ 200 ММ ИЛИ РАЗМЕРОМ 178 Х 178 ММ.ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР ДО 0,5 МКМ;РАЗМЕР ПОЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДО 200 Х 200 ММ ДЛЯ DWL 2000;РАЗМЕР ПОЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДО 400 Х 400 ММ ДЛЯ DWL 4000;ДИСКРЕТНОСТЬ АДРЕСНОЙ СЕТКИ ДО 5 НМ;СКОРОСТЬ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДЛЯ ОБЛАСТИ 200 Х 200 ММ — ДО 340 ММ2/МИН;СКОРОСТЬ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДЛЯ ОБЛАСТИ 400 Х 400 ММ — ДО 340 ММ2/МИН;НЕРОВНОСТЬ КРАЯ ЭЛЕМЕНТОВ ДО 50 НМ;ТОЛЩИНА ПОДЛОЖКИ ДО 7 ММ ИЛИ ДРУГАЯ ПО ЗАПРОСУ (ПО ТЗ ЗАКАЗЧИКА)ПОГРЕШНОСТЬ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ: 10 НМ;РАЗМЕРЫ УСТАНОВКИ DWL 2000: 1740 Х 1215 Х 2200 ММ, ВЕС: 1000 КГ;РАЗМЕРЫ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ: 800 Х 650 Х 1800 ММ, ВЕС: 180 КГ;ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ: 400 VAC ± 5 %, 50/60 HZ, 32 A.КЛАСС ЧИСТОТЫ КОМНАТЫ: 1000 ИЛИ ЛУЧШЕ.СОСТАВ УСТАНОВКИ В БАЗОВОЙ КОМПЛЕКТАЦИИ:КАМЕРА МИКРОКЛИМАТА;ГРАНИТНОЕ ОСНОВАНИЕ И ОСНОВНОЙ БЛОК;АНТИВИБРАЦИОННАЯ СИСТЕМА;ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА;ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА;КАЛИБРОВОЧНАЯ СИСТЕМА АВТОФОКУСИРОВКИ;СИСТЕМА ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ ПОДЛОЖКИ;ЭЛЕКТРОННЫЙ БЛОК УПРАВЛЕНИЯ;ПЕРСОНАЛЬНЫЙ КОМПЬЮТЕР ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ;СИСТЕМА ГЕНЕРАЦИИ И ОБРАБОТКИ ИЗОБРАЖЕНИЙ В РЕАЛЬНОМ ВРЕМЕНИ.ОПЦИЯ - ПРОДВИНУТАЯ СИСТЕМА ЭКСПОНИРОВАНИЯ В СЕРОЙ ШКАЛЕ (GREY SCALE EXPOSURE MODE) - ДЛЯ СОЗДАНИЯ 3D СТРУКТУР. ДО 4096 ГРАДАЦИЙ (УРОВНЕЙ)КОМПЛЕКТАЦИЯ ПО ЗАКАЗУ :ВОЗМОЖНОСТЬ РАБОТЫ С РАЗЛИЧНЫМ РАЗРЕШЕНИЕМ ПУТЁМ ПРОСТОЙ ЗАМЕНЫ ПИШУЩЕЙ ГОЛОВКИ;БЛОК ОХЛАЖДЕНИЯ ДЛЯ КАМЕРЫ МИКРОКЛИМАТА, ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ МОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ИСТОЧНИКОВ;ВОЗМОЖНОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ РАЗЛИЧНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДЛЯ РАБОТЫ НА РАЗНЫХ ДЛИНАХ ВОЛН.ЛАЗЕРНЫЕ ИСТОЧНИКИ:ДИОДНЫЙ ЛАЗЕР — 405 НМ, 50 МВТ, 7000 ЧАСОВ, ВОЗДУШНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ, ДЛЯ ТОНКИХ И СТАНДАРТЫХ РЕЗИСТОВ;KR-ION ЛАЗЕР — 413 НМ, 300 МВТ, 5000 ЧАСОВ, ВОДЯНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ, ДЛЯ СТАНДАРТНЫХ РЕЗИСТОВ, УФ РЕЗИСТОВ;UV ЛАЗЕР — 375 НМ, 18 МВТ, 5000 ЧАСОВ, ВОДЯНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ, ДЛЯ СТАНДАРТНЫХ РЕЗИСТОВ, УФ РЕЗИСТОВРЕЖИМЫ ФОРМИРОВАНИЯ РИСУНКА: РЕЖИМ РАБОТЫ I II III IV РАЗМЕР АДРЕСНОЙ СЕТКИ, НМ 5 10 12,5 25 МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ЭЛЕМЕНТА, МКМ 0,5 0,7 0,8 1,3 СКОРОСТЬ ПИСЬМА (MM2/МИН) С ДИОДНЫМ ЛАЗЕРОМ.&NBSP; (405 НМ) 29 110 - - СКОРОСТЬ ПИСЬМА (MM2/МИН) С КРИПТОН-ИОННОМ ЛАЗЕРОМ (413 НМ) 29 110 170 340 НЕРОВНОСТЬ КРАЯ (3Σ), НМ EDGE ROUGHNESS [3Σ, NM] 40 50 60 80 РАВНОМЕРНОСТЬ ЛИНИИ (3Σ), НМ CD UNIFORMITY [3Σ, NM 60 80 90 120 ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (3Σ), НМ OVERLAY ACCURACY [3Σ, NM] 160 200 225 350 ALIGNMENT MEASUREMENT ACCURACY [3Σ, NM] 60 70 90 140 ПРИМЕРЫ: [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/C9E/C9E0DF8D3AB99B06CC5EC4A006993C57.JPG ] &NBSP;[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/BD7/BD731490481A1A7A908E00CEAB3516ED.JPG ] &NBSP;[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/4B7/4B7108DBEA2AE663B7CA4FCA2DA93AD8.JPEG ] СКАЧАТЬ БРОШЮРУ В PDF [ /PDF/HIMT_FACTSHEETS_2014_DWLSERIES.PDF ] [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 632 [~SHOW_COUNTER] => 632 [SHOW_COUNTER_START] => 12/12/2015 09:45:27 am [~SHOW_COUNTER_START] => 12/12/2015 09:45:27 am [CODE] => ustanovka-bezmakovoj-lazernoj-litografii-dwl-2000-dwl-4000 [~CODE] => ustanovka-bezmakovoj-lazernoj-litografii-dwl-2000-dwl-4000 [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 16 [~XML_ID] => 16 [EXTERNAL_ID] => 16 [~EXTERNAL_ID] => 16 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bezmaskovaya-lazernaya-litografiya/ustanovka-bezmakovoj-lazernoj-litografii-dwl-2000-dwl-4000/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bezmaskovaya-lazernaya-litografiya/ustanovka-bezmakovoj-lazernoj-litografii-dwl-2000-dwl-4000/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.12 [~CREATED_DATE] => 2015.12.12 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 17
    [~ID] => 17
    [TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 03:01:37 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 03:01:37 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467115297
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467115297
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/12/2015 10:59:55 am
    [~DATE_CREATE] => 12/12/2015 10:59:55 am
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1449907195
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1449907195
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 11
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 11
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Установки безмасковой лазерной литографии VPG 200/ VPG 400
    [~NAME] => Установки безмасковой лазерной литографии VPG 200/ VPG 400
    [PREVIEW_PICTURE] => 27
    [~PREVIEW_PICTURE] => 27
    [PREVIEW_TEXT] => 

Предназначена для работы с фотошаблонами при больших объемах производства. Увеличена скорость письма по сравнению с DWL 66+ и DWL 200/DWL 4000.

Предназначена для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики, дисплеи.

[~PREVIEW_TEXT] =>

Предназначена для работы с фотошаблонами при больших объемах производства. Увеличена скорость письма по сравнению с DWL 66+ и DWL 200/DWL 4000.

Предназначена для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики, дисплеи.

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 28 [~DETAIL_PICTURE] => 28 [DETAIL_TEXT] => Предназначена для работы с фотошаблонами при больших объемах производства. Увеличена скорость письма по сравнению с DWL 66+ и DWL 200/DWL 4000.
Предназначена для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики, дисплеи.
Минимальный топологический размер 0,75 мкм. Размер шаблонов до 200 х 200 мм и до 400 х 400 мм соответственно. Размер адресной сетки до 12,5 нм. Скорость письма от 300 до 1000 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.

СКАЧАТЬ БРОШЮРУ VPG 200/ VPG 400 В PDF
СКАЧАТЬ БРОШЮРУ VPG 800/ VPG 1100 / VPG 1400 В PDF



[~DETAIL_TEXT] => Предназначена для работы с фотошаблонами при больших объемах производства. Увеличена скорость письма по сравнению с DWL 66+ и DWL 200/DWL 4000.
Предназначена для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики, дисплеи.
Минимальный топологический размер 0,75 мкм. Размер шаблонов до 200 х 200 мм и до 400 х 400 мм соответственно. Размер адресной сетки до 12,5 нм. Скорость письма от 300 до 1000 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.

СКАЧАТЬ БРОШЮРУ VPG 200/ VPG 400 В PDF
СКАЧАТЬ БРОШЮРУ VPG 800/ VPG 1100 / VPG 1400 В PDF



[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКИ БЕЗМАСКОВОЙ ЛАЗЕРНОЙ ЛИТОГРАФИИ VPG 200/ VPG 400ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ РАБОТЫ С ФОТОШАБЛОНАМИ ПРИ БОЛЬШИХ ОБЪЕМАХ ПРОИЗВОДСТВА. УВЕЛИЧЕНА СКОРОСТЬ ПИСЬМА ПО СРАВНЕНИЮ С DWL 66+ И DWL 200/DWL 4000. ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ЗАДАЧ ПРОИЗВОДСТВ КРУПНЫХ СЕРИЙ. ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫХ ФОТОШАБЛОНАХ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, А ТАКЖЕ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР НА ПЛАСТИНЕ, ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МЭМС, БИОМЭМС, ИНТЕГРИРОВАННОЙ ОПТИКИ, ДИСПЛЕИ.ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ РАБОТЫ С ФОТОШАБЛОНАМИ ПРИ БОЛЬШИХ ОБЪЕМАХ ПРОИЗВОДСТВА. УВЕЛИЧЕНА СКОРОСТЬ ПИСЬМА ПО СРАВНЕНИЮ С DWL 66+ И DWL 200/DWL 4000.ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ЗАДАЧ ПРОИЗВОДСТВ КРУПНЫХ СЕРИЙ. ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫХ ФОТОШАБЛОНАХ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, А ТАКЖЕ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР НА ПЛАСТИНЕ, ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МЭМС, БИОМЭМС, ИНТЕГРИРОВАННОЙ ОПТИКИ, ДИСПЛЕИ.МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР 0,75 МКМ. РАЗМЕР ШАБЛОНОВ ДО 200 Х 200 ММ И ДО 400 Х 400 ММ СООТВЕТСТВЕННО. РАЗМЕР АДРЕСНОЙ СЕТКИ ДО 12,5 НМ. СКОРОСТЬ ПИСЬМА ОТ 300 ДО 1000 ММ2/МИН В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЫБОРА ПИШУЩЕЙ ЛИНЗЫ.СКАЧАТЬ БРОШЮРУ VPG 200/ VPG 400 В PDF [ /PDF/HIMT-FACT-SHEET-VPG-SERIES-200-400.PDF ] СКАЧАТЬ БРОШЮРУ VPG 800/ VPG 1100 / VPG 1400 В PDF [ /PDF/HIMT_FACTSHEETS_2014_VPGSERIES_800-1400.PDF ] [~SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКИ БЕЗМАСКОВОЙ ЛАЗЕРНОЙ ЛИТОГРАФИИ VPG 200/ VPG 400ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ РАБОТЫ С ФОТОШАБЛОНАМИ ПРИ БОЛЬШИХ ОБЪЕМАХ ПРОИЗВОДСТВА. УВЕЛИЧЕНА СКОРОСТЬ ПИСЬМА ПО СРАВНЕНИЮ С DWL 66+ И DWL 200/DWL 4000. ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ЗАДАЧ ПРОИЗВОДСТВ КРУПНЫХ СЕРИЙ. ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫХ ФОТОШАБЛОНАХ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, А ТАКЖЕ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР НА ПЛАСТИНЕ, ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МЭМС, БИОМЭМС, ИНТЕГРИРОВАННОЙ ОПТИКИ, ДИСПЛЕИ.ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ РАБОТЫ С ФОТОШАБЛОНАМИ ПРИ БОЛЬШИХ ОБЪЕМАХ ПРОИЗВОДСТВА. УВЕЛИЧЕНА СКОРОСТЬ ПИСЬМА ПО СРАВНЕНИЮ С DWL 66+ И DWL 200/DWL 4000.ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ЗАДАЧ ПРОИЗВОДСТВ КРУПНЫХ СЕРИЙ. ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫХ ФОТОШАБЛОНАХ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, А ТАКЖЕ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР НА ПЛАСТИНЕ, ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ МЭМС, БИОМЭМС, ИНТЕГРИРОВАННОЙ ОПТИКИ, ДИСПЛЕИ.МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР 0,75 МКМ. РАЗМЕР ШАБЛОНОВ ДО 200 Х 200 ММ И ДО 400 Х 400 ММ СООТВЕТСТВЕННО. РАЗМЕР АДРЕСНОЙ СЕТКИ ДО 12,5 НМ. СКОРОСТЬ ПИСЬМА ОТ 300 ДО 1000 ММ2/МИН В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЫБОРА ПИШУЩЕЙ ЛИНЗЫ.СКАЧАТЬ БРОШЮРУ VPG 200/ VPG 400 В PDF [ /PDF/HIMT-FACT-SHEET-VPG-SERIES-200-400.PDF ] СКАЧАТЬ БРОШЮРУ VPG 800/ VPG 1100 / VPG 1400 В PDF [ /PDF/HIMT_FACTSHEETS_2014_VPGSERIES_800-1400.PDF ] [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 471 [~SHOW_COUNTER] => 471 [SHOW_COUNTER_START] => 12/12/2015 11:00:10 am [~SHOW_COUNTER_START] => 12/12/2015 11:00:10 am [CODE] => ustanovki-bezmakovoj-lazernoj-litografii-vpg-200-vpg-400 [~CODE] => ustanovki-bezmakovoj-lazernoj-litografii-vpg-200-vpg-400 [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 17 [~XML_ID] => 17 [EXTERNAL_ID] => 17 [~EXTERNAL_ID] => 17 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bezmaskovaya-lazernaya-litografiya/ustanovki-bezmakovoj-lazernoj-litografii-vpg-200-vpg-400/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bezmaskovaya-lazernaya-litografiya/ustanovki-bezmakovoj-lazernoj-litografii-vpg-200-vpg-400/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.12 [~CREATED_DATE] => 2015.12.12 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 18
    [~ID] => 18
    [TIMESTAMP_X] => 12/16/2016 03:13:35 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 12/16/2016 03:13:35 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481890415
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481890415
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/12/2015 01:26:28 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/12/2015 01:26:28 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1449915988
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1449915988
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 12
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 12
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Настольная установка безмаскового совмещения и экспонирования MLA100
    [~NAME] => Настольная установка безмаскового совмещения и экспонирования MLA100
    [PREVIEW_PICTURE] => 33
    [~PREVIEW_PICTURE] => 33
    [PREVIEW_TEXT] => 

Настольная модель безмаскового совмещения и экспонирования. Предназначена для решения задач, не требующих высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др.

Высокая производительность, малая занимаемая площадь, низкая стоимость использования.

Минимальный топологический размер 1,0 мкм.

Размер шаблонов или пластин до 6 х 6 дюймов.

Область экспонирования до 125 х 125 мм. или до Ø100 мм

Точность совмещения (50x50 мм² [3sigma, нм]) - 1000 нм.

Время экспонирования области 100х100 мм² - 200 минут.( около 3 часов)

Растровое (бинарное) экспонирование и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Basic Gray Scale Exposure Mode).

[~PREVIEW_TEXT] =>

Настольная модель безмаскового совмещения и экспонирования. Предназначена для решения задач, не требующих высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др.

Высокая производительность, малая занимаемая площадь, низкая стоимость использования.

Минимальный топологический размер 1,0 мкм.

Размер шаблонов или пластин до 6 х 6 дюймов.

Область экспонирования до 125 х 125 мм. или до Ø100 мм

Точность совмещения (50x50 мм² [3sigma, нм]) - 1000 нм.

Время экспонирования области 100х100 мм² - 200 минут.( около 3 часов)

Растровое (бинарное) экспонирование и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Basic Gray Scale Exposure Mode).

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 34 [~DETAIL_PICTURE] => 34 [DETAIL_TEXT] => MLA100 - настольная установка безмаскового совмещения и экспонирования
Разработанная с акцентом на высокую производительность по доступной цене, установка MLA100 является идеальным решением для литографии многих приложений R & D. Оптическая система предназначена для экспонирования структур размером до 1 мкм при скорости 50 мм² / мин по фоторезисту, без необходимости использования фотошаблонов. Устранение фотошаблонов в литографическом процессе повысит гибкость и значительно сократит производственный цикл. MLA100 управляется мастер-программой (GUI), которая помогает оператору в течение всего процесса совмещения и экспонирования: загрузка подложки, выбор дизайна и экспонирование. Установка занимает малую площадь и требует только подключения электропитание и сжатого воздуха. Применение установки MLA100: медицина. MEMS, микрооптика, Полупроводники, сенсоры, датчики, MOEMS, исследование материалов, нанотрубки, графены и др.

 Технические характеристики:
Минимальный топологический размер 1 мкм
Размер обрабатываемых подложек и пластин до 6 х 6 дюймов
Минимальный размер подложки 6 х 6 мм.
Размер поля экспонирования до 125 х 125 мм или до Ø100 мм;
Растровое экспонирование и 3D экспонирование (Gray Scale Exposure Mode -опция) до 128 уровней
Скорость экспонирования для области – 50 мм2/мин
Точность совмещения (50x50 мм² [3sigma, нм]) - 1000 нм.
Время экспонирования области 100х100 мм² - 200 минут.( около 3 часов)
Толщина подложки от 0,1 до 6 мм;
Габаритные размеры: 630 х 770 х 530 мм, вес 100 кг;
Стабильность поддержания температуры ±1° С;
Требуемый уровень влажности: 50% ± 10%;
Энергопотребление: 230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 6 A.
Класс чистоты комнаты: ISO 6 (1000) или лучше.

 Характеристики MLA100
Режим работы
I
Минимальный размер элемента с использованием LED источника (390 нм), мкм и UV LED источника (375 нм)
1,0
Время экспонирования области 20х20 мм2 (мин).
8
Время экспонирования области 50х50 мм2 (мин).
50
Время экспонирования области 100х100 мм2 (мин).
200
Равномерность ширины линии (3σ), нм
200
Точность совмещения (50x50 мм² [3sigma, нм])
1000
Область письма (экспонирования), мм
125 х 125 до Ø100

Примеры:

mpg 501_application 1.jpeg mpg 501_application 2.jpg mpg 501_application 3.jpeg

СКАЧАТЬ БРОШЮРУ MLA100 В PDF


Видеопрезентация установки MLA



[~DETAIL_TEXT] => MLA100 - настольная установка безмаскового совмещения и экспонирования
Разработанная с акцентом на высокую производительность по доступной цене, установка MLA100 является идеальным решением для литографии многих приложений R & D. Оптическая система предназначена для экспонирования структур размером до 1 мкм при скорости 50 мм² / мин по фоторезисту, без необходимости использования фотошаблонов. Устранение фотошаблонов в литографическом процессе повысит гибкость и значительно сократит производственный цикл. MLA100 управляется мастер-программой (GUI), которая помогает оператору в течение всего процесса совмещения и экспонирования: загрузка подложки, выбор дизайна и экспонирование. Установка занимает малую площадь и требует только подключения электропитание и сжатого воздуха. Применение установки MLA100: медицина. MEMS, микрооптика, Полупроводники, сенсоры, датчики, MOEMS, исследование материалов, нанотрубки, графены и др.

 Технические характеристики:
Минимальный топологический размер 1 мкм
Размер обрабатываемых подложек и пластин до 6 х 6 дюймов
Минимальный размер подложки 6 х 6 мм.
Размер поля экспонирования до 125 х 125 мм или до Ø100 мм;
Растровое экспонирование и 3D экспонирование (Gray Scale Exposure Mode -опция) до 128 уровней
Скорость экспонирования для области – 50 мм2/мин
Точность совмещения (50x50 мм² [3sigma, нм]) - 1000 нм.
Время экспонирования области 100х100 мм² - 200 минут.( около 3 часов)
Толщина подложки от 0,1 до 6 мм;
Габаритные размеры: 630 х 770 х 530 мм, вес 100 кг;
Стабильность поддержания температуры ±1° С;
Требуемый уровень влажности: 50% ± 10%;
Энергопотребление: 230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 6 A.
Класс чистоты комнаты: ISO 6 (1000) или лучше.

 Характеристики MLA100
Режим работы
I
Минимальный размер элемента с использованием LED источника (390 нм), мкм и UV LED источника (375 нм)
1,0
Время экспонирования области 20х20 мм2 (мин).
8
Время экспонирования области 50х50 мм2 (мин).
50
Время экспонирования области 100х100 мм2 (мин).
200
Равномерность ширины линии (3σ), нм
200
Точность совмещения (50x50 мм² [3sigma, нм])
1000
Область письма (экспонирования), мм
125 х 125 до Ø100

Примеры:

mpg 501_application 1.jpeg mpg 501_application 2.jpg mpg 501_application 3.jpeg

СКАЧАТЬ БРОШЮРУ MLA100 В PDF


Видеопрезентация установки MLA



[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => НАСТОЛЬНАЯ УСТАНОВКА БЕЗМАСКОВОГО СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ MLA100 НАСТОЛЬНАЯ МОДЕЛЬ БЕЗМАСКОВОГО СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ. ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ, НЕ ТРЕБУЮЩИХ ВЫСОКОЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ - ЛАБОРАТОРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, НИОКР, ОПЫТНОЕ ПРОИЗВОДСТВО И ДР. ВЫСОКАЯ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ, МАЛАЯ ЗАНИМАЕМАЯ ПЛОЩАДЬ, НИЗКАЯ СТОИМОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ. МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР 1,0 МКМ. РАЗМЕР ШАБЛОНОВ ИЛИ ПЛАСТИН ДО 6 Х 6 ДЮЙМОВ. ОБЛАСТЬ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДО 125 Х 125 ММ. ИЛИ ДО Ø100 ММ ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (50X50 ММ² [3SIGMA, НМ]) - 1000 НМ. ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 100Х100 ММ² - 200 МИНУТ.( ОКОЛО 3 ЧАСОВ) РАСТРОВОЕ (БИНАРНОЕ) ЭКСПОНИРОВАНИЕ И 3D ЭКСПОНИРОВАНИЕ ДЛЯ РЕЖИМА ПОЛУТОНОВОЙ ШКАЛЫ ЭКСПОНИРОВАНИЯ (BASIC GRAY SCALE EXPOSURE MODE). MLA100&NBSP;-&NBSP;НАСТОЛЬНАЯ УСТАНОВКА БЕЗМАСКОВОГО СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ РАЗРАБОТАННАЯ С АКЦЕНТОМ НА ВЫСОКУЮ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ ПО ДОСТУПНОЙ ЦЕНЕ, УСТАНОВКА MLA100 ЯВЛЯЕТСЯ ИДЕАЛЬНЫМ РЕШЕНИЕМ ДЛЯ ЛИТОГРАФИИ МНОГИХ ПРИЛОЖЕНИЙ R & D. ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ СТРУКТУР РАЗМЕРОМ ДО 1 МКМ ПРИ СКОРОСТИ 50 ММ² / МИН ПО ФОТОРЕЗИСТУ, БЕЗ НЕОБХОДИМОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ФОТОШАБЛОНОВ. УСТРАНЕНИЕ ФОТОШАБЛОНОВ В ЛИТОГРАФИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ ПОВЫСИТ ГИБКОСТЬ И ЗНАЧИТЕЛЬНО СОКРАТИТ ПРОИЗВОДСТВЕННЫЙ ЦИКЛ. MLA100 УПРАВЛЯЕТСЯ МАСТЕР-ПРОГРАММОЙ (GUI), КОТОРАЯ ПОМОГАЕТ ОПЕРАТОРУ В ТЕЧЕНИЕ ВСЕГО ПРОЦЕССА СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ: ЗАГРУЗКА ПОДЛОЖКИ, ВЫБОР ДИЗАЙНА И ЭКСПОНИРОВАНИЕ. УСТАНОВКА ЗАНИМАЕТ МАЛУЮ ПЛОЩАДЬ И ТРЕБУЕТ ТОЛЬКО ПОДКЛЮЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОПИТАНИЕ И СЖАТОГО ВОЗДУХА. ПРИМЕНЕНИЕ УСТАНОВКИ MLA100: МЕДИЦИНА. MEMS, МИКРООПТИКА, ПОЛУПРОВОДНИКИ, СЕНСОРЫ, ДАТЧИКИ, MOEMS, ИССЛЕДОВАНИЕ МАТЕРИАЛОВ, НАНОТРУБКИ, ГРАФЕНЫ И ДР. &NBSP;ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР 1 МКМ РАЗМЕР ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ПОДЛОЖЕК И ПЛАСТИН ДО 6 Х 6 ДЮЙМОВ МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ПОДЛОЖКИ 6 Х 6 ММ. РАЗМЕР ПОЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДО 125 Х 125 ММ ИЛИ ДО Ø100 ММ; РАСТРОВОЕ ЭКСПОНИРОВАНИЕ И 3D ЭКСПОНИРОВАНИЕ (GRAY SCALE EXPOSURE MODE -ОПЦИЯ) ДО 128 УРОВНЕЙ СКОРОСТЬ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДЛЯ ОБЛАСТИ – 50 ММ2/МИН ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (50X50 ММ² [3SIGMA, НМ]) - 1000 НМ. ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 100Х100 ММ² - 200 МИНУТ.( ОКОЛО 3 ЧАСОВ) ТОЛЩИНА ПОДЛОЖКИ ОТ 0,1 ДО 6 ММ; ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ: 630 Х 770 Х 530 ММ, ВЕС 100 КГ; СТАБИЛЬНОСТЬ ПОДДЕРЖАНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ±1° С; ТРЕБУЕМЫЙ УРОВЕНЬ ВЛАЖНОСТИ: 50% ± 10%; ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ: 230 VAC ± 5 %, 50/60 HZ, 6 A. КЛАСС ЧИСТОТЫ КОМНАТЫ: ISO 6 (1000) ИЛИ ЛУЧШЕ. &NBSP;ХАРАКТЕРИСТИКИ MLA100 РЕЖИМ РАБОТЫ I МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ЭЛЕМЕНТА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ&NBSP;LED&NBSP;ИСТОЧНИКА (390 НМ), МКМ И&NBSP;UV LED&NBSP;ИСТОЧНИКА (375&NBSP;НМ) 1,0 ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 20Х20 ММ2&NBSP;(МИН). 8 ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 50Х50 ММ2&NBSP;(МИН). 50 ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 100Х100 ММ2&NBSP;(МИН). 200 РАВНОМЕРНОСТЬ ШИРИНЫ ЛИНИИ (3Σ), НМ 200 ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (50X50 ММ² [3SIGMA, НМ]) 1000 ОБЛАСТЬ ПИСЬМА (ЭКСПОНИРОВАНИЯ), ММ 125 Х 125 ДО Ø100 ПРИМЕРЫ: [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/1CF/1CFF7BCE1B8DC02F858F2348661F0DFE.JPEG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/334/334AD97A31E6A5E6777994C3B4CA016A.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/A4C/A4C57C2B45A9320729D2272656061421.JPEG ] СКАЧАТЬ БРОШЮРУ MLA100 В PDF [ /PDF/HIMT_FACTSHEET_MLA100.PDF ] ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ УСТАНОВКИ MLA [~SEARCHABLE_CONTENT] => НАСТОЛЬНАЯ УСТАНОВКА БЕЗМАСКОВОГО СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ MLA100 НАСТОЛЬНАЯ МОДЕЛЬ БЕЗМАСКОВОГО СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ. ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ, НЕ ТРЕБУЮЩИХ ВЫСОКОЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ - ЛАБОРАТОРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, НИОКР, ОПЫТНОЕ ПРОИЗВОДСТВО И ДР. ВЫСОКАЯ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ, МАЛАЯ ЗАНИМАЕМАЯ ПЛОЩАДЬ, НИЗКАЯ СТОИМОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ. МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР 1,0 МКМ. РАЗМЕР ШАБЛОНОВ ИЛИ ПЛАСТИН ДО 6 Х 6 ДЮЙМОВ. ОБЛАСТЬ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДО 125 Х 125 ММ. ИЛИ ДО Ø100 ММ ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (50X50 ММ² [3SIGMA, НМ]) - 1000 НМ. ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 100Х100 ММ² - 200 МИНУТ.( ОКОЛО 3 ЧАСОВ) РАСТРОВОЕ (БИНАРНОЕ) ЭКСПОНИРОВАНИЕ И 3D ЭКСПОНИРОВАНИЕ ДЛЯ РЕЖИМА ПОЛУТОНОВОЙ ШКАЛЫ ЭКСПОНИРОВАНИЯ (BASIC GRAY SCALE EXPOSURE MODE). MLA100&NBSP;-&NBSP;НАСТОЛЬНАЯ УСТАНОВКА БЕЗМАСКОВОГО СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ РАЗРАБОТАННАЯ С АКЦЕНТОМ НА ВЫСОКУЮ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ ПО ДОСТУПНОЙ ЦЕНЕ, УСТАНОВКА MLA100 ЯВЛЯЕТСЯ ИДЕАЛЬНЫМ РЕШЕНИЕМ ДЛЯ ЛИТОГРАФИИ МНОГИХ ПРИЛОЖЕНИЙ R & D. ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ СТРУКТУР РАЗМЕРОМ ДО 1 МКМ ПРИ СКОРОСТИ 50 ММ² / МИН ПО ФОТОРЕЗИСТУ, БЕЗ НЕОБХОДИМОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ФОТОШАБЛОНОВ. УСТРАНЕНИЕ ФОТОШАБЛОНОВ В ЛИТОГРАФИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ ПОВЫСИТ ГИБКОСТЬ И ЗНАЧИТЕЛЬНО СОКРАТИТ ПРОИЗВОДСТВЕННЫЙ ЦИКЛ. MLA100 УПРАВЛЯЕТСЯ МАСТЕР-ПРОГРАММОЙ (GUI), КОТОРАЯ ПОМОГАЕТ ОПЕРАТОРУ В ТЕЧЕНИЕ ВСЕГО ПРОЦЕССА СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ: ЗАГРУЗКА ПОДЛОЖКИ, ВЫБОР ДИЗАЙНА И ЭКСПОНИРОВАНИЕ. УСТАНОВКА ЗАНИМАЕТ МАЛУЮ ПЛОЩАДЬ И ТРЕБУЕТ ТОЛЬКО ПОДКЛЮЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОПИТАНИЕ И СЖАТОГО ВОЗДУХА. ПРИМЕНЕНИЕ УСТАНОВКИ MLA100: МЕДИЦИНА. MEMS, МИКРООПТИКА, ПОЛУПРОВОДНИКИ, СЕНСОРЫ, ДАТЧИКИ, MOEMS, ИССЛЕДОВАНИЕ МАТЕРИАЛОВ, НАНОТРУБКИ, ГРАФЕНЫ И ДР. &NBSP;ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР 1 МКМ РАЗМЕР ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ПОДЛОЖЕК И ПЛАСТИН ДО 6 Х 6 ДЮЙМОВ МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ПОДЛОЖКИ 6 Х 6 ММ. РАЗМЕР ПОЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДО 125 Х 125 ММ ИЛИ ДО Ø100 ММ; РАСТРОВОЕ ЭКСПОНИРОВАНИЕ И 3D ЭКСПОНИРОВАНИЕ (GRAY SCALE EXPOSURE MODE -ОПЦИЯ) ДО 128 УРОВНЕЙ СКОРОСТЬ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДЛЯ ОБЛАСТИ – 50 ММ2/МИН ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (50X50 ММ² [3SIGMA, НМ]) - 1000 НМ. ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 100Х100 ММ² - 200 МИНУТ.( ОКОЛО 3 ЧАСОВ) ТОЛЩИНА ПОДЛОЖКИ ОТ 0,1 ДО 6 ММ; ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ: 630 Х 770 Х 530 ММ, ВЕС 100 КГ; СТАБИЛЬНОСТЬ ПОДДЕРЖАНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ±1° С; ТРЕБУЕМЫЙ УРОВЕНЬ ВЛАЖНОСТИ: 50% ± 10%; ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ: 230 VAC ± 5 %, 50/60 HZ, 6 A. КЛАСС ЧИСТОТЫ КОМНАТЫ: ISO 6 (1000) ИЛИ ЛУЧШЕ. &NBSP;ХАРАКТЕРИСТИКИ MLA100 РЕЖИМ РАБОТЫ I МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ЭЛЕМЕНТА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ&NBSP;LED&NBSP;ИСТОЧНИКА (390 НМ), МКМ И&NBSP;UV LED&NBSP;ИСТОЧНИКА (375&NBSP;НМ) 1,0 ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 20Х20 ММ2&NBSP;(МИН). 8 ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 50Х50 ММ2&NBSP;(МИН). 50 ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 100Х100 ММ2&NBSP;(МИН). 200 РАВНОМЕРНОСТЬ ШИРИНЫ ЛИНИИ (3Σ), НМ 200 ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (50X50 ММ² [3SIGMA, НМ]) 1000 ОБЛАСТЬ ПИСЬМА (ЭКСПОНИРОВАНИЯ), ММ 125 Х 125 ДО Ø100 ПРИМЕРЫ: [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/1CF/1CFF7BCE1B8DC02F858F2348661F0DFE.JPEG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/334/334AD97A31E6A5E6777994C3B4CA016A.JPG ] [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/A4C/A4C57C2B45A9320729D2272656061421.JPEG ] СКАЧАТЬ БРОШЮРУ MLA100 В PDF [ /PDF/HIMT_FACTSHEET_MLA100.PDF ] ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ УСТАНОВКИ MLA [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 688 [~SHOW_COUNTER] => 688 [SHOW_COUNTER_START] => 12/12/2015 01:26:51 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 12/12/2015 01:26:51 pm [CODE] => nastolnaya-ustanovka-bezmaskovogo-sovmeshcheniya-i-ehksponirovaniya-mla100 [~CODE] => nastolnaya-ustanovka-bezmaskovogo-sovmeshcheniya-i-ehksponirovaniya-mla100 [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 18 [~XML_ID] => 18 [EXTERNAL_ID] => 18 [~EXTERNAL_ID] => 18 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ustanovki-bezmaskovogo-sovmeshcheniya-i-ehksponirovaniya-mla/nastolnaya-ustanovka-bezmaskovogo-sovmeshcheniya-i-ehksponirovaniya-mla100/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ustanovki-bezmaskovogo-sovmeshcheniya-i-ehksponirovaniya-mla/nastolnaya-ustanovka-bezmaskovogo-sovmeshcheniya-i-ehksponirovaniya-mla100/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.12 [~CREATED_DATE] => 2015.12.12 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 19
    [~ID] => 19
    [TIMESTAMP_X] => 12/16/2016 03:17:04 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 12/16/2016 03:17:04 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481890624
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481890624
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/12/2015 01:36:49 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/12/2015 01:36:49 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1449916609
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1449916609
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 12
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 12
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Установка безмаскового совмещения и экспонирования MLA150
    [~NAME] => Установка безмаскового совмещения и экспонирования MLA150
    [PREVIEW_PICTURE] => 38
    [~PREVIEW_PICTURE] => 38
    [PREVIEW_TEXT] => 

Новое поколение систем прямого экспонирования установка MLA150 объединяет в себе легкость использования и высокую точность совмещения и высокую производительность. Предназначена для решения задач, требующих высокой производительности - исследования, НИОКР, производство и др.

Высокая производительность, низкая стоимость использования.

Минимальный топологический размер 1,0 мкм.

Размер шаблонов или пластин до 8 х 8 дюймов.

Область экспонирования до 150 х 150 мм. или до Ø150 мм

Точность совмещения (100x100 мм² [3sigma, нм]) - 500 нм.

Время экспонирования области 100х100 мм² - 9 минут.

Обратное совмещение (BSA)- опция.

Возможность установки двух источников - 405 нм и 375 нм.

[~PREVIEW_TEXT] =>

Новое поколение систем прямого экспонирования установка MLA150 объединяет в себе легкость использования и высокую точность совмещения и высокую производительность. Предназначена для решения задач, требующих высокой производительности - исследования, НИОКР, производство и др.

Высокая производительность, низкая стоимость использования.

Минимальный топологический размер 1,0 мкм.

Размер шаблонов или пластин до 8 х 8 дюймов.

Область экспонирования до 150 х 150 мм. или до Ø150 мм

Точность совмещения (100x100 мм² [3sigma, нм]) - 500 нм.

Время экспонирования области 100х100 мм² - 9 минут.

Обратное совмещение (BSA)- опция.

Возможность установки двух источников - 405 нм и 375 нм.

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 39 [~DETAIL_PICTURE] => 39 [DETAIL_TEXT] => MLA150 - установка безмаскового совмещения и экспонирования
MLA150 был специально разработан для удобства эксплуатации и включает в себя все ноу-хау в безмасковой литографии, которые компания собрала за последние 30 лет. Литограф MLA150 предлагает все возможности, необходимые для однослойных и многослойных применений.
Установку MLA150 отличает от других генераторов шаблонов не только удобство, но и экстремальная скорость экспонирования. Экспонирование области 100x100 мм² с размером структур 1 микрон займет менее 10 минут - независимо от коэффициента заполнения или количество структур в этой области. Совмещение в многослойных применениях достигается в течение 2 минут с помощью трех интегрированных камер с различным разрешением. Точность совмещения от слоя к слою лучше чем 500 нм (0,5 мкс) и не зависит от уровня оператора.

Применение установки MLA150: медицина. MEMS, микрооптика, Полупроводники, сенсоры, датчики, MOEMS, исследование материалов, нанотрубки, графены и др.

Технические характеристики:
Минимальный топологический размер 1 мкм
Размер обрабатываемых подложек и пластин до 9 х 9 дюймов
Размер поля экспонирования до 150 х 150 мм или до Ø150 мм;
Точность совмещения (100x100 мм² [3sigma, нм]) - 500 нм
Время экспонирования области 100х100 мм² - 9 минут
Время экспонирования области 150х150 мм² - 15 минут
Толщина подложки от 0,1 до 6 мм;
Опция обратного совмещения (BSA)
Автофокус в реальном времени
Установка двух лазеров 405 нм и 375 нм (по запросу)
Габаритные размеры: 1300 х 1300 х 1950 мм, вес 1000 кг;
Стабильность поддержания температуры ±1° С;
Требуемый уровень влажности: 50% ± 10%;
Энергопотребление: 230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 6 A.
Класс чистоты комнаты: ISO 6 (1000) или лучше.

Характеристики MLA150:

Источник света
405 нм
375  нм
Минимальный размер элемента с использованием модуля диодного лазера источника (405 нм), мкм и UV источника (375нм)
1,0
1,0
Время экспонирования области 50х50 мм2 (мин).
4,0
10,0
Время экспонирования области 50х50 мм2 (мин).
9,0
32,00
Время экспонирования области 100х100 мм2 (мин).
16,00
65,00
Равномерность ширины линии (3σ), нм
120,00
120,00
Точность совмещения (100x100 мм² [3sigma, нм])
500
500
Область письма (экспонирования), мм
150 х 150 до Ø150
150 х 150 до Ø150

СКАЧАТЬ БРОШЮРУ MLA150 В PDF
ПРИМЕНЕНИЕ MLA150 В PDF


Видеопрезентация установки MLA



[~DETAIL_TEXT] => MLA150 - установка безмаскового совмещения и экспонирования
MLA150 был специально разработан для удобства эксплуатации и включает в себя все ноу-хау в безмасковой литографии, которые компания собрала за последние 30 лет. Литограф MLA150 предлагает все возможности, необходимые для однослойных и многослойных применений.
Установку MLA150 отличает от других генераторов шаблонов не только удобство, но и экстремальная скорость экспонирования. Экспонирование области 100x100 мм² с размером структур 1 микрон займет менее 10 минут - независимо от коэффициента заполнения или количество структур в этой области. Совмещение в многослойных применениях достигается в течение 2 минут с помощью трех интегрированных камер с различным разрешением. Точность совмещения от слоя к слою лучше чем 500 нм (0,5 мкс) и не зависит от уровня оператора.

Применение установки MLA150: медицина. MEMS, микрооптика, Полупроводники, сенсоры, датчики, MOEMS, исследование материалов, нанотрубки, графены и др.

Технические характеристики:
Минимальный топологический размер 1 мкм
Размер обрабатываемых подложек и пластин до 9 х 9 дюймов
Размер поля экспонирования до 150 х 150 мм или до Ø150 мм;
Точность совмещения (100x100 мм² [3sigma, нм]) - 500 нм
Время экспонирования области 100х100 мм² - 9 минут
Время экспонирования области 150х150 мм² - 15 минут
Толщина подложки от 0,1 до 6 мм;
Опция обратного совмещения (BSA)
Автофокус в реальном времени
Установка двух лазеров 405 нм и 375 нм (по запросу)
Габаритные размеры: 1300 х 1300 х 1950 мм, вес 1000 кг;
Стабильность поддержания температуры ±1° С;
Требуемый уровень влажности: 50% ± 10%;
Энергопотребление: 230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 6 A.
Класс чистоты комнаты: ISO 6 (1000) или лучше.

Характеристики MLA150:

Источник света
405 нм
375  нм
Минимальный размер элемента с использованием модуля диодного лазера источника (405 нм), мкм и UV источника (375нм)
1,0
1,0
Время экспонирования области 50х50 мм2 (мин).
4,0
10,0
Время экспонирования области 50х50 мм2 (мин).
9,0
32,00
Время экспонирования области 100х100 мм2 (мин).
16,00
65,00
Равномерность ширины линии (3σ), нм
120,00
120,00
Точность совмещения (100x100 мм² [3sigma, нм])
500
500
Область письма (экспонирования), мм
150 х 150 до Ø150
150 х 150 до Ø150

СКАЧАТЬ БРОШЮРУ MLA150 В PDF
ПРИМЕНЕНИЕ MLA150 В PDF


Видеопрезентация установки MLA



[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА БЕЗМАСКОВОГО СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ MLA150 НОВОЕ ПОКОЛЕНИЕ СИСТЕМ ПРЯМОГО ЭКСПОНИРОВАНИЯ УСТАНОВКА MLA150 ОБЪЕДИНЯЕТ В СЕБЕ ЛЕГКОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ И ВЫСОКУЮ ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ И ВЫСОКУЮ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ. ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ, ТРЕБУЮЩИХ ВЫСОКОЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ - ИССЛЕДОВАНИЯ, НИОКР, ПРОИЗВОДСТВО И ДР. ВЫСОКАЯ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ, НИЗКАЯ СТОИМОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ. МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР 1,0 МКМ. РАЗМЕР ШАБЛОНОВ ИЛИ ПЛАСТИН ДО 8 Х 8 ДЮЙМОВ. ОБЛАСТЬ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДО 150 Х 150 ММ. ИЛИ ДО Ø150 ММ ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (100X100 ММ² [3SIGMA, НМ]) - 500 НМ. ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 100Х100 ММ² - 9 МИНУТ. ОБРАТНОЕ СОВМЕЩЕНИЕ (BSA)- ОПЦИЯ. ВОЗМОЖНОСТЬ УСТАНОВКИ ДВУХ ИСТОЧНИКОВ - 405 НМ И 375 НМ. MLA150 - УСТАНОВКА БЕЗМАСКОВОГО СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ MLA150 БЫЛ СПЕЦИАЛЬНО РАЗРАБОТАН ДЛЯ УДОБСТВА ЭКСПЛУАТАЦИИ И ВКЛЮЧАЕТ В СЕБЯ ВСЕ НОУ-ХАУ В БЕЗМАСКОВОЙ ЛИТОГРАФИИ, КОТОРЫЕ КОМПАНИЯ СОБРАЛА ЗА ПОСЛЕДНИЕ 30 ЛЕТ. ЛИТОГРАФ MLA150 ПРЕДЛАГАЕТ ВСЕ ВОЗМОЖНОСТИ, НЕОБХОДИМЫЕ ДЛЯ ОДНОСЛОЙНЫХ И МНОГОСЛОЙНЫХ ПРИМЕНЕНИЙ. УСТАНОВКУ MLA150 ОТЛИЧАЕТ ОТ ДРУГИХ ГЕНЕРАТОРОВ ШАБЛОНОВ НЕ ТОЛЬКО УДОБСТВО, НО И ЭКСТРЕМАЛЬНАЯ СКОРОСТЬ ЭКСПОНИРОВАНИЯ. ЭКСПОНИРОВАНИЕ ОБЛАСТИ 100X100 ММ² С РАЗМЕРОМ СТРУКТУР 1 МИКРОН ЗАЙМЕТ МЕНЕЕ 10 МИНУТ - НЕЗАВИСИМО ОТ КОЭФФИЦИЕНТА ЗАПОЛНЕНИЯ ИЛИ КОЛИЧЕСТВО СТРУКТУР В ЭТОЙ ОБЛАСТИ. СОВМЕЩЕНИЕ В МНОГОСЛОЙНЫХ ПРИМЕНЕНИЯХ ДОСТИГАЕТСЯ В ТЕЧЕНИЕ 2 МИНУТ С ПОМОЩЬЮ ТРЕХ ИНТЕГРИРОВАННЫХ КАМЕР С РАЗЛИЧНЫМ РАЗРЕШЕНИЕМ. ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ ОТ СЛОЯ К СЛОЮ ЛУЧШЕ ЧЕМ 500 НМ (0,5 МКС) И НЕ ЗАВИСИТ ОТ УРОВНЯ ОПЕРАТОРА. ПРИМЕНЕНИЕ УСТАНОВКИ MLA150: МЕДИЦИНА. MEMS, МИКРООПТИКА, ПОЛУПРОВОДНИКИ, СЕНСОРЫ, ДАТЧИКИ, MOEMS, ИССЛЕДОВАНИЕ МАТЕРИАЛОВ, НАНОТРУБКИ, ГРАФЕНЫ И ДР. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР 1 МКМ РАЗМЕР ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ПОДЛОЖЕК И ПЛАСТИН ДО 9 Х 9 ДЮЙМОВ РАЗМЕР ПОЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДО 150 Х 150 ММ ИЛИ ДО Ø150 ММ; ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (100X100 ММ² [3SIGMA, НМ]) - 500 НМ ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 100Х100 ММ² - 9 МИНУТ ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 150Х150 ММ² - 15 МИНУТ ТОЛЩИНА ПОДЛОЖКИ ОТ 0,1 ДО 6 ММ; ОПЦИЯ ОБРАТНОГО СОВМЕЩЕНИЯ (BSA) АВТОФОКУС В РЕАЛЬНОМ ВРЕМЕНИ УСТАНОВКА ДВУХ ЛАЗЕРОВ 405 НМ И 375 НМ (ПО ЗАПРОСУ) ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ: 1300 Х 1300 Х 1950 ММ, ВЕС 1000 КГ; СТАБИЛЬНОСТЬ ПОДДЕРЖАНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ±1° С; ТРЕБУЕМЫЙ УРОВЕНЬ ВЛАЖНОСТИ: 50% ± 10%; ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ: 230 VAC ± 5 %, 50/60 HZ, 6 A. КЛАСС ЧИСТОТЫ КОМНАТЫ: ISO 6 (1000) ИЛИ ЛУЧШЕ. ХАРАКТЕРИСТИКИ&NBSP;MLA150: ИСТОЧНИК СВЕТА 405 НМ 375&NBSP; НМ МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ЭЛЕМЕНТА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МОДУЛЯ ДИОДНОГО ЛАЗЕРА ИСТОЧНИКА (405 НМ), МКМ И&NBSP;UV&NBSP;ИСТОЧНИКА (375НМ) 1,0 1,0 ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 50Х50 ММ2&NBSP;(МИН). 4,0 10,0 ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 50Х50 ММ2&NBSP;(МИН). 9,0 32,00 ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 100Х100 ММ2&NBSP;(МИН). 16,00 65,00 РАВНОМЕРНОСТЬ ШИРИНЫ ЛИНИИ (3Σ), НМ 120,00 120,00 ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (100X100 ММ² [3SIGMA, НМ]) 500 500 ОБЛАСТЬ ПИСЬМА (ЭКСПОНИРОВАНИЯ), ММ 150 Х 150 ДО&NBSP;Ø150 150 Х 150 ДО&NBSP;Ø150 СКАЧАТЬ БРОШЮРУ MLA150 В PDF [ /PDF/HIMT_FACTSHEET_MLA150.PDF ] ПРИМЕНЕНИЕ MLA150 В PDF [ /PDF/MASKLESS-PHOTOLITHOGRAPHY-WITH-THE-MLA150.PDF ] ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ УСТАНОВКИ MLA [~SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА БЕЗМАСКОВОГО СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ MLA150 НОВОЕ ПОКОЛЕНИЕ СИСТЕМ ПРЯМОГО ЭКСПОНИРОВАНИЯ УСТАНОВКА MLA150 ОБЪЕДИНЯЕТ В СЕБЕ ЛЕГКОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ И ВЫСОКУЮ ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ И ВЫСОКУЮ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ. ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ, ТРЕБУЮЩИХ ВЫСОКОЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ - ИССЛЕДОВАНИЯ, НИОКР, ПРОИЗВОДСТВО И ДР. ВЫСОКАЯ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ, НИЗКАЯ СТОИМОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ. МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР 1,0 МКМ. РАЗМЕР ШАБЛОНОВ ИЛИ ПЛАСТИН ДО 8 Х 8 ДЮЙМОВ. ОБЛАСТЬ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДО 150 Х 150 ММ. ИЛИ ДО Ø150 ММ ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (100X100 ММ² [3SIGMA, НМ]) - 500 НМ. ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 100Х100 ММ² - 9 МИНУТ. ОБРАТНОЕ СОВМЕЩЕНИЕ (BSA)- ОПЦИЯ. ВОЗМОЖНОСТЬ УСТАНОВКИ ДВУХ ИСТОЧНИКОВ - 405 НМ И 375 НМ. MLA150 - УСТАНОВКА БЕЗМАСКОВОГО СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ MLA150 БЫЛ СПЕЦИАЛЬНО РАЗРАБОТАН ДЛЯ УДОБСТВА ЭКСПЛУАТАЦИИ И ВКЛЮЧАЕТ В СЕБЯ ВСЕ НОУ-ХАУ В БЕЗМАСКОВОЙ ЛИТОГРАФИИ, КОТОРЫЕ КОМПАНИЯ СОБРАЛА ЗА ПОСЛЕДНИЕ 30 ЛЕТ. ЛИТОГРАФ MLA150 ПРЕДЛАГАЕТ ВСЕ ВОЗМОЖНОСТИ, НЕОБХОДИМЫЕ ДЛЯ ОДНОСЛОЙНЫХ И МНОГОСЛОЙНЫХ ПРИМЕНЕНИЙ. УСТАНОВКУ MLA150 ОТЛИЧАЕТ ОТ ДРУГИХ ГЕНЕРАТОРОВ ШАБЛОНОВ НЕ ТОЛЬКО УДОБСТВО, НО И ЭКСТРЕМАЛЬНАЯ СКОРОСТЬ ЭКСПОНИРОВАНИЯ. ЭКСПОНИРОВАНИЕ ОБЛАСТИ 100X100 ММ² С РАЗМЕРОМ СТРУКТУР 1 МИКРОН ЗАЙМЕТ МЕНЕЕ 10 МИНУТ - НЕЗАВИСИМО ОТ КОЭФФИЦИЕНТА ЗАПОЛНЕНИЯ ИЛИ КОЛИЧЕСТВО СТРУКТУР В ЭТОЙ ОБЛАСТИ. СОВМЕЩЕНИЕ В МНОГОСЛОЙНЫХ ПРИМЕНЕНИЯХ ДОСТИГАЕТСЯ В ТЕЧЕНИЕ 2 МИНУТ С ПОМОЩЬЮ ТРЕХ ИНТЕГРИРОВАННЫХ КАМЕР С РАЗЛИЧНЫМ РАЗРЕШЕНИЕМ. ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ ОТ СЛОЯ К СЛОЮ ЛУЧШЕ ЧЕМ 500 НМ (0,5 МКС) И НЕ ЗАВИСИТ ОТ УРОВНЯ ОПЕРАТОРА. ПРИМЕНЕНИЕ УСТАНОВКИ MLA150: МЕДИЦИНА. MEMS, МИКРООПТИКА, ПОЛУПРОВОДНИКИ, СЕНСОРЫ, ДАТЧИКИ, MOEMS, ИССЛЕДОВАНИЕ МАТЕРИАЛОВ, НАНОТРУБКИ, ГРАФЕНЫ И ДР. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: МИНИМАЛЬНЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ РАЗМЕР 1 МКМ РАЗМЕР ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ПОДЛОЖЕК И ПЛАСТИН ДО 9 Х 9 ДЮЙМОВ РАЗМЕР ПОЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ДО 150 Х 150 ММ ИЛИ ДО Ø150 ММ; ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (100X100 ММ² [3SIGMA, НМ]) - 500 НМ ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 100Х100 ММ² - 9 МИНУТ ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 150Х150 ММ² - 15 МИНУТ ТОЛЩИНА ПОДЛОЖКИ ОТ 0,1 ДО 6 ММ; ОПЦИЯ ОБРАТНОГО СОВМЕЩЕНИЯ (BSA) АВТОФОКУС В РЕАЛЬНОМ ВРЕМЕНИ УСТАНОВКА ДВУХ ЛАЗЕРОВ 405 НМ И 375 НМ (ПО ЗАПРОСУ) ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ: 1300 Х 1300 Х 1950 ММ, ВЕС 1000 КГ; СТАБИЛЬНОСТЬ ПОДДЕРЖАНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ±1° С; ТРЕБУЕМЫЙ УРОВЕНЬ ВЛАЖНОСТИ: 50% ± 10%; ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ: 230 VAC ± 5 %, 50/60 HZ, 6 A. КЛАСС ЧИСТОТЫ КОМНАТЫ: ISO 6 (1000) ИЛИ ЛУЧШЕ. ХАРАКТЕРИСТИКИ&NBSP;MLA150: ИСТОЧНИК СВЕТА 405 НМ 375&NBSP; НМ МИНИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ЭЛЕМЕНТА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МОДУЛЯ ДИОДНОГО ЛАЗЕРА ИСТОЧНИКА (405 НМ), МКМ И&NBSP;UV&NBSP;ИСТОЧНИКА (375НМ) 1,0 1,0 ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 50Х50 ММ2&NBSP;(МИН). 4,0 10,0 ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 50Х50 ММ2&NBSP;(МИН). 9,0 32,00 ВРЕМЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ 100Х100 ММ2&NBSP;(МИН). 16,00 65,00 РАВНОМЕРНОСТЬ ШИРИНЫ ЛИНИИ (3Σ), НМ 120,00 120,00 ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ (100X100 ММ² [3SIGMA, НМ]) 500 500 ОБЛАСТЬ ПИСЬМА (ЭКСПОНИРОВАНИЯ), ММ 150 Х 150 ДО&NBSP;Ø150 150 Х 150 ДО&NBSP;Ø150 СКАЧАТЬ БРОШЮРУ MLA150 В PDF [ /PDF/HIMT_FACTSHEET_MLA150.PDF ] ПРИМЕНЕНИЕ MLA150 В PDF [ /PDF/MASKLESS-PHOTOLITHOGRAPHY-WITH-THE-MLA150.PDF ] ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ УСТАНОВКИ MLA [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 589 [~SHOW_COUNTER] => 589 [SHOW_COUNTER_START] => 12/12/2015 01:37:00 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 12/12/2015 01:37:00 pm [CODE] => ustanovka-bezmaskovogo-sovmeshcheniya-i-ehksponirovaniya-mla150 [~CODE] => ustanovka-bezmaskovogo-sovmeshcheniya-i-ehksponirovaniya-mla150 [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 19 [~XML_ID] => 19 [EXTERNAL_ID] => 19 [~EXTERNAL_ID] => 19 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ustanovki-bezmaskovogo-sovmeshcheniya-i-ehksponirovaniya-mla/ustanovka-bezmaskovogo-sovmeshcheniya-i-ehksponirovaniya-mla150/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/ustanovki-bezmaskovogo-sovmeshcheniya-i-ehksponirovaniya-mla/ustanovka-bezmaskovogo-sovmeshcheniya-i-ehksponirovaniya-mla150/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.12 [~CREATED_DATE] => 2015.12.12 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 494
    [~ID] => 494
    [TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 04:29:33 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 04:29:33 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467120573
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467120573
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 05/05/2016 04:43:29 pm
    [~DATE_CREATE] => 05/05/2016 04:43:29 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1462455809
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1462455809
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 13
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 13
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Системы экспонирования (засветки),Exposure System
    [~NAME] => Системы экспонирования (засветки),Exposure System
    [PREVIEW_PICTURE] => 1651
    [~PREVIEW_PICTURE] => 1651
    [PREVIEW_TEXT] => -    Размер маски: до 7″ × 7″;
-    Размер подложек: 4-6″;
-    УФ источник света: 350 Вт;
[~PREVIEW_TEXT] => - Размер маски: до 7″ × 7″; - Размер подложек: 4-6″; - УФ источник света: 350 Вт; [PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [DETAIL_PICTURE] => 1650 [~DETAIL_PICTURE] => 1650 [DETAIL_TEXT] => Размер маски: до 7″ × 7″;
Размер подложек: 4-6″;
УФ источник света: 350 Вт;
[~DETAIL_TEXT] => Размер маски: до 7″ × 7″; Размер подложек: 4-6″; УФ источник света: 350 Вт; [DETAIL_TEXT_TYPE] => text [~DETAIL_TEXT_TYPE] => text [SEARCHABLE_CONTENT] => СИСТЕМЫ ЭКСПОНИРОВАНИЯ (ЗАСВЕТКИ),EXPOSURE SYSTEM - РАЗМЕР МАСКИ: ДО 7″ × 7″; - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: 4-6″; - УФ ИСТОЧНИК СВЕТА: 350 ВТ; РАЗМЕР МАСКИ: ДО 7″ × 7″; РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: 4-6″; УФ ИСТОЧНИК СВЕТА: 350 ВТ; [~SEARCHABLE_CONTENT] => СИСТЕМЫ ЭКСПОНИРОВАНИЯ (ЗАСВЕТКИ),EXPOSURE SYSTEM - РАЗМЕР МАСКИ: ДО 7″ × 7″; - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: 4-6″; - УФ ИСТОЧНИК СВЕТА: 350 ВТ; РАЗМЕР МАСКИ: ДО 7″ × 7″; РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: 4-6″; УФ ИСТОЧНИК СВЕТА: 350 ВТ; [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 479 [~SHOW_COUNTER] => 479 [SHOW_COUNTER_START] => 05/05/2016 04:59:22 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 05/05/2016 04:59:22 pm [CODE] => ExposureSystem [~CODE] => ExposureSystem [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 494 [~XML_ID] => 494 [EXTERNAL_ID] => 494 [~EXTERNAL_ID] => 494 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/kontaktnaya-fotolitografiya/ExposureSystem/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/kontaktnaya-fotolitografiya/ExposureSystem/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2016.05.05 [~CREATED_DATE] => 2016.05.05 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 495
    [~ID] => 495
    [TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 04:30:22 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 04:30:22 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467120622
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467120622
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 05/05/2016 05:02:19 pm
    [~DATE_CREATE] => 05/05/2016 05:02:19 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1462456939
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1462456939
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 13
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 13
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Cистемы совмещения и экспонирования, P-150 c ручным управлением
    [~NAME] => Cистемы совмещения и экспонирования, P-150 c ручным управлением
    [PREVIEW_PICTURE] => 1652
    [~PREVIEW_PICTURE] => 1652
    [PREVIEW_TEXT] => -    Размер маски: до 5″ × 5″ / 7″ × 7″;
-    Размер подложек: до Ø 100 мм / Ø 150 мм;
-    УФ источник света: 350 Вт / 500 Вт / 1000 Вт;
-    Точность совмещения: 1 мкм. [~PREVIEW_TEXT] => - Размер маски: до 5″ × 5″ / 7″ × 7″; - Размер подложек: до Ø 100 мм / Ø 150 мм; - УФ источник света: 350 Вт / 500 Вт / 1000 Вт; - Точность совмещения: 1 мкм. [PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [DETAIL_PICTURE] => 1653 [~DETAIL_PICTURE] => 1653 [DETAIL_TEXT] => -    Размер маски: до 5″ × 5″ / 7″ × 7″;
-    Размер подложек: до Ø 100 мм / Ø 150 мм;
-    УФ источник света: 350 Вт / 500 Вт / 1000 Вт;
-    Точность совмещения: 1 мкм.
[~DETAIL_TEXT] => - Размер маски: до 5″ × 5″ / 7″ × 7″; - Размер подложек: до Ø 100 мм / Ø 150 мм; - УФ источник света: 350 Вт / 500 Вт / 1000 Вт; - Точность совмещения: 1 мкм. [DETAIL_TEXT_TYPE] => text [~DETAIL_TEXT_TYPE] => text [SEARCHABLE_CONTENT] => CИСТЕМЫ СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ, P-150 C РУЧНЫМ УПРАВЛЕНИЕМ - РАЗМЕР МАСКИ: ДО 5″ × 5″ / 7″ × 7″; - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: ДО Ø 100 ММ / Ø 150 ММ; - УФ ИСТОЧНИК СВЕТА: 350 ВТ / 500 ВТ / 1000 ВТ; - ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ: 1 МКМ. - РАЗМЕР МАСКИ: ДО 5″ × 5″ / 7″ × 7″; - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: ДО Ø 100 ММ / Ø 150 ММ; - УФ ИСТОЧНИК СВЕТА: 350 ВТ / 500 ВТ / 1000 ВТ; - ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ: 1 МКМ. [~SEARCHABLE_CONTENT] => CИСТЕМЫ СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ, P-150 C РУЧНЫМ УПРАВЛЕНИЕМ - РАЗМЕР МАСКИ: ДО 5″ × 5″ / 7″ × 7″; - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: ДО Ø 100 ММ / Ø 150 ММ; - УФ ИСТОЧНИК СВЕТА: 350 ВТ / 500 ВТ / 1000 ВТ; - ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ: 1 МКМ. - РАЗМЕР МАСКИ: ДО 5″ × 5″ / 7″ × 7″; - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: ДО Ø 100 ММ / Ø 150 ММ; - УФ ИСТОЧНИК СВЕТА: 350 ВТ / 500 ВТ / 1000 ВТ; - ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ: 1 МКМ. [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 565 [~SHOW_COUNTER] => 565 [SHOW_COUNTER_START] => 06/10/2016 06:00:11 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 06/10/2016 06:00:11 pm [CODE] => p-150 [~CODE] => p-150 [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 495 [~XML_ID] => 495 [EXTERNAL_ID] => 495 [~EXTERNAL_ID] => 495 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/kontaktnaya-fotolitografiya/p-150/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/kontaktnaya-fotolitografiya/p-150/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2016.05.05 [~CREATED_DATE] => 2016.05.05 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 496
    [~ID] => 496
    [TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 04:31:06 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 04:31:06 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467120666
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467120666
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 05/05/2016 05:04:57 pm
    [~DATE_CREATE] => 05/05/2016 05:04:57 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1462457097
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1462457097
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 13
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 13
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Cистема совмещения и экспонирования, S-200 полуавтоматичская
    [~NAME] => Cистема совмещения и экспонирования, S-200 полуавтоматичская
    [PREVIEW_PICTURE] => 1654
    [~PREVIEW_PICTURE] => 1654
    [PREVIEW_TEXT] => -    Размер маски: до 7″ × 7″ / 14″ × 14″;
-    Размер подложек: до Ø 6″ /
-    Ø 12 ″;
-    УФ источник света: 350-2000 Вт;
-    Точность совмещения: 1 мкм
[~PREVIEW_TEXT] => - Размер маски: до 7″ × 7″ / 14″ × 14″; - Размер подложек: до Ø 6″ / - Ø 12 ″; - УФ источник света: 350-2000 Вт; - Точность совмещения: 1 мкм [PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [DETAIL_PICTURE] => 1655 [~DETAIL_PICTURE] => 1655 [DETAIL_TEXT] => -    Размер маски: до 7″ × 7″ / 14″ × 14″;
-    Размер подложек: до Ø 6″ /
-    Ø 12 ″;
-    УФ источник света: 350-2000 Вт;
-    Точность совмещения: 1 мкм
[~DETAIL_TEXT] => - Размер маски: до 7″ × 7″ / 14″ × 14″; - Размер подложек: до Ø 6″ / - Ø 12 ″; - УФ источник света: 350-2000 Вт; - Точность совмещения: 1 мкм [DETAIL_TEXT_TYPE] => text [~DETAIL_TEXT_TYPE] => text [SEARCHABLE_CONTENT] => CИСТЕМА СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ, S-200 ПОЛУАВТОМАТИЧСКАЯ - РАЗМЕР МАСКИ: ДО 7″ × 7″ / 14″ × 14″; - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: ДО Ø 6″ / - Ø 12 ″; - УФ ИСТОЧНИК СВЕТА: 350-2000 ВТ; - ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ: 1 МКМ - РАЗМЕР МАСКИ: ДО 7″ × 7″ / 14″ × 14″; - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: ДО Ø 6″ / - Ø 12 ″; - УФ ИСТОЧНИК СВЕТА: 350-2000 ВТ; - ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ: 1 МКМ [~SEARCHABLE_CONTENT] => CИСТЕМА СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ, S-200 ПОЛУАВТОМАТИЧСКАЯ - РАЗМЕР МАСКИ: ДО 7″ × 7″ / 14″ × 14″; - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: ДО Ø 6″ / - Ø 12 ″; - УФ ИСТОЧНИК СВЕТА: 350-2000 ВТ; - ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ: 1 МКМ - РАЗМЕР МАСКИ: ДО 7″ × 7″ / 14″ × 14″; - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: ДО Ø 6″ / - Ø 12 ″; - УФ ИСТОЧНИК СВЕТА: 350-2000 ВТ; - ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ: 1 МКМ [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 508 [~SHOW_COUNTER] => 508 [SHOW_COUNTER_START] => 06/10/2016 06:00:15 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 06/10/2016 06:00:15 pm [CODE] => s-200 [~CODE] => s-200 [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 496 [~XML_ID] => 496 [EXTERNAL_ID] => 496 [~EXTERNAL_ID] => 496 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/kontaktnaya-fotolitografiya/s-200/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/kontaktnaya-fotolitografiya/s-200/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2016.05.05 [~CREATED_DATE] => 2016.05.05 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 497
    [~ID] => 497
    [TIMESTAMP_X] => 12/06/2016 03:01:53 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 12/06/2016 03:01:53 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481025713
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481025713
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 05/05/2016 05:08:01 pm
    [~DATE_CREATE] => 05/05/2016 05:08:01 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1462457281
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1462457281
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 13
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 13
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Центрифуга, SP-4
    [~NAME] => Центрифуга, SP-4
    [PREVIEW_PICTURE] => 1656
    [~PREVIEW_PICTURE] => 1656
    [PREVIEW_TEXT] => Нанесение фоторезиста, полиимидов, лаков, металло-органики, легирующих примесей, большинства органических веществ и жидкостей.
-    Размер подложек: до 4″;
-    Скорость вращения
100 - 6000 об/мин /
-    Сенсорный дисплей 5″
-    BLDC мотор.
-    20 рецептов по 10 шагов
[~PREVIEW_TEXT] => Нанесение фоторезиста, полиимидов, лаков, металло-органики, легирующих примесей, большинства органических веществ и жидкостей. - Размер подложек: до 4″; - Скорость вращения 100 - 6000 об/мин / - Сенсорный дисплей 5″ - BLDC мотор. - 20 рецептов по 10 шагов [PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [DETAIL_PICTURE] => 1657 [~DETAIL_PICTURE] => 1657 [DETAIL_TEXT] => Нанесение фоторезиста, полиимидов, лаков, металло-органики, легирующих примесей, большинства органических веществ и жидкостей.
-    Размер подложек: до 4″;
-    Скорость вращения
100 - 6000 об/мин /
-    Сенсорный дисплей 5″
-    BLDC мотор.
-    20 рецептов по 10 шагов
[~DETAIL_TEXT] => Нанесение фоторезиста, полиимидов, лаков, металло-органики, легирующих примесей, большинства органических веществ и жидкостей. - Размер подложек: до 4″; - Скорость вращения 100 - 6000 об/мин / - Сенсорный дисплей 5″ - BLDC мотор. - 20 рецептов по 10 шагов [DETAIL_TEXT_TYPE] => text [~DETAIL_TEXT_TYPE] => text [SEARCHABLE_CONTENT] => ЦЕНТРИФУГА, SP-4 НАНЕСЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА, ПОЛИИМИДОВ, ЛАКОВ, МЕТАЛЛО-ОРГАНИКИ, ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ, БОЛЬШИНСТВА ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ И ЖИДКОСТЕЙ. - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: ДО 4″; - СКОРОСТЬ ВРАЩЕНИЯ 100 - 6000 ОБ/МИН / - СЕНСОРНЫЙ ДИСПЛЕЙ 5″ - BLDC МОТОР. - 20 РЕЦЕПТОВ ПО 10 ШАГОВ НАНЕСЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА, ПОЛИИМИДОВ, ЛАКОВ, МЕТАЛЛО-ОРГАНИКИ, ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ, БОЛЬШИНСТВА ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ И ЖИДКОСТЕЙ. - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: ДО 4″; - СКОРОСТЬ ВРАЩЕНИЯ 100 - 6000 ОБ/МИН / - СЕНСОРНЫЙ ДИСПЛЕЙ 5″ - BLDC МОТОР. - 20 РЕЦЕПТОВ ПО 10 ШАГОВ [~SEARCHABLE_CONTENT] => ЦЕНТРИФУГА, SP-4 НАНЕСЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА, ПОЛИИМИДОВ, ЛАКОВ, МЕТАЛЛО-ОРГАНИКИ, ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ, БОЛЬШИНСТВА ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ И ЖИДКОСТЕЙ. - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: ДО 4″; - СКОРОСТЬ ВРАЩЕНИЯ 100 - 6000 ОБ/МИН / - СЕНСОРНЫЙ ДИСПЛЕЙ 5″ - BLDC МОТОР. - 20 РЕЦЕПТОВ ПО 10 ШАГОВ НАНЕСЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА, ПОЛИИМИДОВ, ЛАКОВ, МЕТАЛЛО-ОРГАНИКИ, ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ, БОЛЬШИНСТВА ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ И ЖИДКОСТЕЙ. - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: ДО 4″; - СКОРОСТЬ ВРАЩЕНИЯ 100 - 6000 ОБ/МИН / - СЕНСОРНЫЙ ДИСПЛЕЙ 5″ - BLDC МОТОР. - 20 РЕЦЕПТОВ ПО 10 ШАГОВ [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 565 [~SHOW_COUNTER] => 565 [SHOW_COUNTER_START] => 05/27/2016 09:02:41 am [~SHOW_COUNTER_START] => 05/27/2016 09:02:41 am [CODE] => SP-4 [~CODE] => SP-4 [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 497 [~XML_ID] => 497 [EXTERNAL_ID] => 497 [~EXTERNAL_ID] => 497 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/kontaktnaya-fotolitografiya/SP-4/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/kontaktnaya-fotolitografiya/SP-4/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2016.05.05 [~CREATED_DATE] => 2016.05.05 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 498
    [~ID] => 498
    [TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 04:31:47 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 04:31:47 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467120707
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467120707
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 05/05/2016 05:09:06 pm
    [~DATE_CREATE] => 05/05/2016 05:09:06 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1462457346
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1462457346
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 13
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 13
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Центрифуга, SP-6
    [~NAME] => Центрифуга, SP-6
    [PREVIEW_PICTURE] => 1658
    [~PREVIEW_PICTURE] => 1658
    [PREVIEW_TEXT] => Нанесение фоторезиста, полиимидов, лаков, металло-органики, легирующих примесей, большинства органических веществ и жидкостей.

-    Размер подложек : до 6″;
-    Скорость вращения
100 - 6000 об/мин;
-    Сенсорный дисплей 7″
-    BLDC мотор.
-    20 рецептов по 10 шагов [~PREVIEW_TEXT] => Нанесение фоторезиста, полиимидов, лаков, металло-органики, легирующих примесей, большинства органических веществ и жидкостей. - Размер подложек : до 6″; - Скорость вращения 100 - 6000 об/мин; - Сенсорный дисплей 7″ - BLDC мотор. - 20 рецептов по 10 шагов [PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [DETAIL_PICTURE] => 1659 [~DETAIL_PICTURE] => 1659 [DETAIL_TEXT] => Нанесение фоторезиста, полиимидов, лаков, металло-органики, легирующих примесей, большинства органических веществ и жидкостей.

-    Размер подложек : до 6″;
-    Скорость вращения
100 - 6000 об/мин;
-    Сенсорный дисплей 7″
-    BLDC мотор.
-    20 рецептов по 10 шагов
[~DETAIL_TEXT] => Нанесение фоторезиста, полиимидов, лаков, металло-органики, легирующих примесей, большинства органических веществ и жидкостей. - Размер подложек : до 6″; - Скорость вращения 100 - 6000 об/мин; - Сенсорный дисплей 7″ - BLDC мотор. - 20 рецептов по 10 шагов [DETAIL_TEXT_TYPE] => text [~DETAIL_TEXT_TYPE] => text [SEARCHABLE_CONTENT] => ЦЕНТРИФУГА, SP-6 НАНЕСЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА, ПОЛИИМИДОВ, ЛАКОВ, МЕТАЛЛО-ОРГАНИКИ, ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ, БОЛЬШИНСТВА ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ И ЖИДКОСТЕЙ. - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК : ДО 6″; - СКОРОСТЬ ВРАЩЕНИЯ 100 - 6000 ОБ/МИН; - СЕНСОРНЫЙ ДИСПЛЕЙ 7″ - BLDC МОТОР. - 20 РЕЦЕПТОВ ПО 10 ШАГОВ НАНЕСЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА, ПОЛИИМИДОВ, ЛАКОВ, МЕТАЛЛО-ОРГАНИКИ, ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ, БОЛЬШИНСТВА ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ И ЖИДКОСТЕЙ. - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК : ДО 6″; - СКОРОСТЬ ВРАЩЕНИЯ 100 - 6000 ОБ/МИН; - СЕНСОРНЫЙ ДИСПЛЕЙ 7″ - BLDC МОТОР. - 20 РЕЦЕПТОВ ПО 10 ШАГОВ [~SEARCHABLE_CONTENT] => ЦЕНТРИФУГА, SP-6 НАНЕСЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА, ПОЛИИМИДОВ, ЛАКОВ, МЕТАЛЛО-ОРГАНИКИ, ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ, БОЛЬШИНСТВА ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ И ЖИДКОСТЕЙ. - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК : ДО 6″; - СКОРОСТЬ ВРАЩЕНИЯ 100 - 6000 ОБ/МИН; - СЕНСОРНЫЙ ДИСПЛЕЙ 7″ - BLDC МОТОР. - 20 РЕЦЕПТОВ ПО 10 ШАГОВ НАНЕСЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА, ПОЛИИМИДОВ, ЛАКОВ, МЕТАЛЛО-ОРГАНИКИ, ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ, БОЛЬШИНСТВА ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ И ЖИДКОСТЕЙ. - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК : ДО 6″; - СКОРОСТЬ ВРАЩЕНИЯ 100 - 6000 ОБ/МИН; - СЕНСОРНЫЙ ДИСПЛЕЙ 7″ - BLDC МОТОР. - 20 РЕЦЕПТОВ ПО 10 ШАГОВ [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 616 [~SHOW_COUNTER] => 616 [SHOW_COUNTER_START] => 05/31/2016 09:58:25 am [~SHOW_COUNTER_START] => 05/31/2016 09:58:25 am [CODE] => SP-6 [~CODE] => SP-6 [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 498 [~XML_ID] => 498 [EXTERNAL_ID] => 498 [~EXTERNAL_ID] => 498 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/kontaktnaya-fotolitografiya/SP-6/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/kontaktnaya-fotolitografiya/SP-6/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2016.05.05 [~CREATED_DATE] => 2016.05.05 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 499
    [~ID] => 499
    [TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 04:33:08 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 04:33:08 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467120788
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467120788
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 05/05/2016 05:10:47 pm
    [~DATE_CREATE] => 05/05/2016 05:10:47 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1462457447
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1462457447
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 13
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 13
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Центрифуга, SP-12
    [~NAME] => Центрифуга, SP-12
    [PREVIEW_PICTURE] => 1660
    [~PREVIEW_PICTURE] => 1660
    [PREVIEW_TEXT] => Нанесение фоторезиста, полиимидов, лаков, металло-органики, легирующих примесей, большинства органических веществ и жидкостей.

-    Размер подложек: до 12″;
-    Скорость вращения
100 - 6000 об/мин;
-    Сенсорный дисплей 8,4″
-    AC сервомотор.
-    20 рецептов по 10 шагов
[~PREVIEW_TEXT] => Нанесение фоторезиста, полиимидов, лаков, металло-органики, легирующих примесей, большинства органических веществ и жидкостей. - Размер подложек: до 12″; - Скорость вращения 100 - 6000 об/мин; - Сенсорный дисплей 8,4″ - AC сервомотор. - 20 рецептов по 10 шагов [PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => text [DETAIL_PICTURE] => 1661 [~DETAIL_PICTURE] => 1661 [DETAIL_TEXT] => Нанесение фоторезиста, полиимидов, лаков, металло-органики, легирующих примесей, большинства органических веществ и жидкостей.

-    Размер подложек: до 12″;
-    Скорость вращения
100 - 6000 об/мин;
-    Сенсорный дисплей 8,4″
-    AC сервомотор.
-    20 рецептов по 10 шагов
[~DETAIL_TEXT] => Нанесение фоторезиста, полиимидов, лаков, металло-органики, легирующих примесей, большинства органических веществ и жидкостей. - Размер подложек: до 12″; - Скорость вращения 100 - 6000 об/мин; - Сенсорный дисплей 8,4″ - AC сервомотор. - 20 рецептов по 10 шагов [DETAIL_TEXT_TYPE] => text [~DETAIL_TEXT_TYPE] => text [SEARCHABLE_CONTENT] => ЦЕНТРИФУГА, SP-12 НАНЕСЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА, ПОЛИИМИДОВ, ЛАКОВ, МЕТАЛЛО-ОРГАНИКИ, ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ, БОЛЬШИНСТВА ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ И ЖИДКОСТЕЙ. - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: ДО 12″; - СКОРОСТЬ ВРАЩЕНИЯ 100 - 6000 ОБ/МИН; - СЕНСОРНЫЙ ДИСПЛЕЙ 8,4″ - AC СЕРВОМОТОР. - 20 РЕЦЕПТОВ ПО 10 ШАГОВ НАНЕСЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА, ПОЛИИМИДОВ, ЛАКОВ, МЕТАЛЛО-ОРГАНИКИ, ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ, БОЛЬШИНСТВА ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ И ЖИДКОСТЕЙ. - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: ДО 12″; - СКОРОСТЬ ВРАЩЕНИЯ 100 - 6000 ОБ/МИН; - СЕНСОРНЫЙ ДИСПЛЕЙ 8,4″ - AC СЕРВОМОТОР. - 20 РЕЦЕПТОВ ПО 10 ШАГОВ [~SEARCHABLE_CONTENT] => ЦЕНТРИФУГА, SP-12 НАНЕСЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА, ПОЛИИМИДОВ, ЛАКОВ, МЕТАЛЛО-ОРГАНИКИ, ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ, БОЛЬШИНСТВА ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ И ЖИДКОСТЕЙ. - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: ДО 12″; - СКОРОСТЬ ВРАЩЕНИЯ 100 - 6000 ОБ/МИН; - СЕНСОРНЫЙ ДИСПЛЕЙ 8,4″ - AC СЕРВОМОТОР. - 20 РЕЦЕПТОВ ПО 10 ШАГОВ НАНЕСЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА, ПОЛИИМИДОВ, ЛАКОВ, МЕТАЛЛО-ОРГАНИКИ, ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ, БОЛЬШИНСТВА ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ И ЖИДКОСТЕЙ. - РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК: ДО 12″; - СКОРОСТЬ ВРАЩЕНИЯ 100 - 6000 ОБ/МИН; - СЕНСОРНЫЙ ДИСПЛЕЙ 8,4″ - AC СЕРВОМОТОР. - 20 РЕЦЕПТОВ ПО 10 ШАГОВ [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 642 [~SHOW_COUNTER] => 642 [SHOW_COUNTER_START] => 06/10/2016 06:01:14 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 06/10/2016 06:01:14 pm [CODE] => SP-12 [~CODE] => SP-12 [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 499 [~XML_ID] => 499 [EXTERNAL_ID] => 499 [~EXTERNAL_ID] => 499 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/kontaktnaya-fotolitografiya/SP-12/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/kontaktnaya-fotolitografiya/SP-12/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2016.05.05 [~CREATED_DATE] => 2016.05.05 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 32
    [~ID] => 32
    [TIMESTAMP_X] => 12/16/2016 03:25:02 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 12/16/2016 03:25:02 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481891102
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481891102
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/12/2015 04:37:30 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/12/2015 04:37:30 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1449927450
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1449927450
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 15
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 15
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Установка реактивно-ионного травления Etchlab 200 (RIE)
    [~NAME] => Установка реактивно-ионного травления Etchlab 200 (RIE)
    [PREVIEW_PICTURE] => 71
    [~PREVIEW_PICTURE] => 71
    [PREVIEW_TEXT] => 

Бюджетная полностью с ручным управлением установки MDA-400LJ широко применяется для технологий изготовления MEMS, оптоэлектроники и др. В режиме контактного экспонирования система может достигнуть прецизионной точности разрешения в 1 мкм.

MDA-400LJ - это идеальный и экономичный вариант для использования в лаборатории для проведения НИОКР и для малых объемов производства. Обработка пластин до 100 мм.

[~PREVIEW_TEXT] =>

Бюджетная полностью с ручным управлением установки MDA-400LJ широко применяется для технологий изготовления MEMS, оптоэлектроники и др. В режиме контактного экспонирования система может достигнуть прецизионной точности разрешения в 1 мкм.

MDA-400LJ - это идеальный и экономичный вариант для использования в лаборатории для проведения НИОКР и для малых объемов производства. Обработка пластин до 100 мм.

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 72 [~DETAIL_PICTURE] => 72 [DETAIL_TEXT] => Бюджетная полностью с ручным управлением установки MDA-400LJ широко применяется для технологий изготовления MEMS, оптоэлектроники и др. В режиме контактного экспонирования система может достигнуть прецизионной точности разрешения в 1 мкм.

MDA-400LJ - это идеальный и экономичный вариант для использования в лаборатории для проведения НИОКР и для малых объемов производства. Обработка пластин до 100 мм.

Ручное совмещение и ручное экспонирование.

Особенности


  • рецизионная точность совмещения 1 мкм
  • Многофункциональный держатель для кусочков и пластин до 4’’ (100мм)
  • Специальные держатели подложек (кусочков по запросу)
  • Прецизионный столик для совмещения и микроскоп
  • УФ излучения для экспонирования с длиной волны 365 нм.
  • Антивибрационный стол (опция)
  • Эргономичный дизайн для удобного использования
  • Низкая стоимость/высокое качество

Характеристики


Лампы
UV-LED источник света с контролем интенсивности и мощности излучения с длиной волны 365 нм. (для i-line резистов)
Размер подложки
Кусочки, пластины до 4 дюймов, размер подложек 4х4 дюйма
Точность
1 микрон
Разрешение
1 микрон, при использовании тонкого фоторезиста на Si пластине с вакуумным контактом  (возможно 0,8 мкм)
Размер маски
До 5 х 5 дюймов
Оптическое зрение
Микроскоп двойного поля 1.4x~9x, двойной монитор
Размер однородного пучка
125 мм в диаметре
[~DETAIL_TEXT] => Бюджетная полностью с ручным управлением установки MDA-400LJ широко применяется для технологий изготовления MEMS, оптоэлектроники и др. В режиме контактного экспонирования система может достигнуть прецизионной точности разрешения в 1 мкм.

MDA-400LJ - это идеальный и экономичный вариант для использования в лаборатории для проведения НИОКР и для малых объемов производства. Обработка пластин до 100 мм.

Ручное совмещение и ручное экспонирование.

Особенности


  • рецизионная точность совмещения 1 мкм
  • Многофункциональный держатель для кусочков и пластин до 4’’ (100мм)
  • Специальные держатели подложек (кусочков по запросу)
  • Прецизионный столик для совмещения и микроскоп
  • УФ излучения для экспонирования с длиной волны 365 нм.
  • Антивибрационный стол (опция)
  • Эргономичный дизайн для удобного использования
  • Низкая стоимость/высокое качество

Характеристики


Лампы
UV-LED источник света с контролем интенсивности и мощности излучения с длиной волны 365 нм. (для i-line резистов)
Размер подложки
Кусочки, пластины до 4 дюймов, размер подложек 4х4 дюйма
Точность
1 микрон
Разрешение
1 микрон, при использовании тонкого фоторезиста на Si пластине с вакуумным контактом  (возможно 0,8 мкм)
Размер маски
До 5 х 5 дюймов
Оптическое зрение
Микроскоп двойного поля 1.4x~9x, двойной монитор
Размер однородного пучка
125 мм в диаметре
[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ ETCHLAB 200 (RIE) БЮДЖЕТНАЯ ПОЛНОСТЬЮ С РУЧНЫМ УПРАВЛЕНИЕМ УСТАНОВКИ MDA-400LJ ШИРОКО ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ТЕХНОЛОГИЙ ИЗГОТОВЛЕНИЯ MEMS, ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ И ДР. В РЕЖИМЕ КОНТАКТНОГО ЭКСПОНИРОВАНИЯ СИСТЕМА МОЖЕТ ДОСТИГНУТЬ ПРЕЦИЗИОННОЙ ТОЧНОСТИ РАЗРЕШЕНИЯ В 1 МКМ. MDA-400LJ - ЭТО ИДЕАЛЬНЫЙ И ЭКОНОМИЧНЫЙ ВАРИАНТ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЛАБОРАТОРИИ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ НИОКР И ДЛЯ МАЛЫХ ОБЪЕМОВ ПРОИЗВОДСТВА. ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДО 100 ММ. БЮДЖЕТНАЯ ПОЛНОСТЬЮ С РУЧНЫМ УПРАВЛЕНИЕМ УСТАНОВКИ MDA-400LJ ШИРОКО ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ТЕХНОЛОГИЙ ИЗГОТОВЛЕНИЯ MEMS, ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ И ДР. В РЕЖИМЕ КОНТАКТНОГО ЭКСПОНИРОВАНИЯ СИСТЕМА МОЖЕТ ДОСТИГНУТЬ ПРЕЦИЗИОННОЙ ТОЧНОСТИ РАЗРЕШЕНИЯ В 1 МКМ. MDA-400LJ - ЭТО ИДЕАЛЬНЫЙ И ЭКОНОМИЧНЫЙ ВАРИАНТ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЛАБОРАТОРИИ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ НИОКР И ДЛЯ МАЛЫХ ОБЪЕМОВ ПРОИЗВОДСТВА. ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДО 100 ММ. РУЧНОЕ СОВМЕЩЕНИЕ И РУЧНОЕ ЭКСПОНИРОВАНИЕ. ОСОБЕННОСТИ - РЕЦИЗИОННАЯ ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ 1 МКМ - МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ ДЕРЖАТЕЛЬ ДЛЯ КУСОЧКОВ И ПЛАСТИН ДО 4’’ (100ММ) - СПЕЦИАЛЬНЫЕ ДЕРЖАТЕЛИ ПОДЛОЖЕК (КУСОЧКОВ ПО ЗАПРОСУ) - ПРЕЦИЗИОННЫЙ СТОЛИК ДЛЯ СОВМЕЩЕНИЯ И МИКРОСКОП - УФ ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ С ДЛИНОЙ ВОЛНЫ 365 НМ. - АНТИВИБРАЦИОННЫЙ СТОЛ (ОПЦИЯ) - ЭРГОНОМИЧНЫЙ ДИЗАЙН ДЛЯ УДОБНОГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ - НИЗКАЯ СТОИМОСТЬ/ВЫСОКОЕ КАЧЕСТВО ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛАМПЫ UV-LED ИСТОЧНИК СВЕТА С КОНТРОЛЕМ ИНТЕНСИВНОСТИ И МОЩНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ С ДЛИНОЙ ВОЛНЫ 365 НМ. (ДЛЯ I-LINE РЕЗИСТОВ) РАЗМЕР ПОДЛОЖКИ КУСОЧКИ, ПЛАСТИНЫ ДО 4 ДЮЙМОВ, РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК 4Х4 ДЮЙМА ТОЧНОСТЬ 1 МИКРОН РАЗРЕШЕНИЕ 1 МИКРОН, ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ТОНКОГО ФОТОРЕЗИСТА НА SI ПЛАСТИНЕ С ВАКУУМНЫМ КОНТАКТОМ&NBSP; (ВОЗМОЖНО 0,8 МКМ) РАЗМЕР МАСКИ ДО 5 Х 5 ДЮЙМОВ ОПТИЧЕСКОЕ ЗРЕНИЕ МИКРОСКОП ДВОЙНОГО ПОЛЯ 1.4X~9X, ДВОЙНОЙ МОНИТОР РАЗМЕР ОДНОРОДНОГО ПУЧКА 125 ММ В ДИАМЕТРЕ [~SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ ETCHLAB 200 (RIE) БЮДЖЕТНАЯ ПОЛНОСТЬЮ С РУЧНЫМ УПРАВЛЕНИЕМ УСТАНОВКИ MDA-400LJ ШИРОКО ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ТЕХНОЛОГИЙ ИЗГОТОВЛЕНИЯ MEMS, ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ И ДР. В РЕЖИМЕ КОНТАКТНОГО ЭКСПОНИРОВАНИЯ СИСТЕМА МОЖЕТ ДОСТИГНУТЬ ПРЕЦИЗИОННОЙ ТОЧНОСТИ РАЗРЕШЕНИЯ В 1 МКМ. MDA-400LJ - ЭТО ИДЕАЛЬНЫЙ И ЭКОНОМИЧНЫЙ ВАРИАНТ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЛАБОРАТОРИИ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ НИОКР И ДЛЯ МАЛЫХ ОБЪЕМОВ ПРОИЗВОДСТВА. ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДО 100 ММ. БЮДЖЕТНАЯ ПОЛНОСТЬЮ С РУЧНЫМ УПРАВЛЕНИЕМ УСТАНОВКИ MDA-400LJ ШИРОКО ПРИМЕНЯЕТСЯ ДЛЯ ТЕХНОЛОГИЙ ИЗГОТОВЛЕНИЯ MEMS, ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ И ДР. В РЕЖИМЕ КОНТАКТНОГО ЭКСПОНИРОВАНИЯ СИСТЕМА МОЖЕТ ДОСТИГНУТЬ ПРЕЦИЗИОННОЙ ТОЧНОСТИ РАЗРЕШЕНИЯ В 1 МКМ. MDA-400LJ - ЭТО ИДЕАЛЬНЫЙ И ЭКОНОМИЧНЫЙ ВАРИАНТ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЛАБОРАТОРИИ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ НИОКР И ДЛЯ МАЛЫХ ОБЪЕМОВ ПРОИЗВОДСТВА. ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДО 100 ММ. РУЧНОЕ СОВМЕЩЕНИЕ И РУЧНОЕ ЭКСПОНИРОВАНИЕ. ОСОБЕННОСТИ - РЕЦИЗИОННАЯ ТОЧНОСТЬ СОВМЕЩЕНИЯ 1 МКМ - МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ ДЕРЖАТЕЛЬ ДЛЯ КУСОЧКОВ И ПЛАСТИН ДО 4’’ (100ММ) - СПЕЦИАЛЬНЫЕ ДЕРЖАТЕЛИ ПОДЛОЖЕК (КУСОЧКОВ ПО ЗАПРОСУ) - ПРЕЦИЗИОННЫЙ СТОЛИК ДЛЯ СОВМЕЩЕНИЯ И МИКРОСКОП - УФ ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ С ДЛИНОЙ ВОЛНЫ 365 НМ. - АНТИВИБРАЦИОННЫЙ СТОЛ (ОПЦИЯ) - ЭРГОНОМИЧНЫЙ ДИЗАЙН ДЛЯ УДОБНОГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ - НИЗКАЯ СТОИМОСТЬ/ВЫСОКОЕ КАЧЕСТВО ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛАМПЫ UV-LED ИСТОЧНИК СВЕТА С КОНТРОЛЕМ ИНТЕНСИВНОСТИ И МОЩНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ С ДЛИНОЙ ВОЛНЫ 365 НМ. (ДЛЯ I-LINE РЕЗИСТОВ) РАЗМЕР ПОДЛОЖКИ КУСОЧКИ, ПЛАСТИНЫ ДО 4 ДЮЙМОВ, РАЗМЕР ПОДЛОЖЕК 4Х4 ДЮЙМА ТОЧНОСТЬ 1 МИКРОН РАЗРЕШЕНИЕ 1 МИКРОН, ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ТОНКОГО ФОТОРЕЗИСТА НА SI ПЛАСТИНЕ С ВАКУУМНЫМ КОНТАКТОМ&NBSP; (ВОЗМОЖНО 0,8 МКМ) РАЗМЕР МАСКИ ДО 5 Х 5 ДЮЙМОВ ОПТИЧЕСКОЕ ЗРЕНИЕ МИКРОСКОП ДВОЙНОГО ПОЛЯ 1.4X~9X, ДВОЙНОЙ МОНИТОР РАЗМЕР ОДНОРОДНОГО ПУЧКА 125 ММ В ДИАМЕТРЕ [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 579 [~SHOW_COUNTER] => 579 [SHOW_COUNTER_START] => 12/12/2015 04:37:37 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 12/12/2015 04:37:37 pm [CODE] => ustanovka-reaktivno-ionnogo-travleniya-etchlab-200-rie [~CODE] => ustanovka-reaktivno-ionnogo-travleniya-etchlab-200-rie [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 32 [~XML_ID] => 32 [EXTERNAL_ID] => 32 [~EXTERNAL_ID] => 32 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennoe-travlenie/ustanovka-reaktivno-ionnogo-travleniya-etchlab-200-rie/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennoe-travlenie/ustanovka-reaktivno-ionnogo-travleniya-etchlab-200-rie/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.12 [~CREATED_DATE] => 2015.12.12 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 158
    [~ID] => 158
    [TIMESTAMP_X] => 12/16/2016 01:55:10 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 12/16/2016 01:55:10 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481885710
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481885710
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/15/2015 01:05:34 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/15/2015 01:05:34 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1450173934
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1450173934
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 15
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 15
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Установка реактивно-ионного травления ETCHLAB 200-300
    [~NAME] => Установка реактивно-ионного травления ETCHLAB 200-300
    [PREVIEW_PICTURE] => 540
    [~PREVIEW_PICTURE] => 540
    [PREVIEW_TEXT] => 

Установка реактивно-ионного травления (RIE) без вакуумного шлюза

Обработка пластин диаметром до 300 мм.

До 8 газовых линий

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия

[~PREVIEW_TEXT] =>

Установка реактивно-ионного травления (RIE) без вакуумного шлюза

Обработка пластин диаметром до 300 мм.

До 8 газовых линий

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 541 [~DETAIL_PICTURE] => 541 [DETAIL_TEXT] =>

Установка реактивно-ионного травления (RIE) без вакуумного шлюза


  • Обработка пластин диаметром до 300 мм.
  • До 8 газовых линий
  • Программное обеспечение SENTECH Software
  • OES и лазерная эллипсометрия
[~DETAIL_TEXT] =>

Установка реактивно-ионного травления (RIE) без вакуумного шлюза


  • Обработка пластин диаметром до 300 мм.
  • До 8 газовых линий
  • Программное обеспечение SENTECH Software
  • OES и лазерная эллипсометрия
[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ ETCHLAB 200-300 УСТАНОВКА РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ (RIE) БЕЗ ВАКУУМНОГО ШЛЮЗА ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 300 ММ. ДО 8 ГАЗОВЫХ ЛИНИЙ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ SENTECH SOFTWARE OES И ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ УСТАНОВКА РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ (RIE) БЕЗ ВАКУУМНОГО ШЛЮЗА - ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 300 ММ. - ДО 8 ГАЗОВЫХ ЛИНИЙ - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ SENTECH SOFTWARE - OES И ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ [~SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ ETCHLAB 200-300 УСТАНОВКА РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ (RIE) БЕЗ ВАКУУМНОГО ШЛЮЗА ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 300 ММ. ДО 8 ГАЗОВЫХ ЛИНИЙ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ SENTECH SOFTWARE OES И ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ УСТАНОВКА РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ (RIE) БЕЗ ВАКУУМНОГО ШЛЮЗА - ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 300 ММ. - ДО 8 ГАЗОВЫХ ЛИНИЙ - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ SENTECH SOFTWARE - OES И ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 497 [~SHOW_COUNTER] => 497 [SHOW_COUNTER_START] => 12/18/2015 10:52:26 am [~SHOW_COUNTER_START] => 12/18/2015 10:52:26 am [CODE] => ustanovka-reaktivno-ionnogo-travleniya-etchlab-200-300 [~CODE] => ustanovka-reaktivno-ionnogo-travleniya-etchlab-200-300 [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 158 [~XML_ID] => 158 [EXTERNAL_ID] => 158 [~EXTERNAL_ID] => 158 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennoe-travlenie/ustanovka-reaktivno-ionnogo-travleniya-etchlab-200-300/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennoe-travlenie/ustanovka-reaktivno-ionnogo-travleniya-etchlab-200-300/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.15 [~CREATED_DATE] => 2015.12.15 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 177
    [~ID] => 177
    [TIMESTAMP_X] => 06/29/2016 10:20:13 am
    [~TIMESTAMP_X] => 06/29/2016 10:20:13 am
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467184813
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467184813
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/15/2015 05:39:44 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/15/2015 05:39:44 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1450190384
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1450190384
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 15
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 15
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Установка реактивно-ионного травления SI 591 (Compact)
    [~NAME] => Установка реактивно-ионного травления SI 591 (Compact)
    [PREVIEW_PICTURE] => 619
    [~PREVIEW_PICTURE] => 619
    [PREVIEW_TEXT] => 

Обработка пластин диаметром до 200 мм.

До 16 газовых линий

Хлорная и фторная химия

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия

[~PREVIEW_TEXT] =>

Обработка пластин диаметром до 200 мм.

До 16 газовых линий

Хлорная и фторная химия

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 620 [~DETAIL_PICTURE] => 620 [DETAIL_TEXT] =>

Установка реактивно-ионного травления (RIE) с вакуумным шлюзом

  • Высокая однородность и прекрасная воспроизводимость процессов травления
  • Вакуумный загрузочный шлюз
  • Управление всеми процессами через компьютер
  • Программное обеспечение SENTECH Software
  • Установка через стену для чистых помещений
  • Определение окончания процесса (end-point detection)
  • Система травления SI 591 Compact производства SENTECH Instruments GmbH предназначена для использования в НИОКР для реализации процессов сухого плазменного травления. 
  • Cистема SI 591Compact успешно применяться для широкого спектра процессов, таких как травление III/V структур,диэлектриков (SiO2, Si3N4)кремния Si,  металлов (фторная/хлорная химия).
  • Система позволяет обрабатывать как пластины диаметром до 200 мм, так и кусочки.
  • Мощная двухступенчатая вакуумная система позволяет быстро откачивать камеру реактора и получать достаточно глубокий вакуум для проведения процессов травления.

Конфигурация системы:

  • ВЧ генератор 13,56 МГц, 600 Вт.
  • Душевая система распыления реакционных газов
  • Вакуумный загрузочный шлюз с подающей лопаткой
  • Изолированный, охлаждаемый электрод (-25ºC до 80ºC) для подложек диаметром 4-8 дюймов. Держатели для более маленьких образцов.
  • Контроль через компьютер (Windows XP)
  • Программное обеспечение SENTECH

Опции:


Добавочные газовые линии для коррозионных и не коррозионных газов
Термостат охладитель (5°С...40°С)
Кассетная станция (cassette to cassette)
Установка через стену (Through-the-wall installation)
Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)
Оптическая эмиссионная спектрометрия (NanoMES)
In-situ лазерная и спектроскопическая эллипсометрия (SE401, SE801)

[~DETAIL_TEXT] =>

Установка реактивно-ионного травления (RIE) с вакуумным шлюзом

  • Высокая однородность и прекрасная воспроизводимость процессов травления
  • Вакуумный загрузочный шлюз
  • Управление всеми процессами через компьютер
  • Программное обеспечение SENTECH Software
  • Установка через стену для чистых помещений
  • Определение окончания процесса (end-point detection)
  • Система травления SI 591 Compact производства SENTECH Instruments GmbH предназначена для использования в НИОКР для реализации процессов сухого плазменного травления. 
  • Cистема SI 591Compact успешно применяться для широкого спектра процессов, таких как травление III/V структур,диэлектриков (SiO2, Si3N4)кремния Si,  металлов (фторная/хлорная химия).
  • Система позволяет обрабатывать как пластины диаметром до 200 мм, так и кусочки.
  • Мощная двухступенчатая вакуумная система позволяет быстро откачивать камеру реактора и получать достаточно глубокий вакуум для проведения процессов травления.

Конфигурация системы:

  • ВЧ генератор 13,56 МГц, 600 Вт.
  • Душевая система распыления реакционных газов
  • Вакуумный загрузочный шлюз с подающей лопаткой
  • Изолированный, охлаждаемый электрод (-25ºC до 80ºC) для подложек диаметром 4-8 дюймов. Держатели для более маленьких образцов.
  • Контроль через компьютер (Windows XP)
  • Программное обеспечение SENTECH

Опции:


Добавочные газовые линии для коррозионных и не коррозионных газов
Термостат охладитель (5°С...40°С)
Кассетная станция (cassette to cassette)
Установка через стену (Through-the-wall installation)
Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)
Оптическая эмиссионная спектрометрия (NanoMES)
In-situ лазерная и спектроскопическая эллипсометрия (SE401, SE801)

[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ SI 591 (COMPACT) ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ. ДО 16 ГАЗОВЫХ ЛИНИЙ ХЛОРНАЯ И ФТОРНАЯ ХИМИЯ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ SENTECH SOFTWARE OES И ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ И ЛАЗЕРНАЯ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЯ УСТАНОВКА&NBSP;РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;(RIE)&NBSP;С ВАКУУМНЫМ ШЛЮЗОМ - ВЫСОКАЯ ОДНОРОДНОСТЬ И ПРЕКРАСНАЯ ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ ПРОЦЕССОВ ТРАВЛЕНИЯ - ВАКУУМНЫЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ - УПРАВЛЕНИЕ ВСЕМИ ПРОЦЕССАМИ ЧЕРЕЗ КОМПЬЮТЕР - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH SOFTWARE - УСТАНОВКА ЧЕРЕЗ СТЕНУ ДЛЯ ЧИСТЫХ ПОМЕЩЕНИЙ - ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА (END-POINT DETECTION) - СИСТЕМА ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;SI&NBSP;591&NBSP;COMPACT&NBSP;ПРОИЗВОДСТВА&NBSP;SENTECH INSTRUMENTS GMBH ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В НИОКР ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ ПРОЦЕССОВ СУХОГО ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ.&NBSP; - CИСТЕМА&NBSP;SI&NBSP;591COMPACT&NBSP;УСПЕШНО ПРИМЕНЯТЬСЯ ДЛЯ ШИРОКОГО СПЕКТРА ПРОЦЕССОВ, ТАКИХ КАК ТРАВЛЕНИЕ&NBSP;III/V&NBSP;СТРУКТУР,ДИЭЛЕКТРИКОВ (SIO2,&NBSP;SI3N4),&NBSP;КРЕМНИЯ&NBSP;SI,&NBSP;&NBSP;МЕТАЛЛОВ (ФТОРНАЯ/ХЛОРНАЯ ХИМИЯ). - СИСТЕМА ПОЗВОЛЯЕТ ОБРАБАТЫВАТЬ КАК ПЛАСТИНЫ ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ, ТАК И КУСОЧКИ. - МОЩНАЯ ДВУХСТУПЕНЧАТАЯ ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА ПОЗВОЛЯЕТ БЫСТРО ОТКАЧИВАТЬ КАМЕРУ РЕАКТОРА И ПОЛУЧАТЬ ДОСТАТОЧНО ГЛУБОКИЙ ВАКУУМ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ТРАВЛЕНИЯ. КОНФИГУРАЦИЯ СИСТЕМЫ: - ВЧ ГЕНЕРАТОР 13,56 МГЦ, 600 ВТ. - ДУШЕВАЯ СИСТЕМА РАСПЫЛЕНИЯ РЕАКЦИОННЫХ ГАЗОВ - ВАКУУМНЫЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ С ПОДАЮЩЕЙ ЛОПАТКОЙ - ИЗОЛИРОВАННЫЙ, ОХЛАЖДАЕМЫЙ ЭЛЕКТРОД (-25ºC&NBSP;ДО 80ºC) ДЛЯ ПОДЛОЖЕК ДИАМЕТРОМ 4-8 ДЮЙМОВ. ДЕРЖАТЕЛИ ДЛЯ БОЛЕЕ МАЛЕНЬКИХ ОБРАЗЦОВ. - КОНТРОЛЬ ЧЕРЕЗ КОМПЬЮТЕР&NBSP;(WINDOWS XP) - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH ОПЦИИ: ДОБАВОЧНЫЕ ГАЗОВЫЕ ЛИНИИ ДЛЯ КОРРОЗИОННЫХ И НЕ КОРРОЗИОННЫХ ГАЗОВ ТЕРМОСТАТ ОХЛАДИТЕЛЬ (5°С...40°С) КАССЕТНАЯ СТАНЦИЯ (CASSETTE TO CASSETTE) УСТАНОВКА ЧЕРЕЗ СТЕНУ (THROUGH-THE-WALL INSTALLATION) ИНТЕРФЕРОМЕТР (ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ТРАВЛЕНИЯ,&NBSP;ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА -&NBSP;ENDPOINT DETECTION) ОПТИЧЕСКАЯ ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОМЕТРИЯ&NBSP;(NANOMES) IN-SITU&NBSP;ЛАЗЕРНАЯ И СПЕКТРОСКОПИЧЕСКАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ&NBSP;(SE401, SE801) [~SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ SI 591 (COMPACT) ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ. ДО 16 ГАЗОВЫХ ЛИНИЙ ХЛОРНАЯ И ФТОРНАЯ ХИМИЯ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ SENTECH SOFTWARE OES И ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ И ЛАЗЕРНАЯ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЯ УСТАНОВКА&NBSP;РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;(RIE)&NBSP;С ВАКУУМНЫМ ШЛЮЗОМ - ВЫСОКАЯ ОДНОРОДНОСТЬ И ПРЕКРАСНАЯ ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ ПРОЦЕССОВ ТРАВЛЕНИЯ - ВАКУУМНЫЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ - УПРАВЛЕНИЕ ВСЕМИ ПРОЦЕССАМИ ЧЕРЕЗ КОМПЬЮТЕР - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH SOFTWARE - УСТАНОВКА ЧЕРЕЗ СТЕНУ ДЛЯ ЧИСТЫХ ПОМЕЩЕНИЙ - ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА (END-POINT DETECTION) - СИСТЕМА ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;SI&NBSP;591&NBSP;COMPACT&NBSP;ПРОИЗВОДСТВА&NBSP;SENTECH INSTRUMENTS GMBH ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В НИОКР ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ ПРОЦЕССОВ СУХОГО ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ.&NBSP; - CИСТЕМА&NBSP;SI&NBSP;591COMPACT&NBSP;УСПЕШНО ПРИМЕНЯТЬСЯ ДЛЯ ШИРОКОГО СПЕКТРА ПРОЦЕССОВ, ТАКИХ КАК ТРАВЛЕНИЕ&NBSP;III/V&NBSP;СТРУКТУР,ДИЭЛЕКТРИКОВ (SIO2,&NBSP;SI3N4),&NBSP;КРЕМНИЯ&NBSP;SI,&NBSP;&NBSP;МЕТАЛЛОВ (ФТОРНАЯ/ХЛОРНАЯ ХИМИЯ). - СИСТЕМА ПОЗВОЛЯЕТ ОБРАБАТЫВАТЬ КАК ПЛАСТИНЫ ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ, ТАК И КУСОЧКИ. - МОЩНАЯ ДВУХСТУПЕНЧАТАЯ ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА ПОЗВОЛЯЕТ БЫСТРО ОТКАЧИВАТЬ КАМЕРУ РЕАКТОРА И ПОЛУЧАТЬ ДОСТАТОЧНО ГЛУБОКИЙ ВАКУУМ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ТРАВЛЕНИЯ. КОНФИГУРАЦИЯ СИСТЕМЫ: - ВЧ ГЕНЕРАТОР 13,56 МГЦ, 600 ВТ. - ДУШЕВАЯ СИСТЕМА РАСПЫЛЕНИЯ РЕАКЦИОННЫХ ГАЗОВ - ВАКУУМНЫЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ С ПОДАЮЩЕЙ ЛОПАТКОЙ - ИЗОЛИРОВАННЫЙ, ОХЛАЖДАЕМЫЙ ЭЛЕКТРОД (-25ºC&NBSP;ДО 80ºC) ДЛЯ ПОДЛОЖЕК ДИАМЕТРОМ 4-8 ДЮЙМОВ. ДЕРЖАТЕЛИ ДЛЯ БОЛЕЕ МАЛЕНЬКИХ ОБРАЗЦОВ. - КОНТРОЛЬ ЧЕРЕЗ КОМПЬЮТЕР&NBSP;(WINDOWS XP) - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH ОПЦИИ: ДОБАВОЧНЫЕ ГАЗОВЫЕ ЛИНИИ ДЛЯ КОРРОЗИОННЫХ И НЕ КОРРОЗИОННЫХ ГАЗОВ ТЕРМОСТАТ ОХЛАДИТЕЛЬ (5°С...40°С) КАССЕТНАЯ СТАНЦИЯ (CASSETTE TO CASSETTE) УСТАНОВКА ЧЕРЕЗ СТЕНУ (THROUGH-THE-WALL INSTALLATION) ИНТЕРФЕРОМЕТР (ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ТРАВЛЕНИЯ,&NBSP;ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА -&NBSP;ENDPOINT DETECTION) ОПТИЧЕСКАЯ ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОМЕТРИЯ&NBSP;(NANOMES) IN-SITU&NBSP;ЛАЗЕРНАЯ И СПЕКТРОСКОПИЧЕСКАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ&NBSP;(SE401, SE801) [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 583 [~SHOW_COUNTER] => 583 [SHOW_COUNTER_START] => 12/17/2015 09:14:16 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 12/17/2015 09:14:16 pm [CODE] => ustanovka-reaktivno-ionnogo-travleniya-si-591-compact [~CODE] => ustanovka-reaktivno-ionnogo-travleniya-si-591-compact [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 177 [~XML_ID] => 177 [EXTERNAL_ID] => 177 [~EXTERNAL_ID] => 177 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennoe-travlenie/ustanovka-reaktivno-ionnogo-travleniya-si-591-compact/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennoe-travlenie/ustanovka-reaktivno-ionnogo-travleniya-si-591-compact/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.15 [~CREATED_DATE] => 2015.12.15 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 178
    [~ID] => 178
    [TIMESTAMP_X] => 06/29/2016 10:20:59 am
    [~TIMESTAMP_X] => 06/29/2016 10:20:59 am
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467184859
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467184859
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/15/2015 05:51:11 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/15/2015 05:51:11 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1450191071
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1450191071
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 15
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 15
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Установка реактивно-ионного травления SI 500 RIE
    [~NAME] => Установка реактивно-ионного травления SI 500 RIE
    [PREVIEW_PICTURE] => 624
    [~PREVIEW_PICTURE] => 624
    [PREVIEW_TEXT] => 

Установка реактивно-ионного травления (RIE) с гелиевым охлаждение обратной стороны подложки

Обработка пластин диаметром до 200 мм.

До 16 газовых линий

Хлорная и фторная химия

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия

[~PREVIEW_TEXT] =>

Установка реактивно-ионного травления (RIE) с гелиевым охлаждение обратной стороны подложки

Обработка пластин диаметром до 200 мм.

До 16 газовых линий

Хлорная и фторная химия

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 625 [~DETAIL_PICTURE] => 625 [DETAIL_TEXT] =>

Установка реактивно-ионного травления (RIE) с гелиевым охлаждение обратной стороны подложки

  • Обработка пластин диаметром до 200 мм.
  • До 16 газовых линий
  • Хлорная и фторная химия
  • Программное обеспечение SENTECH Software
  • OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия
[~DETAIL_TEXT] =>

Установка реактивно-ионного травления (RIE) с гелиевым охлаждение обратной стороны подложки

  • Обработка пластин диаметром до 200 мм.
  • До 16 газовых линий
  • Хлорная и фторная химия
  • Программное обеспечение SENTECH Software
  • OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия
[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ SI 500 RIE УСТАНОВКА РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ (RIE) С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕ ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ ПОДЛОЖКИ ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ. ДО 16 ГАЗОВЫХ ЛИНИЙ ХЛОРНАЯ И ФТОРНАЯ ХИМИЯ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ SENTECH SOFTWARE OES И ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ И ЛАЗЕРНАЯ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЯ УСТАНОВКА РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;(RIE)&NBSP;С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕ ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ ПОДЛОЖКИ - ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ. - ДО&NBSP;16&NBSP;ГАЗОВЫХ ЛИНИЙ - ХЛОРНАЯ И ФТОРНАЯ ХИМИЯ - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH SOFTWARE - OES&NBSP;И ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ И ЛАЗЕРНАЯ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЯ [~SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ SI 500 RIE УСТАНОВКА РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ (RIE) С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕ ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ ПОДЛОЖКИ ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ. ДО 16 ГАЗОВЫХ ЛИНИЙ ХЛОРНАЯ И ФТОРНАЯ ХИМИЯ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ SENTECH SOFTWARE OES И ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ И ЛАЗЕРНАЯ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЯ УСТАНОВКА РЕАКТИВНО-ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;(RIE)&NBSP;С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕ ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ ПОДЛОЖКИ - ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ. - ДО&NBSP;16&NBSP;ГАЗОВЫХ ЛИНИЙ - ХЛОРНАЯ И ФТОРНАЯ ХИМИЯ - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH SOFTWARE - OES&NBSP;И ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ И ЛАЗЕРНАЯ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЯ [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 609 [~SHOW_COUNTER] => 609 [SHOW_COUNTER_START] => 12/17/2015 09:13:06 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 12/17/2015 09:13:06 pm [CODE] => ustanovka-reaktivno-ionnogo-travleniya-si-500-rie [~CODE] => ustanovka-reaktivno-ionnogo-travleniya-si-500-rie [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 178 [~XML_ID] => 178 [EXTERNAL_ID] => 178 [~EXTERNAL_ID] => 178 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennoe-travlenie/ustanovka-reaktivno-ionnogo-travleniya-si-500-rie/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennoe-travlenie/ustanovka-reaktivno-ionnogo-travleniya-si-500-rie/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.15 [~CREATED_DATE] => 2015.12.15 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 179
    [~ID] => 179
    [TIMESTAMP_X] => 06/29/2016 10:22:59 am
    [~TIMESTAMP_X] => 06/29/2016 10:22:59 am
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467184979
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467184979
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/15/2015 06:11:51 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/15/2015 06:11:51 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1450192311
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1450192311
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 15
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 15
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => ICP-RIE установки плазменного травления SI 500
    [~NAME] => ICP-RIE установки плазменного травления SI 500
    [PREVIEW_PICTURE] => 644
    [~PREVIEW_PICTURE] => 644
    [PREVIEW_TEXT] => 

Обработка пластин диаметром до 200 мм.

Источник ИСП (13,56 МГц, 1200 Вт)

Охлаждение гелием (He back side cooling)

До 16 газовых линий

Хлорная и фторная химия

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия

[~PREVIEW_TEXT] =>

Обработка пластин диаметром до 200 мм.

Источник ИСП (13,56 МГц, 1200 Вт)

Охлаждение гелием (He back side cooling)

До 16 газовых линий

Хлорная и фторная химия

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 645 [~DETAIL_PICTURE] => 645 [DETAIL_TEXT] =>
  • Возможность травления структур с нано размерами
  • Высокая скорость травления
  • Низкий уровень повреждений
  • Высокое аспектное отношение
  • PTSA - (P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna планарный источник ICP
  • Вакуумный загрузочный шлюз
  • Гелиевое охлаждение подложки
  • Операции контролируются компьютером
  • Применение для III/V, микрооптика, микросистемы, СВЧ, нанотехнологии
  • Программное обеспечение SENTECH Software
  • Диаметр обрабатываемых пластин до 200мм.
  • Установка через стену (опция)
  • Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)

Система травления  SI 500 PTSA ICP plasma etcher производства SENTECH Instruments GmbHпредназначена для использования в НИОКР для реализации процессов высокоскоростного сухого плазменного травления кремния (в том числе и Bosh процесс), диэлектриков и полупроводниковых структур, особенно III/V и микрооптики и наноструктур в индуктивно-связанной плазме.

Установка травления SI 500 с источником индуктивно связанной плазмы может быть использована в широком диапазоне плазменных процессов – от обычного реактивного ионного травления до процессов в плазме высокой плотности. Отличительными особенностями SI 500 являются наличие источника индуктивно связанной плазмы, электрод подложки с гелиевым охлаждением и высокопроизводительная вакуумная система. Управление всеми важными параметрами оборудования осуществляется автоматически. Установка SI 500 была разработана для использования в пилотных производствах и НИОКР.

Отличительной особенностью системы SI 500 является запатентованный источник индуктивно связанной плазмы ICP-PTSA 200 (плоская тройная спиральная антенна), специально подходящий для травления с низким повреждением структуры, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамическим контролем температуры для поддержания постоянной температуры независимо от мощности плазмы, вакуумная система позволяет обеспечивать высокую производительность требуемую для процессов травления и магнито-пневматический загрузочный шлюз для высочайшей надежности при загрузке/ выгрузке пластин. Все важнейшие параметры системы контролируются автоматически.


Конфигурация системы:


  • PTSA ICP источник (13,56 МГц, 1200 Вт.) с автоматической согласующей системой
  • Источник ВЧ смещения (13,56 МГц, 600 Вт.)
  • Система распыления реакционного газа втроенная в PTSA источник
  • Высокопроизводительная вакуумная система с контролем давления независимого от натекания газа
  • Вакуумный загрузочный шлюз
  • Изолированный охлаждаемый или нагреваемый (-30ºC up to 250ºC) электрод для работы с пластинами или держателями диаметром до 200 мм. (2, 3,4,6 дюймов, кусочки)
  • Гелиевое охлаждение обратной стороны пластины, механически прижим
  • Динамический контроль температуры
  • Удаленный контроль
  • Управление под операционной системой Windows XP
  • Программное обеспечение SENTECH для управления процессами и всеми узлами системы

Опции:

Добавочные газовые линии для коррозионных и не коррозионных газов
Кварцевое окошечко для лазерного интерферометра (через источник PTSA)
Термостат охладитель (-30°С...80°С)
Кассетная станция (cassette to cassette)
Установка через стену (Through-the-wall installation)
Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)
Оптическая эмиссионная спектрометрия (OES)

Кластерная конфигурация (до 3-х реакторов в кластере)

[~DETAIL_TEXT] =>
  • Возможность травления структур с нано размерами
  • Высокая скорость травления
  • Низкий уровень повреждений
  • Высокое аспектное отношение
  • PTSA - (P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna планарный источник ICP
  • Вакуумный загрузочный шлюз
  • Гелиевое охлаждение подложки
  • Операции контролируются компьютером
  • Применение для III/V, микрооптика, микросистемы, СВЧ, нанотехнологии
  • Программное обеспечение SENTECH Software
  • Диаметр обрабатываемых пластин до 200мм.
  • Установка через стену (опция)
  • Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)

Система травления  SI 500 PTSA ICP plasma etcher производства SENTECH Instruments GmbHпредназначена для использования в НИОКР для реализации процессов высокоскоростного сухого плазменного травления кремния (в том числе и Bosh процесс), диэлектриков и полупроводниковых структур, особенно III/V и микрооптики и наноструктур в индуктивно-связанной плазме.

Установка травления SI 500 с источником индуктивно связанной плазмы может быть использована в широком диапазоне плазменных процессов – от обычного реактивного ионного травления до процессов в плазме высокой плотности. Отличительными особенностями SI 500 являются наличие источника индуктивно связанной плазмы, электрод подложки с гелиевым охлаждением и высокопроизводительная вакуумная система. Управление всеми важными параметрами оборудования осуществляется автоматически. Установка SI 500 была разработана для использования в пилотных производствах и НИОКР.

Отличительной особенностью системы SI 500 является запатентованный источник индуктивно связанной плазмы ICP-PTSA 200 (плоская тройная спиральная антенна), специально подходящий для травления с низким повреждением структуры, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамическим контролем температуры для поддержания постоянной температуры независимо от мощности плазмы, вакуумная система позволяет обеспечивать высокую производительность требуемую для процессов травления и магнито-пневматический загрузочный шлюз для высочайшей надежности при загрузке/ выгрузке пластин. Все важнейшие параметры системы контролируются автоматически.


Конфигурация системы:


  • PTSA ICP источник (13,56 МГц, 1200 Вт.) с автоматической согласующей системой
  • Источник ВЧ смещения (13,56 МГц, 600 Вт.)
  • Система распыления реакционного газа втроенная в PTSA источник
  • Высокопроизводительная вакуумная система с контролем давления независимого от натекания газа
  • Вакуумный загрузочный шлюз
  • Изолированный охлаждаемый или нагреваемый (-30ºC up to 250ºC) электрод для работы с пластинами или держателями диаметром до 200 мм. (2, 3,4,6 дюймов, кусочки)
  • Гелиевое охлаждение обратной стороны пластины, механически прижим
  • Динамический контроль температуры
  • Удаленный контроль
  • Управление под операционной системой Windows XP
  • Программное обеспечение SENTECH для управления процессами и всеми узлами системы

Опции:

Добавочные газовые линии для коррозионных и не коррозионных газов
Кварцевое окошечко для лазерного интерферометра (через источник PTSA)
Термостат охладитель (-30°С...80°С)
Кассетная станция (cassette to cassette)
Установка через стену (Through-the-wall installation)
Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)
Оптическая эмиссионная спектрометрия (OES)

Кластерная конфигурация (до 3-х реакторов в кластере)

[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => ICP-RIE УСТАНОВКИ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ SI 500 ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ. ИСТОЧНИК ИСП (13,56 МГЦ, 1200 ВТ) ОХЛАЖДЕНИЕ ГЕЛИЕМ (HE BACK SIDE COOLING) ДО 16 ГАЗОВЫХ ЛИНИЙ ХЛОРНАЯ И ФТОРНАЯ ХИМИЯ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ SENTECH SOFTWARE OES И ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ И ЛАЗЕРНАЯ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЯ - ВОЗМОЖНОСТЬ ТРАВЛЕНИЯ СТРУКТУР С НАНО РАЗМЕРАМИ - ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ТРАВЛЕНИЯ - НИЗКИЙ УРОВЕНЬ ПОВРЕЖДЕНИЙ - ВЫСОКОЕ АСПЕКТНОЕ ОТНОШЕНИЕ - PTSA&NBSP;-&NBSP;(P)LANAR (T)RIPLE (S)PIRAL (A)NTENNA&NBSP;ПЛАНАРНЫЙ&NBSP;ИСТОЧНИК&NBSP;ICP - ВАКУУМНЫЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ - ГЕЛИЕВОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ ПОДЛОЖКИ - ОПЕРАЦИИ КОНТРОЛИРУЮТСЯ КОМПЬЮТЕРОМ - ПРИМЕНЕНИЕ ДЛЯ&NBSP;III/V,&NBSP;МИКРООПТИКА, МИКРОСИСТЕМЫ, СВЧ, НАНОТЕХНОЛОГИИ - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH SOFTWARE - ДИАМЕТР ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ПЛАСТИН ДО 200ММ. - УСТАНОВКА ЧЕРЕЗ СТЕНУ (ОПЦИЯ) - ИНТЕРФЕРОМЕТР (ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ТРАВЛЕНИЯ,&NBSP;ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА -&NBSP;ENDPOINT DETECTION) СИСТЕМА ТРАВЛЕНИЯ&NBSP; SI 500 PTSA ICP PLASMA ETCHER&NBSP;ПРОИЗВОДСТВА&NBSP;SENTECH INSTRUMENTS GMBHПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В НИОКР ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ ПРОЦЕССОВ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО СУХОГО ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ&NBSP;(В ТОМ ЧИСЛЕ И&NBSP;BOSH&NBSP;ПРОЦЕСС), ДИЭЛЕКТРИКОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, ОСОБЕННО&NBSP;III/V&NBSP;И МИКРООПТИКИ&NBSP;И НАНОСТРУКТУР В ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЕ. УСТАНОВКА ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;SI&NBSP;500 С ИСТОЧНИКОМ ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ МОЖЕТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНА В ШИРОКОМ ДИАПАЗОНЕ ПЛАЗМЕННЫХ ПРОЦЕССОВ – ОТ ОБЫЧНОГО РЕАКТИВНОГО ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ ДО ПРОЦЕССОВ В ПЛАЗМЕ ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ. ОТЛИЧИТЕЛЬНЫМИ ОСОБЕННОСТЯМИ&NBSP;SI&NBSP;500 ЯВЛЯЮТСЯ НАЛИЧИЕ ИСТОЧНИКА ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ, ЭЛЕКТРОД ПОДЛОЖКИ С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ И ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНАЯ ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА. УПРАВЛЕНИЕ ВСЕМИ ВАЖНЫМИ ПАРАМЕТРАМИ ОБОРУДОВАНИЯ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ АВТОМАТИЧЕСКИ. УСТАНОВКА&NBSP;SI&NBSP;500 БЫЛА РАЗРАБОТАНА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПИЛОТНЫХ ПРОИЗВОДСТВАХ И НИОКР. ОТЛИЧИТЕЛЬНОЙ ОСОБЕННОСТЬЮ СИСТЕМЫ&NBSP;SI&NBSP;500 ЯВЛЯЕТСЯ ЗАПАТЕНТОВАННЫЙ ИСТОЧНИК ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ&NBSP;ICP-PTSA&NBSP;200&NBSP;(ПЛОСКАЯ ТРОЙНАЯ СПИРАЛЬНАЯ АНТЕННА), СПЕЦИАЛЬНО ПОДХОДЯЩИЙ ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ С НИЗКИМ ПОВРЕЖДЕНИЕМ СТРУКТУРЫ,&NBSP;ЭЛЕКТРОД ПОДЛОЖКИ&NBSP;С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ И ДИНАМИЧЕСКИМ КОНТРОЛЕМ ТЕМПЕРАТУРЫ ДЛЯ ПОДДЕРЖАНИЯ ПОСТОЯННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ НЕЗАВИСИМО ОТ МОЩНОСТИ ПЛАЗМЫ,&NBSP;ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА&NBSP;ПОЗВОЛЯЕТ ОБЕСПЕЧИВАТЬ ВЫСОКУЮ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ ТРЕБУЕМУЮ ДЛЯ ПРОЦЕССОВ ТРАВЛЕНИЯ И&NBSP;МАГНИТО-ПНЕВМАТИЧЕСКИЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ&NBSP;ДЛЯ ВЫСОЧАЙШЕЙ НАДЕЖНОСТИ ПРИ ЗАГРУЗКЕ/ ВЫГРУЗКЕ ПЛАСТИН. ВСЕ ВАЖНЕЙШИЕ ПАРАМЕТРЫ СИСТЕМЫ КОНТРОЛИРУЮТСЯ АВТОМАТИЧЕСКИ. КОНФИГУРАЦИЯ СИСТЕМЫ: - PTSA ICP&NBSP;ИСТОЧНИК (13,56 МГЦ, 1200 ВТ.) С АВТОМАТИЧЕСКОЙ СОГЛАСУЮЩЕЙ СИСТЕМОЙ - ИСТОЧНИК ВЧ СМЕЩЕНИЯ (13,56 МГЦ, 600 ВТ.) - СИСТЕМА РАСПЫЛЕНИЯ РЕАКЦИОННОГО ГАЗА ВТРОЕННАЯ В&NBSP;PTSA&NBSP;ИСТОЧНИК - ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНАЯ ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА С КОНТРОЛЕМ ДАВЛЕНИЯ НЕЗАВИСИМОГО ОТ НАТЕКАНИЯ ГАЗА - ВАКУУМНЫЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ - ИЗОЛИРОВАННЫЙ ОХЛАЖДАЕМЫЙ ИЛИ НАГРЕВАЕМЫЙ (-30ºC UP TO 250ºC) ЭЛЕКТРОД ДЛЯ РАБОТЫ С ПЛАСТИНАМИ ИЛИ ДЕРЖАТЕЛЯМИ ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ. (2, 3,4,6 ДЮЙМОВ, КУСОЧКИ) - ГЕЛИЕВОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ ПЛАСТИНЫ, МЕХАНИЧЕСКИ ПРИЖИМ - ДИНАМИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ ТЕМПЕРАТУРЫ - УДАЛЕННЫЙ КОНТРОЛЬ - УПРАВЛЕНИЕ ПОД ОПЕРАЦИОННОЙ СИСТЕМОЙ&NBSP;WINDOWS XP - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH&NBSP;ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССАМИ И ВСЕМИ УЗЛАМИ СИСТЕМЫ ОПЦИИ: ДОБАВОЧНЫЕ ГАЗОВЫЕ ЛИНИИ ДЛЯ КОРРОЗИОННЫХ И НЕ КОРРОЗИОННЫХ ГАЗОВ КВАРЦЕВОЕ ОКОШЕЧКО ДЛЯ ЛАЗЕРНОГО ИНТЕРФЕРОМЕТРА (ЧЕРЕЗ ИСТОЧНИК&NBSP;PTSA) ТЕРМОСТАТ ОХЛАДИТЕЛЬ (-30°С...80°С) КАССЕТНАЯ СТАНЦИЯ (CASSETTE TO CASSETTE) УСТАНОВКА ЧЕРЕЗ СТЕНУ (THROUGH-THE-WALL INSTALLATION) ИНТЕРФЕРОМЕТР [ /PDF/SENTECH END-POINT MONITORS.PDF ] &NBSP;(ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ТРАВЛЕНИЯ,&NBSP;ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА -&NBSP;ENDPOINT DETECTION) ОПТИЧЕСКАЯ ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОМЕТРИЯ&NBSP;(OES) [ /PDF/SENTECH END-POINT MONITORS (1).PDF ] КЛАСТЕРНАЯ КОНФИГУРАЦИЯ&NBSP;(ДО 3-Х РЕАКТОРОВ В КЛАСТЕРЕ) [ /PDF/SI 500 _CLUSTER.JPG ] [~SEARCHABLE_CONTENT] => ICP-RIE УСТАНОВКИ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ SI 500 ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ. ИСТОЧНИК ИСП (13,56 МГЦ, 1200 ВТ) ОХЛАЖДЕНИЕ ГЕЛИЕМ (HE BACK SIDE COOLING) ДО 16 ГАЗОВЫХ ЛИНИЙ ХЛОРНАЯ И ФТОРНАЯ ХИМИЯ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ SENTECH SOFTWARE OES И ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ И ЛАЗЕРНАЯ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЯ - ВОЗМОЖНОСТЬ ТРАВЛЕНИЯ СТРУКТУР С НАНО РАЗМЕРАМИ - ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ТРАВЛЕНИЯ - НИЗКИЙ УРОВЕНЬ ПОВРЕЖДЕНИЙ - ВЫСОКОЕ АСПЕКТНОЕ ОТНОШЕНИЕ - PTSA&NBSP;-&NBSP;(P)LANAR (T)RIPLE (S)PIRAL (A)NTENNA&NBSP;ПЛАНАРНЫЙ&NBSP;ИСТОЧНИК&NBSP;ICP - ВАКУУМНЫЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ - ГЕЛИЕВОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ ПОДЛОЖКИ - ОПЕРАЦИИ КОНТРОЛИРУЮТСЯ КОМПЬЮТЕРОМ - ПРИМЕНЕНИЕ ДЛЯ&NBSP;III/V,&NBSP;МИКРООПТИКА, МИКРОСИСТЕМЫ, СВЧ, НАНОТЕХНОЛОГИИ - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH SOFTWARE - ДИАМЕТР ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ПЛАСТИН ДО 200ММ. - УСТАНОВКА ЧЕРЕЗ СТЕНУ (ОПЦИЯ) - ИНТЕРФЕРОМЕТР (ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ТРАВЛЕНИЯ,&NBSP;ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА -&NBSP;ENDPOINT DETECTION) СИСТЕМА ТРАВЛЕНИЯ&NBSP; SI 500 PTSA ICP PLASMA ETCHER&NBSP;ПРОИЗВОДСТВА&NBSP;SENTECH INSTRUMENTS GMBHПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В НИОКР ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ ПРОЦЕССОВ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО СУХОГО ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ&NBSP;(В ТОМ ЧИСЛЕ И&NBSP;BOSH&NBSP;ПРОЦЕСС), ДИЭЛЕКТРИКОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, ОСОБЕННО&NBSP;III/V&NBSP;И МИКРООПТИКИ&NBSP;И НАНОСТРУКТУР В ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЕ. УСТАНОВКА ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;SI&NBSP;500 С ИСТОЧНИКОМ ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ МОЖЕТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНА В ШИРОКОМ ДИАПАЗОНЕ ПЛАЗМЕННЫХ ПРОЦЕССОВ – ОТ ОБЫЧНОГО РЕАКТИВНОГО ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ ДО ПРОЦЕССОВ В ПЛАЗМЕ ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ. ОТЛИЧИТЕЛЬНЫМИ ОСОБЕННОСТЯМИ&NBSP;SI&NBSP;500 ЯВЛЯЮТСЯ НАЛИЧИЕ ИСТОЧНИКА ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ, ЭЛЕКТРОД ПОДЛОЖКИ С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ И ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНАЯ ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА. УПРАВЛЕНИЕ ВСЕМИ ВАЖНЫМИ ПАРАМЕТРАМИ ОБОРУДОВАНИЯ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ АВТОМАТИЧЕСКИ. УСТАНОВКА&NBSP;SI&NBSP;500 БЫЛА РАЗРАБОТАНА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПИЛОТНЫХ ПРОИЗВОДСТВАХ И НИОКР. ОТЛИЧИТЕЛЬНОЙ ОСОБЕННОСТЬЮ СИСТЕМЫ&NBSP;SI&NBSP;500 ЯВЛЯЕТСЯ ЗАПАТЕНТОВАННЫЙ ИСТОЧНИК ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ&NBSP;ICP-PTSA&NBSP;200&NBSP;(ПЛОСКАЯ ТРОЙНАЯ СПИРАЛЬНАЯ АНТЕННА), СПЕЦИАЛЬНО ПОДХОДЯЩИЙ ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ С НИЗКИМ ПОВРЕЖДЕНИЕМ СТРУКТУРЫ,&NBSP;ЭЛЕКТРОД ПОДЛОЖКИ&NBSP;С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ И ДИНАМИЧЕСКИМ КОНТРОЛЕМ ТЕМПЕРАТУРЫ ДЛЯ ПОДДЕРЖАНИЯ ПОСТОЯННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ НЕЗАВИСИМО ОТ МОЩНОСТИ ПЛАЗМЫ,&NBSP;ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА&NBSP;ПОЗВОЛЯЕТ ОБЕСПЕЧИВАТЬ ВЫСОКУЮ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ ТРЕБУЕМУЮ ДЛЯ ПРОЦЕССОВ ТРАВЛЕНИЯ И&NBSP;МАГНИТО-ПНЕВМАТИЧЕСКИЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ&NBSP;ДЛЯ ВЫСОЧАЙШЕЙ НАДЕЖНОСТИ ПРИ ЗАГРУЗКЕ/ ВЫГРУЗКЕ ПЛАСТИН. ВСЕ ВАЖНЕЙШИЕ ПАРАМЕТРЫ СИСТЕМЫ КОНТРОЛИРУЮТСЯ АВТОМАТИЧЕСКИ. КОНФИГУРАЦИЯ СИСТЕМЫ: - PTSA ICP&NBSP;ИСТОЧНИК (13,56 МГЦ, 1200 ВТ.) С АВТОМАТИЧЕСКОЙ СОГЛАСУЮЩЕЙ СИСТЕМОЙ - ИСТОЧНИК ВЧ СМЕЩЕНИЯ (13,56 МГЦ, 600 ВТ.) - СИСТЕМА РАСПЫЛЕНИЯ РЕАКЦИОННОГО ГАЗА ВТРОЕННАЯ В&NBSP;PTSA&NBSP;ИСТОЧНИК - ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНАЯ ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА С КОНТРОЛЕМ ДАВЛЕНИЯ НЕЗАВИСИМОГО ОТ НАТЕКАНИЯ ГАЗА - ВАКУУМНЫЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ - ИЗОЛИРОВАННЫЙ ОХЛАЖДАЕМЫЙ ИЛИ НАГРЕВАЕМЫЙ (-30ºC UP TO 250ºC) ЭЛЕКТРОД ДЛЯ РАБОТЫ С ПЛАСТИНАМИ ИЛИ ДЕРЖАТЕЛЯМИ ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ. (2, 3,4,6 ДЮЙМОВ, КУСОЧКИ) - ГЕЛИЕВОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ ПЛАСТИНЫ, МЕХАНИЧЕСКИ ПРИЖИМ - ДИНАМИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ ТЕМПЕРАТУРЫ - УДАЛЕННЫЙ КОНТРОЛЬ - УПРАВЛЕНИЕ ПОД ОПЕРАЦИОННОЙ СИСТЕМОЙ&NBSP;WINDOWS XP - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH&NBSP;ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССАМИ И ВСЕМИ УЗЛАМИ СИСТЕМЫ ОПЦИИ: ДОБАВОЧНЫЕ ГАЗОВЫЕ ЛИНИИ ДЛЯ КОРРОЗИОННЫХ И НЕ КОРРОЗИОННЫХ ГАЗОВ КВАРЦЕВОЕ ОКОШЕЧКО ДЛЯ ЛАЗЕРНОГО ИНТЕРФЕРОМЕТРА (ЧЕРЕЗ ИСТОЧНИК&NBSP;PTSA) ТЕРМОСТАТ ОХЛАДИТЕЛЬ (-30°С...80°С) КАССЕТНАЯ СТАНЦИЯ (CASSETTE TO CASSETTE) УСТАНОВКА ЧЕРЕЗ СТЕНУ (THROUGH-THE-WALL INSTALLATION) ИНТЕРФЕРОМЕТР [ /PDF/SENTECH END-POINT MONITORS.PDF ] &NBSP;(ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ТРАВЛЕНИЯ,&NBSP;ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА -&NBSP;ENDPOINT DETECTION) ОПТИЧЕСКАЯ ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОМЕТРИЯ&NBSP;(OES) [ /PDF/SENTECH END-POINT MONITORS (1).PDF ] КЛАСТЕРНАЯ КОНФИГУРАЦИЯ&NBSP;(ДО 3-Х РЕАКТОРОВ В КЛАСТЕРЕ) [ /PDF/SI 500 _CLUSTER.JPG ] [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 621 [~SHOW_COUNTER] => 621 [SHOW_COUNTER_START] => 12/17/2015 09:08:30 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 12/17/2015 09:08:30 pm [CODE] => icp-rie-ustanovki-plazmennogo-travleniya-si-500 [~CODE] => icp-rie-ustanovki-plazmennogo-travleniya-si-500 [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 179 [~XML_ID] => 179 [EXTERNAL_ID] => 179 [~EXTERNAL_ID] => 179 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennoe-travlenie/icp-rie-ustanovki-plazmennogo-travleniya-si-500/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennoe-travlenie/icp-rie-ustanovki-plazmennogo-travleniya-si-500/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.15 [~CREATED_DATE] => 2015.12.15 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 180
    [~ID] => 180
    [TIMESTAMP_X] => 06/29/2016 10:23:40 am
    [~TIMESTAMP_X] => 06/29/2016 10:23:40 am
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467185020
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467185020
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/15/2015 06:22:00 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/15/2015 06:22:00 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1450192920
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1450192920
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 15
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 15
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => ICP-RIE установки плазменного травления SI 500 C
    [~NAME] => ICP-RIE установки плазменного травления SI 500 C
    [PREVIEW_PICTURE] => 648
    [~PREVIEW_PICTURE] => 648
    [PREVIEW_TEXT] => 

Установка криогенного травления в индуктивно-связанной плазме с гелиевым охлаждение обратной стороны подложки

Обработка пластин диаметром до 200 мм.

Источник ИСП (13,56 МГц, 1200 Вт)

Охлаждение гелием (He back side cooling)

температура подложки -150 до 400 oC.

До 16 газовых линий

Хлорная и фторная химия

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия

[~PREVIEW_TEXT] =>

Установка криогенного травления в индуктивно-связанной плазме с гелиевым охлаждение обратной стороны подложки

Обработка пластин диаметром до 200 мм.

Источник ИСП (13,56 МГц, 1200 Вт)

Охлаждение гелием (He back side cooling)

температура подложки -150 до 400 oC.

До 16 газовых линий

Хлорная и фторная химия

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 649 [~DETAIL_PICTURE] => 649 [DETAIL_TEXT] => SI 500 C PTSA Plasma Cryo Etcher - установка криогенного травления в индуктивно-связанной плазме (ICP-RIE) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия)
  • Превосходная однородность, прекрасная воспроизводимость при травлении
  • Высокая скорость травления
  • Низкий уровень повреждений
  • Высокое аспектное отношение
  • Очень гладкие стенки
  • PTSA - (P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna источник ICP
  • Широкий диапазон температуры подложки: - 150°С до 400°С
  • Вакуумный загрузочный шлюз
  • Операции контролируются компьютером
  • Программное обеспечение SENTECH Software
  • Диаметр обрабатываемых пластин до 200мм.
  • Установка через стену (опция)
  • Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)

Система криогенного травления  SI 500 С PTSA ICP Cryo plasma etcher производстваSENTECH Instruments GmbH идеальный выбор для проведения высокоскоростного плазмо-химического травления кремния при создании MEMS структур и микрооптики.

Отличительными особенностями SI 500 С являются наличие источника индуктивно-связанной плазмы, крио-электрод (- 150°С до 400°С) подложки с охлаждением гелием и высокопроизводительная вакуумная система. Управление всеми важными параметрами оборудования осуществляется автоматически. Установка SI 500 была разработана для использования в пилотных производствах и НИОКР.

Отличительной особенностью системы SI500С является запатентованный источник индуктивно связанной плазмы ICP-PTSA 200 (плоская тройная спиральная антенна), специально подходящий для травления с низким повреждением структуры, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамическим контролем температуры для поддержания постоянной температуры независимо от мощности плазмы, вакуумная система позволяет обеспечивать высокую производительность требуемую для процессов травления и магнито-пневматический загрузочный шлюз для высочайшей надежности при загрузке/ выгрузке пластин. Все важнейшие параметры системы контролируются автоматически.


Конфигурация системы:

Крио-электрод (- 150°С до 400°С) для пластин диаметром до 200 мм или пластин меньшего диаметра, а также кусочков
Гелиевое охлаждение обратной стороны пластины, механически прижим
PTSA ICP источник (13,56 МГц, 1200 Вт.) с автоматической согласующей системой
Источник ВЧ смещения (13,56 МГц, 600 Вт.)
Магнетик для увеличения плотности плазмы
Система распыления реакционного газа втроенная в PTSA источник
Высокопроизводительная вакуумная система с контролем давления независимого от натекания газа
Вакуумный загрузочный шлюз
Динамический контроль температуры
Удаленный контроль
Управление под операционной системой Windows XP
Программное обеспечение SENTECH для управления процессами и всеми узлами системы


Опции:

Кварцевое окошечко для лазерного интерферометра (через источник PTSA)
Кассетная станция (cassette to cassette)
Установка через стену (Through-the-wall installation)
Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)


[~DETAIL_TEXT] => SI 500 C PTSA Plasma Cryo Etcher - установка криогенного травления в индуктивно-связанной плазме (ICP-RIE) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия)
  • Превосходная однородность, прекрасная воспроизводимость при травлении
  • Высокая скорость травления
  • Низкий уровень повреждений
  • Высокое аспектное отношение
  • Очень гладкие стенки
  • PTSA - (P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna источник ICP
  • Широкий диапазон температуры подложки: - 150°С до 400°С
  • Вакуумный загрузочный шлюз
  • Операции контролируются компьютером
  • Программное обеспечение SENTECH Software
  • Диаметр обрабатываемых пластин до 200мм.
  • Установка через стену (опция)
  • Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)

Система криогенного травления  SI 500 С PTSA ICP Cryo plasma etcher производстваSENTECH Instruments GmbH идеальный выбор для проведения высокоскоростного плазмо-химического травления кремния при создании MEMS структур и микрооптики.

Отличительными особенностями SI 500 С являются наличие источника индуктивно-связанной плазмы, крио-электрод (- 150°С до 400°С) подложки с охлаждением гелием и высокопроизводительная вакуумная система. Управление всеми важными параметрами оборудования осуществляется автоматически. Установка SI 500 была разработана для использования в пилотных производствах и НИОКР.

Отличительной особенностью системы SI500С является запатентованный источник индуктивно связанной плазмы ICP-PTSA 200 (плоская тройная спиральная антенна), специально подходящий для травления с низким повреждением структуры, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамическим контролем температуры для поддержания постоянной температуры независимо от мощности плазмы, вакуумная система позволяет обеспечивать высокую производительность требуемую для процессов травления и магнито-пневматический загрузочный шлюз для высочайшей надежности при загрузке/ выгрузке пластин. Все важнейшие параметры системы контролируются автоматически.


Конфигурация системы:

Крио-электрод (- 150°С до 400°С) для пластин диаметром до 200 мм или пластин меньшего диаметра, а также кусочков
Гелиевое охлаждение обратной стороны пластины, механически прижим
PTSA ICP источник (13,56 МГц, 1200 Вт.) с автоматической согласующей системой
Источник ВЧ смещения (13,56 МГц, 600 Вт.)
Магнетик для увеличения плотности плазмы
Система распыления реакционного газа втроенная в PTSA источник
Высокопроизводительная вакуумная система с контролем давления независимого от натекания газа
Вакуумный загрузочный шлюз
Динамический контроль температуры
Удаленный контроль
Управление под операционной системой Windows XP
Программное обеспечение SENTECH для управления процессами и всеми узлами системы


Опции:

Кварцевое окошечко для лазерного интерферометра (через источник PTSA)
Кассетная станция (cassette to cassette)
Установка через стену (Through-the-wall installation)
Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)


[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => ICP-RIE УСТАНОВКИ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ SI 500 C УСТАНОВКА КРИОГЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ В ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЕ С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕ ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ ПОДЛОЖКИ ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ. ИСТОЧНИК ИСП (13,56 МГЦ, 1200 ВТ) ОХЛАЖДЕНИЕ ГЕЛИЕМ (HE BACK SIDE COOLING) ТЕМПЕРАТУРА ПОДЛОЖКИ -150 ДО 400 OC. ДО 16 ГАЗОВЫХ ЛИНИЙ ХЛОРНАЯ И ФТОРНАЯ ХИМИЯ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ SENTECH SOFTWARE OES И ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ И ЛАЗЕРНАЯ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЯ SI&NBSP;500&NBSP;C PTSA PLASMA CRYO ETCHER -&NBSP;УСТАНОВКА КРИОГЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;В ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЕ&NBSP;(ICP-RIE)&NBSP;ПРОИЗВОДСТВА&NBSP;SENTECH INSTRUMENTS GMBH&NBSP;(ГЕРМАНИЯ) - ПРЕВОСХОДНАЯ ОДНОРОДНОСТЬ, ПРЕКРАСНАЯ ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ ПРИ ТРАВЛЕНИИ - ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ТРАВЛЕНИЯ - НИЗКИЙ УРОВЕНЬ ПОВРЕЖДЕНИЙ - ВЫСОКОЕ АСПЕКТНОЕ ОТНОШЕНИЕ - ОЧЕНЬ ГЛАДКИЕ СТЕНКИ - PTSA&NBSP;-&NBSP;(P)LANAR (T)RIPLE (S)PIRAL (A)NTENNA ИСТОЧНИК&NBSP;ICP - ШИРОКИЙ ДИАПАЗОН ТЕМПЕРАТУРЫ ПОДЛОЖКИ:&NBSP;- 150°С ДО 400°С - ВАКУУМНЫЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ - ОПЕРАЦИИ КОНТРОЛИРУЮТСЯ КОМПЬЮТЕРОМ - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH SOFTWARE - ДИАМЕТР ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ПЛАСТИН ДО 200ММ. - УСТАНОВКА ЧЕРЕЗ СТЕНУ (ОПЦИЯ) - ИНТЕРФЕРОМЕТР (ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ТРАВЛЕНИЯ,&NBSP;ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА -&NBSP;ENDPOINT DETECTION) СИСТЕМА&NBSP;КРИОГЕННОГО&NBSP;ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;&NBSP;SI 500&NBSP;С&NBSP;PTSA ICP CRYO PLASMA ETCHER&NBSP;ПРОИЗВОДСТВАSENTECH INSTRUMENTS GMBH ИДЕАЛЬНЫЙ ВЫБОР ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО ПЛАЗМО-ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ&NBSP;ПРИ СОЗДАНИИ&NBSP;MEMS&NBSP;СТРУКТУР И МИКРООПТИКИ. ОТЛИЧИТЕЛЬНЫМИ ОСОБЕННОСТЯМИ&NBSP;SI&NBSP;500 С ЯВЛЯЮТСЯ НАЛИЧИЕ ИСТОЧНИКА ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ, КРИО-ЭЛЕКТРОД (- 150°С ДО 400°С) ПОДЛОЖКИ С ОХЛАЖДЕНИЕМ ГЕЛИЕМ И ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНАЯ ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА. УПРАВЛЕНИЕ ВСЕМИ ВАЖНЫМИ ПАРАМЕТРАМИ ОБОРУДОВАНИЯ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ АВТОМАТИЧЕСКИ. УСТАНОВКА&NBSP;SI&NBSP;500 БЫЛА РАЗРАБОТАНА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПИЛОТНЫХ ПРОИЗВОДСТВАХ И НИОКР. ОТЛИЧИТЕЛЬНОЙ ОСОБЕННОСТЬЮ СИСТЕМЫ&NBSP;SI500С ЯВЛЯЕТСЯ ЗАПАТЕНТОВАННЫЙ ИСТОЧНИК ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ&NBSP;ICP-PTSA&NBSP;200&NBSP;(ПЛОСКАЯ ТРОЙНАЯ СПИРАЛЬНАЯ АНТЕННА), СПЕЦИАЛЬНО ПОДХОДЯЩИЙ ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ С НИЗКИМ ПОВРЕЖДЕНИЕМ СТРУКТУРЫ,&NBSP;ЭЛЕКТРОД ПОДЛОЖКИ&NBSP;С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ И ДИНАМИЧЕСКИМ КОНТРОЛЕМ ТЕМПЕРАТУРЫ ДЛЯ ПОДДЕРЖАНИЯ ПОСТОЯННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ НЕЗАВИСИМО ОТ МОЩНОСТИ ПЛАЗМЫ,&NBSP;ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА&NBSP;ПОЗВОЛЯЕТ ОБЕСПЕЧИВАТЬ ВЫСОКУЮ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ ТРЕБУЕМУЮ ДЛЯ ПРОЦЕССОВ ТРАВЛЕНИЯ И&NBSP;МАГНИТО-ПНЕВМАТИЧЕСКИЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ&NBSP;ДЛЯ ВЫСОЧАЙШЕЙ НАДЕЖНОСТИ ПРИ ЗАГРУЗКЕ/ ВЫГРУЗКЕ ПЛАСТИН. ВСЕ ВАЖНЕЙШИЕ ПАРАМЕТРЫ СИСТЕМЫ КОНТРОЛИРУЮТСЯ АВТОМАТИЧЕСКИ. КОНФИГУРАЦИЯ СИСТЕМЫ: КРИО-ЭЛЕКТРОД (- 150°С ДО 400°С) ДЛЯ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ ИЛИ ПЛАСТИН МЕНЬШЕГО ДИАМЕТРА, А ТАКЖЕ КУСОЧКОВ ГЕЛИЕВОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ ПЛАСТИНЫ, МЕХАНИЧЕСКИ ПРИЖИМ PTSA ICP&NBSP;ИСТОЧНИК (13,56 МГЦ, 1200 ВТ.) С АВТОМАТИЧЕСКОЙ СОГЛАСУЮЩЕЙ СИСТЕМОЙ ИСТОЧНИК ВЧ СМЕЩЕНИЯ (13,56 МГЦ, 600 ВТ.) МАГНЕТИК ДЛЯ УВЕЛИЧЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ПЛАЗМЫ СИСТЕМА РАСПЫЛЕНИЯ РЕАКЦИОННОГО ГАЗА ВТРОЕННАЯ В&NBSP;PTSA&NBSP;ИСТОЧНИК ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНАЯ ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА С КОНТРОЛЕМ ДАВЛЕНИЯ НЕЗАВИСИМОГО ОТ НАТЕКАНИЯ ГАЗА ВАКУУМНЫЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ ДИНАМИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ ТЕМПЕРАТУРЫ УДАЛЕННЫЙ КОНТРОЛЬ УПРАВЛЕНИЕ ПОД ОПЕРАЦИОННОЙ СИСТЕМОЙ&NBSP;WINDOWS XP ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH&NBSP;ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССАМИ И ВСЕМИ УЗЛАМИ СИСТЕМЫ ОПЦИИ: КВАРЦЕВОЕ ОКОШЕЧКО ДЛЯ ЛАЗЕРНОГО ИНТЕРФЕРОМЕТРА (ЧЕРЕЗ ИСТОЧНИК&NBSP;PTSA) КАССЕТНАЯ СТАНЦИЯ (CASSETTE TO CASSETTE) УСТАНОВКА ЧЕРЕЗ СТЕНУ (THROUGH-THE-WALL INSTALLATION) ИНТЕРФЕРОМЕТР (ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ТРАВЛЕНИЯ,&NBSP;ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА -&NBSP;ENDPOINT DETECTION) [~SEARCHABLE_CONTENT] => ICP-RIE УСТАНОВКИ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ SI 500 C УСТАНОВКА КРИОГЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ В ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЕ С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕ ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ ПОДЛОЖКИ ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ. ИСТОЧНИК ИСП (13,56 МГЦ, 1200 ВТ) ОХЛАЖДЕНИЕ ГЕЛИЕМ (HE BACK SIDE COOLING) ТЕМПЕРАТУРА ПОДЛОЖКИ -150 ДО 400 OC. ДО 16 ГАЗОВЫХ ЛИНИЙ ХЛОРНАЯ И ФТОРНАЯ ХИМИЯ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ SENTECH SOFTWARE OES И ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ И ЛАЗЕРНАЯ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЯ SI&NBSP;500&NBSP;C PTSA PLASMA CRYO ETCHER -&NBSP;УСТАНОВКА КРИОГЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;В ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЕ&NBSP;(ICP-RIE)&NBSP;ПРОИЗВОДСТВА&NBSP;SENTECH INSTRUMENTS GMBH&NBSP;(ГЕРМАНИЯ) - ПРЕВОСХОДНАЯ ОДНОРОДНОСТЬ, ПРЕКРАСНАЯ ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ ПРИ ТРАВЛЕНИИ - ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ТРАВЛЕНИЯ - НИЗКИЙ УРОВЕНЬ ПОВРЕЖДЕНИЙ - ВЫСОКОЕ АСПЕКТНОЕ ОТНОШЕНИЕ - ОЧЕНЬ ГЛАДКИЕ СТЕНКИ - PTSA&NBSP;-&NBSP;(P)LANAR (T)RIPLE (S)PIRAL (A)NTENNA ИСТОЧНИК&NBSP;ICP - ШИРОКИЙ ДИАПАЗОН ТЕМПЕРАТУРЫ ПОДЛОЖКИ:&NBSP;- 150°С ДО 400°С - ВАКУУМНЫЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ - ОПЕРАЦИИ КОНТРОЛИРУЮТСЯ КОМПЬЮТЕРОМ - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH SOFTWARE - ДИАМЕТР ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ПЛАСТИН ДО 200ММ. - УСТАНОВКА ЧЕРЕЗ СТЕНУ (ОПЦИЯ) - ИНТЕРФЕРОМЕТР (ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ТРАВЛЕНИЯ,&NBSP;ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА -&NBSP;ENDPOINT DETECTION) СИСТЕМА&NBSP;КРИОГЕННОГО&NBSP;ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;&NBSP;SI 500&NBSP;С&NBSP;PTSA ICP CRYO PLASMA ETCHER&NBSP;ПРОИЗВОДСТВАSENTECH INSTRUMENTS GMBH ИДЕАЛЬНЫЙ ВЫБОР ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО ПЛАЗМО-ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ&NBSP;ПРИ СОЗДАНИИ&NBSP;MEMS&NBSP;СТРУКТУР И МИКРООПТИКИ. ОТЛИЧИТЕЛЬНЫМИ ОСОБЕННОСТЯМИ&NBSP;SI&NBSP;500 С ЯВЛЯЮТСЯ НАЛИЧИЕ ИСТОЧНИКА ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ, КРИО-ЭЛЕКТРОД (- 150°С ДО 400°С) ПОДЛОЖКИ С ОХЛАЖДЕНИЕМ ГЕЛИЕМ И ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНАЯ ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА. УПРАВЛЕНИЕ ВСЕМИ ВАЖНЫМИ ПАРАМЕТРАМИ ОБОРУДОВАНИЯ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ АВТОМАТИЧЕСКИ. УСТАНОВКА&NBSP;SI&NBSP;500 БЫЛА РАЗРАБОТАНА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПИЛОТНЫХ ПРОИЗВОДСТВАХ И НИОКР. ОТЛИЧИТЕЛЬНОЙ ОСОБЕННОСТЬЮ СИСТЕМЫ&NBSP;SI500С ЯВЛЯЕТСЯ ЗАПАТЕНТОВАННЫЙ ИСТОЧНИК ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ&NBSP;ICP-PTSA&NBSP;200&NBSP;(ПЛОСКАЯ ТРОЙНАЯ СПИРАЛЬНАЯ АНТЕННА), СПЕЦИАЛЬНО ПОДХОДЯЩИЙ ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ С НИЗКИМ ПОВРЕЖДЕНИЕМ СТРУКТУРЫ,&NBSP;ЭЛЕКТРОД ПОДЛОЖКИ&NBSP;С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ И ДИНАМИЧЕСКИМ КОНТРОЛЕМ ТЕМПЕРАТУРЫ ДЛЯ ПОДДЕРЖАНИЯ ПОСТОЯННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ НЕЗАВИСИМО ОТ МОЩНОСТИ ПЛАЗМЫ,&NBSP;ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА&NBSP;ПОЗВОЛЯЕТ ОБЕСПЕЧИВАТЬ ВЫСОКУЮ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ ТРЕБУЕМУЮ ДЛЯ ПРОЦЕССОВ ТРАВЛЕНИЯ И&NBSP;МАГНИТО-ПНЕВМАТИЧЕСКИЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ&NBSP;ДЛЯ ВЫСОЧАЙШЕЙ НАДЕЖНОСТИ ПРИ ЗАГРУЗКЕ/ ВЫГРУЗКЕ ПЛАСТИН. ВСЕ ВАЖНЕЙШИЕ ПАРАМЕТРЫ СИСТЕМЫ КОНТРОЛИРУЮТСЯ АВТОМАТИЧЕСКИ. КОНФИГУРАЦИЯ СИСТЕМЫ: КРИО-ЭЛЕКТРОД (- 150°С ДО 400°С) ДЛЯ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ ИЛИ ПЛАСТИН МЕНЬШЕГО ДИАМЕТРА, А ТАКЖЕ КУСОЧКОВ ГЕЛИЕВОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ ПЛАСТИНЫ, МЕХАНИЧЕСКИ ПРИЖИМ PTSA ICP&NBSP;ИСТОЧНИК (13,56 МГЦ, 1200 ВТ.) С АВТОМАТИЧЕСКОЙ СОГЛАСУЮЩЕЙ СИСТЕМОЙ ИСТОЧНИК ВЧ СМЕЩЕНИЯ (13,56 МГЦ, 600 ВТ.) МАГНЕТИК ДЛЯ УВЕЛИЧЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ПЛАЗМЫ СИСТЕМА РАСПЫЛЕНИЯ РЕАКЦИОННОГО ГАЗА ВТРОЕННАЯ В&NBSP;PTSA&NBSP;ИСТОЧНИК ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНАЯ ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА С КОНТРОЛЕМ ДАВЛЕНИЯ НЕЗАВИСИМОГО ОТ НАТЕКАНИЯ ГАЗА ВАКУУМНЫЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ ДИНАМИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ ТЕМПЕРАТУРЫ УДАЛЕННЫЙ КОНТРОЛЬ УПРАВЛЕНИЕ ПОД ОПЕРАЦИОННОЙ СИСТЕМОЙ&NBSP;WINDOWS XP ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH&NBSP;ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССАМИ И ВСЕМИ УЗЛАМИ СИСТЕМЫ ОПЦИИ: КВАРЦЕВОЕ ОКОШЕЧКО ДЛЯ ЛАЗЕРНОГО ИНТЕРФЕРОМЕТРА (ЧЕРЕЗ ИСТОЧНИК&NBSP;PTSA) КАССЕТНАЯ СТАНЦИЯ (CASSETTE TO CASSETTE) УСТАНОВКА ЧЕРЕЗ СТЕНУ (THROUGH-THE-WALL INSTALLATION) ИНТЕРФЕРОМЕТР (ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ТРАВЛЕНИЯ,&NBSP;ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА -&NBSP;ENDPOINT DETECTION) [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 641 [~SHOW_COUNTER] => 641 [SHOW_COUNTER_START] => 12/17/2015 09:02:54 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 12/17/2015 09:02:54 pm [CODE] => icp-rie-ustanovki-plazmennogo-travleniya-si-500-c [~CODE] => icp-rie-ustanovki-plazmennogo-travleniya-si-500-c [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 180 [~XML_ID] => 180 [EXTERNAL_ID] => 180 [~EXTERNAL_ID] => 180 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennoe-travlenie/icp-rie-ustanovki-plazmennogo-travleniya-si-500-c/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennoe-travlenie/icp-rie-ustanovki-plazmennogo-travleniya-si-500-c/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.15 [~CREATED_DATE] => 2015.12.15 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 181
    [~ID] => 181
    [TIMESTAMP_X] => 06/29/2016 10:24:31 am
    [~TIMESTAMP_X] => 06/29/2016 10:24:31 am
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467185071
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467185071
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/15/2015 06:36:58 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/15/2015 06:36:58 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1450193818
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1450193818
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 15
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 15
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => ICP-RIE установки плазменного травления SI 500-300
    [~NAME] => ICP-RIE установки плазменного травления SI 500-300
    [PREVIEW_PICTURE] => 650
    [~PREVIEW_PICTURE] => 650
    [PREVIEW_TEXT] => 

Установка травления в индуктивно-связанной плазме с гелиевым охлаждение обратной стороны подложки

Обработка пластин диаметром до 300 мм.

Источник ИСП (13,56 МГц, 1200 Вт)

Охлаждение гелием (He back side cooling)

До 16 газовых линий

Хлорная и фторная химия

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия

[~PREVIEW_TEXT] =>

Установка травления в индуктивно-связанной плазме с гелиевым охлаждение обратной стороны подложки

Обработка пластин диаметром до 300 мм.

Источник ИСП (13,56 МГц, 1200 Вт)

Охлаждение гелием (He back side cooling)

До 16 газовых линий

Хлорная и фторная химия

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 651 [~DETAIL_PICTURE] => 651 [DETAIL_TEXT] =>

SI 500-300 PTSA Plasma Etcher - установка травления в индуктивно-связанной плазме (ICP-RIE)производства SENTECH Instruments GmbH (Германия)

Превосходная однородность, прекрасная воспроизводимость при травлении
Возможность травления структур с нано размерами
Высокая скорость травления
Низкий уровень повреждений
Высокое аспектное отношение
PTSA - (P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna планарный источник ICP
Вакуумный загрузочный шлюз
Гелиевое охлаждение подложки
Операции контролируются компьютером
Применение для III/V, кварц, сапфир, микрооптика, микросистемы, СВЧ, нанотехнологии
Программное обеспечение SENTECH Software
Диаметр обрабатываемых пластин до 300мм.
Установка через стену (опция)
Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)

Система травления  SI 500-300 PTSA ICP plasma etcher производства SENTECH Instruments GmbH с диаметром электрода 300 мм. предназначена для использования в НИОКР для реализации процессов высокоскоростного сухого плазменного травления кремния, диэлектриков и полупроводниковых структур, особенно III/V и микрооптики и наноструктур в индуктивно-связанной плазме.

Установка травления SI 500-300 с источником индуктивно связанной плазмы может быть использована в широком диапазоне плазменных процессов – от обычного реактивного ионного травления до процессов в плазме высокой плотности. Отличительными особенностями SI 500-300 являются наличие источника индуктивно связанной плазмы, электрод подложки с гелиевым охлаждением и высокопроизводительная вакуумная система. Управление всеми важными параметрами оборудования осуществляется автоматически. Установка SI 500 была разработана для использования в пилотных производствах и НИОКР.

Отличительной особенностью системы SI 500 является запатентованный источник индуктивно связанной плазмы ICP-PTSA 400 (плоская тройная спиральная антенна), специально подходящий для травления с низким повреждением структуры, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамическим контролем температуры для поддержания постоянной температуры независимо от мощности плазмы,вакуумная система позволяет обеспечивать высокую производительность требуемую для процессов травления и магнито-пневматический загрузочный шлюз для высочайшей надежности при загрузке/ выгрузке пластин. Все важнейшие параметры системы контролируются автоматически.


Конфигурация системы:

  • PTSA ICP источник (13,56 МГц, 1200 Вт.) с автоматической согласующей системой
  • Источник ВЧ смещения (13,56 МГц, 600 Вт.)
  • Система распыления реакционного газа втроенная в PTSA источник
  • Высокопроизводительная вакуумная система с контролем давления независимого от натекания газа
  • Вакуумный загрузочный шлюз
  • Изолированный охлаждаемый или нагреваемый (-30ºC up to 250ºC) электрод для работы с пластинами или держателями диаметром до 300 мм. (2,3,4,6,8 дюймов, кусочки)
  • Гелиевое охлаждение обратной стороны пластины, механически прижим
  • Динамический контроль температуры
  • Удаленный контроль
  • Управление под операционной системой Windows XP
  • Программное обеспечение SENTECH для управления процессами и всеми узлами системы

Опции:

  • Добавочные газовые линии для коррозионных и не коррозионных газов
  • Кварцевое окошечко для лазерного интерферометра (через источник PTSA)
  • Термостат охладитель (-30°С...80°С)
  • Кассетная станция (cassette to cassette)
  • Установка через стену (Through-the-wall installation)
  • Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)
  • Оптическая эмиссионная спектрометрия (OES)
[~DETAIL_TEXT] =>

SI 500-300 PTSA Plasma Etcher - установка травления в индуктивно-связанной плазме (ICP-RIE)производства SENTECH Instruments GmbH (Германия)

Превосходная однородность, прекрасная воспроизводимость при травлении
Возможность травления структур с нано размерами
Высокая скорость травления
Низкий уровень повреждений
Высокое аспектное отношение
PTSA - (P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna планарный источник ICP
Вакуумный загрузочный шлюз
Гелиевое охлаждение подложки
Операции контролируются компьютером
Применение для III/V, кварц, сапфир, микрооптика, микросистемы, СВЧ, нанотехнологии
Программное обеспечение SENTECH Software
Диаметр обрабатываемых пластин до 300мм.
Установка через стену (опция)
Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)

Система травления  SI 500-300 PTSA ICP plasma etcher производства SENTECH Instruments GmbH с диаметром электрода 300 мм. предназначена для использования в НИОКР для реализации процессов высокоскоростного сухого плазменного травления кремния, диэлектриков и полупроводниковых структур, особенно III/V и микрооптики и наноструктур в индуктивно-связанной плазме.

Установка травления SI 500-300 с источником индуктивно связанной плазмы может быть использована в широком диапазоне плазменных процессов – от обычного реактивного ионного травления до процессов в плазме высокой плотности. Отличительными особенностями SI 500-300 являются наличие источника индуктивно связанной плазмы, электрод подложки с гелиевым охлаждением и высокопроизводительная вакуумная система. Управление всеми важными параметрами оборудования осуществляется автоматически. Установка SI 500 была разработана для использования в пилотных производствах и НИОКР.

Отличительной особенностью системы SI 500 является запатентованный источник индуктивно связанной плазмы ICP-PTSA 400 (плоская тройная спиральная антенна), специально подходящий для травления с низким повреждением структуры, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамическим контролем температуры для поддержания постоянной температуры независимо от мощности плазмы,вакуумная система позволяет обеспечивать высокую производительность требуемую для процессов травления и магнито-пневматический загрузочный шлюз для высочайшей надежности при загрузке/ выгрузке пластин. Все важнейшие параметры системы контролируются автоматически.


Конфигурация системы:

  • PTSA ICP источник (13,56 МГц, 1200 Вт.) с автоматической согласующей системой
  • Источник ВЧ смещения (13,56 МГц, 600 Вт.)
  • Система распыления реакционного газа втроенная в PTSA источник
  • Высокопроизводительная вакуумная система с контролем давления независимого от натекания газа
  • Вакуумный загрузочный шлюз
  • Изолированный охлаждаемый или нагреваемый (-30ºC up to 250ºC) электрод для работы с пластинами или держателями диаметром до 300 мм. (2,3,4,6,8 дюймов, кусочки)
  • Гелиевое охлаждение обратной стороны пластины, механически прижим
  • Динамический контроль температуры
  • Удаленный контроль
  • Управление под операционной системой Windows XP
  • Программное обеспечение SENTECH для управления процессами и всеми узлами системы

Опции:

  • Добавочные газовые линии для коррозионных и не коррозионных газов
  • Кварцевое окошечко для лазерного интерферометра (через источник PTSA)
  • Термостат охладитель (-30°С...80°С)
  • Кассетная станция (cassette to cassette)
  • Установка через стену (Through-the-wall installation)
  • Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)
  • Оптическая эмиссионная спектрометрия (OES)
[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => ICP-RIE УСТАНОВКИ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ SI 500-300 УСТАНОВКА ТРАВЛЕНИЯ В ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЕ С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕ ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ ПОДЛОЖКИ ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 300 ММ. ИСТОЧНИК ИСП (13,56 МГЦ, 1200 ВТ) ОХЛАЖДЕНИЕ ГЕЛИЕМ (HE BACK SIDE COOLING) ДО 16 ГАЗОВЫХ ЛИНИЙ ХЛОРНАЯ И ФТОРНАЯ ХИМИЯ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ SENTECH SOFTWARE OES И ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ И ЛАЗЕРНАЯ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЯ SI&NBSP;500-300&NBSP;PTSA PLASMA ETCHER -&NBSP;УСТАНОВКА ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;В ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЕ&NBSP;(ICP-RIE)ПРОИЗВОДСТВА&NBSP;SENTECH INSTRUMENTS GMBH&NBSP;(ГЕРМАНИЯ) ПРЕВОСХОДНАЯ ОДНОРОДНОСТЬ, ПРЕКРАСНАЯ ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ ПРИ ТРАВЛЕНИИ ВОЗМОЖНОСТЬ ТРАВЛЕНИЯ СТРУКТУР С НАНО РАЗМЕРАМИ ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ТРАВЛЕНИЯ НИЗКИЙ УРОВЕНЬ ПОВРЕЖДЕНИЙ ВЫСОКОЕ АСПЕКТНОЕ ОТНОШЕНИЕ PTSA&NBSP;-&NBSP;(P)LANAR (T)RIPLE (S)PIRAL (A)NTENNA&NBSP;ПЛАНАРНЫЙ&NBSP;ИСТОЧНИК&NBSP;ICP ВАКУУМНЫЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ ГЕЛИЕВОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ ПОДЛОЖКИ ОПЕРАЦИИ КОНТРОЛИРУЮТСЯ КОМПЬЮТЕРОМ ПРИМЕНЕНИЕ ДЛЯ&NBSP;III/V,&NBSP;КВАРЦ, САПФИР, МИКРООПТИКА, МИКРОСИСТЕМЫ, СВЧ, НАНОТЕХНОЛОГИИ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH SOFTWARE ДИАМЕТР ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ПЛАСТИН ДО 300ММ. УСТАНОВКА ЧЕРЕЗ СТЕНУ (ОПЦИЯ) ИНТЕРФЕРОМЕТР (ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ТРАВЛЕНИЯ,&NBSP;ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА -&NBSP;ENDPOINT DETECTION) СИСТЕМА ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;&NBSP;SI 500-300 PTSA ICP PLASMA ETCHER&NBSP;ПРОИЗВОДСТВА&NBSP;SENTECH INSTRUMENTS GMBH&NBSP;С ДИАМЕТРОМ ЭЛЕКТРОДА 300 ММ. ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В НИОКР ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ ПРОЦЕССОВ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО СУХОГО ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ, ДИЭЛЕКТРИКОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, ОСОБЕННО&NBSP;III/V&NBSP;И МИКРООПТИКИ&NBSP;И НАНОСТРУКТУР В ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЕ. УСТАНОВКА ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;SI&NBSP;500-300 С ИСТОЧНИКОМ ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ МОЖЕТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНА В ШИРОКОМ ДИАПАЗОНЕ ПЛАЗМЕННЫХ ПРОЦЕССОВ – ОТ ОБЫЧНОГО РЕАКТИВНОГО ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ ДО ПРОЦЕССОВ В ПЛАЗМЕ ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ. ОТЛИЧИТЕЛЬНЫМИ ОСОБЕННОСТЯМИ&NBSP;SI&NBSP;500-300 ЯВЛЯЮТСЯ НАЛИЧИЕ ИСТОЧНИКА ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ, ЭЛЕКТРОД ПОДЛОЖКИ С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ И ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНАЯ ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА. УПРАВЛЕНИЕ ВСЕМИ ВАЖНЫМИ ПАРАМЕТРАМИ ОБОРУДОВАНИЯ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ АВТОМАТИЧЕСКИ. УСТАНОВКА&NBSP;SI&NBSP;500 БЫЛА РАЗРАБОТАНА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПИЛОТНЫХ ПРОИЗВОДСТВАХ И НИОКР. ОТЛИЧИТЕЛЬНОЙ ОСОБЕННОСТЬЮ СИСТЕМЫ&NBSP;SI&NBSP;500 ЯВЛЯЕТСЯ ЗАПАТЕНТОВАННЫЙ ИСТОЧНИК ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ&NBSP;ICP-PTSA&NBSP;400&NBSP;(ПЛОСКАЯ ТРОЙНАЯ СПИРАЛЬНАЯ АНТЕННА), СПЕЦИАЛЬНО ПОДХОДЯЩИЙ ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ С НИЗКИМ ПОВРЕЖДЕНИЕМ СТРУКТУРЫ,&NBSP;ЭЛЕКТРОД ПОДЛОЖКИ&NBSP;С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ И ДИНАМИЧЕСКИМ КОНТРОЛЕМ ТЕМПЕРАТУРЫ ДЛЯ ПОДДЕРЖАНИЯ ПОСТОЯННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ НЕЗАВИСИМО ОТ МОЩНОСТИ ПЛАЗМЫ,ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА&NBSP;ПОЗВОЛЯЕТ ОБЕСПЕЧИВАТЬ ВЫСОКУЮ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ ТРЕБУЕМУЮ ДЛЯ ПРОЦЕССОВ ТРАВЛЕНИЯ И&NBSP;МАГНИТО-ПНЕВМАТИЧЕСКИЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ&NBSP;ДЛЯ ВЫСОЧАЙШЕЙ НАДЕЖНОСТИ ПРИ ЗАГРУЗКЕ/ ВЫГРУЗКЕ ПЛАСТИН. ВСЕ ВАЖНЕЙШИЕ ПАРАМЕТРЫ СИСТЕМЫ КОНТРОЛИРУЮТСЯ АВТОМАТИЧЕСКИ. КОНФИГУРАЦИЯ СИСТЕМЫ: - PTSA ICP&NBSP;ИСТОЧНИК (13,56 МГЦ, 1200 ВТ.) С АВТОМАТИЧЕСКОЙ СОГЛАСУЮЩЕЙ СИСТЕМОЙ - ИСТОЧНИК ВЧ СМЕЩЕНИЯ (13,56 МГЦ, 600 ВТ.) - СИСТЕМА РАСПЫЛЕНИЯ РЕАКЦИОННОГО ГАЗА ВТРОЕННАЯ В&NBSP;PTSA&NBSP;ИСТОЧНИК - ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНАЯ ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА С КОНТРОЛЕМ ДАВЛЕНИЯ НЕЗАВИСИМОГО ОТ НАТЕКАНИЯ ГАЗА - ВАКУУМНЫЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ - ИЗОЛИРОВАННЫЙ ОХЛАЖДАЕМЫЙ ИЛИ НАГРЕВАЕМЫЙ (-30ºC UP TO 250ºC) ЭЛЕКТРОД ДЛЯ РАБОТЫ С ПЛАСТИНАМИ ИЛИ ДЕРЖАТЕЛЯМИ ДИАМЕТРОМ ДО 300 ММ. (2,3,4,6,8 ДЮЙМОВ, КУСОЧКИ) - ГЕЛИЕВОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ ПЛАСТИНЫ, МЕХАНИЧЕСКИ ПРИЖИМ - ДИНАМИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ ТЕМПЕРАТУРЫ - УДАЛЕННЫЙ КОНТРОЛЬ - УПРАВЛЕНИЕ ПОД ОПЕРАЦИОННОЙ СИСТЕМОЙ&NBSP;WINDOWS XP - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH&NBSP;ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССАМИ И ВСЕМИ УЗЛАМИ СИСТЕМЫ ОПЦИИ: - ДОБАВОЧНЫЕ ГАЗОВЫЕ ЛИНИИ ДЛЯ КОРРОЗИОННЫХ И НЕ КОРРОЗИОННЫХ ГАЗОВ - КВАРЦЕВОЕ ОКОШЕЧКО ДЛЯ ЛАЗЕРНОГО ИНТЕРФЕРОМЕТРА (ЧЕРЕЗ ИСТОЧНИК&NBSP;PTSA) - ТЕРМОСТАТ ОХЛАДИТЕЛЬ (-30°С...80°С) - КАССЕТНАЯ СТАНЦИЯ (CASSETTE TO CASSETTE) - УСТАНОВКА ЧЕРЕЗ СТЕНУ (THROUGH-THE-WALL INSTALLATION) - ИНТЕРФЕРОМЕТР [ /PDF/SENTECH END-POINT MONITORS.PDF ] &NBSP;(ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ТРАВЛЕНИЯ,&NBSP;ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА -&NBSP;ENDPOINT DETECTION) - ОПТИЧЕСКАЯ ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОМЕТРИЯ&NBSP;(OES [ /PDF/SENTECH END-POINT MONITORS (1).PDF ] ) [~SEARCHABLE_CONTENT] => ICP-RIE УСТАНОВКИ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ SI 500-300 УСТАНОВКА ТРАВЛЕНИЯ В ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЕ С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕ ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ ПОДЛОЖКИ ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 300 ММ. ИСТОЧНИК ИСП (13,56 МГЦ, 1200 ВТ) ОХЛАЖДЕНИЕ ГЕЛИЕМ (HE BACK SIDE COOLING) ДО 16 ГАЗОВЫХ ЛИНИЙ ХЛОРНАЯ И ФТОРНАЯ ХИМИЯ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ SENTECH SOFTWARE OES И ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ И ЛАЗЕРНАЯ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЯ SI&NBSP;500-300&NBSP;PTSA PLASMA ETCHER -&NBSP;УСТАНОВКА ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;В ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЕ&NBSP;(ICP-RIE)ПРОИЗВОДСТВА&NBSP;SENTECH INSTRUMENTS GMBH&NBSP;(ГЕРМАНИЯ) ПРЕВОСХОДНАЯ ОДНОРОДНОСТЬ, ПРЕКРАСНАЯ ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ ПРИ ТРАВЛЕНИИ ВОЗМОЖНОСТЬ ТРАВЛЕНИЯ СТРУКТУР С НАНО РАЗМЕРАМИ ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ТРАВЛЕНИЯ НИЗКИЙ УРОВЕНЬ ПОВРЕЖДЕНИЙ ВЫСОКОЕ АСПЕКТНОЕ ОТНОШЕНИЕ PTSA&NBSP;-&NBSP;(P)LANAR (T)RIPLE (S)PIRAL (A)NTENNA&NBSP;ПЛАНАРНЫЙ&NBSP;ИСТОЧНИК&NBSP;ICP ВАКУУМНЫЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ ГЕЛИЕВОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ ПОДЛОЖКИ ОПЕРАЦИИ КОНТРОЛИРУЮТСЯ КОМПЬЮТЕРОМ ПРИМЕНЕНИЕ ДЛЯ&NBSP;III/V,&NBSP;КВАРЦ, САПФИР, МИКРООПТИКА, МИКРОСИСТЕМЫ, СВЧ, НАНОТЕХНОЛОГИИ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH SOFTWARE ДИАМЕТР ОБРАБАТЫВАЕМЫХ ПЛАСТИН ДО 300ММ. УСТАНОВКА ЧЕРЕЗ СТЕНУ (ОПЦИЯ) ИНТЕРФЕРОМЕТР (ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ТРАВЛЕНИЯ,&NBSP;ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА -&NBSP;ENDPOINT DETECTION) СИСТЕМА ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;&NBSP;SI 500-300 PTSA ICP PLASMA ETCHER&NBSP;ПРОИЗВОДСТВА&NBSP;SENTECH INSTRUMENTS GMBH&NBSP;С ДИАМЕТРОМ ЭЛЕКТРОДА 300 ММ. ПРЕДНАЗНАЧЕНА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В НИОКР ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ ПРОЦЕССОВ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО СУХОГО ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ, ДИЭЛЕКТРИКОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, ОСОБЕННО&NBSP;III/V&NBSP;И МИКРООПТИКИ&NBSP;И НАНОСТРУКТУР В ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЕ. УСТАНОВКА ТРАВЛЕНИЯ&NBSP;SI&NBSP;500-300 С ИСТОЧНИКОМ ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ МОЖЕТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНА В ШИРОКОМ ДИАПАЗОНЕ ПЛАЗМЕННЫХ ПРОЦЕССОВ – ОТ ОБЫЧНОГО РЕАКТИВНОГО ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ ДО ПРОЦЕССОВ В ПЛАЗМЕ ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ. ОТЛИЧИТЕЛЬНЫМИ ОСОБЕННОСТЯМИ&NBSP;SI&NBSP;500-300 ЯВЛЯЮТСЯ НАЛИЧИЕ ИСТОЧНИКА ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ, ЭЛЕКТРОД ПОДЛОЖКИ С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ И ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНАЯ ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА. УПРАВЛЕНИЕ ВСЕМИ ВАЖНЫМИ ПАРАМЕТРАМИ ОБОРУДОВАНИЯ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ АВТОМАТИЧЕСКИ. УСТАНОВКА&NBSP;SI&NBSP;500 БЫЛА РАЗРАБОТАНА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПИЛОТНЫХ ПРОИЗВОДСТВАХ И НИОКР. ОТЛИЧИТЕЛЬНОЙ ОСОБЕННОСТЬЮ СИСТЕМЫ&NBSP;SI&NBSP;500 ЯВЛЯЕТСЯ ЗАПАТЕНТОВАННЫЙ ИСТОЧНИК ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ&NBSP;ICP-PTSA&NBSP;400&NBSP;(ПЛОСКАЯ ТРОЙНАЯ СПИРАЛЬНАЯ АНТЕННА), СПЕЦИАЛЬНО ПОДХОДЯЩИЙ ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ С НИЗКИМ ПОВРЕЖДЕНИЕМ СТРУКТУРЫ,&NBSP;ЭЛЕКТРОД ПОДЛОЖКИ&NBSP;С ГЕЛИЕВЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ И ДИНАМИЧЕСКИМ КОНТРОЛЕМ ТЕМПЕРАТУРЫ ДЛЯ ПОДДЕРЖАНИЯ ПОСТОЯННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ НЕЗАВИСИМО ОТ МОЩНОСТИ ПЛАЗМЫ,ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА&NBSP;ПОЗВОЛЯЕТ ОБЕСПЕЧИВАТЬ ВЫСОКУЮ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ ТРЕБУЕМУЮ ДЛЯ ПРОЦЕССОВ ТРАВЛЕНИЯ И&NBSP;МАГНИТО-ПНЕВМАТИЧЕСКИЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ&NBSP;ДЛЯ ВЫСОЧАЙШЕЙ НАДЕЖНОСТИ ПРИ ЗАГРУЗКЕ/ ВЫГРУЗКЕ ПЛАСТИН. ВСЕ ВАЖНЕЙШИЕ ПАРАМЕТРЫ СИСТЕМЫ КОНТРОЛИРУЮТСЯ АВТОМАТИЧЕСКИ. КОНФИГУРАЦИЯ СИСТЕМЫ: - PTSA ICP&NBSP;ИСТОЧНИК (13,56 МГЦ, 1200 ВТ.) С АВТОМАТИЧЕСКОЙ СОГЛАСУЮЩЕЙ СИСТЕМОЙ - ИСТОЧНИК ВЧ СМЕЩЕНИЯ (13,56 МГЦ, 600 ВТ.) - СИСТЕМА РАСПЫЛЕНИЯ РЕАКЦИОННОГО ГАЗА ВТРОЕННАЯ В&NBSP;PTSA&NBSP;ИСТОЧНИК - ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНАЯ ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА С КОНТРОЛЕМ ДАВЛЕНИЯ НЕЗАВИСИМОГО ОТ НАТЕКАНИЯ ГАЗА - ВАКУУМНЫЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ - ИЗОЛИРОВАННЫЙ ОХЛАЖДАЕМЫЙ ИЛИ НАГРЕВАЕМЫЙ (-30ºC UP TO 250ºC) ЭЛЕКТРОД ДЛЯ РАБОТЫ С ПЛАСТИНАМИ ИЛИ ДЕРЖАТЕЛЯМИ ДИАМЕТРОМ ДО 300 ММ. (2,3,4,6,8 ДЮЙМОВ, КУСОЧКИ) - ГЕЛИЕВОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ ПЛАСТИНЫ, МЕХАНИЧЕСКИ ПРИЖИМ - ДИНАМИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ ТЕМПЕРАТУРЫ - УДАЛЕННЫЙ КОНТРОЛЬ - УПРАВЛЕНИЕ ПОД ОПЕРАЦИОННОЙ СИСТЕМОЙ&NBSP;WINDOWS XP - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ&NBSP;SENTECH&NBSP;ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССАМИ И ВСЕМИ УЗЛАМИ СИСТЕМЫ ОПЦИИ: - ДОБАВОЧНЫЕ ГАЗОВЫЕ ЛИНИИ ДЛЯ КОРРОЗИОННЫХ И НЕ КОРРОЗИОННЫХ ГАЗОВ - КВАРЦЕВОЕ ОКОШЕЧКО ДЛЯ ЛАЗЕРНОГО ИНТЕРФЕРОМЕТРА (ЧЕРЕЗ ИСТОЧНИК&NBSP;PTSA) - ТЕРМОСТАТ ОХЛАДИТЕЛЬ (-30°С...80°С) - КАССЕТНАЯ СТАНЦИЯ (CASSETTE TO CASSETTE) - УСТАНОВКА ЧЕРЕЗ СТЕНУ (THROUGH-THE-WALL INSTALLATION) - ИНТЕРФЕРОМЕТР [ /PDF/SENTECH END-POINT MONITORS.PDF ] &NBSP;(ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ТРАВЛЕНИЯ,&NBSP;ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА -&NBSP;ENDPOINT DETECTION) - ОПТИЧЕСКАЯ ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОМЕТРИЯ&NBSP;(OES [ /PDF/SENTECH END-POINT MONITORS (1).PDF ] ) [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 926 [~SHOW_COUNTER] => 926 [SHOW_COUNTER_START] => 12/17/2015 08:56:36 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 12/17/2015 08:56:36 pm [CODE] => icp-rie-ustanovki-plazmennogo-travleniya-si-500-300 [~CODE] => icp-rie-ustanovki-plazmennogo-travleniya-si-500-300 [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 181 [~XML_ID] => 181 [EXTERNAL_ID] => 181 [~EXTERNAL_ID] => 181 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennoe-travlenie/icp-rie-ustanovki-plazmennogo-travleniya-si-500-300/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennoe-travlenie/icp-rie-ustanovki-plazmennogo-travleniya-si-500-300/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.15 [~CREATED_DATE] => 2015.12.15 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 33
    [~ID] => 33
    [TIMESTAMP_X] => 12/16/2016 03:23:01 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 12/16/2016 03:23:01 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481890981
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481890981
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/12/2015 04:42:36 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/12/2015 04:42:36 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1449927756
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1449927756
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 16
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 16
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Установка плазменной очистки Yocto (low cost system)
    [~NAME] => Установка плазменной очистки Yocto (low cost system)
    [PREVIEW_PICTURE] => 73
    [~PREVIEW_PICTURE] => 73
    [PREVIEW_TEXT] => 

Установка плазменной очистки низкого давления модели Yocto производства Diener electronic (Германия).

Применение: очистка, активациям

Камера: около Ø50 мм, глубина 150 мм

Вакуумный насос - 0,75 м3/час

Ганератор 100 кГц, 30 Вт

Управление: ручное

Газовая линия - 1 шт.

[~PREVIEW_TEXT] =>

Установка плазменной очистки низкого давления модели Yocto производства Diener electronic (Германия).

Применение: очистка, активациям

Камера: около Ø50 мм, глубина 150 мм

Вакуумный насос - 0,75 м3/час

Ганератор 100 кГц, 30 Вт

Управление: ручное

Газовая линия - 1 шт.

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 74 [~DETAIL_PICTURE] => 74 [DETAIL_TEXT] => Установка плазменной очистки низкого давления модели Yocto производства Diener electronic (Германия).

Применение: Исследовательские работы, очистка, активация, травление (мелкосерийные процессы)

Особенности

  • Камера: около Ø50 мм, глубина 150 мм
  • Вакуумный насос - 0,75 м3/час
  • Ганератор 100 кГц, 30 Вт
  • Управление: ручное
  • Газовая линия - 1 шт.

Характеристики


Тип установки плазма низкого давления
Вакуумная камера цилиндрическая, Ø50 мм, глубина 150 мм 
Материал камеры Боросиликатное стекло
Подвод газа 1 газовая линия без регулировки потока
Генератор плазмы 100 кГц, 0-30 Вт.
Производительность вакуумного насоса
сухой насос, 0,75 м3/ час
Подключение 220 В, 50 Гц

Видеопрезентация фирмы Diener



[~DETAIL_TEXT] => Установка плазменной очистки низкого давления модели Yocto производства Diener electronic (Германия).

Применение: Исследовательские работы, очистка, активация, травление (мелкосерийные процессы)

Особенности

  • Камера: около Ø50 мм, глубина 150 мм
  • Вакуумный насос - 0,75 м3/час
  • Ганератор 100 кГц, 30 Вт
  • Управление: ручное
  • Газовая линия - 1 шт.

Характеристики


Тип установки плазма низкого давления
Вакуумная камера цилиндрическая, Ø50 мм, глубина 150 мм 
Материал камеры Боросиликатное стекло
Подвод газа 1 газовая линия без регулировки потока
Генератор плазмы 100 кГц, 0-30 Вт.
Производительность вакуумного насоса
сухой насос, 0,75 м3/ час
Подключение 220 В, 50 Гц

Видеопрезентация фирмы Diener



[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА ПЛАЗМЕННОЙ ОЧИСТКИ YOCTO (LOW COST SYSTEM) УСТАНОВКА ПЛАЗМЕННОЙ ОЧИСТКИ НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ МОДЕЛИ YOCTO ПРОИЗВОДСТВА DIENER ELECTRONIC (ГЕРМАНИЯ). ПРИМЕНЕНИЕ: ОЧИСТКА, АКТИВАЦИЯМ КАМЕРА: ОКОЛО Ø50 ММ, ГЛУБИНА 150 ММ ВАКУУМНЫЙ НАСОС - 0,75 М3/ЧАС ГАНЕРАТОР 100 КГЦ, 30 ВТ УПРАВЛЕНИЕ: РУЧНОЕ ГАЗОВАЯ ЛИНИЯ - 1 ШТ. УСТАНОВКА ПЛАЗМЕННОЙ ОЧИСТКИ НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ МОДЕЛИ YOCTO ПРОИЗВОДСТВА DIENER ELECTRONIC (ГЕРМАНИЯ). ПРИМЕНЕНИЕ: ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЕ РАБОТЫ, ОЧИСТКА, АКТИВАЦИЯ, ТРАВЛЕНИЕ (МЕЛКОСЕРИЙНЫЕ ПРОЦЕССЫ) ОСОБЕННОСТИ - КАМЕРА: ОКОЛО Ø50 ММ, ГЛУБИНА 150 ММ - ВАКУУМНЫЙ НАСОС - 0,75 М3/ЧАС - ГАНЕРАТОР 100 КГЦ, 30 ВТ - УПРАВЛЕНИЕ: РУЧНОЕ - ГАЗОВАЯ ЛИНИЯ - 1 ШТ. ХАРАКТЕРИСТИКИ ТИП УСТАНОВКИ ПЛАЗМА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ ВАКУУМНАЯ КАМЕРА ЦИЛИНДРИЧЕСКАЯ, Ø50 ММ, ГЛУБИНА 150 ММ&NBSP; МАТЕРИАЛ КАМЕРЫ БОРОСИЛИКАТНОЕ СТЕКЛО ПОДВОД ГАЗА 1 ГАЗОВАЯ ЛИНИЯ БЕЗ РЕГУЛИРОВКИ ПОТОКА ГЕНЕРАТОР ПЛАЗМЫ 100 КГЦ, 0-30 ВТ. ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ ВАКУУМНОГО НАСОСА СУХОЙ НАСОС, 0,75&NBSP;М3/ ЧАС ПОДКЛЮЧЕНИЕ 220 В, 50 ГЦ ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ ФИРМЫ DIENER [~SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА ПЛАЗМЕННОЙ ОЧИСТКИ YOCTO (LOW COST SYSTEM) УСТАНОВКА ПЛАЗМЕННОЙ ОЧИСТКИ НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ МОДЕЛИ YOCTO ПРОИЗВОДСТВА DIENER ELECTRONIC (ГЕРМАНИЯ). ПРИМЕНЕНИЕ: ОЧИСТКА, АКТИВАЦИЯМ КАМЕРА: ОКОЛО Ø50 ММ, ГЛУБИНА 150 ММ ВАКУУМНЫЙ НАСОС - 0,75 М3/ЧАС ГАНЕРАТОР 100 КГЦ, 30 ВТ УПРАВЛЕНИЕ: РУЧНОЕ ГАЗОВАЯ ЛИНИЯ - 1 ШТ. УСТАНОВКА ПЛАЗМЕННОЙ ОЧИСТКИ НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ МОДЕЛИ YOCTO ПРОИЗВОДСТВА DIENER ELECTRONIC (ГЕРМАНИЯ). ПРИМЕНЕНИЕ: ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЕ РАБОТЫ, ОЧИСТКА, АКТИВАЦИЯ, ТРАВЛЕНИЕ (МЕЛКОСЕРИЙНЫЕ ПРОЦЕССЫ) ОСОБЕННОСТИ - КАМЕРА: ОКОЛО Ø50 ММ, ГЛУБИНА 150 ММ - ВАКУУМНЫЙ НАСОС - 0,75 М3/ЧАС - ГАНЕРАТОР 100 КГЦ, 30 ВТ - УПРАВЛЕНИЕ: РУЧНОЕ - ГАЗОВАЯ ЛИНИЯ - 1 ШТ. ХАРАКТЕРИСТИКИ ТИП УСТАНОВКИ ПЛАЗМА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ ВАКУУМНАЯ КАМЕРА ЦИЛИНДРИЧЕСКАЯ, Ø50 ММ, ГЛУБИНА 150 ММ&NBSP; МАТЕРИАЛ КАМЕРЫ БОРОСИЛИКАТНОЕ СТЕКЛО ПОДВОД ГАЗА 1 ГАЗОВАЯ ЛИНИЯ БЕЗ РЕГУЛИРОВКИ ПОТОКА ГЕНЕРАТОР ПЛАЗМЫ 100 КГЦ, 0-30 ВТ. ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ ВАКУУМНОГО НАСОСА СУХОЙ НАСОС, 0,75&NBSP;М3/ ЧАС ПОДКЛЮЧЕНИЕ 220 В, 50 ГЦ ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ ФИРМЫ DIENER [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 465 [~SHOW_COUNTER] => 465 [SHOW_COUNTER_START] => 12/18/2015 11:29:10 am [~SHOW_COUNTER_START] => 12/18/2015 11:29:10 am [CODE] => ustanovka-plazmennoj-ochistki-yocto-low-cost-system [~CODE] => ustanovka-plazmennoj-ochistki-yocto-low-cost-system [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 33 [~XML_ID] => 33 [EXTERNAL_ID] => 33 [~EXTERNAL_ID] => 33 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennaya-ochistka/ustanovka-plazmennoj-ochistki-yocto-low-cost-system/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennaya-ochistka/ustanovka-plazmennoj-ochistki-yocto-low-cost-system/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.12 [~CREATED_DATE] => 2015.12.12 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 40
    [~ID] => 40
    [TIMESTAMP_X] => 12/16/2016 03:22:11 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 12/16/2016 03:22:11 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481890931
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481890931
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/12/2015 06:06:25 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/12/2015 06:06:25 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1449932785
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1449932785
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 16
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 16
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Установка плазменной очистки при атмосферном давлении серии PlasmaBeam
    [~NAME] => Установка плазменной очистки при атмосферном давлении серии PlasmaBeam
    [PREVIEW_PICTURE] => 121
    [~PREVIEW_PICTURE] => 121
    [PREVIEW_TEXT] => 

Генератор атмосферной плазмы „plasma system PlasmaBeam“ рассчитан, главным образом, на локальную предварительную обработку (очистку, активацию) различных поверхностей:

полимерных

металлических

керамических

стеклянных

из комбинированных материалов

„Plasma system PlasmaBeam“ может устанавливаться в существующие автоматические производственные линии без больших затрат.

[~PREVIEW_TEXT] =>

Генератор атмосферной плазмы „plasma system PlasmaBeam“ рассчитан, главным образом, на локальную предварительную обработку (очистку, активацию) различных поверхностей:

полимерных

металлических

керамических

стеклянных

из комбинированных материалов

„Plasma system PlasmaBeam“ может устанавливаться в существующие автоматические производственные линии без больших затрат.

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 122 [~DETAIL_PICTURE] => 122 [DETAIL_TEXT] =>

„Plasma system PlasmaBeam“ - атмосферный плазменный процессор для очистки и активации поверхности применяется в следующих отраслях:
In-Line“ производство
Мелкосерийное производство
Медицинская техника
Стерилизация
Научно-исследовательские работы
Археология
Текстильная промышленность
Полупроводниковая техника
Техника обработки пластмасс

Технические характеристики: Plasma cleaner PlasmaBeam


Шкаф распределительного устройства: Ш 562 мм, В 211 мм, Г 420 мм
Плазменный генератор: Макс. Ø 32 мм, Д 270 мм
Длина кабеля: 3 м
Ширина поля обработки: макс. 12 мм
Генератор: 20 кГц / 300 Вт
Подключения: Технологический и охлаждающий газ: Сжатый воздух
230 В / 6А
Обслуживание и управление:
Ручное управление: Выключатель на передней панели установки
Полуавтоматическое управление: Дистанционное управление через подключение к разъёму на задней панели установки.

ПРИМЕНЕНИЕ:

PlasmaBeam - It's plasma technologies.

Процесс тонкой очистки поверхностей и активации может проводиться с помощью реакции содержащихся в активной газовой струе реактивных частиц (радикалов). Дополнительно с помощью активной газовой струи, ускоренной за счёт сжатия, с поверхности удаляются свободные, клейкие частицы.
„Plasma system PlasmaBeam“ является агрегатом предварительной обработки для следующих процессов:

  • -Склеивания
  • -Микросварки
  • -Печати
  • -Кашированияplasmabeam_effekt2.jpg
  • -Пайки
  • -Сварки
    на поверхностях из пластмасс, стекла, керамики и комбинированных материалов.

Plasma finishing: Активная газовая струя, выходящая из сопла плазменной горелки, свободна от потенциала высокого напряжения. Это позволяет применять установку в электронной промышленности, например:
  • -для очистки контактных площадок при микросварке проволочных соединений
  • -для очистки и активации контактов ЖК-мониторов перед термосваркой
  • -для активации поверхностей чипов перед печатьюplasmabeam_flame.jpg

Plasma surface technolgies: Обработка поверхности с помощью установки „PlasmaBeam“ должна постоянно проходить в движении. Скорость обработки (V) и расстояние между соплом плазменной горелки и обрабатываемой поверхностью (D) – это два важнейших параметра для достижения желаемого результата. Изменение этих параметров может заметно повлиять на эффект предварительной обработки.
plasmabeam_anwendung_en.gif

СКАЧАТЬ БРОШЮРУ PLASMABEAM В PDF


Видеопрезентация установки PlasmaBeam




Видеопрезентация фирмы Diener



[~DETAIL_TEXT] =>

„Plasma system PlasmaBeam“ - атмосферный плазменный процессор для очистки и активации поверхности применяется в следующих отраслях:
In-Line“ производство
Мелкосерийное производство
Медицинская техника
Стерилизация
Научно-исследовательские работы
Археология
Текстильная промышленность
Полупроводниковая техника
Техника обработки пластмасс

Технические характеристики: Plasma cleaner PlasmaBeam


Шкаф распределительного устройства: Ш 562 мм, В 211 мм, Г 420 мм
Плазменный генератор: Макс. Ø 32 мм, Д 270 мм
Длина кабеля: 3 м
Ширина поля обработки: макс. 12 мм
Генератор: 20 кГц / 300 Вт
Подключения: Технологический и охлаждающий газ: Сжатый воздух
230 В / 6А
Обслуживание и управление:
Ручное управление: Выключатель на передней панели установки
Полуавтоматическое управление: Дистанционное управление через подключение к разъёму на задней панели установки.

ПРИМЕНЕНИЕ:

PlasmaBeam - It's plasma technologies.

Процесс тонкой очистки поверхностей и активации может проводиться с помощью реакции содержащихся в активной газовой струе реактивных частиц (радикалов). Дополнительно с помощью активной газовой струи, ускоренной за счёт сжатия, с поверхности удаляются свободные, клейкие частицы.
„Plasma system PlasmaBeam“ является агрегатом предварительной обработки для следующих процессов:

  • -Склеивания
  • -Микросварки
  • -Печати
  • -Кашированияplasmabeam_effekt2.jpg
  • -Пайки
  • -Сварки
    на поверхностях из пластмасс, стекла, керамики и комбинированных материалов.

Plasma finishing: Активная газовая струя, выходящая из сопла плазменной горелки, свободна от потенциала высокого напряжения. Это позволяет применять установку в электронной промышленности, например:
  • -для очистки контактных площадок при микросварке проволочных соединений
  • -для очистки и активации контактов ЖК-мониторов перед термосваркой
  • -для активации поверхностей чипов перед печатьюplasmabeam_flame.jpg

Plasma surface technolgies: Обработка поверхности с помощью установки „PlasmaBeam“ должна постоянно проходить в движении. Скорость обработки (V) и расстояние между соплом плазменной горелки и обрабатываемой поверхностью (D) – это два важнейших параметра для достижения желаемого результата. Изменение этих параметров может заметно повлиять на эффект предварительной обработки.
plasmabeam_anwendung_en.gif

СКАЧАТЬ БРОШЮРУ PLASMABEAM В PDF


Видеопрезентация установки PlasmaBeam




Видеопрезентация фирмы Diener



[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА ПЛАЗМЕННОЙ ОЧИСТКИ ПРИ АТМОСФЕРНОМ ДАВЛЕНИИ СЕРИИ PLASMABEAM ГЕНЕРАТОР АТМОСФЕРНОЙ ПЛАЗМЫ „PLASMA SYSTEM PLASMABEAM“ РАССЧИТАН, ГЛАВНЫМ ОБРАЗОМ, НА ЛОКАЛЬНУЮ ПРЕДВАРИТЕЛЬНУЮ ОБРАБОТКУ (ОЧИСТКУ, АКТИВАЦИЮ) РАЗЛИЧНЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ: ПОЛИМЕРНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ КЕРАМИЧЕСКИХ СТЕКЛЯННЫХ ИЗ КОМБИНИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ „PLASMA SYSTEM PLASMABEAM“ МОЖЕТ УСТАНАВЛИВАТЬСЯ В СУЩЕСТВУЮЩИЕ АВТОМАТИЧЕСКИЕ ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ ЛИНИИ БЕЗ БОЛЬШИХ ЗАТРАТ. „PLASMA SYSTEM PLASMABEAM“ - АТМОСФЕРНЫЙ ПЛАЗМЕННЫЙ ПРОЦЕССОР ДЛЯ ОЧИСТКИ И АКТИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ПРИМЕНЯЕТСЯ В СЛЕДУЮЩИХ ОТРАСЛЯХ: IN-LINE“ ПРОИЗВОДСТВО МЕЛКОСЕРИЙНОЕ ПРОИЗВОДСТВО МЕДИЦИНСКАЯ ТЕХНИКА СТЕРИЛИЗАЦИЯ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЕ РАБОТЫ АРХЕОЛОГИЯ ТЕКСТИЛЬНАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ТЕХНИКА ТЕХНИКА ОБРАБОТКИ ПЛАСТМАСС ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:&NBSP;PLASMA CLEANER PLASMABEAM ШКАФ РАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНОГО УСТРОЙСТВА: Ш 562 ММ, В 211 ММ, Г 420 ММ ПЛАЗМЕННЫЙ ГЕНЕРАТОР:&NBSP;МАКС. Ø 32 ММ, Д 270 ММ ДЛИНА КАБЕЛЯ: 3 М ШИРИНА ПОЛЯ ОБРАБОТКИ: МАКС. 12 ММ ГЕНЕРАТОР: 20 КГЦ / 300 ВТ ПОДКЛЮЧЕНИЯ:&NBSP;ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ И ОХЛАЖДАЮЩИЙ ГАЗ: СЖАТЫЙ ВОЗДУХ 230 В / 6А ОБСЛУЖИВАНИЕ И УПРАВЛЕНИЕ: РУЧНОЕ УПРАВЛЕНИЕ:&NBSP;ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ НА ПЕРЕДНЕЙ ПАНЕЛИ УСТАНОВКИ ПОЛУАВТОМАТИЧЕСКОЕ УПРАВЛЕНИЕ:&NBSP;ДИСТАНЦИОННОЕ УПРАВЛЕНИЕ ЧЕРЕЗ ПОДКЛЮЧЕНИЕ К РАЗЪЁМУ&NBSP;НА ЗАДНЕЙ ПАНЕЛИ УСТАНОВКИ. ПРИМЕНЕНИЕ: PLASMABEAM - IT'S PLASMA TECHNOLOGIES. ПРОЦЕСС ТОНКОЙ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТЕЙ И АКТИВАЦИИ МОЖЕТ ПРОВОДИТЬСЯ С ПОМОЩЬЮ РЕАКЦИИ СОДЕРЖАЩИХСЯ В АКТИВНОЙ ГАЗОВОЙ СТРУЕ РЕАКТИВНЫХ ЧАСТИЦ (РАДИКАЛОВ). ДОПОЛНИТЕЛЬНО С ПОМОЩЬЮ АКТИВНОЙ ГАЗОВОЙ СТРУИ, УСКОРЕННОЙ ЗА СЧЁТ СЖАТИЯ, С ПОВЕРХНОСТИ УДАЛЯЮТСЯ СВОБОДНЫЕ, КЛЕЙКИЕ ЧАСТИЦЫ. „PLASMA SYSTEM PLASMABEAM“&NBSP;ЯВЛЯЕТСЯ АГРЕГАТОМ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ДЛЯ СЛЕДУЮЩИХ ПРОЦЕССОВ: - -СКЛЕИВАНИЯ - -МИКРОСВАРКИ - -ПЕЧАТИ - -КАШИРОВАНИЯ[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/821/821B0C61BADFAF14991D1856036F63CD.JPG ] - -ПАЙКИ - -СВАРКИ НА ПОВЕРХНОСТЯХ ИЗ ПЛАСТМАСС, СТЕКЛА, КЕРАМИКИ И КОМБИНИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ. PLASMA FINISHING: АКТИВНАЯ ГАЗОВАЯ СТРУЯ, ВЫХОДЯЩАЯ ИЗ СОПЛА ПЛАЗМЕННОЙ ГОРЕЛКИ, СВОБОДНА ОТ ПОТЕНЦИАЛА ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ. ЭТО ПОЗВОЛЯЕТ ПРИМЕНЯТЬ УСТАНОВКУ В ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, НАПРИМЕР: - -ДЛЯ ОЧИСТКИ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК ПРИ МИКРОСВАРКЕ ПРОВОЛОЧНЫХ СОЕДИНЕНИЙ - -ДЛЯ ОЧИСТКИ И АКТИВАЦИИ КОНТАКТОВ ЖК-МОНИТОРОВ ПЕРЕД ТЕРМОСВАРКОЙ - -ДЛЯ АКТИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТЕЙ ЧИПОВ ПЕРЕД ПЕЧАТЬЮ[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/334/3342D94C32DFE20EDCAE29486C2D025E.JPG ] PLASMA SURFACE TECHNOLGIES: ОБРАБОТКА ПОВЕРХНОСТИ С ПОМОЩЬЮ УСТАНОВКИ „PLASMABEAM“ ДОЛЖНА ПОСТОЯННО ПРОХОДИТЬ В ДВИЖЕНИИ. СКОРОСТЬ ОБРАБОТКИ (V) И РАССТОЯНИЕ МЕЖДУ СОПЛОМ ПЛАЗМЕННОЙ ГОРЕЛКИ И ОБРАБАТЫВАЕМОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ (D) – ЭТО ДВА ВАЖНЕЙШИХ ПАРАМЕТРА ДЛЯ ДОСТИЖЕНИЯ ЖЕЛАЕМОГО РЕЗУЛЬТАТА. ИЗМЕНЕНИЕ ЭТИХ ПАРАМЕТРОВ МОЖЕТ ЗАМЕТНО ПОВЛИЯТЬ НА ЭФФЕКТ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/20D/20D827A66D491F08A10D627B215EFD2F.GIF ] СКАЧАТЬ БРОШЮРУ PLASMABEAM В PDF [ /PDF/BROCHURE_PLASMABEAM.PDF ] ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ УСТАНОВКИ PLASMABEAM ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ ФИРМЫ DIENER [~SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА ПЛАЗМЕННОЙ ОЧИСТКИ ПРИ АТМОСФЕРНОМ ДАВЛЕНИИ СЕРИИ PLASMABEAM ГЕНЕРАТОР АТМОСФЕРНОЙ ПЛАЗМЫ „PLASMA SYSTEM PLASMABEAM“ РАССЧИТАН, ГЛАВНЫМ ОБРАЗОМ, НА ЛОКАЛЬНУЮ ПРЕДВАРИТЕЛЬНУЮ ОБРАБОТКУ (ОЧИСТКУ, АКТИВАЦИЮ) РАЗЛИЧНЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ: ПОЛИМЕРНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ КЕРАМИЧЕСКИХ СТЕКЛЯННЫХ ИЗ КОМБИНИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ „PLASMA SYSTEM PLASMABEAM“ МОЖЕТ УСТАНАВЛИВАТЬСЯ В СУЩЕСТВУЮЩИЕ АВТОМАТИЧЕСКИЕ ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ ЛИНИИ БЕЗ БОЛЬШИХ ЗАТРАТ. „PLASMA SYSTEM PLASMABEAM“ - АТМОСФЕРНЫЙ ПЛАЗМЕННЫЙ ПРОЦЕССОР ДЛЯ ОЧИСТКИ И АКТИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ПРИМЕНЯЕТСЯ В СЛЕДУЮЩИХ ОТРАСЛЯХ: IN-LINE“ ПРОИЗВОДСТВО МЕЛКОСЕРИЙНОЕ ПРОИЗВОДСТВО МЕДИЦИНСКАЯ ТЕХНИКА СТЕРИЛИЗАЦИЯ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЕ РАБОТЫ АРХЕОЛОГИЯ ТЕКСТИЛЬНАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ТЕХНИКА ТЕХНИКА ОБРАБОТКИ ПЛАСТМАСС ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:&NBSP;PLASMA CLEANER PLASMABEAM ШКАФ РАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНОГО УСТРОЙСТВА: Ш 562 ММ, В 211 ММ, Г 420 ММ ПЛАЗМЕННЫЙ ГЕНЕРАТОР:&NBSP;МАКС. Ø 32 ММ, Д 270 ММ ДЛИНА КАБЕЛЯ: 3 М ШИРИНА ПОЛЯ ОБРАБОТКИ: МАКС. 12 ММ ГЕНЕРАТОР: 20 КГЦ / 300 ВТ ПОДКЛЮЧЕНИЯ:&NBSP;ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ И ОХЛАЖДАЮЩИЙ ГАЗ: СЖАТЫЙ ВОЗДУХ 230 В / 6А ОБСЛУЖИВАНИЕ И УПРАВЛЕНИЕ: РУЧНОЕ УПРАВЛЕНИЕ:&NBSP;ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ НА ПЕРЕДНЕЙ ПАНЕЛИ УСТАНОВКИ ПОЛУАВТОМАТИЧЕСКОЕ УПРАВЛЕНИЕ:&NBSP;ДИСТАНЦИОННОЕ УПРАВЛЕНИЕ ЧЕРЕЗ ПОДКЛЮЧЕНИЕ К РАЗЪЁМУ&NBSP;НА ЗАДНЕЙ ПАНЕЛИ УСТАНОВКИ. ПРИМЕНЕНИЕ: PLASMABEAM - IT'S PLASMA TECHNOLOGIES. ПРОЦЕСС ТОНКОЙ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТЕЙ И АКТИВАЦИИ МОЖЕТ ПРОВОДИТЬСЯ С ПОМОЩЬЮ РЕАКЦИИ СОДЕРЖАЩИХСЯ В АКТИВНОЙ ГАЗОВОЙ СТРУЕ РЕАКТИВНЫХ ЧАСТИЦ (РАДИКАЛОВ). ДОПОЛНИТЕЛЬНО С ПОМОЩЬЮ АКТИВНОЙ ГАЗОВОЙ СТРУИ, УСКОРЕННОЙ ЗА СЧЁТ СЖАТИЯ, С ПОВЕРХНОСТИ УДАЛЯЮТСЯ СВОБОДНЫЕ, КЛЕЙКИЕ ЧАСТИЦЫ. „PLASMA SYSTEM PLASMABEAM“&NBSP;ЯВЛЯЕТСЯ АГРЕГАТОМ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ДЛЯ СЛЕДУЮЩИХ ПРОЦЕССОВ: - -СКЛЕИВАНИЯ - -МИКРОСВАРКИ - -ПЕЧАТИ - -КАШИРОВАНИЯ[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/821/821B0C61BADFAF14991D1856036F63CD.JPG ] - -ПАЙКИ - -СВАРКИ НА ПОВЕРХНОСТЯХ ИЗ ПЛАСТМАСС, СТЕКЛА, КЕРАМИКИ И КОМБИНИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ. PLASMA FINISHING: АКТИВНАЯ ГАЗОВАЯ СТРУЯ, ВЫХОДЯЩАЯ ИЗ СОПЛА ПЛАЗМЕННОЙ ГОРЕЛКИ, СВОБОДНА ОТ ПОТЕНЦИАЛА ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ. ЭТО ПОЗВОЛЯЕТ ПРИМЕНЯТЬ УСТАНОВКУ В ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, НАПРИМЕР: - -ДЛЯ ОЧИСТКИ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК ПРИ МИКРОСВАРКЕ ПРОВОЛОЧНЫХ СОЕДИНЕНИЙ - -ДЛЯ ОЧИСТКИ И АКТИВАЦИИ КОНТАКТОВ ЖК-МОНИТОРОВ ПЕРЕД ТЕРМОСВАРКОЙ - -ДЛЯ АКТИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТЕЙ ЧИПОВ ПЕРЕД ПЕЧАТЬЮ[ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/334/3342D94C32DFE20EDCAE29486C2D025E.JPG ] PLASMA SURFACE TECHNOLGIES: ОБРАБОТКА ПОВЕРХНОСТИ С ПОМОЩЬЮ УСТАНОВКИ „PLASMABEAM“ ДОЛЖНА ПОСТОЯННО ПРОХОДИТЬ В ДВИЖЕНИИ. СКОРОСТЬ ОБРАБОТКИ (V) И РАССТОЯНИЕ МЕЖДУ СОПЛОМ ПЛАЗМЕННОЙ ГОРЕЛКИ И ОБРАБАТЫВАЕМОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ (D) – ЭТО ДВА ВАЖНЕЙШИХ ПАРАМЕТРА ДЛЯ ДОСТИЖЕНИЯ ЖЕЛАЕМОГО РЕЗУЛЬТАТА. ИЗМЕНЕНИЕ ЭТИХ ПАРАМЕТРОВ МОЖЕТ ЗАМЕТНО ПОВЛИЯТЬ НА ЭФФЕКТ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/20D/20D827A66D491F08A10D627B215EFD2F.GIF ] СКАЧАТЬ БРОШЮРУ PLASMABEAM В PDF [ /PDF/BROCHURE_PLASMABEAM.PDF ] ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ УСТАНОВКИ PLASMABEAM ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ ФИРМЫ DIENER [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 634 [~SHOW_COUNTER] => 634 [SHOW_COUNTER_START] => 12/12/2015 06:06:54 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 12/12/2015 06:06:54 pm [CODE] => ustanovka-plazmennoj-ochistki-pri-atmosfernom-davlenii-serii-plasmabeam [~CODE] => ustanovka-plazmennoj-ochistki-pri-atmosfernom-davlenii-serii-plasmabeam [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 40 [~XML_ID] => 40 [EXTERNAL_ID] => 40 [~EXTERNAL_ID] => 40 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennaya-ochistka/ustanovka-plazmennoj-ochistki-pri-atmosfernom-davlenii-serii-plasmabeam/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/plazmennaya-ochistka/ustanovka-plazmennoj-ochistki-pri-atmosfernom-davlenii-serii-plasmabeam/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.12 [~CREATED_DATE] => 2015.12.12 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 41
    [~ID] => 41
    [TIMESTAMP_X] => 12/16/2016 02:09:25 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 12/16/2016 02:09:25 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481886565
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481886565
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/12/2015 07:03:14 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/12/2015 07:03:14 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1449936194
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1449936194
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 17
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 17
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Установка AS-Micro для быстрых термических процессов (RTP)
    [~NAME] => Установка AS-Micro для быстрых термических процессов (RTP)
    [PREVIEW_PICTURE] => 132
    [~PREVIEW_PICTURE] => 132
    [PREVIEW_TEXT] => 

Установка AS-Micro

Система для использования пластин диаметром до 3 дюймов для использования в лабораториях. Версия с двумя камерами для перекрестного загрязнения (cross contamination).

Применение:

быстрый термический отжиг (RTA),

быстрое термическое окисление (RTO)

послеимплантационный отжиг и др.

Температурный диапазон: от RT до 1250°C

Загрузка: ручная

[~PREVIEW_TEXT] =>

Установка AS-Micro

Система для использования пластин диаметром до 3 дюймов для использования в лабораториях. Версия с двумя камерами для перекрестного загрязнения (cross contamination).

Применение:

быстрый термический отжиг (RTA),

быстрое термическое окисление (RTO)

послеимплантационный отжиг и др.

Температурный диапазон: от RT до 1250°C

Загрузка: ручная

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 133 [~DETAIL_PICTURE] => 133 [DETAIL_TEXT] => AS-Micro - установка быстрых термических процессов (RTP):

Система для использования пластин диаметром до 3 дюймов для использования в лабораториях. Версия с двумя камерами для перекрестного загрязнения (cross contamination).
Применение:
- Быстрый термический отжиг (RTA),
- Быстрое термическое окисление (RTO)
- Послеимплантационный отжиг
- Отжиг соединений полупроводников
- Кристализация и Загустевание
- Сульфиризация и Селенизация и др.
Спецификация и описание:
- Термопроцессор для быстрой термической обработки 3-дюймовых пластин
- Компактная конфигурация для настольного расположения
- Узкоспециализированные и исследовательские задачи применения
- Размер образцов: от нескольких квадратных миллиметров до 3 дюймов в диаметре
- Опционально трехдюймовый держатель для образцов диаметром 2 дюйма
- Кварцевая труба камеры реактора с фланцами из нержавеющей стали
- Цилиндрические инфракрасные галогеновые лампы печи
- Очень быстрая скорость нагрева
- Дверь с горизонтальным движением с кварцевым лотком для легкой загрузки/выгрузки пластин и установки термопар.
ASMicro_Twin.jpg
Исполнение и характеристики:
- Температурный диапазон: от комнатной (RT) до 1250°C
- Скорость нагрева до 250°C/сек. на двухдюймовой (2") кремниевой подложке и 200°C/сек на трехдюймовой (3") подложке.
- Возможность смешивать процессные газы
- Контроллеры массового расхода газа
- Вакуум: от атм. (н.у.) до 10-2 Торр (10-6 Торр по запросу с турбомолекулярным насосом - опция)
- Измерение температуры термопарой и быстрым температурным контроллером PID гарантирует высокий и стабильный температурный контроль по всему диапазону температур.
- Опционально: пиромерт
- Система имеет управление с ПК с программным обеспечением на базе Windows.

СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF
СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF [~DETAIL_TEXT] => AS-Micro - установка быстрых термических процессов (RTP):

Система для использования пластин диаметром до 3 дюймов для использования в лабораториях. Версия с двумя камерами для перекрестного загрязнения (cross contamination).
Применение:
- Быстрый термический отжиг (RTA),
- Быстрое термическое окисление (RTO)
- Послеимплантационный отжиг
- Отжиг соединений полупроводников
- Кристализация и Загустевание
- Сульфиризация и Селенизация и др.
Спецификация и описание:
- Термопроцессор для быстрой термической обработки 3-дюймовых пластин
- Компактная конфигурация для настольного расположения
- Узкоспециализированные и исследовательские задачи применения
- Размер образцов: от нескольких квадратных миллиметров до 3 дюймов в диаметре
- Опционально трехдюймовый держатель для образцов диаметром 2 дюйма
- Кварцевая труба камеры реактора с фланцами из нержавеющей стали
- Цилиндрические инфракрасные галогеновые лампы печи
- Очень быстрая скорость нагрева
- Дверь с горизонтальным движением с кварцевым лотком для легкой загрузки/выгрузки пластин и установки термопар.
ASMicro_Twin.jpg
Исполнение и характеристики:
- Температурный диапазон: от комнатной (RT) до 1250°C
- Скорость нагрева до 250°C/сек. на двухдюймовой (2") кремниевой подложке и 200°C/сек на трехдюймовой (3") подложке.
- Возможность смешивать процессные газы
- Контроллеры массового расхода газа
- Вакуум: от атм. (н.у.) до 10-2 Торр (10-6 Торр по запросу с турбомолекулярным насосом - опция)
- Измерение температуры термопарой и быстрым температурным контроллером PID гарантирует высокий и стабильный температурный контроль по всему диапазону температур.
- Опционально: пиромерт
- Система имеет управление с ПК с программным обеспечением на базе Windows.

СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF
СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF [DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА AS-MICRO ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) УСТАНОВКА AS-MICRO СИСТЕМА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 3 ДЮЙМОВ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЛАБОРАТОРИЯХ. ВЕРСИЯ С ДВУМЯ КАМЕРАМИ ДЛЯ ПЕРЕКРЕСТНОГО ЗАГРЯЗНЕНИЯ (CROSS CONTAMINATION). ПРИМЕНЕНИЕ: БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ (RTA), БЫСТРОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ (RTO) ПОСЛЕИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ И ДР. ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ RT ДО 1250°C ЗАГРУЗКА: РУЧНАЯ AS-MICRO - УСТАНОВКА БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP): СИСТЕМА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 3 ДЮЙМОВ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЛАБОРАТОРИЯХ. ВЕРСИЯ С ДВУМЯ КАМЕРАМИ ДЛЯ ПЕРЕКРЕСТНОГО ЗАГРЯЗНЕНИЯ (CROSS CONTAMINATION). ПРИМЕНЕНИЕ: - БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ (RTA), - БЫСТРОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ (RTO) - ПОСЛЕИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ - ОТЖИГ СОЕДИНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ - КРИСТАЛИЗАЦИЯ И ЗАГУСТЕВАНИЕ - СУЛЬФИРИЗАЦИЯ И СЕЛЕНИЗАЦИЯ И ДР. СПЕЦИФИКАЦИЯ И ОПИСАНИЕ: - ТЕРМОПРОЦЕССОР ДЛЯ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ 3-ДЮЙМОВЫХ ПЛАСТИН - КОМПАКТНАЯ КОНФИГУРАЦИЯ ДЛЯ НАСТОЛЬНОГО РАСПОЛОЖЕНИЯ - УЗКОСПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ И ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЕ ЗАДАЧИ ПРИМЕНЕНИЯ - РАЗМЕР ОБРАЗЦОВ: ОТ НЕСКОЛЬКИХ КВАДРАТНЫХ МИЛЛИМЕТРОВ ДО 3 ДЮЙМОВ В ДИАМЕТРЕ - ОПЦИОНАЛЬНО ТРЕХДЮЙМОВЫЙ ДЕРЖАТЕЛЬ ДЛЯ ОБРАЗЦОВ ДИАМЕТРОМ 2 ДЮЙМА - КВАРЦЕВАЯ ТРУБА КАМЕРЫ РЕАКТОРА С ФЛАНЦАМИ ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ - ЦИЛИНДРИЧЕСКИЕ ИНФРАКРАСНЫЕ ГАЛОГЕНОВЫЕ ЛАМПЫ ПЕЧИ - ОЧЕНЬ БЫСТРАЯ СКОРОСТЬ НАГРЕВА - ДВЕРЬ С ГОРИЗОНТАЛЬНЫМ ДВИЖЕНИЕМ С КВАРЦЕВЫМ ЛОТКОМ ДЛЯ ЛЕГКОЙ ЗАГРУЗКИ/ВЫГРУЗКИ ПЛАСТИН И УСТАНОВКИ ТЕРМОПАР. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/8F8/8F8FE544F3038E5BA927F48720B79BAD.JPG ] ИСПОЛНЕНИЕ И ХАРАКТЕРИСТИКИ: - ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ КОМНАТНОЙ (RT) ДО 1250°C - СКОРОСТЬ НАГРЕВА ДО 250°C/СЕК. НА ДВУХДЮЙМОВОЙ (2") КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ И 200°C/СЕК НА ТРЕХДЮЙМОВОЙ (3") ПОДЛОЖКЕ. - ВОЗМОЖНОСТЬ СМЕШИВАТЬ ПРОЦЕССНЫЕ ГАЗЫ - КОНТРОЛЛЕРЫ МАССОВОГО РАСХОДА ГАЗА - ВАКУУМ: ОТ АТМ. (Н.У.) ДО 10-2 ТОРР (10-6 ТОРР ПО ЗАПРОСУ С ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫМ НАСОСОМ - ОПЦИЯ) - ИЗМЕРЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМОПАРОЙ И БЫСТРЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ PID ГАРАНТИРУЕТ ВЫСОКИЙ И СТАБИЛЬНЫЙ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОНТРОЛЬ ПО ВСЕМУ ДИАПАЗОНУ ТЕМПЕРАТУР. - ОПЦИОНАЛЬНО: ПИРОМЕРТ - СИСТЕМА ИМЕЕТ УПРАВЛЕНИЕ С ПК С ПРОГРАММНЫМ ОБЕСПЕЧЕНИЕМ НА БАЗЕ WINDOWS. СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF [ /PDF/ASMICRO_EN.PDF ] СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF [ /PDF/AS-MICRO_PRESENTATION.PDF ] [~SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА AS-MICRO ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) УСТАНОВКА AS-MICRO СИСТЕМА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 3 ДЮЙМОВ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЛАБОРАТОРИЯХ. ВЕРСИЯ С ДВУМЯ КАМЕРАМИ ДЛЯ ПЕРЕКРЕСТНОГО ЗАГРЯЗНЕНИЯ (CROSS CONTAMINATION). ПРИМЕНЕНИЕ: БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ (RTA), БЫСТРОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ (RTO) ПОСЛЕИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ И ДР. ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ RT ДО 1250°C ЗАГРУЗКА: РУЧНАЯ AS-MICRO - УСТАНОВКА БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP): СИСТЕМА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 3 ДЮЙМОВ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЛАБОРАТОРИЯХ. ВЕРСИЯ С ДВУМЯ КАМЕРАМИ ДЛЯ ПЕРЕКРЕСТНОГО ЗАГРЯЗНЕНИЯ (CROSS CONTAMINATION). ПРИМЕНЕНИЕ: - БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ (RTA), - БЫСТРОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ (RTO) - ПОСЛЕИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ - ОТЖИГ СОЕДИНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ - КРИСТАЛИЗАЦИЯ И ЗАГУСТЕВАНИЕ - СУЛЬФИРИЗАЦИЯ И СЕЛЕНИЗАЦИЯ И ДР. СПЕЦИФИКАЦИЯ И ОПИСАНИЕ: - ТЕРМОПРОЦЕССОР ДЛЯ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ 3-ДЮЙМОВЫХ ПЛАСТИН - КОМПАКТНАЯ КОНФИГУРАЦИЯ ДЛЯ НАСТОЛЬНОГО РАСПОЛОЖЕНИЯ - УЗКОСПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ И ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЕ ЗАДАЧИ ПРИМЕНЕНИЯ - РАЗМЕР ОБРАЗЦОВ: ОТ НЕСКОЛЬКИХ КВАДРАТНЫХ МИЛЛИМЕТРОВ ДО 3 ДЮЙМОВ В ДИАМЕТРЕ - ОПЦИОНАЛЬНО ТРЕХДЮЙМОВЫЙ ДЕРЖАТЕЛЬ ДЛЯ ОБРАЗЦОВ ДИАМЕТРОМ 2 ДЮЙМА - КВАРЦЕВАЯ ТРУБА КАМЕРЫ РЕАКТОРА С ФЛАНЦАМИ ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ - ЦИЛИНДРИЧЕСКИЕ ИНФРАКРАСНЫЕ ГАЛОГЕНОВЫЕ ЛАМПЫ ПЕЧИ - ОЧЕНЬ БЫСТРАЯ СКОРОСТЬ НАГРЕВА - ДВЕРЬ С ГОРИЗОНТАЛЬНЫМ ДВИЖЕНИЕМ С КВАРЦЕВЫМ ЛОТКОМ ДЛЯ ЛЕГКОЙ ЗАГРУЗКИ/ВЫГРУЗКИ ПЛАСТИН И УСТАНОВКИ ТЕРМОПАР. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/8F8/8F8FE544F3038E5BA927F48720B79BAD.JPG ] ИСПОЛНЕНИЕ И ХАРАКТЕРИСТИКИ: - ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ КОМНАТНОЙ (RT) ДО 1250°C - СКОРОСТЬ НАГРЕВА ДО 250°C/СЕК. НА ДВУХДЮЙМОВОЙ (2") КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ И 200°C/СЕК НА ТРЕХДЮЙМОВОЙ (3") ПОДЛОЖКЕ. - ВОЗМОЖНОСТЬ СМЕШИВАТЬ ПРОЦЕССНЫЕ ГАЗЫ - КОНТРОЛЛЕРЫ МАССОВОГО РАСХОДА ГАЗА - ВАКУУМ: ОТ АТМ. (Н.У.) ДО 10-2 ТОРР (10-6 ТОРР ПО ЗАПРОСУ С ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫМ НАСОСОМ - ОПЦИЯ) - ИЗМЕРЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМОПАРОЙ И БЫСТРЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ PID ГАРАНТИРУЕТ ВЫСОКИЙ И СТАБИЛЬНЫЙ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОНТРОЛЬ ПО ВСЕМУ ДИАПАЗОНУ ТЕМПЕРАТУР. - ОПЦИОНАЛЬНО: ПИРОМЕРТ - СИСТЕМА ИМЕЕТ УПРАВЛЕНИЕ С ПК С ПРОГРАММНЫМ ОБЕСПЕЧЕНИЕМ НА БАЗЕ WINDOWS. СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF [ /PDF/ASMICRO_EN.PDF ] СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF [ /PDF/AS-MICRO_PRESENTATION.PDF ] [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 432 [~SHOW_COUNTER] => 432 [SHOW_COUNTER_START] => 12/18/2015 11:20:10 am [~SHOW_COUNTER_START] => 12/18/2015 11:20:10 am [CODE] => ustanovka-as-micro-dlya-bystryh-termicheskih-processov-rtp [~CODE] => ustanovka-as-micro-dlya-bystryh-termicheskih-processov-rtp [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 41 [~XML_ID] => 41 [EXTERNAL_ID] => 41 [~EXTERNAL_ID] => 41 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bystrye-termicheskie-processy-rtp/ustanovka-as-micro-dlya-bystryh-termicheskih-processov-rtp/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bystrye-termicheskie-processy-rtp/ustanovka-as-micro-dlya-bystryh-termicheskih-processov-rtp/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.12 [~CREATED_DATE] => 2015.12.12 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 42
    [~ID] => 42
    [TIMESTAMP_X] => 12/06/2016 02:56:07 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 12/06/2016 02:56:07 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481025367
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481025367
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/12/2015 07:07:48 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/12/2015 07:07:48 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1449936468
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1449936468
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 17
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 17
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Установка AS-One для быстрых термических процессов (RTP)
    [~NAME] => Установка AS-One для быстрых термических процессов (RTP)
    [PREVIEW_PICTURE] => 135
    [~PREVIEW_PICTURE] => 135
    [PREVIEW_TEXT] => 

Установка AS-One

Система для быстрых термических процессов с холодными стенками в исполнении для пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм) и до 6 дюймов (150 мм)

Применение:

быстрый термический отжиг (RTA),

быстрое термическое окисление (RTO)

послеимплантационный отжиг и др.

Температурный диапазон: от RT до 1500°C (в зависимости от версии печи)

Загрузка: ручная

[~PREVIEW_TEXT] =>

Установка AS-One

Система для быстрых термических процессов с холодными стенками в исполнении для пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм) и до 6 дюймов (150 мм)

Применение:

быстрый термический отжиг (RTA),

быстрое термическое окисление (RTO)

послеимплантационный отжиг и др.

Температурный диапазон: от RT до 1500°C (в зависимости от версии печи)

Загрузка: ручная

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 136 [~DETAIL_PICTURE] => 136 [DETAIL_TEXT] => AS-One - установка быстрых термических процессов (RTP) с холодными стенками:

Система быстрых термических процессов с холодными стенками для обработки пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм.) и до 6 дюймов (150 мм.) для использования в лабораториях и мелкосерийных производствах.

Применение:
- Быстрый термический отжиг (RTA - Rapid Thermal Annealing),
- Быстрое термическое окисление (RTO - Rapid Thermal Oxidation)
- CVD графена
- CVD углеродных нанотрубок
- Диффузия, отжигконтактов
- Послеимплантационный отжиг
- Отжиг соединений полупроводников
- Нитридизация, Силицидирование, Сульфиризация и Селенизация
- Кристализация и Загустевание и др.

Спецификация и описание:
- Быстрая термическая обработка пластин диаметром 4" и 6"
- Компактная напольная конфигурация для экономии места
- Высокая надежность и низкая стоимость владения
- Технология холодных стенок из нержавеющей стали
- Высокая воспроизводимость процесса
- Ультра чистая среда и отсутствие загрязнений
- Высокая скорость охлаждения и низкий эффект памяти
- Высоковакуумная версия (10-6 Торр) доступна
- Кварцевая труба камеры реактора с фланцами из нержавеющей стали
- Пирометр и термопара для контроля температуры
- Быстрый цифровой контроллер температуры PID
AS-One 010.jpg
Исполнение и характеристики:
- Температурный диапазон: от комнатной (RT) до 1500°C (в зависимости от версии)
- Скорость нагрева до 200°C/сек.
- Скорость охлаждения: 100°C/сек со специальным оборудованием
- Возможность смешивать процессные газы
- Контроллеры массового расхода газа
- Вакуум: от атм. (н.у.) до 10-6 Торр с турбомолекулярным насосом
- Измерение температуры термопарой и быстрым температурным контроллером PID гарантирует высокий и стабильный температурный контроль по всему диапазону температур.
- Система имеет управление с ПК с программным обеспечением на базе Windows.

СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF
СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF



[~DETAIL_TEXT] => AS-One - установка быстрых термических процессов (RTP) с холодными стенками:

Система быстрых термических процессов с холодными стенками для обработки пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм.) и до 6 дюймов (150 мм.) для использования в лабораториях и мелкосерийных производствах.

Применение:
- Быстрый термический отжиг (RTA - Rapid Thermal Annealing),
- Быстрое термическое окисление (RTO - Rapid Thermal Oxidation)
- CVD графена
- CVD углеродных нанотрубок
- Диффузия, отжигконтактов
- Послеимплантационный отжиг
- Отжиг соединений полупроводников
- Нитридизация, Силицидирование, Сульфиризация и Селенизация
- Кристализация и Загустевание и др.

Спецификация и описание:
- Быстрая термическая обработка пластин диаметром 4" и 6"
- Компактная напольная конфигурация для экономии места
- Высокая надежность и низкая стоимость владения
- Технология холодных стенок из нержавеющей стали
- Высокая воспроизводимость процесса
- Ультра чистая среда и отсутствие загрязнений
- Высокая скорость охлаждения и низкий эффект памяти
- Высоковакуумная версия (10-6 Торр) доступна
- Кварцевая труба камеры реактора с фланцами из нержавеющей стали
- Пирометр и термопара для контроля температуры
- Быстрый цифровой контроллер температуры PID
AS-One 010.jpg
Исполнение и характеристики:
- Температурный диапазон: от комнатной (RT) до 1500°C (в зависимости от версии)
- Скорость нагрева до 200°C/сек.
- Скорость охлаждения: 100°C/сек со специальным оборудованием
- Возможность смешивать процессные газы
- Контроллеры массового расхода газа
- Вакуум: от атм. (н.у.) до 10-6 Торр с турбомолекулярным насосом
- Измерение температуры термопарой и быстрым температурным контроллером PID гарантирует высокий и стабильный температурный контроль по всему диапазону температур.
- Система имеет управление с ПК с программным обеспечением на базе Windows.

СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF
СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF



[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА AS-ONE ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) УСТАНОВКА AS-ONE СИСТЕМА ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ С ХОЛОДНЫМИ СТЕНКАМИ В ИСПОЛНЕНИИ ДЛЯ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 4 ДЮЙМОВ (100 ММ) И ДО 6 ДЮЙМОВ (150 ММ) ПРИМЕНЕНИЕ: БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ (RTA), БЫСТРОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ (RTO) ПОСЛЕИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ И ДР. ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ RT ДО 1500°C (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЕРСИИ ПЕЧИ) ЗАГРУЗКА: РУЧНАЯ AS-ONE - УСТАНОВКА БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) С ХОЛОДНЫМИ СТЕНКАМИ: СИСТЕМА БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ С ХОЛОДНЫМИ СТЕНКАМИ ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 4 ДЮЙМОВ (100 ММ.) И ДО 6 ДЮЙМОВ (150 ММ.) ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЛАБОРАТОРИЯХ И МЕЛКОСЕРИЙНЫХ ПРОИЗВОДСТВАХ. ПРИМЕНЕНИЕ: - БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ (RTA - RAPID THERMAL ANNEALING), - БЫСТРОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ (RTO - RAPID THERMAL OXIDATION) - CVD ГРАФЕНА - CVD УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК - ДИФФУЗИЯ, ОТЖИГКОНТАКТОВ - ПОСЛЕИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ - ОТЖИГ СОЕДИНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ - НИТРИДИЗАЦИЯ, СИЛИЦИДИРОВАНИЕ, СУЛЬФИРИЗАЦИЯ И СЕЛЕНИЗАЦИЯ - КРИСТАЛИЗАЦИЯ И ЗАГУСТЕВАНИЕ И ДР. СПЕЦИФИКАЦИЯ И ОПИСАНИЕ: - БЫСТРАЯ ТЕРМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ 4" И 6" - КОМПАКТНАЯ НАПОЛЬНАЯ КОНФИГУРАЦИЯ ДЛЯ ЭКОНОМИИ МЕСТА - ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ И НИЗКАЯ СТОИМОСТЬ ВЛАДЕНИЯ - ТЕХНОЛОГИЯ ХОЛОДНЫХ СТЕНОК ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ - ВЫСОКАЯ ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ ПРОЦЕССА - УЛЬТРА ЧИСТАЯ СРЕДА И ОТСУТСТВИЕ ЗАГРЯЗНЕНИЙ - ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ОХЛАЖДЕНИЯ И НИЗКИЙ ЭФФЕКТ ПАМЯТИ - ВЫСОКОВАКУУМНАЯ ВЕРСИЯ (10-6 ТОРР) ДОСТУПНА - КВАРЦЕВАЯ ТРУБА КАМЕРЫ РЕАКТОРА С ФЛАНЦАМИ ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ - ПИРОМЕТР И ТЕРМОПАРА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ - БЫСТРЫЙ ЦИФРОВОЙ КОНТРОЛЛЕР ТЕМПЕРАТУРЫ PID [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/F2F/F2FB1E47B10C1A61AE817B6FBB943DCF.JPG ] ИСПОЛНЕНИЕ И ХАРАКТЕРИСТИКИ: - ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ КОМНАТНОЙ (RT) ДО 1500°C (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЕРСИИ) - СКОРОСТЬ НАГРЕВА ДО 200°C/СЕК. - СКОРОСТЬ ОХЛАЖДЕНИЯ: 100°C/СЕК СО СПЕЦИАЛЬНЫМ ОБОРУДОВАНИЕМ - ВОЗМОЖНОСТЬ СМЕШИВАТЬ ПРОЦЕССНЫЕ ГАЗЫ - КОНТРОЛЛЕРЫ МАССОВОГО РАСХОДА ГАЗА - ВАКУУМ: ОТ АТМ. (Н.У.) ДО 10-6 ТОРР С ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫМ НАСОСОМ - ИЗМЕРЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМОПАРОЙ И БЫСТРЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ PID ГАРАНТИРУЕТ ВЫСОКИЙ И СТАБИЛЬНЫЙ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОНТРОЛЬ ПО ВСЕМУ ДИАПАЗОНУ ТЕМПЕРАТУР. - СИСТЕМА ИМЕЕТ УПРАВЛЕНИЕ С ПК С ПРОГРАММНЫМ ОБЕСПЕЧЕНИЕМ НА БАЗЕ WINDOWS. СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF [ /PDF/ASONE_EN.PDF ] СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF [ /PDF/AS-ONE_PRESENTATION_EN.PDF ] [~SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА AS-ONE ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) УСТАНОВКА AS-ONE СИСТЕМА ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ С ХОЛОДНЫМИ СТЕНКАМИ В ИСПОЛНЕНИИ ДЛЯ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 4 ДЮЙМОВ (100 ММ) И ДО 6 ДЮЙМОВ (150 ММ) ПРИМЕНЕНИЕ: БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ (RTA), БЫСТРОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ (RTO) ПОСЛЕИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ И ДР. ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ RT ДО 1500°C (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЕРСИИ ПЕЧИ) ЗАГРУЗКА: РУЧНАЯ AS-ONE - УСТАНОВКА БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) С ХОЛОДНЫМИ СТЕНКАМИ: СИСТЕМА БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ С ХОЛОДНЫМИ СТЕНКАМИ ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 4 ДЮЙМОВ (100 ММ.) И ДО 6 ДЮЙМОВ (150 ММ.) ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ЛАБОРАТОРИЯХ И МЕЛКОСЕРИЙНЫХ ПРОИЗВОДСТВАХ. ПРИМЕНЕНИЕ: - БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ (RTA - RAPID THERMAL ANNEALING), - БЫСТРОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ (RTO - RAPID THERMAL OXIDATION) - CVD ГРАФЕНА - CVD УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК - ДИФФУЗИЯ, ОТЖИГКОНТАКТОВ - ПОСЛЕИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ - ОТЖИГ СОЕДИНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ - НИТРИДИЗАЦИЯ, СИЛИЦИДИРОВАНИЕ, СУЛЬФИРИЗАЦИЯ И СЕЛЕНИЗАЦИЯ - КРИСТАЛИЗАЦИЯ И ЗАГУСТЕВАНИЕ И ДР. СПЕЦИФИКАЦИЯ И ОПИСАНИЕ: - БЫСТРАЯ ТЕРМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ 4" И 6" - КОМПАКТНАЯ НАПОЛЬНАЯ КОНФИГУРАЦИЯ ДЛЯ ЭКОНОМИИ МЕСТА - ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ И НИЗКАЯ СТОИМОСТЬ ВЛАДЕНИЯ - ТЕХНОЛОГИЯ ХОЛОДНЫХ СТЕНОК ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ - ВЫСОКАЯ ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ ПРОЦЕССА - УЛЬТРА ЧИСТАЯ СРЕДА И ОТСУТСТВИЕ ЗАГРЯЗНЕНИЙ - ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ОХЛАЖДЕНИЯ И НИЗКИЙ ЭФФЕКТ ПАМЯТИ - ВЫСОКОВАКУУМНАЯ ВЕРСИЯ (10-6 ТОРР) ДОСТУПНА - КВАРЦЕВАЯ ТРУБА КАМЕРЫ РЕАКТОРА С ФЛАНЦАМИ ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ - ПИРОМЕТР И ТЕРМОПАРА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ - БЫСТРЫЙ ЦИФРОВОЙ КОНТРОЛЛЕР ТЕМПЕРАТУРЫ PID [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/F2F/F2FB1E47B10C1A61AE817B6FBB943DCF.JPG ] ИСПОЛНЕНИЕ И ХАРАКТЕРИСТИКИ: - ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ КОМНАТНОЙ (RT) ДО 1500°C (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЕРСИИ) - СКОРОСТЬ НАГРЕВА ДО 200°C/СЕК. - СКОРОСТЬ ОХЛАЖДЕНИЯ: 100°C/СЕК СО СПЕЦИАЛЬНЫМ ОБОРУДОВАНИЕМ - ВОЗМОЖНОСТЬ СМЕШИВАТЬ ПРОЦЕССНЫЕ ГАЗЫ - КОНТРОЛЛЕРЫ МАССОВОГО РАСХОДА ГАЗА - ВАКУУМ: ОТ АТМ. (Н.У.) ДО 10-6 ТОРР С ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫМ НАСОСОМ - ИЗМЕРЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМОПАРОЙ И БЫСТРЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ PID ГАРАНТИРУЕТ ВЫСОКИЙ И СТАБИЛЬНЫЙ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОНТРОЛЬ ПО ВСЕМУ ДИАПАЗОНУ ТЕМПЕРАТУР. - СИСТЕМА ИМЕЕТ УПРАВЛЕНИЕ С ПК С ПРОГРАММНЫМ ОБЕСПЕЧЕНИЕМ НА БАЗЕ WINDOWS. СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF [ /PDF/ASONE_EN.PDF ] СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF [ /PDF/AS-ONE_PRESENTATION_EN.PDF ] [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 476 [~SHOW_COUNTER] => 476 [SHOW_COUNTER_START] => 12/18/2015 11:25:47 am [~SHOW_COUNTER_START] => 12/18/2015 11:25:47 am [CODE] => ustanovka-as-one-dlya-bystryh-termicheskih-processov-rtp [~CODE] => ustanovka-as-one-dlya-bystryh-termicheskih-processov-rtp [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 42 [~XML_ID] => 42 [EXTERNAL_ID] => 42 [~EXTERNAL_ID] => 42 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bystrye-termicheskie-processy-rtp/ustanovka-as-one-dlya-bystryh-termicheskih-processov-rtp/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bystrye-termicheskie-processy-rtp/ustanovka-as-one-dlya-bystryh-termicheskih-processov-rtp/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.12 [~CREATED_DATE] => 2015.12.12 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 43
    [~ID] => 43
    [TIMESTAMP_X] => 12/15/2016 05:33:08 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 12/15/2016 05:33:08 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481812388
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481812388
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/12/2015 07:12:48 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/12/2015 07:12:48 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1449936768
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1449936768
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 17
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 17
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Установка AS-Master для быстрых термических процессов (RTP) и RTCVD
    [~NAME] => Установка AS-Master для быстрых термических процессов (RTP) и RTCVD
    [PREVIEW_PICTURE] => 138
    [~PREVIEW_PICTURE] => 138
    [PREVIEW_TEXT] => 

Установка AS-Master

Универсальная система для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин диаметром до 8 дюймов (200 мм.) с возможностью проведения процессов RTCVD (опция).

Применение:

быстрый термический отжиг (RTA),

быстрое термическое окисление (RTO)

RTCVD

послеимплантационный отжиг и др.

Температурный диапазон: от RT до 1500°C (в зависимости от версии печи)

Загрузка: ручная (опция: загрузка из кассеты в кассету)

[~PREVIEW_TEXT] =>

Установка AS-Master

Универсальная система для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин диаметром до 8 дюймов (200 мм.) с возможностью проведения процессов RTCVD (опция).

Применение:

быстрый термический отжиг (RTA),

быстрое термическое окисление (RTO)

RTCVD

послеимплантационный отжиг и др.

Температурный диапазон: от RT до 1500°C (в зависимости от версии печи)

Загрузка: ручная (опция: загрузка из кассеты в кассету)

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 139 [~DETAIL_PICTURE] => 139 [DETAIL_TEXT] => AS-Master - установка быстрых термических процессов (RTP) и возможность RTCVD с холодными стенками:
Универсальная система для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин диаметром до 8 дюймов (200 мм.) с возможностью проведения процессов RTCVD (опция).
Применение:
- Быстрый термический отжиг (RTA - Rapid Thermal Annealing),
- Быстрое термическое окисление (RTO - Rapid Thermal Oxidation)
- Отжиг SiC контактов, карбонизация
- Отжиг соединений полупроводников
- Контроль качества имплантации
- Послеимплантационный отжиг
- RTCVD (поликремний - Poly Si, SiO2, SiNx...) и др.
Спецификация и описание:
- Система быстрых термических процессов AS-Master имеет высокую функциональность для широкого диапазона процессов от отжига до быстрого термического осаждения из газовой фазы (RTCVD)
- Версия установки для высокой температуры может проводить процесс отжига при 1500 °C и позволяет разрабатывать новые процессы. Опционально: кубическая камера реактора для больших и квадратных и прямоугольных образцов.
- Технология холодных стенок из нержавеющей стали дающая высокую воспроизводимость процесса с ультра чистой средой и отсутствием загрязнений
- Загрузочный шлюз и кластерная конфигурация системы доступны по запросу для увеличения чистоты процесса.
- Расширенный температурный диапазон, вакуум (от атмосферы до 10-7 Торр) и возможность смешивания газов делает установку AS-Master подходящей для большого числа RTP процессов и RTCVD процессов.
- Пирометр и термопара для контроля температуры вместе с быстрым цифровым контроллером PID температуры обеспечивает высокую точность и стабильность температуры
- Ручная загрузка или загрузка из кассеты (опция) делает систему подходящей для переноса процесса разработки и НИОКР в производство.
ASMasterCC_Detouree.png
Исполнение и характеристики:
- Температурный диапазон: от комнатной (RT) до 1500°C (в зависимости от версии)
- Скорость нагрева до 200°C/сек.
- Возможность смешивать процессные газы
- Контроллеры массового расхода газа
- Вакуум: от атм. (н.у.) до 10-7 Торр с турбомолекулярным насосом
- Измерение температуры термопарой и быстрым температурным контроллером PID гарантирует высокий и стабильный температурный контроль по всему диапазону температур.
- Система имеет управление с ПК с программным обеспечением на базе Windows.

СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF
СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF



[~DETAIL_TEXT] => AS-Master - установка быстрых термических процессов (RTP) и возможность RTCVD с холодными стенками:
Универсальная система для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин диаметром до 8 дюймов (200 мм.) с возможностью проведения процессов RTCVD (опция).
Применение:
- Быстрый термический отжиг (RTA - Rapid Thermal Annealing),
- Быстрое термическое окисление (RTO - Rapid Thermal Oxidation)
- Отжиг SiC контактов, карбонизация
- Отжиг соединений полупроводников
- Контроль качества имплантации
- Послеимплантационный отжиг
- RTCVD (поликремний - Poly Si, SiO2, SiNx...) и др.
Спецификация и описание:
- Система быстрых термических процессов AS-Master имеет высокую функциональность для широкого диапазона процессов от отжига до быстрого термического осаждения из газовой фазы (RTCVD)
- Версия установки для высокой температуры может проводить процесс отжига при 1500 °C и позволяет разрабатывать новые процессы. Опционально: кубическая камера реактора для больших и квадратных и прямоугольных образцов.
- Технология холодных стенок из нержавеющей стали дающая высокую воспроизводимость процесса с ультра чистой средой и отсутствием загрязнений
- Загрузочный шлюз и кластерная конфигурация системы доступны по запросу для увеличения чистоты процесса.
- Расширенный температурный диапазон, вакуум (от атмосферы до 10-7 Торр) и возможность смешивания газов делает установку AS-Master подходящей для большого числа RTP процессов и RTCVD процессов.
- Пирометр и термопара для контроля температуры вместе с быстрым цифровым контроллером PID температуры обеспечивает высокую точность и стабильность температуры
- Ручная загрузка или загрузка из кассеты (опция) делает систему подходящей для переноса процесса разработки и НИОКР в производство.
ASMasterCC_Detouree.png
Исполнение и характеристики:
- Температурный диапазон: от комнатной (RT) до 1500°C (в зависимости от версии)
- Скорость нагрева до 200°C/сек.
- Возможность смешивать процессные газы
- Контроллеры массового расхода газа
- Вакуум: от атм. (н.у.) до 10-7 Торр с турбомолекулярным насосом
- Измерение температуры термопарой и быстрым температурным контроллером PID гарантирует высокий и стабильный температурный контроль по всему диапазону температур.
- Система имеет управление с ПК с программным обеспечением на базе Windows.

СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF
СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF



[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА AS-MASTER ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) И RTCVD УСТАНОВКА AS-MASTER УНИВЕРСАЛЬНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 8 ДЮЙМОВ (200 ММ.) С ВОЗМОЖНОСТЬЮ ПРОВЕДЕНИЯ ПРОЦЕССОВ RTCVD (ОПЦИЯ). ПРИМЕНЕНИЕ: БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ (RTA), БЫСТРОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ (RTO) RTCVD ПОСЛЕИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ И ДР. ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ RT ДО 1500°C (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЕРСИИ ПЕЧИ) ЗАГРУЗКА: РУЧНАЯ (ОПЦИЯ: ЗАГРУЗКА ИЗ КАССЕТЫ В КАССЕТУ) AS-MASTER - УСТАНОВКА БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) И ВОЗМОЖНОСТЬ RTCVD С ХОЛОДНЫМИ СТЕНКАМИ: УНИВЕРСАЛЬНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 8 ДЮЙМОВ (200 ММ.) С ВОЗМОЖНОСТЬЮ ПРОВЕДЕНИЯ ПРОЦЕССОВ RTCVD (ОПЦИЯ). ПРИМЕНЕНИЕ: - БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ (RTA - RAPID THERMAL ANNEALING), - БЫСТРОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ (RTO - RAPID THERMAL OXIDATION) - ОТЖИГ SIC КОНТАКТОВ, КАРБОНИЗАЦИЯ - ОТЖИГ СОЕДИНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ - КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ИМПЛАНТАЦИИ - ПОСЛЕИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ - RTCVD (ПОЛИКРЕМНИЙ - POLY SI, SIO2, SINX...) И ДР. СПЕЦИФИКАЦИЯ И ОПИСАНИЕ: - СИСТЕМА БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ AS-MASTER ИМЕЕТ ВЫСОКУЮ ФУНКЦИОНАЛЬНОСТЬ ДЛЯ ШИРОКОГО ДИАПАЗОНА ПРОЦЕССОВ ОТ ОТЖИГА ДО БЫСТРОГО ТЕРМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ (RTCVD) - ВЕРСИЯ УСТАНОВКИ ДЛЯ ВЫСОКОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ МОЖЕТ ПРОВОДИТЬ ПРОЦЕСС ОТЖИГА ПРИ 1500 °C И ПОЗВОЛЯЕТ РАЗРАБАТЫВАТЬ НОВЫЕ ПРОЦЕССЫ. ОПЦИОНАЛЬНО: КУБИЧЕСКАЯ КАМЕРА РЕАКТОРА ДЛЯ БОЛЬШИХ И КВАДРАТНЫХ И ПРЯМОУГОЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ. - ТЕХНОЛОГИЯ ХОЛОДНЫХ СТЕНОК ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ ДАЮЩАЯ ВЫСОКУЮ ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ ПРОЦЕССА С УЛЬТРА ЧИСТОЙ СРЕДОЙ И ОТСУТСТВИЕМ ЗАГРЯЗНЕНИЙ - ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ И КЛАСТЕРНАЯ КОНФИГУРАЦИЯ СИСТЕМЫ ДОСТУПНЫ ПО ЗАПРОСУ ДЛЯ УВЕЛИЧЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПРОЦЕССА. - РАСШИРЕННЫЙ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН, ВАКУУМ (ОТ АТМОСФЕРЫ ДО 10-7 ТОРР) И ВОЗМОЖНОСТЬ СМЕШИВАНИЯ ГАЗОВ ДЕЛАЕТ УСТАНОВКУ AS-MASTER ПОДХОДЯЩЕЙ ДЛЯ БОЛЬШОГО ЧИСЛА RTP ПРОЦЕССОВ И RTCVD ПРОЦЕССОВ. - ПИРОМЕТР И ТЕРМОПАРА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ВМЕСТЕ С БЫСТРЫМ ЦИФРОВЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ PID ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЕСПЕЧИВАЕТ ВЫСОКУЮ ТОЧНОСТЬ И СТАБИЛЬНОСТЬ ТЕМПЕРАТУРЫ - РУЧНАЯ ЗАГРУЗКА ИЛИ ЗАГРУЗКА ИЗ КАССЕТЫ (ОПЦИЯ) ДЕЛАЕТ СИСТЕМУ ПОДХОДЯЩЕЙ ДЛЯ ПЕРЕНОСА ПРОЦЕССА РАЗРАБОТКИ И НИОКР В ПРОИЗВОДСТВО. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/BDD/BDD818D2F4C31788FB5A59BDD2A75567.PNG ] ИСПОЛНЕНИЕ И ХАРАКТЕРИСТИКИ: - ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ КОМНАТНОЙ (RT) ДО 1500°C (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЕРСИИ) - СКОРОСТЬ НАГРЕВА ДО 200°C/СЕК. - ВОЗМОЖНОСТЬ СМЕШИВАТЬ ПРОЦЕССНЫЕ ГАЗЫ - КОНТРОЛЛЕРЫ МАССОВОГО РАСХОДА ГАЗА - ВАКУУМ: ОТ АТМ. (Н.У.) ДО 10-7 ТОРР С ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫМ НАСОСОМ - ИЗМЕРЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМОПАРОЙ И БЫСТРЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ PID ГАРАНТИРУЕТ ВЫСОКИЙ И СТАБИЛЬНЫЙ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОНТРОЛЬ ПО ВСЕМУ ДИАПАЗОНУ ТЕМПЕРАТУР. - СИСТЕМА ИМЕЕТ УПРАВЛЕНИЕ С ПК С ПРОГРАММНЫМ ОБЕСПЕЧЕНИЕМ НА БАЗЕ WINDOWS. СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF [ /PDF/ASMASTER_EN.PDF ] СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF [ /PDF/AS-MASTER_PRESENTATION.PDF ] [~SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА AS-MASTER ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) И RTCVD УСТАНОВКА AS-MASTER УНИВЕРСАЛЬНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 8 ДЮЙМОВ (200 ММ.) С ВОЗМОЖНОСТЬЮ ПРОВЕДЕНИЯ ПРОЦЕССОВ RTCVD (ОПЦИЯ). ПРИМЕНЕНИЕ: БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ (RTA), БЫСТРОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ (RTO) RTCVD ПОСЛЕИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ И ДР. ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ RT ДО 1500°C (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЕРСИИ ПЕЧИ) ЗАГРУЗКА: РУЧНАЯ (ОПЦИЯ: ЗАГРУЗКА ИЗ КАССЕТЫ В КАССЕТУ) AS-MASTER - УСТАНОВКА БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) И ВОЗМОЖНОСТЬ RTCVD С ХОЛОДНЫМИ СТЕНКАМИ: УНИВЕРСАЛЬНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 8 ДЮЙМОВ (200 ММ.) С ВОЗМОЖНОСТЬЮ ПРОВЕДЕНИЯ ПРОЦЕССОВ RTCVD (ОПЦИЯ). ПРИМЕНЕНИЕ: - БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ (RTA - RAPID THERMAL ANNEALING), - БЫСТРОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ (RTO - RAPID THERMAL OXIDATION) - ОТЖИГ SIC КОНТАКТОВ, КАРБОНИЗАЦИЯ - ОТЖИГ СОЕДИНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ - КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ИМПЛАНТАЦИИ - ПОСЛЕИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ - RTCVD (ПОЛИКРЕМНИЙ - POLY SI, SIO2, SINX...) И ДР. СПЕЦИФИКАЦИЯ И ОПИСАНИЕ: - СИСТЕМА БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ AS-MASTER ИМЕЕТ ВЫСОКУЮ ФУНКЦИОНАЛЬНОСТЬ ДЛЯ ШИРОКОГО ДИАПАЗОНА ПРОЦЕССОВ ОТ ОТЖИГА ДО БЫСТРОГО ТЕРМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ (RTCVD) - ВЕРСИЯ УСТАНОВКИ ДЛЯ ВЫСОКОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ МОЖЕТ ПРОВОДИТЬ ПРОЦЕСС ОТЖИГА ПРИ 1500 °C И ПОЗВОЛЯЕТ РАЗРАБАТЫВАТЬ НОВЫЕ ПРОЦЕССЫ. ОПЦИОНАЛЬНО: КУБИЧЕСКАЯ КАМЕРА РЕАКТОРА ДЛЯ БОЛЬШИХ И КВАДРАТНЫХ И ПРЯМОУГОЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ. - ТЕХНОЛОГИЯ ХОЛОДНЫХ СТЕНОК ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ ДАЮЩАЯ ВЫСОКУЮ ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ ПРОЦЕССА С УЛЬТРА ЧИСТОЙ СРЕДОЙ И ОТСУТСТВИЕМ ЗАГРЯЗНЕНИЙ - ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ И КЛАСТЕРНАЯ КОНФИГУРАЦИЯ СИСТЕМЫ ДОСТУПНЫ ПО ЗАПРОСУ ДЛЯ УВЕЛИЧЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПРОЦЕССА. - РАСШИРЕННЫЙ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН, ВАКУУМ (ОТ АТМОСФЕРЫ ДО 10-7 ТОРР) И ВОЗМОЖНОСТЬ СМЕШИВАНИЯ ГАЗОВ ДЕЛАЕТ УСТАНОВКУ AS-MASTER ПОДХОДЯЩЕЙ ДЛЯ БОЛЬШОГО ЧИСЛА RTP ПРОЦЕССОВ И RTCVD ПРОЦЕССОВ. - ПИРОМЕТР И ТЕРМОПАРА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ВМЕСТЕ С БЫСТРЫМ ЦИФРОВЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ PID ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЕСПЕЧИВАЕТ ВЫСОКУЮ ТОЧНОСТЬ И СТАБИЛЬНОСТЬ ТЕМПЕРАТУРЫ - РУЧНАЯ ЗАГРУЗКА ИЛИ ЗАГРУЗКА ИЗ КАССЕТЫ (ОПЦИЯ) ДЕЛАЕТ СИСТЕМУ ПОДХОДЯЩЕЙ ДЛЯ ПЕРЕНОСА ПРОЦЕССА РАЗРАБОТКИ И НИОКР В ПРОИЗВОДСТВО. [ /UPLOAD/MEDIALIBRARY/BDD/BDD818D2F4C31788FB5A59BDD2A75567.PNG ] ИСПОЛНЕНИЕ И ХАРАКТЕРИСТИКИ: - ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ КОМНАТНОЙ (RT) ДО 1500°C (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЕРСИИ) - СКОРОСТЬ НАГРЕВА ДО 200°C/СЕК. - ВОЗМОЖНОСТЬ СМЕШИВАТЬ ПРОЦЕССНЫЕ ГАЗЫ - КОНТРОЛЛЕРЫ МАССОВОГО РАСХОДА ГАЗА - ВАКУУМ: ОТ АТМ. (Н.У.) ДО 10-7 ТОРР С ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫМ НАСОСОМ - ИЗМЕРЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМОПАРОЙ И БЫСТРЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ PID ГАРАНТИРУЕТ ВЫСОКИЙ И СТАБИЛЬНЫЙ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОНТРОЛЬ ПО ВСЕМУ ДИАПАЗОНУ ТЕМПЕРАТУР. - СИСТЕМА ИМЕЕТ УПРАВЛЕНИЕ С ПК С ПРОГРАММНЫМ ОБЕСПЕЧЕНИЕМ НА БАЗЕ WINDOWS. СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF [ /PDF/ASMASTER_EN.PDF ] СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF [ /PDF/AS-MASTER_PRESENTATION.PDF ] [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 506 [~SHOW_COUNTER] => 506 [SHOW_COUNTER_START] => 12/18/2015 11:25:39 am [~SHOW_COUNTER_START] => 12/18/2015 11:25:39 am [CODE] => ustanovka-as-master-dlya-bystryh-termicheskih-processov-rtp-i-rtcvd [~CODE] => ustanovka-as-master-dlya-bystryh-termicheskih-processov-rtp-i-rtcvd [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 43 [~XML_ID] => 43 [EXTERNAL_ID] => 43 [~EXTERNAL_ID] => 43 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bystrye-termicheskie-processy-rtp/ustanovka-as-master-dlya-bystryh-termicheskih-processov-rtp-i-rtcvd/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bystrye-termicheskie-processy-rtp/ustanovka-as-master-dlya-bystryh-termicheskih-processov-rtp-i-rtcvd/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.12 [~CREATED_DATE] => 2015.12.12 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 44
    [~ID] => 44
    [TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 03:07:57 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 03:07:57 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467115677
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467115677
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/12/2015 07:17:41 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/12/2015 07:17:41 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1449937061
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1449937061
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 17
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 17
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Компактная установка AS-Premium для быстрых термических процессов (RTP)
    [~NAME] => Компактная установка AS-Premium для быстрых термических процессов (RTP)
    [PREVIEW_PICTURE] => 141
    [~PREVIEW_PICTURE] => 141
    [PREVIEW_TEXT] => 

Установка AS-Premium

Компактная система для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин размером до 8х8 дюймов (200 х 200 мм).

Применение:

быстрый термический отжиг (RTA),

быстрое термическое окисление (RTO)

Диффузия

Селенизация, сульфурация

Отжиг полупроводников

Нитритизация, силицидирование

Кристализация и уплотнение

Температурный диапазон: от RT до 1300°C

Верхнее расположение ламп или двухсторонний отжиг с верхним и нижним расположением ламп

Загрузка: ручная

[~PREVIEW_TEXT] =>

Установка AS-Premium

Компактная система для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин размером до 8х8 дюймов (200 х 200 мм).

Применение:

быстрый термический отжиг (RTA),

быстрое термическое окисление (RTO)

Диффузия

Селенизация, сульфурация

Отжиг полупроводников

Нитритизация, силицидирование

Кристализация и уплотнение

Температурный диапазон: от RT до 1300°C

Верхнее расположение ламп или двухсторонний отжиг с верхним и нижним расположением ламп

Загрузка: ручная

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 142 [~DETAIL_PICTURE] => 142 [DETAIL_TEXT] => AS-Premium - компактная установка быстрых термических процессов (RTP) с холодными стенками:

Компактная система для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин до 8х8 дюймов (200 х 200 мм.).

Применение:
- Быстрый термический отжиг (RTA - Rapid Thermal Annealing),
- Быстрое термическое окисление (RTO - Rapid Thermal Oxidation)
- Диффузия, селинизация
- Отжиг SiC контактов, карбонизация
- Отжиг соединений полупроводников
- Нитритизация, силицидирование
- Послеимплантационный отжиг

Спецификация и описание:
- Система быстрых термических процессов AS-Premium имеет высокую функциональность для широкого диапазона процессов
- Система имеет компактное напольное исполнение с легким доступом для сервисного обслуживания
- Высокая надежность и низкая стоимость владения.
- Версия установки для высокой температуры может проводить процесс отжига при 1300 °C и позволяет разрабатывать новые процессы.
- Технология холодных стенок из нержавеющей стали дающая высокую воспроизводимость процесса с ультра чистой средой и отсутствием загрязнений
- Загрузочный шлюз и кластерная конфигурация системы доступны по запросу для увеличения чистоты процесса.
- Доступны конфигурации как только с верхним расположением ламп так и конфигурация для вдухсторонненог нагрева с верхним и нижним расположением ламп
- Расширенный температурный диапазон, вакуум (от атмосферы до 10-6 Торр) и возможность смешивания газов делает установку AS-Premium подходящей для большого числа RTP процессов.
- Пирометр и термопара для контроля температуры вместе с быстрым цифровым контроллером PID температуры обеспечивает высокую точность и стабильность температуры
- Ручная загрузка или загрузка с load-lock (опция).

Исполнение и характеристики:
- Температурный диапазон: от комнатной (RT) до 1100°C или до 1300°C (в зависимости от версии)
- Скорость нагрева до 100°C/сек.
- Возможность смешивать процессные газы (до 8 шт)
- Контроллеры массового расхода газа
- Вакуум: от атм. (н.у.) до 10-6 Торр с турбомолекулярным насосом
- Измерение температуры термопарой и быстрым температурным контроллером PID гарантирует высокий и стабильный температурный контроль по всему диапазону температур.
- Система имеет управление с ПК с программным обеспечением на базе Windows.

СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF
СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF



[~DETAIL_TEXT] => AS-Premium - компактная установка быстрых термических процессов (RTP) с холодными стенками:

Компактная система для быстрых термических процессов (RTP) для обработки пластин до 8х8 дюймов (200 х 200 мм.).

Применение:
- Быстрый термический отжиг (RTA - Rapid Thermal Annealing),
- Быстрое термическое окисление (RTO - Rapid Thermal Oxidation)
- Диффузия, селинизация
- Отжиг SiC контактов, карбонизация
- Отжиг соединений полупроводников
- Нитритизация, силицидирование
- Послеимплантационный отжиг

Спецификация и описание:
- Система быстрых термических процессов AS-Premium имеет высокую функциональность для широкого диапазона процессов
- Система имеет компактное напольное исполнение с легким доступом для сервисного обслуживания
- Высокая надежность и низкая стоимость владения.
- Версия установки для высокой температуры может проводить процесс отжига при 1300 °C и позволяет разрабатывать новые процессы.
- Технология холодных стенок из нержавеющей стали дающая высокую воспроизводимость процесса с ультра чистой средой и отсутствием загрязнений
- Загрузочный шлюз и кластерная конфигурация системы доступны по запросу для увеличения чистоты процесса.
- Доступны конфигурации как только с верхним расположением ламп так и конфигурация для вдухсторонненог нагрева с верхним и нижним расположением ламп
- Расширенный температурный диапазон, вакуум (от атмосферы до 10-6 Торр) и возможность смешивания газов делает установку AS-Premium подходящей для большого числа RTP процессов.
- Пирометр и термопара для контроля температуры вместе с быстрым цифровым контроллером PID температуры обеспечивает высокую точность и стабильность температуры
- Ручная загрузка или загрузка с load-lock (опция).

Исполнение и характеристики:
- Температурный диапазон: от комнатной (RT) до 1100°C или до 1300°C (в зависимости от версии)
- Скорость нагрева до 100°C/сек.
- Возможность смешивать процессные газы (до 8 шт)
- Контроллеры массового расхода газа
- Вакуум: от атм. (н.у.) до 10-6 Торр с турбомолекулярным насосом
- Измерение температуры термопарой и быстрым температурным контроллером PID гарантирует высокий и стабильный температурный контроль по всему диапазону температур.
- Система имеет управление с ПК с программным обеспечением на базе Windows.

СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF
СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF



[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => КОМПАКТНАЯ УСТАНОВКА AS-PREMIUM ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) УСТАНОВКА AS-PREMIUM КОМПАКТНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН РАЗМЕРОМ ДО 8Х8 ДЮЙМОВ (200 Х 200 ММ). ПРИМЕНЕНИЕ: БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ (RTA), БЫСТРОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ (RTO) ДИФФУЗИЯ СЕЛЕНИЗАЦИЯ, СУЛЬФУРАЦИЯ ОТЖИГ ПОЛУПРОВОДНИКОВ НИТРИТИЗАЦИЯ, СИЛИЦИДИРОВАНИЕ КРИСТАЛИЗАЦИЯ И УПЛОТНЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ RT ДО 1300°C ВЕРХНЕЕ РАСПОЛОЖЕНИЕ ЛАМП ИЛИ ДВУХСТОРОННИЙ ОТЖИГ С ВЕРХНИМ И НИЖНИМ РАСПОЛОЖЕНИЕМ ЛАМП ЗАГРУЗКА: РУЧНАЯ AS-PREMIUM - КОМПАКТНАЯ УСТАНОВКА БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) С ХОЛОДНЫМИ СТЕНКАМИ: КОМПАКТНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН ДО 8Х8 ДЮЙМОВ (200 Х 200 ММ.). ПРИМЕНЕНИЕ: - БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ (RTA - RAPID THERMAL ANNEALING), - БЫСТРОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ (RTO - RAPID THERMAL OXIDATION) - ДИФФУЗИЯ, СЕЛИНИЗАЦИЯ - ОТЖИГ SIC КОНТАКТОВ, КАРБОНИЗАЦИЯ - ОТЖИГ СОЕДИНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ - НИТРИТИЗАЦИЯ, СИЛИЦИДИРОВАНИЕ - ПОСЛЕИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ СПЕЦИФИКАЦИЯ И ОПИСАНИЕ: - СИСТЕМА БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ AS-PREMIUM ИМЕЕТ ВЫСОКУЮ ФУНКЦИОНАЛЬНОСТЬ ДЛЯ ШИРОКОГО ДИАПАЗОНА ПРОЦЕССОВ - СИСТЕМА ИМЕЕТ КОМПАКТНОЕ НАПОЛЬНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ С ЛЕГКИМ ДОСТУПОМ ДЛЯ СЕРВИСНОГО ОБСЛУЖИВАНИЯ - ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ И НИЗКАЯ СТОИМОСТЬ ВЛАДЕНИЯ. - ВЕРСИЯ УСТАНОВКИ ДЛЯ ВЫСОКОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ МОЖЕТ ПРОВОДИТЬ ПРОЦЕСС ОТЖИГА ПРИ 1300 °C И ПОЗВОЛЯЕТ РАЗРАБАТЫВАТЬ НОВЫЕ ПРОЦЕССЫ. - ТЕХНОЛОГИЯ ХОЛОДНЫХ СТЕНОК ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ ДАЮЩАЯ ВЫСОКУЮ ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ ПРОЦЕССА С УЛЬТРА ЧИСТОЙ СРЕДОЙ И ОТСУТСТВИЕМ ЗАГРЯЗНЕНИЙ - ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ И КЛАСТЕРНАЯ КОНФИГУРАЦИЯ СИСТЕМЫ ДОСТУПНЫ ПО ЗАПРОСУ ДЛЯ УВЕЛИЧЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПРОЦЕССА. - ДОСТУПНЫ КОНФИГУРАЦИИ КАК ТОЛЬКО С ВЕРХНИМ РАСПОЛОЖЕНИЕМ ЛАМП ТАК И КОНФИГУРАЦИЯ ДЛЯ ВДУХСТОРОННЕНОГ НАГРЕВА С ВЕРХНИМ И НИЖНИМ РАСПОЛОЖЕНИЕМ ЛАМП - РАСШИРЕННЫЙ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН, ВАКУУМ (ОТ АТМОСФЕРЫ ДО 10-6 ТОРР) И ВОЗМОЖНОСТЬ СМЕШИВАНИЯ ГАЗОВ ДЕЛАЕТ УСТАНОВКУ AS-PREMIUM ПОДХОДЯЩЕЙ ДЛЯ БОЛЬШОГО ЧИСЛА RTP ПРОЦЕССОВ. - ПИРОМЕТР И ТЕРМОПАРА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ВМЕСТЕ С БЫСТРЫМ ЦИФРОВЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ PID ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЕСПЕЧИВАЕТ ВЫСОКУЮ ТОЧНОСТЬ И СТАБИЛЬНОСТЬ ТЕМПЕРАТУРЫ - РУЧНАЯ ЗАГРУЗКА ИЛИ ЗАГРУЗКА С LOAD-LOCK (ОПЦИЯ). ИСПОЛНЕНИЕ И ХАРАКТЕРИСТИКИ: - ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ КОМНАТНОЙ (RT) ДО 1100°C ИЛИ ДО 1300°C (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЕРСИИ) - СКОРОСТЬ НАГРЕВА ДО 100°C/СЕК. - ВОЗМОЖНОСТЬ СМЕШИВАТЬ ПРОЦЕССНЫЕ ГАЗЫ (ДО 8 ШТ) - КОНТРОЛЛЕРЫ МАССОВОГО РАСХОДА ГАЗА - ВАКУУМ: ОТ АТМ. (Н.У.) ДО 10-6 ТОРР С ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫМ НАСОСОМ - ИЗМЕРЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМОПАРОЙ И БЫСТРЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ PID ГАРАНТИРУЕТ ВЫСОКИЙ И СТАБИЛЬНЫЙ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОНТРОЛЬ ПО ВСЕМУ ДИАПАЗОНУ ТЕМПЕРАТУР. - СИСТЕМА ИМЕЕТ УПРАВЛЕНИЕ С ПК С ПРОГРАММНЫМ ОБЕСПЕЧЕНИЕМ НА БАЗЕ WINDOWS. СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF [ /PDF/ASPREMIUM_EN.PDF ] СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF [ /PDF/AS-PREMIUM_PRESENTATION.PDF ] [~SEARCHABLE_CONTENT] => КОМПАКТНАЯ УСТАНОВКА AS-PREMIUM ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) УСТАНОВКА AS-PREMIUM КОМПАКТНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН РАЗМЕРОМ ДО 8Х8 ДЮЙМОВ (200 Х 200 ММ). ПРИМЕНЕНИЕ: БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ (RTA), БЫСТРОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ (RTO) ДИФФУЗИЯ СЕЛЕНИЗАЦИЯ, СУЛЬФУРАЦИЯ ОТЖИГ ПОЛУПРОВОДНИКОВ НИТРИТИЗАЦИЯ, СИЛИЦИДИРОВАНИЕ КРИСТАЛИЗАЦИЯ И УПЛОТНЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ RT ДО 1300°C ВЕРХНЕЕ РАСПОЛОЖЕНИЕ ЛАМП ИЛИ ДВУХСТОРОННИЙ ОТЖИГ С ВЕРХНИМ И НИЖНИМ РАСПОЛОЖЕНИЕМ ЛАМП ЗАГРУЗКА: РУЧНАЯ AS-PREMIUM - КОМПАКТНАЯ УСТАНОВКА БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) С ХОЛОДНЫМИ СТЕНКАМИ: КОМПАКТНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (RTP) ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН ДО 8Х8 ДЮЙМОВ (200 Х 200 ММ.). ПРИМЕНЕНИЕ: - БЫСТРЫЙ ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ (RTA - RAPID THERMAL ANNEALING), - БЫСТРОЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ (RTO - RAPID THERMAL OXIDATION) - ДИФФУЗИЯ, СЕЛИНИЗАЦИЯ - ОТЖИГ SIC КОНТАКТОВ, КАРБОНИЗАЦИЯ - ОТЖИГ СОЕДИНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ - НИТРИТИЗАЦИЯ, СИЛИЦИДИРОВАНИЕ - ПОСЛЕИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ СПЕЦИФИКАЦИЯ И ОПИСАНИЕ: - СИСТЕМА БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ AS-PREMIUM ИМЕЕТ ВЫСОКУЮ ФУНКЦИОНАЛЬНОСТЬ ДЛЯ ШИРОКОГО ДИАПАЗОНА ПРОЦЕССОВ - СИСТЕМА ИМЕЕТ КОМПАКТНОЕ НАПОЛЬНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ С ЛЕГКИМ ДОСТУПОМ ДЛЯ СЕРВИСНОГО ОБСЛУЖИВАНИЯ - ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ И НИЗКАЯ СТОИМОСТЬ ВЛАДЕНИЯ. - ВЕРСИЯ УСТАНОВКИ ДЛЯ ВЫСОКОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ МОЖЕТ ПРОВОДИТЬ ПРОЦЕСС ОТЖИГА ПРИ 1300 °C И ПОЗВОЛЯЕТ РАЗРАБАТЫВАТЬ НОВЫЕ ПРОЦЕССЫ. - ТЕХНОЛОГИЯ ХОЛОДНЫХ СТЕНОК ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ ДАЮЩАЯ ВЫСОКУЮ ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ ПРОЦЕССА С УЛЬТРА ЧИСТОЙ СРЕДОЙ И ОТСУТСТВИЕМ ЗАГРЯЗНЕНИЙ - ЗАГРУЗОЧНЫЙ ШЛЮЗ И КЛАСТЕРНАЯ КОНФИГУРАЦИЯ СИСТЕМЫ ДОСТУПНЫ ПО ЗАПРОСУ ДЛЯ УВЕЛИЧЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПРОЦЕССА. - ДОСТУПНЫ КОНФИГУРАЦИИ КАК ТОЛЬКО С ВЕРХНИМ РАСПОЛОЖЕНИЕМ ЛАМП ТАК И КОНФИГУРАЦИЯ ДЛЯ ВДУХСТОРОННЕНОГ НАГРЕВА С ВЕРХНИМ И НИЖНИМ РАСПОЛОЖЕНИЕМ ЛАМП - РАСШИРЕННЫЙ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН, ВАКУУМ (ОТ АТМОСФЕРЫ ДО 10-6 ТОРР) И ВОЗМОЖНОСТЬ СМЕШИВАНИЯ ГАЗОВ ДЕЛАЕТ УСТАНОВКУ AS-PREMIUM ПОДХОДЯЩЕЙ ДЛЯ БОЛЬШОГО ЧИСЛА RTP ПРОЦЕССОВ. - ПИРОМЕТР И ТЕРМОПАРА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ВМЕСТЕ С БЫСТРЫМ ЦИФРОВЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ PID ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЕСПЕЧИВАЕТ ВЫСОКУЮ ТОЧНОСТЬ И СТАБИЛЬНОСТЬ ТЕМПЕРАТУРЫ - РУЧНАЯ ЗАГРУЗКА ИЛИ ЗАГРУЗКА С LOAD-LOCK (ОПЦИЯ). ИСПОЛНЕНИЕ И ХАРАКТЕРИСТИКИ: - ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ КОМНАТНОЙ (RT) ДО 1100°C ИЛИ ДО 1300°C (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВЕРСИИ) - СКОРОСТЬ НАГРЕВА ДО 100°C/СЕК. - ВОЗМОЖНОСТЬ СМЕШИВАТЬ ПРОЦЕССНЫЕ ГАЗЫ (ДО 8 ШТ) - КОНТРОЛЛЕРЫ МАССОВОГО РАСХОДА ГАЗА - ВАКУУМ: ОТ АТМ. (Н.У.) ДО 10-6 ТОРР С ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫМ НАСОСОМ - ИЗМЕРЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМОПАРОЙ И БЫСТРЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ PID ГАРАНТИРУЕТ ВЫСОКИЙ И СТАБИЛЬНЫЙ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОНТРОЛЬ ПО ВСЕМУ ДИАПАЗОНУ ТЕМПЕРАТУР. - СИСТЕМА ИМЕЕТ УПРАВЛЕНИЕ С ПК С ПРОГРАММНЫМ ОБЕСПЕЧЕНИЕМ НА БАЗЕ WINDOWS. СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF [ /PDF/ASPREMIUM_EN.PDF ] СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF [ /PDF/AS-PREMIUM_PRESENTATION.PDF ] [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 365 [~SHOW_COUNTER] => 365 [SHOW_COUNTER_START] => 12/18/2015 11:25:33 am [~SHOW_COUNTER_START] => 12/18/2015 11:25:33 am [CODE] => kompaktnaya-ustanovka-as-premium-dlya-bystryh-termicheskih-processov-rtp [~CODE] => kompaktnaya-ustanovka-as-premium-dlya-bystryh-termicheskih-processov-rtp [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 44 [~XML_ID] => 44 [EXTERNAL_ID] => 44 [~EXTERNAL_ID] => 44 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bystrye-termicheskie-processy-rtp/kompaktnaya-ustanovka-as-premium-dlya-bystryh-termicheskih-processov-rtp/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bystrye-termicheskie-processy-rtp/kompaktnaya-ustanovka-as-premium-dlya-bystryh-termicheskih-processov-rtp/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.12 [~CREATED_DATE] => 2015.12.12 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 45
    [~ID] => 45
    [TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 03:08:41 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 03:08:41 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467115721
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467115721
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/12/2015 07:22:55 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/12/2015 07:22:55 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1449937375
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1449937375
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 17
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 17
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Установка высокотемпературного отжига Zenith 100
    [~NAME] => Установка высокотемпературного отжига Zenith 100
    [PREVIEW_PICTURE] => 143
    [~PREVIEW_PICTURE] => 143
    [PREVIEW_TEXT] => 

Установка Zenith 100

Компактная система для высокотемпературных термических процессов (High Temperature RTP и CVD) для обработки пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм)

Применение:

Постимплантационный отжиг SiC

Получение графена высокотемпературной сублимацией SiC

Получение рафена CVD методом

Температурный диапазон: от RT до 2000°C

Загрузка: ручная

[~PREVIEW_TEXT] =>

Установка Zenith 100

Компактная система для высокотемпературных термических процессов (High Temperature RTP и CVD) для обработки пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм)

Применение:

Постимплантационный отжиг SiC

Получение графена высокотемпературной сублимацией SiC

Получение рафена CVD методом

Температурный диапазон: от RT до 2000°C

Загрузка: ручная

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 144 [~DETAIL_PICTURE] => 144 [DETAIL_TEXT] => Zenith 100 - компактная установка высокотемпературных быстрых термических процессов (High Temperature RTP) с холодными стенками:

Компактная система для высокотемпературных быстрых термических процессов (High Temperature RTP) для обработки пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм.) при температуре до 2000°C

Применение:
-Постимплантационный отжиг SiC
-Получение графена высокотемпературной сублимацией SiC
-Получение рафена CVD методом

Спецификация и описание:
- Система имеет камеру с водоохлаждаемыми стенками из нержавеющей стали.
- Технология холодных стенок из нержавеющей стали дающая высокую воспроизводимость процесса с ультра чистой средой и отсутствием загрязнений и быстрым охлаждением.
- Высокотемпературные вольфрамовые нагреватели обеспечивают высокую скорость нагрева и увеличенную однородность по температуре.
- Пирометр и термопара для контроля температуры вместе с быстрым цифровым контроллером PID температуры обеспечивает высокую точность и стабильность температуры
- Система имеет компактное напольное исполнение с легким доступом для сервисного обслуживания
- Высокая надежность и низкая стоимость владения.
- Расширенный температурный диапазон, высокий вакуум и возможность смешивания газов делает установку Zenith 100 подходящей для большого числа High Temp RTP процессов.
- Ручная загрузка
- PC контроль и создание большого количества рецептов

Исполнение и характеристики:
- Температурный диапазон: от комнатной (RT) до 2000°C
- Возможность смешивать процессные газы (до 8 шт)
- Контроллеры массового расхода газа
- Высокий вакуум с турбомолекулярным насосом
- Измерение температуры термопарой и быстрым температурным контроллером PID гарантирует высокий и стабильный температурный контроль по всему диапазону температур.
- Система имеет управление с ПК с программным обеспечением на базе Windows.

СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF
СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF



[~DETAIL_TEXT] => Zenith 100 - компактная установка высокотемпературных быстрых термических процессов (High Temperature RTP) с холодными стенками:

Компактная система для высокотемпературных быстрых термических процессов (High Temperature RTP) для обработки пластин диаметром до 4 дюймов (100 мм.) при температуре до 2000°C

Применение:
-Постимплантационный отжиг SiC
-Получение графена высокотемпературной сублимацией SiC
-Получение рафена CVD методом

Спецификация и описание:
- Система имеет камеру с водоохлаждаемыми стенками из нержавеющей стали.
- Технология холодных стенок из нержавеющей стали дающая высокую воспроизводимость процесса с ультра чистой средой и отсутствием загрязнений и быстрым охлаждением.
- Высокотемпературные вольфрамовые нагреватели обеспечивают высокую скорость нагрева и увеличенную однородность по температуре.
- Пирометр и термопара для контроля температуры вместе с быстрым цифровым контроллером PID температуры обеспечивает высокую точность и стабильность температуры
- Система имеет компактное напольное исполнение с легким доступом для сервисного обслуживания
- Высокая надежность и низкая стоимость владения.
- Расширенный температурный диапазон, высокий вакуум и возможность смешивания газов делает установку Zenith 100 подходящей для большого числа High Temp RTP процессов.
- Ручная загрузка
- PC контроль и создание большого количества рецептов

Исполнение и характеристики:
- Температурный диапазон: от комнатной (RT) до 2000°C
- Возможность смешивать процессные газы (до 8 шт)
- Контроллеры массового расхода газа
- Высокий вакуум с турбомолекулярным насосом
- Измерение температуры термопарой и быстрым температурным контроллером PID гарантирует высокий и стабильный температурный контроль по всему диапазону температур.
- Система имеет управление с ПК с программным обеспечением на базе Windows.

СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF
СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF



[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА ZENITH 100 УСТАНОВКА ZENITH 100 КОМПАКТНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (HIGH TEMPERATURE RTP И CVD) ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 4 ДЮЙМОВ (100 ММ) ПРИМЕНЕНИЕ: ПОСТИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ SIC ПОЛУЧЕНИЕ ГРАФЕНА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ СУБЛИМАЦИЕЙ SIC ПОЛУЧЕНИЕ РАФЕНА CVD МЕТОДОМ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ RT ДО 2000°C ЗАГРУЗКА: РУЧНАЯ ZENITH 100 - КОМПАКТНАЯ УСТАНОВКА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (HIGH TEMPERATURE RTP) С ХОЛОДНЫМИ СТЕНКАМИ: КОМПАКТНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (HIGH TEMPERATURE RTP) ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 4 ДЮЙМОВ (100 ММ.) ПРИ ТЕМПЕРАТУРЕ ДО 2000°C ПРИМЕНЕНИЕ: -ПОСТИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ SIC -ПОЛУЧЕНИЕ ГРАФЕНА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ СУБЛИМАЦИЕЙ SIC -ПОЛУЧЕНИЕ РАФЕНА CVD МЕТОДОМ СПЕЦИФИКАЦИЯ И ОПИСАНИЕ: - СИСТЕМА ИМЕЕТ КАМЕРУ С ВОДООХЛАЖДАЕМЫМИ СТЕНКАМИ ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ. - ТЕХНОЛОГИЯ ХОЛОДНЫХ СТЕНОК ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ ДАЮЩАЯ ВЫСОКУЮ ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ ПРОЦЕССА С УЛЬТРА ЧИСТОЙ СРЕДОЙ И ОТСУТСТВИЕМ ЗАГРЯЗНЕНИЙ И БЫСТРЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ. - ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ ВОЛЬФРАМОВЫЕ НАГРЕВАТЕЛИ ОБЕСПЕЧИВАЮТ ВЫСОКУЮ СКОРОСТЬ НАГРЕВА И УВЕЛИЧЕННУЮ ОДНОРОДНОСТЬ ПО ТЕМПЕРАТУРЕ. - ПИРОМЕТР И ТЕРМОПАРА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ВМЕСТЕ С БЫСТРЫМ ЦИФРОВЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ PID ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЕСПЕЧИВАЕТ ВЫСОКУЮ ТОЧНОСТЬ И СТАБИЛЬНОСТЬ ТЕМПЕРАТУРЫ - СИСТЕМА ИМЕЕТ КОМПАКТНОЕ НАПОЛЬНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ С ЛЕГКИМ ДОСТУПОМ ДЛЯ СЕРВИСНОГО ОБСЛУЖИВАНИЯ - ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ И НИЗКАЯ СТОИМОСТЬ ВЛАДЕНИЯ. - РАСШИРЕННЫЙ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН, ВЫСОКИЙ ВАКУУМ И ВОЗМОЖНОСТЬ СМЕШИВАНИЯ ГАЗОВ ДЕЛАЕТ УСТАНОВКУ ZENITH 100 ПОДХОДЯЩЕЙ ДЛЯ БОЛЬШОГО ЧИСЛА HIGH TEMP RTP ПРОЦЕССОВ. - РУЧНАЯ ЗАГРУЗКА - PC КОНТРОЛЬ И СОЗДАНИЕ БОЛЬШОГО КОЛИЧЕСТВА РЕЦЕПТОВ ИСПОЛНЕНИЕ И ХАРАКТЕРИСТИКИ: - ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ КОМНАТНОЙ (RT) ДО 2000°C - ВОЗМОЖНОСТЬ СМЕШИВАТЬ ПРОЦЕССНЫЕ ГАЗЫ (ДО 8 ШТ) - КОНТРОЛЛЕРЫ МАССОВОГО РАСХОДА ГАЗА - ВЫСОКИЙ ВАКУУМ С ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫМ НАСОСОМ - ИЗМЕРЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМОПАРОЙ И БЫСТРЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ PID ГАРАНТИРУЕТ ВЫСОКИЙ И СТАБИЛЬНЫЙ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОНТРОЛЬ ПО ВСЕМУ ДИАПАЗОНУ ТЕМПЕРАТУР. - СИСТЕМА ИМЕЕТ УПРАВЛЕНИЕ С ПК С ПРОГРАММНЫМ ОБЕСПЕЧЕНИЕМ НА БАЗЕ WINDOWS. СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF [ /PDF/ZENITH100.PDF ] СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF [ /PDF/ZENITH100_PRESENTATION.PDF ] [~SEARCHABLE_CONTENT] => УСТАНОВКА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА ZENITH 100 УСТАНОВКА ZENITH 100 КОМПАКТНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (HIGH TEMPERATURE RTP И CVD) ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 4 ДЮЙМОВ (100 ММ) ПРИМЕНЕНИЕ: ПОСТИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ SIC ПОЛУЧЕНИЕ ГРАФЕНА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ СУБЛИМАЦИЕЙ SIC ПОЛУЧЕНИЕ РАФЕНА CVD МЕТОДОМ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ RT ДО 2000°C ЗАГРУЗКА: РУЧНАЯ ZENITH 100 - КОМПАКТНАЯ УСТАНОВКА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (HIGH TEMPERATURE RTP) С ХОЛОДНЫМИ СТЕНКАМИ: КОМПАКТНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ БЫСТРЫХ ТЕРМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (HIGH TEMPERATURE RTP) ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН ДИАМЕТРОМ ДО 4 ДЮЙМОВ (100 ММ.) ПРИ ТЕМПЕРАТУРЕ ДО 2000°C ПРИМЕНЕНИЕ: -ПОСТИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ SIC -ПОЛУЧЕНИЕ ГРАФЕНА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ СУБЛИМАЦИЕЙ SIC -ПОЛУЧЕНИЕ РАФЕНА CVD МЕТОДОМ СПЕЦИФИКАЦИЯ И ОПИСАНИЕ: - СИСТЕМА ИМЕЕТ КАМЕРУ С ВОДООХЛАЖДАЕМЫМИ СТЕНКАМИ ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ. - ТЕХНОЛОГИЯ ХОЛОДНЫХ СТЕНОК ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ ДАЮЩАЯ ВЫСОКУЮ ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ ПРОЦЕССА С УЛЬТРА ЧИСТОЙ СРЕДОЙ И ОТСУТСТВИЕМ ЗАГРЯЗНЕНИЙ И БЫСТРЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ. - ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ ВОЛЬФРАМОВЫЕ НАГРЕВАТЕЛИ ОБЕСПЕЧИВАЮТ ВЫСОКУЮ СКОРОСТЬ НАГРЕВА И УВЕЛИЧЕННУЮ ОДНОРОДНОСТЬ ПО ТЕМПЕРАТУРЕ. - ПИРОМЕТР И ТЕРМОПАРА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ВМЕСТЕ С БЫСТРЫМ ЦИФРОВЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ PID ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЕСПЕЧИВАЕТ ВЫСОКУЮ ТОЧНОСТЬ И СТАБИЛЬНОСТЬ ТЕМПЕРАТУРЫ - СИСТЕМА ИМЕЕТ КОМПАКТНОЕ НАПОЛЬНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ С ЛЕГКИМ ДОСТУПОМ ДЛЯ СЕРВИСНОГО ОБСЛУЖИВАНИЯ - ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ И НИЗКАЯ СТОИМОСТЬ ВЛАДЕНИЯ. - РАСШИРЕННЫЙ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН, ВЫСОКИЙ ВАКУУМ И ВОЗМОЖНОСТЬ СМЕШИВАНИЯ ГАЗОВ ДЕЛАЕТ УСТАНОВКУ ZENITH 100 ПОДХОДЯЩЕЙ ДЛЯ БОЛЬШОГО ЧИСЛА HIGH TEMP RTP ПРОЦЕССОВ. - РУЧНАЯ ЗАГРУЗКА - PC КОНТРОЛЬ И СОЗДАНИЕ БОЛЬШОГО КОЛИЧЕСТВА РЕЦЕПТОВ ИСПОЛНЕНИЕ И ХАРАКТЕРИСТИКИ: - ТЕМПЕРАТУРНЫЙ ДИАПАЗОН: ОТ КОМНАТНОЙ (RT) ДО 2000°C - ВОЗМОЖНОСТЬ СМЕШИВАТЬ ПРОЦЕССНЫЕ ГАЗЫ (ДО 8 ШТ) - КОНТРОЛЛЕРЫ МАССОВОГО РАСХОДА ГАЗА - ВЫСОКИЙ ВАКУУМ С ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫМ НАСОСОМ - ИЗМЕРЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМОПАРОЙ И БЫСТРЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОНТРОЛЛЕРОМ PID ГАРАНТИРУЕТ ВЫСОКИЙ И СТАБИЛЬНЫЙ ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОНТРОЛЬ ПО ВСЕМУ ДИАПАЗОНУ ТЕМПЕРАТУР. - СИСТЕМА ИМЕЕТ УПРАВЛЕНИЕ С ПК С ПРОГРАММНЫМ ОБЕСПЕЧЕНИЕМ НА БАЗЕ WINDOWS. СКАЧАТЬ БРОЩЮРУ В PDF [ /PDF/ZENITH100.PDF ] СКАЧАТЬ ПРЕЗЕНТАЦИЮ В PDF [ /PDF/ZENITH100_PRESENTATION.PDF ] [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 460 [~SHOW_COUNTER] => 460 [SHOW_COUNTER_START] => 12/18/2015 11:25:27 am [~SHOW_COUNTER_START] => 12/18/2015 11:25:27 am [CODE] => ustanovka-vysokotemperaturnogo-otzhiga-zenith-100 [~CODE] => ustanovka-vysokotemperaturnogo-otzhiga-zenith-100 [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 45 [~XML_ID] => 45 [EXTERNAL_ID] => 45 [~EXTERNAL_ID] => 45 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bystrye-termicheskie-processy-rtp/ustanovka-vysokotemperaturnogo-otzhiga-zenith-100/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/bystrye-termicheskie-processy-rtp/ustanovka-vysokotemperaturnogo-otzhiga-zenith-100/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.12 [~CREATED_DATE] => 2015.12.12 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 51
    [~ID] => 51
    [TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 01:01:59 pm
    [~TIMESTAMP_X] => 06/28/2016 01:01:59 pm
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467108119
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1467108119
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/12/2015 08:05:26 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/12/2015 08:05:26 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1449939926
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1449939926
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 18
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 18
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Рефлектометры серии RM 1000/RM 2000 от SENTECH Instruments GmbH
    [~NAME] => Рефлектометры серии RM 1000/RM 2000 от SENTECH Instruments GmbH
    [PREVIEW_PICTURE] => 186
    [~PREVIEW_PICTURE] => 186
    [PREVIEW_TEXT] => 

Спектроскопические (спетральные) рефлектометры моделей RM 1000 и RM 2000 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) для исследований и производства. Применяются для измерения прозрачных, плохо абсорбирующих пленок на отражающих, прозрачных и абсорбирующих образцах спектроскопическим методом, основанном на преломлении белого света. Измерене показателя преломления и толщины пленок на различных типах поверхностей. В том числе рутинные измерения в изготовлении изделий микроэлектроники (измерения толщины резистов, окислов и т.п)

Спектральный диапазон:

RM 1000: 430-930 нм.

RM 2000: 200 - 1000 нм.

[~PREVIEW_TEXT] =>

Спектроскопические (спетральные) рефлектометры моделей RM 1000 и RM 2000 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) для исследований и производства. Применяются для измерения прозрачных, плохо абсорбирующих пленок на отражающих, прозрачных и абсорбирующих образцах спектроскопическим методом, основанном на преломлении белого света. Измерене показателя преломления и толщины пленок на различных типах поверхностей. В том числе рутинные измерения в изготовлении изделий микроэлектроники (измерения толщины резистов, окислов и т.п)

Спектральный диапазон:

RM 1000: 430-930 нм.

RM 2000: 200 - 1000 нм.

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 187 [~DETAIL_PICTURE] => 187 [DETAIL_TEXT] => Спектроскопические (спетральные) рефлектометры моделей RM 1000 и RM 2000 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) для исследований и производства. Применяются для измерения прозрачных, плохо абсорбирующих пленок на отражающих, прозрачных и абсорбирующих образцах спектроскопическим методом, основанном на преломлении белого света.
Измерене показателя преломления и толщины пленок и абсорбци на различных типах поверхностей. В том числе рутинные измерения в изготовлении изделий микроэлектроники (измерения толщины резистов, окислов и т.д.)

Спектральный диапазон:
RM 1000: 430-930 нм.
RM 2000: 200 - 1000 нм.

В область измерений, осуществляемых данными приборами, входят измерения однослойных и многослойных покрытий на полупроводниках, стекле, пластике, металле и глянцевой бумаге

Применение: Измерение толщины и коэффициента преломления единичных слоев или многослойных прозрачных и полупрозрачных пленок в производстве или лаборатории.

Особенности


  • Измерение пленок как на гладких так и на шероховатых поверхностях.
  • Расширенный диапазон измерения толщин пленок от 2 до 50000 нм (в зависимости от модели).
  • Размер пятна измерения 80 и 100 мкм, что позволяет проводить измерения напластине с топологией
  • Высокая стабильность и точность при измерении.
  • Высокая точность выравнивания образца (регулировка по высоте и углу наклона) с помощью автоколлиматического телескопа (АСТ).
  • Полный пакет предустановленных применений в микроэлектронике, фотовольтаике (солнечные элементы) и др.
  • Дружественный интерфейс и легкость работы.
  • Высокая скорость измерений
  • Программное обеспечение FTPadv EXPERT SENTECH для проведения измерений, включающее в себя библиотеку приложений
    n, k массивного материала
    толщина монослоев
    толщина и индекс преломления монослоев
    толщина и индекс преломления верхнего слоя и многослойной структуры
  • Большая база данных материалов для измерений

Опции:


- Моторизованные столики с компьютерным управлением для обрацов диаметром до 200 мм и перемещением с высокой точностью для меппинга (картирования)

- Видеокамера для выравнивания образца взамен окуляра с выводом изображения и РС.

- ПО для иммитационного моделирования (SpectraRay/3)

- Установка для измерений пленок на кристаллическом кремнии (текстурированном)

БРОШЮРА RM 1000 В PDF
БРОШЮРА RM 2000 В PDF

Характеристики


Модель RM 1000 RM 2000
Измеряемые величины Толщина пленки, индекс преломления, абсорбция и др.
Принцып действия Интерферренция белого света при нормальном угле падения Интерферренция белого света при нормальном угле падения
Спектральный диапазон                 430 - 930 нм. 200 - 1000 нм.
Время измерения около 300 мс. около 300 мс.
Диапазон измеряемых толщин 20 - 25000 нм. (в зависимости от пленки) 2 - 50000 нм. (в зависимости от пленки)
Диамерт светового пятна 80 мкм 100 мкм.
Точность измерения тощины 1 нм (изм. 400 нм SiO2/Si)
Воспроизводимость (1σ) 0,3 нм.  (изм. 400 нм SiO2/Si)
Источник света Стаблизированная галогеновая лампа Стабилизированные дейтериумная и галогеновая лампы
Программное обеспечение FTPadv Expert

[~DETAIL_TEXT] => Спектроскопические (спетральные) рефлектометры моделей RM 1000 и RM 2000 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия) для исследований и производства. Применяются для измерения прозрачных, плохо абсорбирующих пленок на отражающих, прозрачных и абсорбирующих образцах спектроскопическим методом, основанном на преломлении белого света.
Измерене показателя преломления и толщины пленок и абсорбци на различных типах поверхностей. В том числе рутинные измерения в изготовлении изделий микроэлектроники (измерения толщины резистов, окислов и т.д.)

Спектральный диапазон:
RM 1000: 430-930 нм.
RM 2000: 200 - 1000 нм.

В область измерений, осуществляемых данными приборами, входят измерения однослойных и многослойных покрытий на полупроводниках, стекле, пластике, металле и глянцевой бумаге

Применение: Измерение толщины и коэффициента преломления единичных слоев или многослойных прозрачных и полупрозрачных пленок в производстве или лаборатории.

Особенности


  • Измерение пленок как на гладких так и на шероховатых поверхностях.
  • Расширенный диапазон измерения толщин пленок от 2 до 50000 нм (в зависимости от модели).
  • Размер пятна измерения 80 и 100 мкм, что позволяет проводить измерения напластине с топологией
  • Высокая стабильность и точность при измерении.
  • Высокая точность выравнивания образца (регулировка по высоте и углу наклона) с помощью автоколлиматического телескопа (АСТ).
  • Полный пакет предустановленных применений в микроэлектронике, фотовольтаике (солнечные элементы) и др.
  • Дружественный интерфейс и легкость работы.
  • Высокая скорость измерений
  • Программное обеспечение FTPadv EXPERT SENTECH для проведения измерений, включающее в себя библиотеку приложений
    n, k массивного материала
    толщина монослоев
    толщина и индекс преломления монослоев
    толщина и индекс преломления верхнего слоя и многослойной структуры
  • Большая база данных материалов для измерений

Опции:


- Моторизованные столики с компьютерным управлением для обрацов диаметром до 200 мм и перемещением с высокой точностью для меппинга (картирования)

- Видеокамера для выравнивания образца взамен окуляра с выводом изображения и РС.

- ПО для иммитационного моделирования (SpectraRay/3)

- Установка для измерений пленок на кристаллическом кремнии (текстурированном)

БРОШЮРА RM 1000 В PDF
БРОШЮРА RM 2000 В PDF

Характеристики


Модель RM 1000 RM 2000
Измеряемые величины Толщина пленки, индекс преломления, абсорбция и др.
Принцып действия Интерферренция белого света при нормальном угле падения Интерферренция белого света при нормальном угле падения
Спектральный диапазон                 430 - 930 нм. 200 - 1000 нм.
Время измерения около 300 мс. около 300 мс.
Диапазон измеряемых толщин 20 - 25000 нм. (в зависимости от пленки) 2 - 50000 нм. (в зависимости от пленки)
Диамерт светового пятна 80 мкм 100 мкм.
Точность измерения тощины 1 нм (изм. 400 нм SiO2/Si)
Воспроизводимость (1σ) 0,3 нм.  (изм. 400 нм SiO2/Si)
Источник света Стаблизированная галогеновая лампа Стабилизированные дейтериумная и галогеновая лампы
Программное обеспечение FTPadv Expert

[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => РЕФЛЕКТОМЕТРЫ СЕРИИ RM 1000/RM 2000 ОТ SENTECH INSTRUMENTS GMBH СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ (СПЕТРАЛЬНЫЕ) РЕФЛЕКТОМЕТРЫ МОДЕЛЕЙ RM 1000 И RM 2000 ПРОИЗВОДСТВА SENTECH INSTRUMENTS GMBH (ГЕРМАНИЯ) ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЙ И ПРОИЗВОДСТВА. ПРИМЕНЯЮТСЯ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ, ПЛОХО АБСОРБИРУЮЩИХ ПЛЕНОК НА ОТРАЖАЮЩИХ, ПРОЗРАЧНЫХ И АБСОРБИРУЮЩИХ ОБРАЗЦАХ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИМ МЕТОДОМ, ОСНОВАННОМ НА ПРЕЛОМЛЕНИИ БЕЛОГО СВЕТА. ИЗМЕРЕНЕ ПОКАЗАТЕЛЯ ПРЕЛОМЛЕНИЯ И ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОК НА РАЗЛИЧНЫХ ТИПАХ ПОВЕРХНОСТЕЙ. В ТОМ ЧИСЛЕ РУТИННЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ В ИЗГОТОВЛЕНИИ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ (ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ РЕЗИСТОВ, ОКИСЛОВ И Т.П) СПЕКТРАЛЬНЫЙ ДИАПАЗОН: RM 1000: 430-930 НМ. RM 2000: 200 - 1000 НМ. СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ (СПЕТРАЛЬНЫЕ) РЕФЛЕКТОМЕТРЫ МОДЕЛЕЙ RM 1000 И RM 2000 ПРОИЗВОДСТВА SENTECH INSTRUMENTS GMBH (ГЕРМАНИЯ) ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЙ И ПРОИЗВОДСТВА. ПРИМЕНЯЮТСЯ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ, ПЛОХО АБСОРБИРУЮЩИХ ПЛЕНОК НА ОТРАЖАЮЩИХ, ПРОЗРАЧНЫХ И АБСОРБИРУЮЩИХ ОБРАЗЦАХ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИМ МЕТОДОМ, ОСНОВАННОМ НА ПРЕЛОМЛЕНИИ БЕЛОГО СВЕТА. ИЗМЕРЕНЕ ПОКАЗАТЕЛЯ ПРЕЛОМЛЕНИЯ И ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОК И АБСОРБЦИ НА РАЗЛИЧНЫХ ТИПАХ ПОВЕРХНОСТЕЙ. В ТОМ ЧИСЛЕ РУТИННЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ В ИЗГОТОВЛЕНИИ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ (ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ РЕЗИСТОВ, ОКИСЛОВ И Т.Д.) СПЕКТРАЛЬНЫЙ ДИАПАЗОН: RM 1000: 430-930 НМ. RM 2000: 200 - 1000 НМ. В ОБЛАСТЬ ИЗМЕРЕНИЙ, ОСУЩЕСТВЛЯЕМЫХ ДАННЫМИ ПРИБОРАМИ, ВХОДЯТ ИЗМЕРЕНИЯ ОДНОСЛОЙНЫХ И МНОГОСЛОЙНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ПОЛУПРОВОДНИКАХ, СТЕКЛЕ, ПЛАСТИКЕ, МЕТАЛЛЕ И ГЛЯНЦЕВОЙ БУМАГЕ ПРИМЕНЕНИЕ: ИЗМЕРЕНИЕ ТОЛЩИНЫ И КОЭФФИЦИЕНТА ПРЕЛОМЛЕНИЯ ЕДИНИЧНЫХ СЛОЕВ ИЛИ МНОГОСЛОЙНЫХ ПРОЗРАЧНЫХ И ПОЛУПРОЗРАЧНЫХ ПЛЕНОК В ПРОИЗВОДСТВЕ ИЛИ ЛАБОРАТОРИИ. ОСОБЕННОСТИ - ИЗМЕРЕНИЕ ПЛЕНОК КАК НА ГЛАДКИХ ТАК И НА ШЕРОХОВАТЫХ ПОВЕРХНОСТЯХ. - РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИН ПЛЕНОК ОТ 2 ДО 50000 НМ (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ МОДЕЛИ). - РАЗМЕР ПЯТНА ИЗМЕРЕНИЯ 80 И 100 МКМ, ЧТО ПОЗВОЛЯЕТ ПРОВОДИТЬ ИЗМЕРЕНИЯ НАПЛАСТИНЕ С ТОПОЛОГИЕЙ - ВЫСОКАЯ СТАБИЛЬНОСТЬ И ТОЧНОСТЬ ПРИ ИЗМЕРЕНИИ. - ВЫСОКАЯ ТОЧНОСТЬ ВЫРАВНИВАНИЯ ОБРАЗЦА (РЕГУЛИРОВКА ПО ВЫСОТЕ И УГЛУ НАКЛОНА) С ПОМОЩЬЮ АВТОКОЛЛИМАТИЧЕСКОГО ТЕЛЕСКОПА (АСТ). - ПОЛНЫЙ ПАКЕТ ПРЕДУСТАНОВЛЕННЫХ ПРИМЕНЕНИЙ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ, ФОТОВОЛЬТАИКЕ (СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ) И ДР. - ДРУЖЕСТВЕННЫЙ ИНТЕРФЕЙС И ЛЕГКОСТЬ РАБОТЫ. - ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ИЗМЕРЕНИЙ - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ FTPADV EXPERT SENTECH ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ИЗМЕРЕНИЙ, ВКЛЮЧАЮЩЕЕ В СЕБЯ БИБЛИОТЕКУ ПРИЛОЖЕНИЙ N, K МАССИВНОГО МАТЕРИАЛА ТОЛЩИНА МОНОСЛОЕВ ТОЛЩИНА И ИНДЕКС ПРЕЛОМЛЕНИЯ МОНОСЛОЕВ ТОЛЩИНА И ИНДЕКС ПРЕЛОМЛЕНИЯ ВЕРХНЕГО СЛОЯ И МНОГОСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЫ - БОЛЬШАЯ БАЗА ДАННЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЙ ОПЦИИ: - МОТОРИЗОВАННЫЕ СТОЛИКИ С КОМПЬЮТЕРНЫМ УПРАВЛЕНИЕМ ДЛЯ ОБРАЦОВ ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ И ПЕРЕМЕЩЕНИЕМ С ВЫСОКОЙ ТОЧНОСТЬЮ ДЛЯ МЕППИНГА (КАРТИРОВАНИЯ) - ВИДЕОКАМЕРА ДЛЯ ВЫРАВНИВАНИЯ ОБРАЗЦА ВЗАМЕН ОКУЛЯРА С ВЫВОДОМ ИЗОБРАЖЕНИЯ И РС. - ПО ДЛЯ ИММИТАЦИОННОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ (SPECTRARAY/3) - УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЙ ПЛЕНОК НА КРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ (ТЕКСТУРИРОВАННОМ) БРОШЮРА RM 1000 В PDF [ /PDF/V2015-PD-RM-1000.PDF ] БРОШЮРА RM 2000 В PDF [ /PDF/V2015-PD-RM-2000.PDF ] ХАРАКТЕРИСТИКИ МОДЕЛЬ RM 1000 RM 2000 ИЗМЕРЯЕМЫЕ ВЕЛИЧИНЫ ТОЛЩИНА ПЛЕНКИ, ИНДЕКС ПРЕЛОМЛЕНИЯ, АБСОРБЦИЯ И ДР. ПРИНЦЫП ДЕЙСТВИЯ ИНТЕРФЕРРЕНЦИЯ БЕЛОГО СВЕТА ПРИ НОРМАЛЬНОМ&NBSP;УГЛЕ ПАДЕНИЯ ИНТЕРФЕРРЕНЦИЯ БЕЛОГО СВЕТА ПРИ НОРМАЛЬНОМ&NBSP;УГЛЕ ПАДЕНИЯ СПЕКТРАЛЬНЫЙ ДИАПАЗОН &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP; 430 - 930 НМ. 200 - 1000 НМ. ВРЕМЯ ИЗМЕРЕНИЯ ОКОЛО 300 МС. ОКОЛО 300 МС. ДИАПАЗОН ИЗМЕРЯЕМЫХ ТОЛЩИН 20 - 25000 НМ. (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ПЛЕНКИ) 2 - 50000 НМ. (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ПЛЕНКИ) ДИАМЕРТ СВЕТОВОГО ПЯТНА 80 МКМ 100 МКМ. ТОЧНОСТЬ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЩИНЫ 1 НМ (ИЗМ. 400 НМ SIO2/SI) ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ (1Σ) 0,3 НМ.&NBSP;&NBSP;(ИЗМ. 400 НМ SIO2/SI) ИСТОЧНИК СВЕТА СТАБЛИЗИРОВАННАЯ ГАЛОГЕНОВАЯ ЛАМПА СТАБИЛИЗИРОВАННЫЕ ДЕЙТЕРИУМНАЯ И ГАЛОГЕНОВАЯ ЛАМПЫ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ FTPADV EXPERT [~SEARCHABLE_CONTENT] => РЕФЛЕКТОМЕТРЫ СЕРИИ RM 1000/RM 2000 ОТ SENTECH INSTRUMENTS GMBH СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ (СПЕТРАЛЬНЫЕ) РЕФЛЕКТОМЕТРЫ МОДЕЛЕЙ RM 1000 И RM 2000 ПРОИЗВОДСТВА SENTECH INSTRUMENTS GMBH (ГЕРМАНИЯ) ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЙ И ПРОИЗВОДСТВА. ПРИМЕНЯЮТСЯ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ, ПЛОХО АБСОРБИРУЮЩИХ ПЛЕНОК НА ОТРАЖАЮЩИХ, ПРОЗРАЧНЫХ И АБСОРБИРУЮЩИХ ОБРАЗЦАХ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИМ МЕТОДОМ, ОСНОВАННОМ НА ПРЕЛОМЛЕНИИ БЕЛОГО СВЕТА. ИЗМЕРЕНЕ ПОКАЗАТЕЛЯ ПРЕЛОМЛЕНИЯ И ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОК НА РАЗЛИЧНЫХ ТИПАХ ПОВЕРХНОСТЕЙ. В ТОМ ЧИСЛЕ РУТИННЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ В ИЗГОТОВЛЕНИИ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ (ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ РЕЗИСТОВ, ОКИСЛОВ И Т.П) СПЕКТРАЛЬНЫЙ ДИАПАЗОН: RM 1000: 430-930 НМ. RM 2000: 200 - 1000 НМ. СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ (СПЕТРАЛЬНЫЕ) РЕФЛЕКТОМЕТРЫ МОДЕЛЕЙ RM 1000 И RM 2000 ПРОИЗВОДСТВА SENTECH INSTRUMENTS GMBH (ГЕРМАНИЯ) ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЙ И ПРОИЗВОДСТВА. ПРИМЕНЯЮТСЯ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОЗРАЧНЫХ, ПЛОХО АБСОРБИРУЮЩИХ ПЛЕНОК НА ОТРАЖАЮЩИХ, ПРОЗРАЧНЫХ И АБСОРБИРУЮЩИХ ОБРАЗЦАХ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИМ МЕТОДОМ, ОСНОВАННОМ НА ПРЕЛОМЛЕНИИ БЕЛОГО СВЕТА. ИЗМЕРЕНЕ ПОКАЗАТЕЛЯ ПРЕЛОМЛЕНИЯ И ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОК И АБСОРБЦИ НА РАЗЛИЧНЫХ ТИПАХ ПОВЕРХНОСТЕЙ. В ТОМ ЧИСЛЕ РУТИННЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ В ИЗГОТОВЛЕНИИ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ (ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ РЕЗИСТОВ, ОКИСЛОВ И Т.Д.) СПЕКТРАЛЬНЫЙ ДИАПАЗОН: RM 1000: 430-930 НМ. RM 2000: 200 - 1000 НМ. В ОБЛАСТЬ ИЗМЕРЕНИЙ, ОСУЩЕСТВЛЯЕМЫХ ДАННЫМИ ПРИБОРАМИ, ВХОДЯТ ИЗМЕРЕНИЯ ОДНОСЛОЙНЫХ И МНОГОСЛОЙНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ПОЛУПРОВОДНИКАХ, СТЕКЛЕ, ПЛАСТИКЕ, МЕТАЛЛЕ И ГЛЯНЦЕВОЙ БУМАГЕ ПРИМЕНЕНИЕ: ИЗМЕРЕНИЕ ТОЛЩИНЫ И КОЭФФИЦИЕНТА ПРЕЛОМЛЕНИЯ ЕДИНИЧНЫХ СЛОЕВ ИЛИ МНОГОСЛОЙНЫХ ПРОЗРАЧНЫХ И ПОЛУПРОЗРАЧНЫХ ПЛЕНОК В ПРОИЗВОДСТВЕ ИЛИ ЛАБОРАТОРИИ. ОСОБЕННОСТИ - ИЗМЕРЕНИЕ ПЛЕНОК КАК НА ГЛАДКИХ ТАК И НА ШЕРОХОВАТЫХ ПОВЕРХНОСТЯХ. - РАСШИРЕННЫЙ ДИАПАЗОН ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИН ПЛЕНОК ОТ 2 ДО 50000 НМ (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ МОДЕЛИ). - РАЗМЕР ПЯТНА ИЗМЕРЕНИЯ 80 И 100 МКМ, ЧТО ПОЗВОЛЯЕТ ПРОВОДИТЬ ИЗМЕРЕНИЯ НАПЛАСТИНЕ С ТОПОЛОГИЕЙ - ВЫСОКАЯ СТАБИЛЬНОСТЬ И ТОЧНОСТЬ ПРИ ИЗМЕРЕНИИ. - ВЫСОКАЯ ТОЧНОСТЬ ВЫРАВНИВАНИЯ ОБРАЗЦА (РЕГУЛИРОВКА ПО ВЫСОТЕ И УГЛУ НАКЛОНА) С ПОМОЩЬЮ АВТОКОЛЛИМАТИЧЕСКОГО ТЕЛЕСКОПА (АСТ). - ПОЛНЫЙ ПАКЕТ ПРЕДУСТАНОВЛЕННЫХ ПРИМЕНЕНИЙ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ, ФОТОВОЛЬТАИКЕ (СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ) И ДР. - ДРУЖЕСТВЕННЫЙ ИНТЕРФЕЙС И ЛЕГКОСТЬ РАБОТЫ. - ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ИЗМЕРЕНИЙ - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ FTPADV EXPERT SENTECH ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ИЗМЕРЕНИЙ, ВКЛЮЧАЮЩЕЕ В СЕБЯ БИБЛИОТЕКУ ПРИЛОЖЕНИЙ N, K МАССИВНОГО МАТЕРИАЛА ТОЛЩИНА МОНОСЛОЕВ ТОЛЩИНА И ИНДЕКС ПРЕЛОМЛЕНИЯ МОНОСЛОЕВ ТОЛЩИНА И ИНДЕКС ПРЕЛОМЛЕНИЯ ВЕРХНЕГО СЛОЯ И МНОГОСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЫ - БОЛЬШАЯ БАЗА ДАННЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЙ ОПЦИИ: - МОТОРИЗОВАННЫЕ СТОЛИКИ С КОМПЬЮТЕРНЫМ УПРАВЛЕНИЕМ ДЛЯ ОБРАЦОВ ДИАМЕТРОМ ДО 200 ММ И ПЕРЕМЕЩЕНИЕМ С ВЫСОКОЙ ТОЧНОСТЬЮ ДЛЯ МЕППИНГА (КАРТИРОВАНИЯ) - ВИДЕОКАМЕРА ДЛЯ ВЫРАВНИВАНИЯ ОБРАЗЦА ВЗАМЕН ОКУЛЯРА С ВЫВОДОМ ИЗОБРАЖЕНИЯ И РС. - ПО ДЛЯ ИММИТАЦИОННОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ (SPECTRARAY/3) - УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЙ ПЛЕНОК НА КРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ (ТЕКСТУРИРОВАННОМ) БРОШЮРА RM 1000 В PDF [ /PDF/V2015-PD-RM-1000.PDF ] БРОШЮРА RM 2000 В PDF [ /PDF/V2015-PD-RM-2000.PDF ] ХАРАКТЕРИСТИКИ МОДЕЛЬ RM 1000 RM 2000 ИЗМЕРЯЕМЫЕ ВЕЛИЧИНЫ ТОЛЩИНА ПЛЕНКИ, ИНДЕКС ПРЕЛОМЛЕНИЯ, АБСОРБЦИЯ И ДР. ПРИНЦЫП ДЕЙСТВИЯ ИНТЕРФЕРРЕНЦИЯ БЕЛОГО СВЕТА ПРИ НОРМАЛЬНОМ&NBSP;УГЛЕ ПАДЕНИЯ ИНТЕРФЕРРЕНЦИЯ БЕЛОГО СВЕТА ПРИ НОРМАЛЬНОМ&NBSP;УГЛЕ ПАДЕНИЯ СПЕКТРАЛЬНЫЙ ДИАПАЗОН &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP; &NBSP; 430 - 930 НМ. 200 - 1000 НМ. ВРЕМЯ ИЗМЕРЕНИЯ ОКОЛО 300 МС. ОКОЛО 300 МС. ДИАПАЗОН ИЗМЕРЯЕМЫХ ТОЛЩИН 20 - 25000 НМ. (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ПЛЕНКИ) 2 - 50000 НМ. (В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ПЛЕНКИ) ДИАМЕРТ СВЕТОВОГО ПЯТНА 80 МКМ 100 МКМ. ТОЧНОСТЬ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЩИНЫ 1 НМ (ИЗМ. 400 НМ SIO2/SI) ВОСПРОИЗВОДИМОСТЬ (1Σ) 0,3 НМ.&NBSP;&NBSP;(ИЗМ. 400 НМ SIO2/SI) ИСТОЧНИК СВЕТА СТАБЛИЗИРОВАННАЯ ГАЛОГЕНОВАЯ ЛАМПА СТАБИЛИЗИРОВАННЫЕ ДЕЙТЕРИУМНАЯ И ГАЛОГЕНОВАЯ ЛАМПЫ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ FTPADV EXPERT [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 326 [~SHOW_COUNTER] => 326 [SHOW_COUNTER_START] => 12/17/2015 07:43:26 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 12/17/2015 07:43:26 pm [CODE] => reflektometry-serii-rm-1000-rm-2000-ot-sentech-instruments-gmbh [~CODE] => reflektometry-serii-rm-1000-rm-2000-ot-sentech-instruments-gmbh [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 51 [~XML_ID] => 51 [EXTERNAL_ID] => 51 [~EXTERNAL_ID] => 51 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/metrologiya-tonkih-plenok-sentech-instruments-gmbh/reflektometry-serii-rm-1000-rm-2000-ot-sentech-instruments-gmbh/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/metrologiya-tonkih-plenok-sentech-instruments-gmbh/reflektometry-serii-rm-1000-rm-2000-ot-sentech-instruments-gmbh/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.12 [~CREATED_DATE] => 2015.12.12 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 65
    [~ID] => 65
    [TIMESTAMP_X] => 12/16/2016 10:22:05 am
    [~TIMESTAMP_X] => 12/16/2016 10:22:05 am
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481872925
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1481872925
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/13/2015 04:11:07 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/13/2015 04:11:07 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1450012267
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1450012267
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 21
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 21
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Настольный сканирующий (растровый) электронный микроскоп JEOL серии JCM-6000 Neoscope II
    [~NAME] => Настольный сканирующий (растровый) электронный микроскоп JEOL серии JCM-6000 Neoscope II
    [PREVIEW_PICTURE] => 293
    [~PREVIEW_PICTURE] => 293
    [PREVIEW_TEXT] => 

Увеличение от 10 до 60 000 крат

Разрешение до 20 нм в режиме высокого вакуума

Режимы высокого и низкого вакуума

Диаметр образца до 70 мм, высота до 50 мм

Опция - интегрированный ЭДС

[~PREVIEW_TEXT] =>

Увеличение от 10 до 60 000 крат

Разрешение до 20 нм в режиме высокого вакуума

Режимы высокого и низкого вакуума

Диаметр образца до 70 мм, высота до 50 мм

Опция - интегрированный ЭДС

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 294 [~DETAIL_PICTURE] => 294 [DETAIL_TEXT] => Настольный сканирующий (растровый) электронный микроскоп производства JEOL (Япония) серии JCM-6000 Neoscope II

Особенности


JCM-6000 Neoscope II – это НОВЕЙШИЙ настольный растровый электронный микроскоп с вольфрамовым источником электронов. Имея стоимость, сопоставимую со стоимостью хороших световых микроскопов, он обладает намного большей глубиной фокуса и несравнимо лучшим разрешением. Как следствие этого, JCM-6000 может работать в диапазоне увеличений от x10 до х60000 крат. Программное обеспечение позволяет проводить высокоточные количественные измерения на изображениях. Небольшие размеры, возможность легкого перемещения на колесиках и необходимость только в одной стандартной электророзетке для подключения, дают возможность использовать JCM-6000 как демонстрационный прибор, либо как перевозимый прибор в составе мобильной лаборатории. Дружественное программное обеспечение, простота управления, невысокая стоимость и низкие эксплуатационные расходы делают этот прибор очень привлекательным для использования в научно-образовательных целях, а также при проведении поточных серийных исследований на производстве. Прибор настолько надежен в эксплуатации, прост и удобен в работе, что помимо использования для решения рутинных задач, он может использоваться и в учебных целях.

Время затрачиваемое на смену образца всего 2 минуты от перестановки образца до момента начала работы. Откачка воздуха начинается сразу после загрузки образца и закрытия дверцы камеры. После откачки воздуха, автоматизированная система регулировки и масштабирования изображения подберет необходимые параметры, которые позволят получить четкое изображение.Обслуживание прибора максимально упрощено, так например замена катода осуществляется оператором прибора и не представляет технических сложностей поскольку в JCM-6000 используется сменный источник электронов, который включает в себя Венельт и катод при этом очистка и центрирование катода не требуются. Кроме того JCM-6000 автоматически корректирует геометрию пучка после замены катода, заметно упрощая эту процедуру для конечного пользователя.

Характеристики


Режимы работы Высоковакуумный режим, низковакуумный режим
Ускоряющее напряжение 5, 10 либо 15 кВ
Диапазон увеличений от х10 до х60 000
Максимальный размер образца диаметр до 70 мм, высота до 50 мм
Катод W, кассетного типа
Система откачки Турбомолекулярный насос (опция) + ротационный насос
Операционная система для MS Windows 7 Pro + touch screenдисплей для управления
Детектор Детектор вторичных и детектор обратно рассеянных электронов
Опции Лабораторная установка вакуумного напыления 
Столик с вращением и наклоном
Энергодисперсионный анализатор (ЭДС)


ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ МИКРОСКОПА JCM-6000 NEOSCOPE II


[~DETAIL_TEXT] => Настольный сканирующий (растровый) электронный микроскоп производства JEOL (Япония) серии JCM-6000 Neoscope II

Особенности


JCM-6000 Neoscope II – это НОВЕЙШИЙ настольный растровый электронный микроскоп с вольфрамовым источником электронов. Имея стоимость, сопоставимую со стоимостью хороших световых микроскопов, он обладает намного большей глубиной фокуса и несравнимо лучшим разрешением. Как следствие этого, JCM-6000 может работать в диапазоне увеличений от x10 до х60000 крат. Программное обеспечение позволяет проводить высокоточные количественные измерения на изображениях. Небольшие размеры, возможность легкого перемещения на колесиках и необходимость только в одной стандартной электророзетке для подключения, дают возможность использовать JCM-6000 как демонстрационный прибор, либо как перевозимый прибор в составе мобильной лаборатории. Дружественное программное обеспечение, простота управления, невысокая стоимость и низкие эксплуатационные расходы делают этот прибор очень привлекательным для использования в научно-образовательных целях, а также при проведении поточных серийных исследований на производстве. Прибор настолько надежен в эксплуатации, прост и удобен в работе, что помимо использования для решения рутинных задач, он может использоваться и в учебных целях.

Время затрачиваемое на смену образца всего 2 минуты от перестановки образца до момента начала работы. Откачка воздуха начинается сразу после загрузки образца и закрытия дверцы камеры. После откачки воздуха, автоматизированная система регулировки и масштабирования изображения подберет необходимые параметры, которые позволят получить четкое изображение.Обслуживание прибора максимально упрощено, так например замена катода осуществляется оператором прибора и не представляет технических сложностей поскольку в JCM-6000 используется сменный источник электронов, который включает в себя Венельт и катод при этом очистка и центрирование катода не требуются. Кроме того JCM-6000 автоматически корректирует геометрию пучка после замены катода, заметно упрощая эту процедуру для конечного пользователя.

Характеристики


Режимы работы Высоковакуумный режим, низковакуумный режим
Ускоряющее напряжение 5, 10 либо 15 кВ
Диапазон увеличений от х10 до х60 000
Максимальный размер образца диаметр до 70 мм, высота до 50 мм
Катод W, кассетного типа
Система откачки Турбомолекулярный насос (опция) + ротационный насос
Операционная система для MS Windows 7 Pro + touch screenдисплей для управления
Детектор Детектор вторичных и детектор обратно рассеянных электронов
Опции Лабораторная установка вакуумного напыления 
Столик с вращением и наклоном
Энергодисперсионный анализатор (ЭДС)


ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ МИКРОСКОПА JCM-6000 NEOSCOPE II


[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => НАСТОЛЬНЫЙ СКАНИРУЮЩИЙ (РАСТРОВЫЙ) ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП JEOL СЕРИИ JCM-6000 NEOSCOPE II УВЕЛИЧЕНИЕ ОТ 10 ДО 60 000 КРАТ РАЗРЕШЕНИЕ ДО 20 НМ В РЕЖИМЕ ВЫСОКОГО ВАКУУМА РЕЖИМЫ ВЫСОКОГО И НИЗКОГО ВАКУУМА ДИАМЕТР ОБРАЗЦА ДО 70 ММ, ВЫСОТА ДО 50 ММ ОПЦИЯ - ИНТЕГРИРОВАННЫЙ ЭДС НАСТОЛЬНЫЙ СКАНИРУЮЩИЙ (РАСТРОВЫЙ) ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП ПРОИЗВОДСТВА JEOL (ЯПОНИЯ) СЕРИИ JCM-6000 NEOSCOPE II ОСОБЕННОСТИ JCM-6000 NEOSCOPE II – ЭТО НОВЕЙШИЙ НАСТОЛЬНЫЙ РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП С ВОЛЬФРАМОВЫМ ИСТОЧНИКОМ ЭЛЕКТРОНОВ. ИМЕЯ СТОИМОСТЬ, СОПОСТАВИМУЮ СО СТОИМОСТЬЮ ХОРОШИХ СВЕТОВЫХ МИКРОСКОПОВ, ОН ОБЛАДАЕТ НАМНОГО БОЛЬШЕЙ ГЛУБИНОЙ ФОКУСА И НЕСРАВНИМО ЛУЧШИМ РАЗРЕШЕНИЕМ. КАК СЛЕДСТВИЕ ЭТОГО, JCM-6000 МОЖЕТ РАБОТАТЬ В ДИАПАЗОНЕ УВЕЛИЧЕНИЙ ОТ X10 ДО Х60000 КРАТ. ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ПОЗВОЛЯЕТ ПРОВОДИТЬ ВЫСОКОТОЧНЫЕ КОЛИЧЕСТВЕННЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ НА ИЗОБРАЖЕНИЯХ. НЕБОЛЬШИЕ РАЗМЕРЫ, ВОЗМОЖНОСТЬ ЛЕГКОГО ПЕРЕМЕЩЕНИЯ НА КОЛЕСИКАХ И НЕОБХОДИМОСТЬ ТОЛЬКО В ОДНОЙ СТАНДАРТНОЙ ЭЛЕКТРОРОЗЕТКЕ ДЛЯ ПОДКЛЮЧЕНИЯ, ДАЮТ ВОЗМОЖНОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАТЬ JCM-6000 КАК ДЕМОНСТРАЦИОННЫЙ ПРИБОР, ЛИБО КАК ПЕРЕВОЗИМЫЙ ПРИБОР В СОСТАВЕ МОБИЛЬНОЙ ЛАБОРАТОРИИ. ДРУЖЕСТВЕННОЕ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ, ПРОСТОТА УПРАВЛЕНИЯ, НЕВЫСОКАЯ СТОИМОСТЬ И НИЗКИЕ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ РАСХОДЫ ДЕЛАЮТ ЭТОТ ПРИБОР ОЧЕНЬ ПРИВЛЕКАТЕЛЬНЫМ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В НАУЧНО-ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫХ ЦЕЛЯХ, А ТАКЖЕ ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ПОТОЧНЫХ СЕРИЙНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НА ПРОИЗВОДСТВЕ. ПРИБОР НАСТОЛЬКО НАДЕЖЕН В ЭКСПЛУАТАЦИИ, ПРОСТ И УДОБЕН В РАБОТЕ, ЧТО ПОМИМО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ДЛЯ РЕШЕНИЯ РУТИННЫХ ЗАДАЧ, ОН МОЖЕТ ИСПОЛЬЗОВАТЬСЯ И В УЧЕБНЫХ ЦЕЛЯХ. ВРЕМЯ ЗАТРАЧИВАЕМОЕ НА СМЕНУ ОБРАЗЦА ВСЕГО 2 МИНУТЫ ОТ ПЕРЕСТАНОВКИ ОБРАЗЦА ДО МОМЕНТА НАЧАЛА РАБОТЫ. ОТКАЧКА ВОЗДУХА НАЧИНАЕТСЯ СРАЗУ ПОСЛЕ ЗАГРУЗКИ ОБРАЗЦА И ЗАКРЫТИЯ ДВЕРЦЫ КАМЕРЫ. ПОСЛЕ ОТКАЧКИ ВОЗДУХА, АВТОМАТИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА РЕГУЛИРОВКИ И МАСШТАБИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ ПОДБЕРЕТ НЕОБХОДИМЫЕ ПАРАМЕТРЫ, КОТОРЫЕ ПОЗВОЛЯТ ПОЛУЧИТЬ ЧЕТКОЕ ИЗОБРАЖЕНИЕ.ОБСЛУЖИВАНИЕ ПРИБОРА МАКСИМАЛЬНО УПРОЩЕНО, ТАК НАПРИМЕР ЗАМЕНА КАТОДА ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ОПЕРАТОРОМ ПРИБОРА И НЕ ПРЕДСТАВЛЯЕТ ТЕХНИЧЕСКИХ СЛОЖНОСТЕЙ ПОСКОЛЬКУ В JCM-6000 ИСПОЛЬЗУЕТСЯ СМЕННЫЙ ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОНОВ, КОТОРЫЙ ВКЛЮЧАЕТ В СЕБЯ ВЕНЕЛЬТ И КАТОД ПРИ ЭТОМ ОЧИСТКА И ЦЕНТРИРОВАНИЕ КАТОДА НЕ ТРЕБУЮТСЯ. КРОМЕ ТОГО JCM-6000 АВТОМАТИЧЕСКИ КОРРЕКТИРУЕТ ГЕОМЕТРИЮ ПУЧКА ПОСЛЕ ЗАМЕНЫ КАТОДА, ЗАМЕТНО УПРОЩАЯ ЭТУ ПРОЦЕДУРУ ДЛЯ КОНЕЧНОГО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ. ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМЫ РАБОТЫ ВЫСОКОВАКУУМНЫЙ РЕЖИМ, НИЗКОВАКУУМНЫЙ РЕЖИМ УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ 5, 10 ЛИБО 15 КВ ДИАПАЗОН УВЕЛИЧЕНИЙ ОТ Х10 ДО Х60&NBSP;000 МАКСИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ОБРАЗЦА ДИАМЕТР ДО 70 ММ, ВЫСОТА ДО 50 ММ КАТОД W, КАССЕТНОГО ТИПА СИСТЕМА ОТКАЧКИ ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫЙ НАСОС (ОПЦИЯ) + РОТАЦИОННЫЙ НАСОС ОПЕРАЦИОННАЯ СИСТЕМА ДЛЯ MS WINDOWS 7 PRO +&NBSP;TOUCH SCREENДИСПЛЕЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ДЕТЕКТОР ДЕТЕКТОР ВТОРИЧНЫХ И ДЕТЕКТОР ОБРАТНО РАССЕЯННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ ОПЦИИ ЛАБОРАТОРНАЯ УСТАНОВКА ВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ&NBSP; СТОЛИК С ВРАЩЕНИЕМ И НАКЛОНОМ ЭНЕРГОДИСПЕРСИОННЫЙ АНАЛИЗАТОР (ЭДС) ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ МИКРОСКОПА JCM-6000 NEOSCOPE II [~SEARCHABLE_CONTENT] => НАСТОЛЬНЫЙ СКАНИРУЮЩИЙ (РАСТРОВЫЙ) ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП JEOL СЕРИИ JCM-6000 NEOSCOPE II УВЕЛИЧЕНИЕ ОТ 10 ДО 60 000 КРАТ РАЗРЕШЕНИЕ ДО 20 НМ В РЕЖИМЕ ВЫСОКОГО ВАКУУМА РЕЖИМЫ ВЫСОКОГО И НИЗКОГО ВАКУУМА ДИАМЕТР ОБРАЗЦА ДО 70 ММ, ВЫСОТА ДО 50 ММ ОПЦИЯ - ИНТЕГРИРОВАННЫЙ ЭДС НАСТОЛЬНЫЙ СКАНИРУЮЩИЙ (РАСТРОВЫЙ) ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП ПРОИЗВОДСТВА JEOL (ЯПОНИЯ) СЕРИИ JCM-6000 NEOSCOPE II ОСОБЕННОСТИ JCM-6000 NEOSCOPE II – ЭТО НОВЕЙШИЙ НАСТОЛЬНЫЙ РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП С ВОЛЬФРАМОВЫМ ИСТОЧНИКОМ ЭЛЕКТРОНОВ. ИМЕЯ СТОИМОСТЬ, СОПОСТАВИМУЮ СО СТОИМОСТЬЮ ХОРОШИХ СВЕТОВЫХ МИКРОСКОПОВ, ОН ОБЛАДАЕТ НАМНОГО БОЛЬШЕЙ ГЛУБИНОЙ ФОКУСА И НЕСРАВНИМО ЛУЧШИМ РАЗРЕШЕНИЕМ. КАК СЛЕДСТВИЕ ЭТОГО, JCM-6000 МОЖЕТ РАБОТАТЬ В ДИАПАЗОНЕ УВЕЛИЧЕНИЙ ОТ X10 ДО Х60000 КРАТ. ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ПОЗВОЛЯЕТ ПРОВОДИТЬ ВЫСОКОТОЧНЫЕ КОЛИЧЕСТВЕННЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ НА ИЗОБРАЖЕНИЯХ. НЕБОЛЬШИЕ РАЗМЕРЫ, ВОЗМОЖНОСТЬ ЛЕГКОГО ПЕРЕМЕЩЕНИЯ НА КОЛЕСИКАХ И НЕОБХОДИМОСТЬ ТОЛЬКО В ОДНОЙ СТАНДАРТНОЙ ЭЛЕКТРОРОЗЕТКЕ ДЛЯ ПОДКЛЮЧЕНИЯ, ДАЮТ ВОЗМОЖНОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАТЬ JCM-6000 КАК ДЕМОНСТРАЦИОННЫЙ ПРИБОР, ЛИБО КАК ПЕРЕВОЗИМЫЙ ПРИБОР В СОСТАВЕ МОБИЛЬНОЙ ЛАБОРАТОРИИ. ДРУЖЕСТВЕННОЕ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ, ПРОСТОТА УПРАВЛЕНИЯ, НЕВЫСОКАЯ СТОИМОСТЬ И НИЗКИЕ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ РАСХОДЫ ДЕЛАЮТ ЭТОТ ПРИБОР ОЧЕНЬ ПРИВЛЕКАТЕЛЬНЫМ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В НАУЧНО-ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫХ ЦЕЛЯХ, А ТАКЖЕ ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ПОТОЧНЫХ СЕРИЙНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НА ПРОИЗВОДСТВЕ. ПРИБОР НАСТОЛЬКО НАДЕЖЕН В ЭКСПЛУАТАЦИИ, ПРОСТ И УДОБЕН В РАБОТЕ, ЧТО ПОМИМО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ДЛЯ РЕШЕНИЯ РУТИННЫХ ЗАДАЧ, ОН МОЖЕТ ИСПОЛЬЗОВАТЬСЯ И В УЧЕБНЫХ ЦЕЛЯХ. ВРЕМЯ ЗАТРАЧИВАЕМОЕ НА СМЕНУ ОБРАЗЦА ВСЕГО 2 МИНУТЫ ОТ ПЕРЕСТАНОВКИ ОБРАЗЦА ДО МОМЕНТА НАЧАЛА РАБОТЫ. ОТКАЧКА ВОЗДУХА НАЧИНАЕТСЯ СРАЗУ ПОСЛЕ ЗАГРУЗКИ ОБРАЗЦА И ЗАКРЫТИЯ ДВЕРЦЫ КАМЕРЫ. ПОСЛЕ ОТКАЧКИ ВОЗДУХА, АВТОМАТИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА РЕГУЛИРОВКИ И МАСШТАБИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ ПОДБЕРЕТ НЕОБХОДИМЫЕ ПАРАМЕТРЫ, КОТОРЫЕ ПОЗВОЛЯТ ПОЛУЧИТЬ ЧЕТКОЕ ИЗОБРАЖЕНИЕ.ОБСЛУЖИВАНИЕ ПРИБОРА МАКСИМАЛЬНО УПРОЩЕНО, ТАК НАПРИМЕР ЗАМЕНА КАТОДА ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ОПЕРАТОРОМ ПРИБОРА И НЕ ПРЕДСТАВЛЯЕТ ТЕХНИЧЕСКИХ СЛОЖНОСТЕЙ ПОСКОЛЬКУ В JCM-6000 ИСПОЛЬЗУЕТСЯ СМЕННЫЙ ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОНОВ, КОТОРЫЙ ВКЛЮЧАЕТ В СЕБЯ ВЕНЕЛЬТ И КАТОД ПРИ ЭТОМ ОЧИСТКА И ЦЕНТРИРОВАНИЕ КАТОДА НЕ ТРЕБУЮТСЯ. КРОМЕ ТОГО JCM-6000 АВТОМАТИЧЕСКИ КОРРЕКТИРУЕТ ГЕОМЕТРИЮ ПУЧКА ПОСЛЕ ЗАМЕНЫ КАТОДА, ЗАМЕТНО УПРОЩАЯ ЭТУ ПРОЦЕДУРУ ДЛЯ КОНЕЧНОГО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ. ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМЫ РАБОТЫ ВЫСОКОВАКУУМНЫЙ РЕЖИМ, НИЗКОВАКУУМНЫЙ РЕЖИМ УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ 5, 10 ЛИБО 15 КВ ДИАПАЗОН УВЕЛИЧЕНИЙ ОТ Х10 ДО Х60&NBSP;000 МАКСИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ОБРАЗЦА ДИАМЕТР ДО 70 ММ, ВЫСОТА ДО 50 ММ КАТОД W, КАССЕТНОГО ТИПА СИСТЕМА ОТКАЧКИ ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫЙ НАСОС (ОПЦИЯ) + РОТАЦИОННЫЙ НАСОС ОПЕРАЦИОННАЯ СИСТЕМА ДЛЯ MS WINDOWS 7 PRO +&NBSP;TOUCH SCREENДИСПЛЕЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ДЕТЕКТОР ДЕТЕКТОР ВТОРИЧНЫХ И ДЕТЕКТОР ОБРАТНО РАССЕЯННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ ОПЦИИ ЛАБОРАТОРНАЯ УСТАНОВКА ВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ&NBSP; СТОЛИК С ВРАЩЕНИЕМ И НАКЛОНОМ ЭНЕРГОДИСПЕРСИОННЫЙ АНАЛИЗАТОР (ЭДС) ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ МИКРОСКОПА JCM-6000 NEOSCOPE II [WF_STATUS_ID] => 1 [~WF_STATUS_ID] => 1 [WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [~WF_PARENT_ELEMENT_ID] => [WF_LAST_HISTORY_ID] => [~WF_LAST_HISTORY_ID] => [WF_NEW] => [~WF_NEW] => [LOCK_STATUS] => green [~LOCK_STATUS] => green [WF_LOCKED_BY] => [~WF_LOCKED_BY] => [WF_DATE_LOCK] => [~WF_DATE_LOCK] => [WF_COMMENTS] => [~WF_COMMENTS] => [IN_SECTIONS] => Y [~IN_SECTIONS] => Y [SHOW_COUNTER] => 889 [~SHOW_COUNTER] => 889 [SHOW_COUNTER_START] => 12/13/2015 04:11:31 pm [~SHOW_COUNTER_START] => 12/13/2015 04:11:31 pm [CODE] => nastolnyj-skaniruyushchij-rastrovyj-ehlektronnyj-mikroskop-jeol-serii-jcm-6000-neoscope-ii [~CODE] => nastolnyj-skaniruyushchij-rastrovyj-ehlektronnyj-mikroskop-jeol-serii-jcm-6000-neoscope-ii [TAGS] => [~TAGS] => [XML_ID] => 65 [~XML_ID] => 65 [EXTERNAL_ID] => 65 [~EXTERNAL_ID] => 65 [TMP_ID] => 0 [~TMP_ID] => 0 [USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LOCKED_USER_NAME] => [~LOCKED_USER_NAME] => [CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [~CREATED_USER_NAME] => (admin) Николай Ярославцев [LANG_DIR] => / [~LANG_DIR] => / [LID] => ru [~LID] => ru [IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [~IBLOCK_TYPE_ID] => catalog [IBLOCK_CODE] => catalog [~IBLOCK_CODE] => catalog [IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [~IBLOCK_NAME] => Каталог продукции [IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [~IBLOCK_EXTERNAL_ID] => [DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/termoehmissionnye-rastrovye-ehlektronnye-mikroskopy-jeol/nastolnyj-skaniruyushchij-rastrovyj-ehlektronnyj-mikroskop-jeol-serii-jcm-6000-neoscope-ii/ [~DETAIL_PAGE_URL] => /de/catalog/termoehmissionnye-rastrovye-ehlektronnye-mikroskopy-jeol/nastolnyj-skaniruyushchij-rastrovyj-ehlektronnyj-mikroskop-jeol-serii-jcm-6000-neoscope-ii/ [LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [~LIST_PAGE_URL] => /de/catalog [CANONICAL_PAGE_URL] => [~CANONICAL_PAGE_URL] => [CREATED_DATE] => 2015.12.13 [~CREATED_DATE] => 2015.12.13 [BP_PUBLISHED] => Y [~BP_PUBLISHED] => Y )
Array
(
    [SORT] => 500
    [~SORT] => 500
    [ID] => 66
    [~ID] => 66
    [TIMESTAMP_X] => 10/27/2016 10:26:30 am
    [~TIMESTAMP_X] => 10/27/2016 10:26:30 am
    [TIMESTAMP_X_UNIX] => 1477553190
    [~TIMESTAMP_X_UNIX] => 1477553190
    [MODIFIED_BY] => 1
    [~MODIFIED_BY] => 1
    [DATE_CREATE] => 12/13/2015 04:15:48 pm
    [~DATE_CREATE] => 12/13/2015 04:15:48 pm
    [DATE_CREATE_UNIX] => 1450012548
    [~DATE_CREATE_UNIX] => 1450012548
    [CREATED_BY] => 1
    [~CREATED_BY] => 1
    [IBLOCK_ID] => 3
    [~IBLOCK_ID] => 3
    [IBLOCK_SECTION_ID] => 21
    [~IBLOCK_SECTION_ID] => 21
    [ACTIVE] => Y
    [~ACTIVE] => Y
    [ACTIVE_FROM] => 
    [~ACTIVE_FROM] => 
    [ACTIVE_TO] => 
    [~ACTIVE_TO] => 
    [DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [~DATE_ACTIVE_FROM] => 
    [DATE_ACTIVE_TO] => 
    [~DATE_ACTIVE_TO] => 
    [NAME] => Cканирующий (растровый) электронный микроскоп JEOL серии JSM-6010
    [~NAME] => Cканирующий (растровый) электронный микроскоп JEOL серии JSM-6010
    [PREVIEW_PICTURE] => 299
    [~PREVIEW_PICTURE] => 299
    [PREVIEW_TEXT] => 

Увеличение от 5 до 300 000 крат

Ускоряющее напряжение до 20 кВ

Разрешение до 4 нм в режиме высокого вакуума

Режимы высокого и низкого вакуума

Диаметр образца до 150 мм, высота до 50 мм

Опция - интегрированный ЭДС

[~PREVIEW_TEXT] =>

Увеличение от 5 до 300 000 крат

Ускоряющее напряжение до 20 кВ

Разрешение до 4 нм в режиме высокого вакуума

Режимы высокого и низкого вакуума

Диаметр образца до 150 мм, высота до 50 мм

Опция - интегрированный ЭДС

[PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [~PREVIEW_TEXT_TYPE] => html [DETAIL_PICTURE] => 300 [~DETAIL_PICTURE] => 300 [DETAIL_TEXT] => Cканирующий (растровый) электронный микроскоп производства JEOL (Япония) серии JSM-6010

Особенности


Это начальная модель в линейке напольных растровых электронных микроскопов компании JEOL. Микроскоп JEOL JSM 6010 оборудован электронно-оптической системой схожей со старшими моделями, что позволяет получать на нем изображения с высоким разрешением. Отличительной особенностью данной модели является его мобильность, т.е. для его работы не требуется подключение воды, а все вакуумные насосы находятся непосредственно на главном блоке, таким образом микроскоп можно перемещать по помещению, главное что бы рядом был источник электричества.

Прибор оснащен детекторами вторичных и обратноотраженных электронов, а также позволяет работать в условиях низкого вакуума. Это позволяет решать с помощью данного микроскопа широкий спектр задач в области материаловедения, биологии, медицины, геологии и т.д.

Новая операционная система микроскопа JEOL JSM-6010 ориентирована как на начинающих пользователей, так и на тех, кто работал с другими рабочими средами. Система не только обладает интуитивно понятным программным обеспечением, но также снабжена сенсорным дисплеем, который позволяет легко и быстро выполнять нужные действия. Опционально прибор может быть оборудован системой беспроводной связи, что позволит ПК подключаться при помощи беспроводного соединения. Благодаря этому, ПК можно разместить там, где это удобно. Управление осуществляется при помощи сенсорного дисплея и/или мыши.

Обслуживание прибора максимально упрощено, так например замена катода осуществляется оператором прибора и не представляет технических сложностей поскольку в JCM-6000 используется сменный источник электронов, который включает в себя Венельт и катод при этом очистка и центрирование катода не требуются. Кроме того JSM-6010 автоматически корректирует геометрию пучка после замены катода, заметно упрощая эту процедуру для конечного пользователя.

JSM-6010 может быть укомплектован рентгеновским энергодисперсионным спектрометром (ЭДС) с кремний-дрейфовым безазотным детектором, который позволяет проводить элементный анализ, строить карты распределения концентрации элементов, проводить исследования, совмещающие данные о химическом составе и морфологии микроструктуры образца. Диапазон анализируемый элементов от B до U, разрешение <=133 эВ.

Дружественное программное обеспечение, простота управления, невысокая стоимость прибора и низкие эксплуатационные расходы делают этот прибор очень привлекательным для использования в научно-образовательных целях, а также при проведении поточных серийных исследований на производстве

Характеристики


Режимы работы Высоковакуумный режим, низковакуумный режим
Разрешение в режиме высокого вакуума 4,0 нм (20 кВ), 8,0 нм (3 кВ), 15нм (1кВ)
Разрешение в режиме ниprого вакуума 5,0 нм (20 кВ)
Ускоряющее напряжение 0,5-20 кВ
Диапазон увеличений от х5 до х300 000
Столик Эвцентрический гониометрический столик с моторизацией по 2 или 3 осям (опция)
Диапазон перемещения столика Диапазон перемещений: X: 80 мм, Y: 40мм, Z: 43 мм
Наклон: от -10° до 90°, вращение - 360°
Максимальный размер образца диаметр до 150 мм, высота до 50 мм
Катод W, кассетного типа
Система откачки Полностью автоматическкая: турбомолекулярный насос  + ротационный насос
Операционная система для MS Windows 7 Pro + touch screenдисплей 23 дюйма для управления
Детектор Детектор вторичных и детектор обратно рассеянных электронов
Опции Лабораторная установка вакуумного напыления 
Энергодисперсионный анализатор (ЭДС)


ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ МИКРОСКОПА JSM-6010


[~DETAIL_TEXT] => Cканирующий (растровый) электронный микроскоп производства JEOL (Япония) серии JSM-6010

Особенности


Это начальная модель в линейке напольных растровых электронных микроскопов компании JEOL. Микроскоп JEOL JSM 6010 оборудован электронно-оптической системой схожей со старшими моделями, что позволяет получать на нем изображения с высоким разрешением. Отличительной особенностью данной модели является его мобильность, т.е. для его работы не требуется подключение воды, а все вакуумные насосы находятся непосредственно на главном блоке, таким образом микроскоп можно перемещать по помещению, главное что бы рядом был источник электричества.

Прибор оснащен детекторами вторичных и обратноотраженных электронов, а также позволяет работать в условиях низкого вакуума. Это позволяет решать с помощью данного микроскопа широкий спектр задач в области материаловедения, биологии, медицины, геологии и т.д.

Новая операционная система микроскопа JEOL JSM-6010 ориентирована как на начинающих пользователей, так и на тех, кто работал с другими рабочими средами. Система не только обладает интуитивно понятным программным обеспечением, но также снабжена сенсорным дисплеем, который позволяет легко и быстро выполнять нужные действия. Опционально прибор может быть оборудован системой беспроводной связи, что позволит ПК подключаться при помощи беспроводного соединения. Благодаря этому, ПК можно разместить там, где это удобно. Управление осуществляется при помощи сенсорного дисплея и/или мыши.

Обслуживание прибора максимально упрощено, так например замена катода осуществляется оператором прибора и не представляет технических сложностей поскольку в JCM-6000 используется сменный источник электронов, который включает в себя Венельт и катод при этом очистка и центрирование катода не требуются. Кроме того JSM-6010 автоматически корректирует геометрию пучка после замены катода, заметно упрощая эту процедуру для конечного пользователя.

JSM-6010 может быть укомплектован рентгеновским энергодисперсионным спектрометром (ЭДС) с кремний-дрейфовым безазотным детектором, который позволяет проводить элементный анализ, строить карты распределения концентрации элементов, проводить исследования, совмещающие данные о химическом составе и морфологии микроструктуры образца. Диапазон анализируемый элементов от B до U, разрешение <=133 эВ.

Дружественное программное обеспечение, простота управления, невысокая стоимость прибора и низкие эксплуатационные расходы делают этот прибор очень привлекательным для использования в научно-образовательных целях, а также при проведении поточных серийных исследований на производстве

Характеристики


Режимы работы Высоковакуумный режим, низковакуумный режим
Разрешение в режиме высокого вакуума 4,0 нм (20 кВ), 8,0 нм (3 кВ), 15нм (1кВ)
Разрешение в режиме ниprого вакуума 5,0 нм (20 кВ)
Ускоряющее напряжение 0,5-20 кВ
Диапазон увеличений от х5 до х300 000
Столик Эвцентрический гониометрический столик с моторизацией по 2 или 3 осям (опция)
Диапазон перемещения столика Диапазон перемещений: X: 80 мм, Y: 40мм, Z: 43 мм
Наклон: от -10° до 90°, вращение - 360°
Максимальный размер образца диаметр до 150 мм, высота до 50 мм
Катод W, кассетного типа
Система откачки Полностью автоматическкая: турбомолекулярный насос  + ротационный насос
Операционная система для MS Windows 7 Pro + touch screenдисплей 23 дюйма для управления
Детектор Детектор вторичных и детектор обратно рассеянных электронов
Опции Лабораторная установка вакуумного напыления 
Энергодисперсионный анализатор (ЭДС)


ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ МИКРОСКОПА JSM-6010


[DETAIL_TEXT_TYPE] => html [~DETAIL_TEXT_TYPE] => html [SEARCHABLE_CONTENT] => CКАНИРУЮЩИЙ (РАСТРОВЫЙ) ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП JEOL СЕРИИ JSM-6010 УВЕЛИЧЕНИЕ ОТ 5 ДО 300 000 КРАТ УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ ДО 20 КВ РАЗРЕШЕНИЕ ДО 4 НМ В РЕЖИМЕ ВЫСОКОГО ВАКУУМА РЕЖИМЫ ВЫСОКОГО И НИЗКОГО ВАКУУМА ДИАМЕТР ОБРАЗЦА ДО 150 ММ, ВЫСОТА ДО 50 ММ ОПЦИЯ - ИНТЕГРИРОВАННЫЙ ЭДС CКАНИРУЮЩИЙ (РАСТРОВЫЙ) ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП ПРОИЗВОДСТВА JEOL (ЯПОНИЯ) СЕРИИ JSM-6010 ОСОБЕННОСТИ ЭТО НАЧАЛЬНАЯ МОДЕЛЬ В ЛИНЕЙКЕ НАПОЛЬНЫХ РАСТРОВЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ МИКРОСКОПОВ КОМПАНИИ JEOL. МИКРОСКОП JEOL JSM 6010 ОБОРУДОВАН ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ СХОЖЕЙ СО СТАРШИМИ МОДЕЛЯМИ, ЧТО ПОЗВОЛЯЕТ ПОЛУЧАТЬ НА НЕМ ИЗОБРАЖЕНИЯ С ВЫСОКИМ РАЗРЕШЕНИЕМ. ОТЛИЧИТЕЛЬНОЙ ОСОБЕННОСТЬЮ ДАННОЙ МОДЕЛИ ЯВЛЯЕТСЯ ЕГО МОБИЛЬНОСТЬ, Т.Е. ДЛЯ ЕГО РАБОТЫ НЕ ТРЕБУЕТСЯ ПОДКЛЮЧЕНИЕ ВОДЫ, А ВСЕ ВАКУУМНЫЕ НАСОСЫ НАХОДЯТСЯ НЕПОСРЕДСТВЕННО НА ГЛАВНОМ БЛОКЕ, ТАКИМ ОБРАЗОМ МИКРОСКОП МОЖНО ПЕРЕМЕЩАТЬ ПО ПОМЕЩЕНИЮ, ГЛАВНОЕ ЧТО БЫ РЯДОМ БЫЛ ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРИЧЕСТВА. ПРИБОР ОСНАЩЕН ДЕТЕКТОРАМИ ВТОРИЧНЫХ И ОБРАТНООТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ, А ТАКЖЕ ПОЗВОЛЯЕТ РАБОТАТЬ В УСЛОВИЯХ НИЗКОГО ВАКУУМА. ЭТО ПОЗВОЛЯЕТ РЕШАТЬ С ПОМОЩЬЮ ДАННОГО МИКРОСКОПА ШИРОКИЙ СПЕКТР ЗАДАЧ В ОБЛАСТИ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ, БИОЛОГИИ, МЕДИЦИНЫ, ГЕОЛОГИИ И Т.Д. НОВАЯ ОПЕРАЦИОННАЯ СИСТЕМА МИКРОСКОПА JEOL JSM-6010 ОРИЕНТИРОВАНА КАК НА НАЧИНАЮЩИХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ, ТАК И НА ТЕХ, КТО РАБОТАЛ С ДРУГИМИ РАБОЧИМИ СРЕДАМИ. СИСТЕМА НЕ ТОЛЬКО ОБЛАДАЕТ ИНТУИТИВНО ПОНЯТНЫМ ПРОГРАММНЫМ ОБЕСПЕЧЕНИЕМ, НО ТАКЖЕ СНАБЖЕНА СЕНСОРНЫМ ДИСПЛЕЕМ, КОТОРЫЙ ПОЗВОЛЯЕТ ЛЕГКО И БЫСТРО ВЫПОЛНЯТЬ НУЖНЫЕ ДЕЙСТВИЯ. ОПЦИОНАЛЬНО ПРИБОР МОЖЕТ БЫТЬ ОБОРУДОВАН СИСТЕМОЙ БЕСПРОВОДНОЙ СВЯЗИ, ЧТО ПОЗВОЛИТ ПК ПОДКЛЮЧАТЬСЯ ПРИ ПОМОЩИ БЕСПРОВОДНОГО СОЕДИНЕНИЯ. БЛАГОДАРЯ ЭТОМУ, ПК МОЖНО РАЗМЕСТИТЬ ТАМ, ГДЕ ЭТО УДОБНО. УПРАВЛЕНИЕ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ПРИ ПОМОЩИ СЕНСОРНОГО ДИСПЛЕЯ И/ИЛИ МЫШИ. ОБСЛУЖИВАНИЕ ПРИБОРА МАКСИМАЛЬНО УПРОЩЕНО, ТАК НАПРИМЕР ЗАМЕНА КАТОДА ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ОПЕРАТОРОМ ПРИБОРА И НЕ ПРЕДСТАВЛЯЕТ ТЕХНИЧЕСКИХ СЛОЖНОСТЕЙ ПОСКОЛЬКУ В JCM-6000 ИСПОЛЬЗУЕТСЯ СМЕННЫЙ ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОНОВ, КОТОРЫЙ ВКЛЮЧАЕТ В СЕБЯ ВЕНЕЛЬТ И КАТОД ПРИ ЭТОМ ОЧИСТКА И ЦЕНТРИРОВАНИЕ КАТОДА НЕ ТРЕБУЮТСЯ. КРОМЕ ТОГО JSM-6010 АВТОМАТИЧЕСКИ КОРРЕКТИРУЕТ ГЕОМЕТРИЮ ПУЧКА ПОСЛЕ ЗАМЕНЫ КАТОДА, ЗАМЕТНО УПРОЩАЯ ЭТУ ПРОЦЕДУРУ ДЛЯ КОНЕЧНОГО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ. JSM-6010 МОЖЕТ БЫТЬ УКОМПЛЕКТОВАН РЕНТГЕНОВСКИМ ЭНЕРГОДИСПЕРСИОННЫМ СПЕКТРОМЕТРОМ (ЭДС) С КРЕМНИЙ-ДРЕЙФОВЫМ БЕЗАЗОТНЫМ ДЕТЕКТОРОМ, КОТОРЫЙ ПОЗВОЛЯЕТ ПРОВОДИТЬ ЭЛЕМЕНТНЫЙ АНАЛИЗ, СТРОИТЬ КАРТЫ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ, ПРОВОДИТЬ ИССЛЕДОВАНИЯ, СОВМЕЩАЮЩИЕ ДАННЫЕ О ХИМИЧЕСКОМ СОСТАВЕ И МОРФОЛОГИИ МИКРОСТРУКТУРЫ ОБРАЗЦА. ДИАПАЗОН АНАЛИЗИРУЕМЫЙ ЭЛЕМЕНТОВ ОТ B ДО U, РАЗРЕШЕНИЕ <=133 ЭВ. ДРУЖЕСТВЕННОЕ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ, ПРОСТОТА УПРАВЛЕНИЯ, НЕВЫСОКАЯ СТОИМОСТЬ ПРИБОРА И НИЗКИЕ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ РАСХОДЫ ДЕЛАЮТ ЭТОТ ПРИБОР ОЧЕНЬ ПРИВЛЕКАТЕЛЬНЫМ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В НАУЧНО-ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫХ ЦЕЛЯХ, А ТАКЖЕ ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ПОТОЧНЫХ СЕРИЙНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НА ПРОИЗВОДСТВЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМЫ РАБОТЫ ВЫСОКОВАКУУМНЫЙ РЕЖИМ, НИЗКОВАКУУМНЫЙ РЕЖИМ РАЗРЕШЕНИЕ В РЕЖИМЕ ВЫСОКОГО ВАКУУМА 4,0 НМ (20 КВ), 8,0 НМ (3 КВ), 15НМ (1КВ) РАЗРЕШЕНИЕ В РЕЖИМЕ НИPRОГО ВАКУУМА 5,0 НМ (20 КВ) УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ 0,5-20 КВ ДИАПАЗОН УВЕЛИЧЕНИЙ ОТ Х5 ДО Х300&NBSP;000 СТОЛИК ЭВЦЕНТРИЧЕСКИЙ ГОНИОМЕТРИЧЕСКИЙ СТОЛИК С МОТОРИЗАЦИЕЙ ПО 2 ИЛИ 3 ОСЯМ (ОПЦИЯ) ДИАПАЗОН ПЕРЕМЕЩЕНИЯ СТОЛИКА ДИАПАЗОН ПЕРЕМЕЩЕНИЙ: X: 80 ММ, Y: 40ММ, Z: 43 ММ НАКЛОН: ОТ -10° ДО 90°, ВРАЩЕНИЕ - 360° МАКСИМАЛЬНЫЙ РАЗМЕР ОБРАЗЦА ДИАМЕТР ДО 150 ММ, ВЫСОТА ДО 50 ММ КАТОД W, КАССЕТНОГО ТИПА СИСТЕМА ОТКАЧКИ ПОЛНОСТЬЮ АВТОМАТИЧЕСККАЯ: ТУРБОМОЛЕКУЛЯРНЫЙ НАСОС &NBSP;+ РОТАЦИОННЫЙ НАСОС ОПЕРАЦИОННАЯ СИСТЕМА ДЛЯ MS WINDOWS 7 PRO +&NBSP;TOUCH SCREENДИСПЛЕЙ 23 ДЮЙМА ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ДЕТЕКТОР ДЕТЕКТОР ВТОРИЧНЫХ И ДЕТЕКТОР ОБРАТНО РАССЕЯННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ ОПЦИИ ЛАБОРАТОРНАЯ УСТАНОВКА ВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ&NBSP; ЭНЕРГОДИСПЕРСИОННЫЙ АНАЛИЗАТОР (ЭДС) ВИДЕОПРЕЗЕНТАЦИЯ МИКРОСКОПА JSM-6010 [~SEARCHABLE_CONTENT] => CКАНИРУЮЩИЙ (РАСТРОВЫЙ) ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП JEOL СЕРИИ JSM-6010 УВЕЛИЧЕНИЕ ОТ 5 ДО 300 000 КРАТ УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ ДО 20 КВ РАЗРЕШЕНИЕ ДО 4 НМ В РЕЖИМЕ ВЫСОКОГО ВАКУУМА РЕЖИМЫ ВЫСОКОГО И НИЗКОГО ВАКУУМА ДИАМЕТР ОБРАЗЦА ДО 150 ММ, ВЫСОТА ДО 50 ММ ОПЦИЯ - ИНТЕГРИРОВАННЫЙ ЭДС CКАНИРУЮЩИЙ (РАСТРОВЫЙ) ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП ПРОИЗВОДСТВА JEOL (ЯПОНИЯ) СЕРИИ JSM-6010 ОСОБЕННОСТИ ЭТО НАЧАЛЬНАЯ МОДЕЛЬ В ЛИНЕЙКЕ НАПОЛЬНЫХ РАСТРОВЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ МИКРОСКОПОВ КОМПАНИИ JEOL. МИКРОСКОП JEOL JSM 6010 ОБОРУДОВАН ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ СХОЖЕЙ СО СТАРШИМИ МОДЕЛЯМИ, ЧТО ПОЗВОЛЯЕТ ПОЛУЧАТЬ НА НЕМ ИЗОБРАЖЕНИЯ С ВЫСОКИМ РАЗРЕШЕНИЕМ. ОТЛИЧИТЕЛЬНОЙ ОСОБЕННОСТЬЮ ДАННОЙ МОДЕЛИ ЯВЛЯЕТСЯ ЕГО МОБИЛЬНОСТЬ, Т.Е. ДЛЯ ЕГО РАБОТЫ НЕ ТРЕБУЕТСЯ ПОДКЛЮЧЕНИЕ ВОДЫ, А ВСЕ ВАКУУМНЫЕ НАСОСЫ НАХОДЯТСЯ НЕПОСРЕДСТВЕННО НА ГЛАВНОМ БЛОКЕ, ТАКИМ ОБРАЗОМ МИКРОСКОП МОЖНО ПЕРЕМЕЩАТЬ ПО ПОМЕЩЕНИЮ, ГЛАВНОЕ ЧТО БЫ РЯДОМ БЫЛ ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРИЧЕСТВА. ПРИБОР ОСНАЩЕН ДЕТЕКТОРАМИ ВТОРИЧНЫХ И ОБРАТНООТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ, А ТАКЖЕ ПОЗВОЛЯЕТ РАБОТАТЬ В УСЛОВИЯХ НИЗКОГО ВАКУУМА. ЭТО ПОЗВОЛЯЕТ РЕШАТЬ С ПОМОЩЬЮ ДАННОГО МИКРОСКОПА ШИРОКИЙ СПЕКТР ЗАДАЧ В ОБЛАСТИ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ, БИОЛОГИИ, МЕДИЦИНЫ, ГЕОЛОГИИ И Т.Д. НОВАЯ ОПЕРАЦИОННАЯ СИСТЕМА МИКРОСКОПА JEOL JSM-6010 ОРИЕНТИРОВАНА КАК НА НАЧИНАЮЩИХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ, ТАК И НА ТЕХ, КТО РАБОТАЛ С ДРУГИМИ РАБОЧИМИ СРЕДАМИ. СИСТЕМА НЕ ТОЛЬКО ОБЛАДАЕТ ИНТУИТИВНО ПОНЯТНЫМ ПРОГРАММНЫМ ОБЕСПЕЧЕНИЕМ, НО ТАКЖЕ СНАБЖЕНА СЕНСОРНЫМ ДИСПЛЕЕМ, КОТОРЫЙ ПОЗВОЛЯЕТ ЛЕГКО И БЫСТРО ВЫПОЛНЯТЬ НУЖНЫЕ ДЕЙСТВИЯ. ОПЦИОНАЛЬНО ПРИБОР МОЖЕТ БЫТЬ ОБОРУДОВАН СИСТЕМОЙ БЕСПРОВОДНОЙ СВЯЗИ, ЧТО ПОЗВОЛИТ ПК ПОДКЛЮЧАТЬСЯ ПРИ ПОМОЩИ БЕСПРОВОДНОГО СОЕДИНЕНИЯ. БЛАГОДАРЯ ЭТОМУ, ПК МОЖНО РАЗМЕСТИТЬ ТАМ, ГДЕ ЭТО УДОБНО. УПРАВЛЕНИЕ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ПРИ ПОМОЩИ СЕНСОРНОГО ДИСПЛЕЯ И/ИЛИ МЫШИ. ОБСЛУЖИВАНИЕ ПРИБОРА МАКСИМАЛЬНО УПРОЩЕНО, ТАК НАПРИМЕР ЗАМЕНА КАТОДА ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ОПЕРАТОРОМ ПРИБОРА И НЕ ПРЕДСТАВЛЯЕТ ТЕХНИЧЕСКИХ СЛОЖНОСТЕЙ ПОСКОЛЬКУ В JCM-6000 ИСПОЛЬЗУЕТСЯ СМЕННЫЙ ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОНОВ, КОТОРЫЙ ВКЛЮЧАЕТ В СЕБЯ ВЕНЕЛЬТ И КАТОД ПРИ ЭТОМ ОЧИСТКА И ЦЕНТРИРОВАНИЕ КАТОДА НЕ ТРЕБУЮТСЯ. КРОМЕ ТОГО JSM-6010 АВТОМАТИЧЕСКИ КОРРЕКТИРУЕТ ГЕОМЕТРИЮ ПУЧКА ПОСЛЕ ЗАМЕНЫ КАТОДА, ЗАМЕТНО УПРОЩАЯ ЭТУ ПРОЦЕДУРУ ДЛЯ КОНЕЧНОГО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ. JSM-6010 МОЖЕТ БЫТЬ УКОМПЛЕКТОВАН РЕНТГЕНОВСКИМ ЭНЕРГОДИСПЕРСИОННЫМ СПЕКТРОМЕТРОМ (ЭДС) С КРЕМНИЙ-ДРЕЙФОВЫМ БЕЗАЗОТНЫМ ДЕТЕКТОРОМ, КОТОРЫЙ ПОЗВОЛЯЕТ ПРОВОДИТЬ ЭЛЕМЕНТНЫЙ АНАЛИЗ, СТРОИТЬ КАРТЫ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ, ПРОВОДИТЬ ИССЛЕДОВАНИЯ, СОВМЕЩАЮЩИЕ ДАННЫЕ О ХИМИЧЕСКОМ СОСТАВЕ И МОРФОЛОГИИ МИКРОСТРУКТУРЫ ОБРАЗЦА. ДИАПАЗОН АНАЛИЗИРУЕМЫЙ ЭЛЕМЕНТОВ ОТ B ДО U, РАЗРЕШЕНИЕ <=133 ЭВ. ДРУЖЕСТВЕННОЕ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ, ПРОСТОТА УПРАВЛЕНИЯ, НЕВЫСОКАЯ СТОИМОСТЬ ПРИБОРА И НИЗКИЕ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ РАСХОДЫ ДЕЛАЮТ ЭТОТ ПРИБОР ОЧЕНЬ ПРИВЛЕКАТЕЛЬНЫМ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В НАУЧНО-ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫХ ЦЕЛЯХ, А ТАКЖЕ ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ПОТОЧНЫХ СЕРИЙНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НА ПРОИЗВОДСТВЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЖИМЫ РАБОТЫ ВЫСОКОВАКУУМНЫЙ РЕЖИМ, НИЗКОВАКУУМНЫЙ РЕЖИМ РАЗРЕШЕНИЕ В РЕЖИМЕ ВЫСОКОГО ВАКУУМА 4,0 НМ (20 КВ), 8,0 НМ (3 КВ), 15НМ (1КВ) РАЗРЕШЕНИЕ В РЕЖИМЕ НИPRОГО ВАКУУМА 5,0 НМ (20 КВ) УСКОРЯЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ 0,5-20 КВ ДИАПАЗОН У