ООО «ЭНЕРГОАВАНГАРД»
комплексное оснащение предприятий

+ 7 495 564-82-37

info@eav.su
Отправить запрос на оборудование

Применение: Исследовательские работы, очистка, активация, травление (мелкосерийные процессы)

Применение: Исследовательские работы, очистка, активация, травление (мелкосерийные процессы)

Применение: Исследовательские работы, очистка, активация, травление (мелкосерийные процессы)


Установка плазменной очистки низкого давления модели Yocto производства Diener electronic (Германия).

Применение: очистка, активациям

Камера: около Ø50 мм, глубина 150 мм

Вакуумный насос - 0,75 м3/час

Ганератор 100 кГц, 30 Вт

Управление: ручное

Газовая линия - 1 шт.

Бюджетная полностью с ручным управлением установки MDA-400LJ широко применяется для технологий изготовления MEMS, оптоэлектроники и др. В режиме контактного экспонирования система может достигнуть прецизионной точности разрешения в 1 мкм.

MDA-400LJ - это идеальный и экономичный вариант для использования в лаборатории для проведения НИОКР и для малых объемов производства. Обработка пластин до 100 мм.

Новое поколение систем прямого экспонирования установка MLA150 объединяет в себе легкость использования и высокую точность совмещения и высокую производительность. Предназначена для решения задач, требующих высокой производительности - исследования, НИОКР, производство и др.

Высокая производительность, низкая стоимость использования.

Минимальный топологический размер 1,0 мкм.

Размер шаблонов или пластин до 8 х 8 дюймов.

Область экспонирования до 150 х 150 мм. или до Ø150 мм

Точность совмещения (100x100 мм² [3sigma, нм]) - 500 нм.

Время экспонирования области 100х100 мм² - 9 минут.

Обратное совмещение (BSA)- опция.

Возможность установки двух источников - 405 нм и 375 нм.

Настольная модель безмаскового совмещения и экспонирования. Предназначена для решения задач, не требующих высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др.

Высокая производительность, малая занимаемая площадь, низкая стоимость использования.

Минимальный топологический размер 1,0 мкм.

Размер шаблонов или пластин до 6 х 6 дюймов.

Область экспонирования до 125 х 125 мм. или до Ø100 мм

Точность совмещения (50x50 мм² [3sigma, нм]) - 1000 нм.

Время экспонирования области 100х100 мм² - 200 минут.( около 3 часов)

Растровое (бинарное) экспонирование и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Basic Gray Scale Exposure Mode).

Предназначена для работы с фотошаблонами при больших объемах производства. Увеличена скорость письма по сравнению с DWL 66+ и DWL 200/DWL 4000.

Предназначена для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики, дисплеи.

Предназначен для работы с фотошаблонами при больших объемах производства. Увеличена скорость письма по сравнению с DWL 66FS.

Предназначена для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.

Минимальный топологический размер 0,6 мкм. Размер шаблонов до 200 х 200 мм и до 400 х 400 мм соответственно, пластин до 200 мм и до 400 мм сообветственно. Размер адресной сетки до 5 нм. Скорость письма от 29 до 340 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.

Система безмасковой лазерной литографии DWL 66+ предназначена для задач НИОКР, мелкой серии, опытное производство. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.

Минимальный топологический размер 0,6 мкм. Размер шаблонов до 200 х 200 мм, пластин до 200 мм. Размер адресной сетки до 10 нм.

Скорость письма от 6 до 1000 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.

Настольная модель лазерной безмасковой литографии. Предназначена для решения задач, не требующих высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др.

Минимальный топологический размер 0,9 мкм. Сменные пишущие головки на 0,9 мкм, 2,5 мкм, 5,0 мкм. Размер шаблонов или пластин до 6 х 6 дюймов. Область экспонирования до 125 х 125 мм.

Размер адресной сетки до 40 нм.

Растровое (бинарное) экспонирование, векторное экспонирование (Vector Exposure Mode) и 3D экспонирование для режима полутоновой шкалы экспонирования (Basic Gray Scale Exposure Mode).

Скорость письма от 5 до 90 мм2/мин в зависимости от выбора пишущей линзы.


X
Запрос на оборудование
Заказать интересующее вас оборудование вы можете с помощью приведенной ниже формы.Специалисты ООО «ЭНЕРГОАВАНГАРД» свяжутся с вами в ближайшее время для уточнения вашего заказа и проконсультируют по всем интересующим вопросам.
ФИО *
Телефон *
Организация *
Какая продукция интересует?
Электронный адрес
Текст сообщения: *
Пройдите проверку:*