ООО «ЭНЕРГОАВАНГАРД»
комплексное оснащение предприятий

Отправить запрос на оборудование
Заказать звонок

Плазменное осаждение

ICPECVD установка высокоскоростного плазмо-химического низкотемпературного осаждения высококачественных пленок (SiO2, Si3N4, SiOx, SiOxNy) в индуктивно связанной плазме:

ICPECVD осаждение SiO2, Si3N4, SiOx, SiNy, SiOxNy, a-Si

Вакуумный загрузочный шлюз

6 газовых линий

Обработка пластин диаметром до 200 мм

Температура подложки от КТ до 350 oC

Программное обеспечение SENTECH Software

Опции: LF генератор, OES, in-situ эллипсометр, лазерная интерферометрия

PECVD установка плазмо-химического осаждения диэлектриков с вакуумным загрузочным шлюзом:

PECVD осаждение SiO2, Si3N4, SiOx, SiNy, SiOxNy, a-Si

Вакуумный загрузочный шлюз

6 газовых линий

Обработка пластин диаметром до 200 мм

Температура подложки от КТ до 350 oC

Программное обеспечение SENTECH Software

Опции: LF генератор, OES, in-situ эллипсометр, лазерная интерферометрия, источники для осаждения TEOS и др. жидких прекурсоров

PECVD установка плазмо-химического осаждения диэлектриков без вакуумного загрузочного шлюза (open lid system)

PECVD осаждение SiO2, Si3N4, SiOx, SiNy, a-Si 6 газовых линий

Обработка пластин диаметром до 200 мм

Температура подложки до 400 oC

Сухая откачка

Программное обеспечение SENTECH Software

Опции: LF генератор, OES, in-situ эллипсометр