ООО «ЭНЕРГОАВАНГАРД»
комплексное оснащение предприятий

+ 7 495 564-82-37

info@eav.su
Отправить запрос на оборудование

JEOL JIB-4600F - двухлучевая (ионно-электронная) система с термополевым источником электронов Шоттки


снято с производства
JEOL JIB-4600F Multibeam - двухлучевая (ионно-электронная) система с термополевым источником электронов Шоттки для ионной пушкой для микротравления производства компании JEOL (Япония)
JEOL Ltd. - мировой лидер в производстве и разработке сканирующих (растровых) электронных микроскопов (РЭМ), просвечивающих электронных микроскопов (ПЭМ), анализаторов поверхности (ОЖЕ микроанализаторы, фотоэлектронные спектрометры, электронно-зондовые микроанализаторы EPMA), системы с фокусированным ионным пучком, масс-спектрометров, спектрометров ядерного магнитного резонанса (ЯМР) и систем электронно-лучевой литографии для производства полупроводниковых приборов.

JIB-4600F MultiBeam —гибридная система, сочетающая в себе высокоразрешающий РЭМ и систему со сфокусированным ионным пучком для микротравления (послойное травление образцов).

РЭМ позволяет позиционировать ионный пучок в место травления с высокой точностью и визуализировать процесс травления с разрешением до 1.2 нм.

Благодаря высокому току зонда (до 200 нА), прибор позволяет эффективно использовать приставки для микроанализа (ЭДС, ДОРЭ), а большое количество портов открывают широкие возможности по дооснащению прибора различными приставками.

Также, непосредственно в камеру образцов данного прибора возможна установка наноманипуляторов серии Omniprobe, которые позволяют производить различные механические манипуляции с модифицируемыми объектами.

Основные технические характеристики JEOL JIB-4600F:


СФОКУСИРОВАННЫЙ ИОННЫЙ ПУЧОК (СИП) ДЛЯ МИКРОТРАВЛЕНИЯ
Источник ионов
Ga-источник, 1 – 30 кВ, 30 нА (на 30 кВ)
Разрешение
5 нм (при 30 кВ)
Максимальный ток ионов
30 нA (при 30 кВ)
Увеличение
x30, х100 – x300,000
РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП (РЭМ)
Источник электронов
ZrO/W (100) Шоттки, 0.2 – 30 кВ, 200 нА
Увеличение
x50 – x1,000,000
Разрешение
1.2 нм (30 кВ) 3.0 нм (1 кВ)
Столик образцов
гониометрический (X: 50 мм, Y: 50 мм, Z: 1,5-40 мм)

Аналитические приставки и опции:

- система энергодисперсионного микроанализа
- система анализа дифракции отражённых электронов
- система спектрального анализа катодолюминесценции
- детектор прошедших электронов
- ИК камера для обзора образцов
- система нагнетания газа (GIS) x3
- Наноманипулятор (система)
- Детектирование зондового тока
- Азотная ловушка
- система запирания пучка (Beam blanking device)
- программное обеспечение для трехмерной реконструкции


Похожая продукция


X
Запрос на оборудование
Заказать интересующее вас оборудование вы можете с помощью приведенной ниже формы.Специалисты ООО «ЭНЕРГОАВАНГАРД» свяжутся с вами в ближайшее время для уточнения вашего заказа и проконсультируют по всем интересующим вопросам.
ФИО *
Телефон *
Организация *
Какая продукция интересует?
Электронный адрес
Текст сообщения: *
Пройдите проверку:*