ООО «ЭНЕРГОАВАНГАРД»
комплексное оснащение предприятий

Отправить запрос на оборудование
Заказать звонок

Установки плазмо-химического осаждения диэлектриков SI 500 D


ICPECVD установка высокоскоростного плазмо-химического низкотемпературного осаждения высококачественных пленок (SiO2, Si3N4, SiOx, SiOxNy) в индуктивно связанной плазме:

  • ICPECVD осаждение SiO2, Si3N4, SiOx, SiNy, SiOxNy, a-Si
  • Вакуумный загрузочный шлюз
  • 6 газовых линий
  • Обработка пластин диаметром до 200 мм
  • Температура подложки от КТ до 350 oC
  • Программное обеспечение SENTECH Software
  • Опции: LF генератор, OES, in-situ эллипсометр, лазерная интерферометрия

Система низкотемпаратурного плазмо-химического осаждения диэлектриков  ICPECVD SI 500 D PTSA ICP Plasma Deposition System производства SENTECH Instruments GmbH специально разработана для низкотемпературного нанесения диэлектрических пленок (SiO2, Si3N4, SiOxNy) на полупроводниковые и органические подложки.

Отличительные особенности системы – плоский источник индуктивно связанной плазмы PTSA200, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамической регулировкой температуры, а также высокоэффективная вакуумная система. Эти особенности позволяют получать слои диэлектриков высокого качества при низкой температуре (-150оС...+400оС), производить эффективную сухую очистку реакторной камеры. Все важные параметры оборудования контролируются автоматически.

Электрод подложки рассчитан на работу с 8” пластинами или держателями пластин (держатели используются для пластин размером меньше, чем 8”).

Вакуумная система, состоящая из турбомолекулярного и форвакуумного насоса, разработана в соответствии с требованиями ICP процессов. Газовая система, реакторная камера и вакуумная система позволяют использовать силан (SiH4) и аммиак (NH3). Автоматические дроссельные регуляторы поддерживают постоянное давление в реакторной камере, независимо от интенсивности газового потока.


Конфигурация системы:


  • PTSA ICP источник индуктивной плазмы (13.56 MHz, 1200 W)
  • Источник ВЧ смещения (13,56 МГц, 600 Вт.)
  • Душевая система распыления реакционных газов
  • 6 газовых линий с датчиками массового расхода MFC  (SiH4, NH3, N2O, O2, Ar, CF4)
  • Высокопроизводительная вакуумная система с контролем давления независимого от натекания газа
  • Вакуумный загрузочный шлюз
  • Изолированный охлаждаемый или нагреваемый (КТºC до to 350ºC) электрод для работы с пластинами или держателями диаметром до 200 мм. (2, 3,4,6 дюймов, кусочки)
  • Гелиевое охлаждение обратной стороны пластины, механически прижим
  • Динамический контроль температуры
  • Удаленный контроль
  • Управление под операционной системой Windows XP
  • Программное обеспечение SENTECH для управления процессами и всеми узлами системы

Похожая продукция

Вы недавно смотрели: