ООО «ЭНЕРГОАВАНГАРД»
комплексное оснащение предприятий

Отправить запрос на оборудование
Заказать звонок

Установка безмасковой лазерной литографии DWL 2000/ DWL 4000


DWL 2000 и DWL 4000 - высокопроизводительные cистемы безмасковой лазерной литография Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия) для производства фотошаблонов и прямого формирования изображения
Высокопроизводительный лазерный генератор изображений Heidelberg DWL DWL 2000 и DWL 4000 предназначен для работы с фотошаблонами при больших объемах производства. Увеличена скорость письма по сравнению с DWL 66FS. Предназначена для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.

Для обеспечения высокоточного перемещения лазерного луча генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки. Во время экспонирования положение координатного столика контролируется с помощью интерферометрической системы высокого разрешения.
Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки.

Для перемещения подложки в горизонтальной плоскости применяется специальная система позиционирования.
Камера микроклимата входит в комплект поставки.

В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм, (100 мВт или больше по запросу). В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена различными лазерными системами: Kr-ion (413 нм, 300 мВт) или UV (375 нм, 18 мВт).

Генератор может быть снабжён автоматической системой загрузки пластин (из кассеты в кассету), возможна загрузка пластин диаметром 200 мм или размером 178 х 178 мм.

Технические характеристики:

Минимальный топологический размер до 0,5 мкм;
Размер поля экспонирования до 200 х 200 мм для DWL 2000;
Размер поля экспонирования до 400 х 400 мм для DWL 4000;
Дискретность адресной сетки до 5 нм;
Скорость экспонирования для области 200 х 200 мм — до 340 мм2/мин;
Скорость экспонирования для области 400 х 400 мм — до 340 мм2/мин;
Неровность края элементов до 50 нм;
Толщина подложки до 7 мм или другая по запросу (по ТЗ заказчика)
Погрешность позиционирования подложки: 10 нм;
Размеры установки DWL 2000: 1740 х 1215 х 2200 мм, вес: 1000 кг;
Размеры блока управления: 800 х 650 х 1800 мм, вес: 180 кг;
Энергопотребление: 400 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 32 A.
Класс чистоты комнаты: 1000 или лучше.

Состав установки в базовой комплектации:

Камера микроклимата;
Гранитное основание и основной блок;
Антивибрационная система;
Оптическая система;
Измерительная система;
Калибровочная система автофокусировки;
Система позиционирования подложки;
Электронный блок управления;
Персональный компьютер пользователя;
Система генерации и обработки изображений в реальном времени.
Опция - продвинутая система экспонирования в серой шкале (grey scale exposure mode) - для создания 3D структур. До 4096 градаций (уровней)

Комплектация по заказу :

Возможность работы с различным разрешением путём простой замены пишущей головки;
Блок охлаждения для камеры микроклимата, при использовании мощных лазерных источников;
Возможность использования различных лазерных источников для работы на разных длинах волн.

Лазерные источники:

Диодный лазер — 405 нм, 50 мВт, 7000 часов, воздушное охлаждение, для тонких и стандартых резистов;
Kr-ion лазер — 413 нм, 300 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов;
UV лазер — 375 нм, 18 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов

Режимы формирования рисунка:

Режим работы I II III IV
Размер адресной сетки, нм 5 10 12,5 25
Минимальный размер элемента, мкм 0,5 0,7 0,8 1,3
Скорость письма (mm2/мин) с диодным лазером.  (405 нм) 29 110 - -
Скорость письма (mm2/мин) с Криптон-ионном лазером (413 нм) 29 110 170 340
Неровность края (3σ), нм Edge roughness [3σ, nm] 40 50 60 80
Равномерность линии (3σ), нм CD uniformity [3σ, nm 60 80 90 120
Точность совмещения (3σ), нм Overlay accuracy [3σ, nm] 160 200 225 350
Alignment measurement accuracy [3σ, nm] 60 70 90 140

Примеры:

dwl2000_application 1.jpg dwl2000_application 2.jpg dwl2000_application 3.jpeg


СКАЧАТЬ БРОШЮРУ В PDF




Похожая продукция

Вы недавно смотрели: